專利名稱：：芘系衍生物以及應用該衍生物的有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光(以下有時把電致發(fā)光簡稱為EL)元件，特別涉及因把特定的芘系衍生物和特定的胺化合物用作發(fā)光材料而具有長的壽命、高發(fā)光效率而且制造成本廉價的有機EL元件。
背景技術(shù)：
：有機電致發(fā)光元件(以下有時把電致發(fā)光簡稱為EL)為一種自發(fā)發(fā)光元件，原理是在施加電場時，熒光物質(zhì)通過從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子的復合能發(fā)光。自從伊斯特曼可德公司(一7卜^y〕夕、':y夕社)的C.W.Tang等人報導了利用層疊型元件的低壓驅(qū)動有機EL元件(C.W.Tang，S.A.Vanslyke，AppliedPhysicsLetters(應用物理)，第51巻，第913頁，1987年等)以來，有關(guān)把有機材料作為構(gòu)成材料的有機EL元件的研究方興未艾。Tang等人將三(8-喹啉酚根)合鋁用于發(fā)光層，將三苯基二胺衍生物用于空穴輸送層。作為層疊結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，可列舉提高將空穴注入到發(fā)光層的效率，提高通過阻斷并復合從陰極注入的電子形成激子的生成效率，并可將發(fā)光層中形成的激子封閉起來等。作為這種例子的有機EL元件的元件結(jié)構(gòu)，熟知的是空穴輸送(注入)層、電子輸送發(fā)光層的兩層型結(jié)構(gòu)或者空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的三層型結(jié)構(gòu)等。為了在這種層疊型元件中提高注入的空穴和電子的復合效率，對其元件結(jié)構(gòu)及形成方法的研究也正在進行。另外，作為發(fā)光材料，已知的是三(8-喹啉酚根)合鋁配位化合物等螯合配位化合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、雙苯乙烯基亞芳基衍生物和隨二唑衍生物等發(fā)光材料，可由上述發(fā)光材料獲得藍色至紅色的可見光區(qū)內(nèi)的發(fā)光，有望制備彩色顯示元件(例如，參考專利文獻卜3)。近年來，進行了大量把磷光性化合物用作發(fā)光材料，將三重態(tài)狀態(tài)的能量用于EL發(fā)光的研究。普林斯頓大學的研究小組報導了把銥配位化合物用作發(fā)光材料的有機發(fā)光元件可顯示出高的發(fā)光效率(非專利文獻l)。此外，除了應用如上所述的低分子材料的有機發(fā)光元件以外，劍橋大學的研究小組還報導了應用共軛系高分子的有機發(fā)光元件(非專利文獻2)。在該報導中通過使聚亞苯基亞乙烯基(PPV)經(jīng)涂布成膜，以單層結(jié)構(gòu)觀察到了發(fā)光。如上所述，最近有機發(fā)光元件的進步顯著，其特點是可以用低外加電壓實現(xiàn)亮度高、發(fā)光波長具多樣性、具高速應答性、薄型且輕量的發(fā)光設備，從而暗示了其用途廣泛的可能性。隨著有機發(fā)光元件的顯著的進步，對發(fā)光材料性能的要求也越來越高，在專利文獻4和專利文獻5中，公開了具有特定結(jié)構(gòu)的芴化合物可以用低電壓獲得高亮度的發(fā)光，而且耐久性也優(yōu)異。但是，目前的情況是需要更高亮度的光輸出或者高轉(zhuǎn)換效率。此外，在因長期使用所產(chǎn)生的時效變化或因含有氧的氛圍氣體和濕氣等產(chǎn)生的劣化等耐久性方面還存在許多問題。另外，應用于彩色顯示器時需要色純度好的藍色、綠色、紅色的發(fā)光，而這些問題目前還存在不足。專利文獻l:特開平8-239655號公報專利文獻2:特開平7-183561號公報專利文獻3:特開平3-200889號公報專利文獻4:特開2004—83481專利文獻5:特開2004—43349非專利文獻l:Nature(自然)，395,151(1998)非專利文獻2:Nature(自然)，347,539(1990)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，目的是提供特別適合作為用于有機EL元件的發(fā)光材料使用的芘系衍生物和胺化合物。另一個目的是提供發(fā)光效率高、壽命長的有機EL元件。于是，還一個目的是可以容易而且比較廉價地制造這種有機EL元件。因此，本發(fā)明將提供一種耐熱性優(yōu)異、壽命長、發(fā)光效率高且可獲得藍色發(fā)光的有機EL元件。本發(fā)明人等為了解決上述課題而進行了反復的專心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在陰極和陽極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機薄膜層的有機EL元件中，該有機薄膜層的至少一層含有下述通式(1)表示的芘系衍生物和下述通式(2)表示的胺化合物時，可以制造發(fā)光效率高、壽命長的有機EL元件，從而完成了本發(fā)明。(A)k—(X)m—(Ar)n—(Y)。一(B)p…(1)[式中，X是取代或未取代的芘殘基。A和B分別獨立地是氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基、取代或未取代的碳原子數(shù)5—50的芳香族雜環(huán)基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)1一50的飽和或者不飽和的亞烷基。Ar是取代或未取代的碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基或者取代或未取代的碳原子數(shù)5—50的芳香族雜環(huán)基。Y是取代或未取代的碳原子數(shù)4一50的稠環(huán)基或者稠合雜環(huán)基。k、o和p分別獨立地是0—10的整數(shù)。m是l一10的整數(shù)。n是3以上的整數(shù)。多個X、A、B、Ar或者Y可以相同或不同。在X、Ar和Y間的結(jié)合中，至少一個是間位或鄰位結(jié)合。][化學式1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>[式中，P表示取代或未取代的碳原子數(shù)6—40的芳香族烴基、取代或未取代的碳原子數(shù)3—40的雜環(huán)基、取代或未取代的苯乙烯基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)10—40的稠合芳香環(huán)基。1一Y4分別獨立地是選自取代或未取代的亞垸基、亞芳烷基、亞烯基、氨基和甲硅烷基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的未取代的羰基、或者醚基以及硫醚基的基團，可以相同或不同。r是2以上時，Y3和Y4可以相同或不同。q表示1一20的整數(shù)。r表示0—3的整數(shù)。]發(fā)明效果把上述通式(1)表示的芘系化合物和通式(2)(包含(4))表示的胺化合物用作發(fā)光材料時，可以制作發(fā)光效率高、壽命長的有機EL元件。具體實施方式本發(fā)明的有機EL元件，其在陰極和陽極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機薄膜層，該有機薄膜層的至少一層含有下述通式(1)表示的芘系衍生物和下述通式(2)表示的胺化合物。本發(fā)明的芘系衍生物可以用下述通式(1)表示。(A)k—(X)m—(Ar)n—(Y)。一(B)p…(1)式中，X是取代或未取代的芘殘基。A和B分別獨立地是氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基、取代或未取代的碳原子數(shù)5一50的芳香族雜環(huán)基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)1一50的飽和或者不飽和的亞烷基。Ar是取代或未取代的碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基或者取代或未取代的碳原子數(shù)5—50的芳香族雜環(huán)基。Y是取代或未取代的碳原子數(shù)4—50的稠環(huán)基或者稠合雜環(huán)基。k、o和p分別獨立地是0—10的整數(shù)。m是1—10的整數(shù)。n是3以上的整數(shù)。多個X、A、B、Ar或者Y可以相同或不同。在B、Ar和Y間的結(jié)合中，至少一個是間位或鄰位結(jié)合。另外，上述通式(1)的優(yōu)選的例子是下述通式(3)。X—Ar廣Ar廣Ar廣Y...(3)式中，X是取代或未取代的芘殘基。A和B分別獨立地是氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基、取代或未取代的碳原子數(shù)5_50的芳香族雜環(huán)基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)1一50的飽和或者不飽和的亞烷基。An—Ar3分別獨立地是取代或未取代的碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基或者取代或未取代的碳原子數(shù)5—50的芳香族雜環(huán)基。Y是取代或未取代的碳原子數(shù)4一50的稠環(huán)基或者稠合雜環(huán)基。k和p分別獨立地是O—IO的整數(shù)。在X、Ar和Y的結(jié)合中，至少一個是間位或鄰位結(jié)合。作為上述芳香族烴基的例子，可列舉苯基、l一萘基、2—萘基、l一蒽基、2—蒽基、9一蒽基、1—菲基、2—菲基、3—菲基、4—菲基、9一菲基、1—并四苯基、2—并四苯基、9—并四苯基、l一芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4一聯(lián)苯基、對聯(lián)三苯一4一基、對聯(lián)三苯一3—基、對聯(lián)三苯—2—基、間聯(lián)三苯一4一基、間聯(lián)三苯一3—基、間聯(lián)三苯一2—基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、鄰叔丁基苯基、對(2—苯基丙基)苯基、3—甲基一2—萘基、4—甲基一l一萘基、4一甲基一1一蒽基、4'一甲基聯(lián)苯基、4"一叔丁基一對三聯(lián)苯—4一基、銜基等以及它們的2價基團。作為上述雜環(huán)基的例子，可列舉l一吡咯基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2—吡啶基、3—吡啶基、4—吡啶基、l一吲哚基、2—吲哚基、3一吲哚基、4一吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、1一異B引哚基、2—異吲哚基、3—異吲哚基、4—異吲哚基、5—異吲哚基、6_異吲哚基、7—異吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一異苯并呋喃基、3—異苯并呋喃基、4一異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7—異苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4—喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一異喹啉基、3—異喹啉基、4一異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2一咔唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、9一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、IO—菲啶基、1—吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9一吖啶基、1，7—菲繞啉一2—基、1，7—菲繞啉一3—基、1，7—菲繞啉一4—基、1，7—菲繞啉一5—基、1，7—菲繞啉—6—基、1，7—菲繞啉一8—基、1，7—菲繞啉一9一基、1，7—菲繞啉—IO—基、1，8—菲繞啉—2—基、1，8—菲繞啉一3—基、1，8—菲繞啉一4一基、1，8—菲繞啉一5—基、1，8—菲繞啉一6—基、1，8—菲繞啉一7—基、1，8—菲繞啉一9一基、1，8—菲繞啉一10—基、1，9一菲繞啉一2—基、1，9一菲繞啉一3—基、1，9一菲繞啉一4—基、1，9一菲繞啉一5—基、1，9一菲繞啉一6—基、1，9—菲繞啉一7—基、1，9一菲繞啉一8—基、1，9—菲繞啉一10—基、1，IO—菲繞啉一2—基、1，10—菲繞啉一3—基、1，10—菲繞啉一4一基、1，10—菲繞啉一5—基、2，9一菲繞啉一1—基、2，9一菲繞啉一3一基、2，9一菲繞啉一4一基、2，9—菲繞啉一5—基、2，9一菲繞啉一6一基、2，9—菲繞啉一7—基、2，9一菲繞啉一8—基、2，9—菲繞啉一IO一基、2，8—菲繞啉一1一基、2，8—菲繞啉一3—基、2，8—菲繞啉一4一基、2，8—菲繞啉一5—基、2，8—菲繞啉一6—基、2，8—菲繞啉一7—基、2，8—菲繞啉一9一基、2，8—菲繞啉一10—基、2，7—菲繞啉一1一基、2，7—菲繞啉一3—基、2，7—菲繞啉一4一基、2，7—菲繞啉一5一基、2，7—菲繞啉一6—基、2，7—菲繞啉一8—基、2，7—菲繞啉一9一基、2，7—菲繞啉一10—基、l一吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2一吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、1—吩嗯嗪基、2—吩嚼、嗪基、3—吩嗯嗪基、4一吩隨嗪基、IO—吩嗯嗪基、2—嗯唑基、4一鵬唑基、5—嚼、唑基、2—嗯二唑基、5—嗯二唑基、3—呋咱基、2_噻嗯基、3—噻嗯基、2—甲基吡咯一l一基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4—基、2—甲基吡咯一5—基、3—甲基吡咯一1一基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一1—基、2—甲基一l一吲哚基、4一甲基一1一吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一l一吲哚基、4一叔丁基一1一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—H引哚基等、以及它們的二價基。通式(1)和(3)中的Ar和Ar廣Ar2—Ai3的代表例如下所述，但是并不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>通式(1)和(3)中的X的例子如下所述，但是并不限于此。[化4]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>接著，作為通式(1)或(3)中的Y的稠環(huán)基或者稠合雜環(huán)基，可列舉芘、蒽、苯并蒽、耐、熒蒽、芴、苯并芴、菲、并四苯、蔻、菡、熒光素、菲、鄰苯二甲芘(phthaloperylene)、萘二甲芘(n即hthaloperylene)、芘酮(perynone)、酞并周因酮(phthakperynone)、萘二甲茈酮(naphthaloperynone)二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、嗯二唑、醛連氮、雙苯并噁唑啉、雙苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、硫代吡喃、聚甲炔、部花青、咪唑螯合化喔星化合物、喹丫酮、紅熒烯、芪系衍生物以及熒光色素等，優(yōu)選芘、蒽、熒蒽。以下列舉了通式(O表示的芘系衍生物的代表例，但是并不限于該代表例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>[化12]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>:化20]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>本發(fā)明的胺化合物可以用下述通式(2)表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>(2〉式中，P表示取代或未取代的碳原子數(shù)6—40的芳香族烴基、取代或未取代的碳原子數(shù)3—40的雜環(huán)基、取代或未取代的苯乙烯基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)10—40的稠合芳香環(huán)基。Yi—Y4分別獨立地是選自取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞烯基、氨基和甲硅烷基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的未取代的羰基、或者醚基以及硫醚基的基團，可以相同或不同。r是2以上時，Yg和Y4可以相同或不同。q表示l一20的整數(shù)。r表示0—3的整數(shù)。另外，本發(fā)明的胺化合物優(yōu)選為上述通式(2)中的P如下述通式(4)所示的化合物。[化學式22]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>…(4)式中，X,、X2和X3分別獨立地是單鍵、選自取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞芳基和雜環(huán)基的二價基，可以相同或不同，另外，也可以是亞烯基、氨基、甲硅烷基、羰基、醚基以及硫醚基。X2和Xs各自也可以與各個Y,、Y2、Y3和Y4彼此結(jié)合形成環(huán)。1^和L2分別獨立地是選自取代或未取代的垸基、芳垸基、芳基和雜環(huán)基的二價基，可以相同或不同。s禾口t分別是0—10的整數(shù)。其中，s+t^1。特別是，作為上述通式(2)和(4)中的P、L,和L2適合的結(jié)構(gòu)，可列舉芴、蒽、萘、菲、熒蒽、芘、茈、蒽、苯基蒽的殘基。用以下通式(10)—(17)進一步說明通式(2)表示的胺化合物的優(yōu)選的具體例。(化學式23)(式中，Ru和L表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜環(huán)基，與不同的荷基結(jié)合的R,3彼此、Rh彼此可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的Ru和R"可以相同或不同。L和Rw表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或者齒原子。與不同的芴基結(jié)合的Ra彼此、Rw彼此可以相同或不同，與相同荷基結(jié)合的^和Rw可以相同或不同。Ar3、Ar4、Ar^和Ar6表示取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或者取代或未取代的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar3、Ar4、Ars和Ars可以相同或不同。Ar3、Ar4、Ar5和Ai^可以互相結(jié)合形成環(huán)。m表示1一10的整數(shù)。)[化學式24]Ar8—M、(1])(式中，L和R,s表示氫原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基，與不同的銜基結(jié)合的Rn彼此、Rw彼此可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的Rn和Rw可以相同或不同。Rw和R2。表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或者卣原子。與不同的芴基結(jié)合的R,9彼此、R2。彼此可以相同或不同，與相同藥基結(jié)合的R'9和R2?？梢韵嗤虿煌?。Ar7和Ar8表示二價的取代或未取代的芳香族烴基或者取代或未取代的雜環(huán)基，Ar7和Ars可以相同或不同。Ar9、Ar,。、Ar,,和Ar,2表示取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或者取代或未取代的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar9、Ar!。、Ar和Ai^可以相同或不同。Ar9、Ar,。、A"和Ar12可以互相結(jié)合形成環(huán)。p表示l一10的整數(shù)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>(式中，Ru和R22表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基，與不同的芴基結(jié)合的R"彼此、R22彼此可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的^和R22可以相同或不同。R23和R24表示氫原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或者鹵原子。與不同的芴基結(jié)合的R23彼此、l彼此可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的R23和R24可以相同或不同。Ab和Aru表示取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或者取代或未取代的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Arn和Ar^可以相同或不同。Aru和Ai^可以互相結(jié)合形成環(huán)。Ar,5表示二價的取代或未取代的芳香族烴基或者取代或未取代的雜環(huán)基。q表示I一IO的整數(shù)。)[化學式26]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(式中，R25和R26表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或鹵原子，與不同的亞苯基結(jié)合的R25彼此、R26彼此可以相同或不同，與相同亞苯基結(jié)合的R25和R26可以相同或不同。Ar16和Ar17表示二價的取代或未取代的芳香族烴基或者取代或未取代的雜環(huán)基，Arw和Arn可以相同或不同。Ar18、Ar19、Ai^。和Ar21表示取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或者取代或未取代的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar18、Ar19、Ar20禾BAr2,可以相同或不同。Ar18、Ar19、Ar20和Ai"2,可以互相結(jié)合形成環(huán)。r表示1一10的整數(shù)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(式中，R^和R28表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、氰基或鹵原子，與不同的亞苯基結(jié)合的R27彼此、R28彼此可以相同或不同，與相同亞苯基結(jié)合的R27和R28可以相同或不同。Ab和Ar23表示取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或者取代或未取代的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ar"和Ar23可以相同或不同。Ai^和Ar23可以互相結(jié)合形成環(huán)。Ar24表示二價的取代或未取代的芳香族烴基或者取代或未取代的雜環(huán)基。s表示l一10的整數(shù)。)[化學式28]…(15》式中，X,、X2和X3分別獨立地是直接接合、選自取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞芳基和雜環(huán)基的二價基，可以相同或不同，另外，也可以是具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的亞垸基、亞芳垸基、亞烯基、氨基、甲硅烷基、羰基、醚基以及硫醚基。Y,—Y4是選自取代或未取代的烷基、芳垸基、芳基和雜環(huán)基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的取代或未取代的亞垸基、亞芳垸基、亞烯基、氨基以及甲硅烷基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的未取代的羰基、醚基以及硫醚基的基團，可以相同或不同。另夕卜，Y,和Y2、以及Y3和Y4可以互相結(jié)合形成環(huán)，X,、Y,和Y2、以及L、l和Y4可以互相結(jié)合形成環(huán)。R,—Rs是選自氫原子、鹵素基、取代或未取代的垸基、芳烷基以及芳基的基團，可以相同或不同。m+n是0—10的整數(shù)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>…(16〉式中，X,是選自取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞芳基和雜環(huán)基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的亞烷基、亞芳烷基、亞烯基、氨基、甲硅烷基、羰基、醚基以及硫醚基的二價基，也可以直接結(jié)合。X2是選自氫原子、鹵素基、取代或未取代的垸基、芳烷基、烯基、炔基、垸氧基、芳基、雜環(huán)基以及硫化物(7/P7YH')基、取代甲硅烷基、以及氰基的基團。Y,—Y2是選自取代或未取代的烷基、芳烷基、芳基和雜環(huán)基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞烯基、氨基以及甲硅垸基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的未取代的羰基、醚基以及硫醚基的基團，可以相同或不同。另外，Y,和Y2、或者X,、Y,和Y2可以互相結(jié)合形成環(huán)。R,和R2是選自氫原子、取代或未取代的垸基、芳垸基以及芳基的基團，可以相同或不同。n在X!是單鍵且X2是氫原子的情況下是2—10的整數(shù)，其它情況是1一10的整數(shù)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>式中，X3—X4是選自取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞芳基和雜環(huán)基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞烯基、氨基以及甲硅烷基、未取代的羰基、醚基以及硫醚基的二價基，可以相同或不同，X3也可以是單鍵。Xs是選自氫原子、鹵素基、取代或未取代的烷基、芳烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳基、雜環(huán)基以及硫化物基、取代甲硅烷基、以及氰基的基團。Y3和Y4是選自取代或未取代的垸基、芳烷基、芳基和雜環(huán)基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的取代或未取代的亞垸基、亞芳垸基、亞烯基、氨基以及甲硅垸基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的未取代的羰基、醚基以及硫醚基的基團，可以相同或不同。另外，Y3和Y4、或者X3、Y3和Y4可以互相結(jié)合形成環(huán)。R3—R6是選自氫原子、取代或未取代的垸基、芳烷基以及芳基的基團，可以相同或不同。p，q分別是l以上的整數(shù)，p+q是2—10的整數(shù)。)下面列舉了通式(2)表示的胺化合物的具體例，但是并不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>勢溫*被33/825t<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula>200680034089.7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula>[化52]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula>本發(fā)明提供了在一對電極中的至少一個電極表面上設置硫?qū)僭鼗衔飳印Ⅺu化金屬層或者金屬氧化物層的有機電致發(fā)光元件。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的上述發(fā)光層含有上述芘系衍生物和上述胺化合物。在上述發(fā)光層中，上述芘系衍生物和上述胺化合物的含有比例是99.99:0.01一80.00:20.00重量％。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件在發(fā)光層中含有金屬配位化合物。下面，對本發(fā)明有機EL元件結(jié)構(gòu)進行說明。作為本發(fā)明有機EL元件的具代表性的元件結(jié)構(gòu)，可列舉如下的結(jié)構(gòu)。(1)陽極/發(fā)光層/陰極；(2)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極；(3)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極；(4)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極；(5)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/陰極；(6)陽極/有機半導體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極；(7)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/粘附改善層/陰極；(8)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極；(9)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(10)陽極/無機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(11)陽極/有機半導體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(12)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(13)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極。其中，通常優(yōu)選使用(8)的結(jié)構(gòu)，但是，并不限于這些結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的有機EL元件中，本發(fā)明的聯(lián)苯化合物不管用于上述有機EL元件的哪個有機層中皆可，但是，優(yōu)選含在這些結(jié)構(gòu)元件中的發(fā)光區(qū)或空穴輸送區(qū)中。特別優(yōu)選含在發(fā)光層的情況。含量可選自30-100摩爾％。該有機EL元件通常在透光性基板上制作。所述的透光性基板是支撐有機EL元件的基板，關(guān)于該透光性，優(yōu)選波長400-700nm的可見光區(qū)內(nèi)的光透過率為50%以上的，更優(yōu)選使用平滑的基板。作為這樣的透光性基板，優(yōu)選使用例如玻璃板、合成樹脂板等。作為玻璃板，特別列舉由鈉鈣玻璃、含鋇和鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鋇玻璃、石英等形成的板。另外，作為合成樹脂板，可列舉聚碳酸酯樹脂、丙烯酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚醚硫化物樹脂、聚砜樹脂等的板。其次，陽極具有將空穴注入到空穴輸送層或發(fā)光層的功能，有效的是具有4.5eV以上功函數(shù)的。作為用于本發(fā)明的陽極材料的具體例子，可列舉氧化銦錫合金(ITO)、氧化銦和氧化鋅的混合物(IZO)、ITO和氧化鈰的混合物(ITC0)、IZ0和氧化鈰的混合物(IZC0)、氧化銦和氧化鈰的混合物(IC0)、氧化鋅和氧化鋁的混合物(AZ0)、氧化錫(NESA)、金、銀、鉬、銅等。陽極可以通過將這些電極物質(zhì)采用蒸鍍法或濺射法等方法形成薄膜來制備。如上所述，當從陽極觀察從發(fā)光層發(fā)出的光時，優(yōu)選陽極的光透過率大于10%。另外，優(yōu)選陽極的片材電阻率為數(shù)百Q(mào)/口以下。陽極的膜厚也根據(jù)材料的不同而不同，通常選擇為10nm-1,，優(yōu)選IO-200nm。本發(fā)明的有機EL元件中，發(fā)光層具有以下(1)一(3)的功能(1)注入功能當施加電場時，可以從陽極或空穴注入層注入空穴，從陰極或電子注入層注入電子的功能；(2)輸送功能在電場力的作用下，傳輸已注入的電荷(電子和空穴)的功能；禾口(3)發(fā)光功能提供電子和空穴復合的場，并將其聯(lián)系于發(fā)光的功能。作為形成該發(fā)光層的方法，可適宜使用例如蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選為分子沉積薄膜。其中所述分子沉積薄膜是由氣相狀態(tài)的材料化合物沉積形成的薄膜，或者由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物進行固體化形成的薄膜，通常該分子沉積薄膜與由LB法形成的薄膜(分子累積膜)可以根據(jù)凝集結(jié)構(gòu)和高次結(jié)構(gòu)的差異或由結(jié)構(gòu)引起的功能差異進行區(qū)分。另外，還可以如特開昭57—51781號公報所公開的那樣，通過將樹脂等結(jié)合劑和材料化合物溶解于溶劑中形成溶液，隨后將其用旋涂法等進行薄膜化來形成發(fā)光層。本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，可以根據(jù)需要在發(fā)光層中含有除了由芘系衍生物以及胺化合物組成的發(fā)光材料以外的其它公知的金屬配位化合物，另外，在含有本發(fā)明化合物的發(fā)光層上，也可以層疊含有其它公知的金屬配位化合物的發(fā)光層。作為上述金屬配位化合物，優(yōu)選含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re的至少一種金屬的金屬配位化合物，配位基優(yōu)選具有選自苯基吡啶骨架、聯(lián)吡啶骨架和菲繞啉骨架的至少一種骨架。這樣的金屬配位化合物的具體例可列舉三(2—苯基吡啶)合銥、三(2—苯基吡啶)合釕、三(2—苯基吡啶)合鈀、雙(2—苯基吡啶)合鉑、三(2—苯基吡啶)合鋨、三(2一苯基吡啶)合錸、八乙基卩卜啉鉬、八苯基葉啉鉑、八乙基卩卜啉鈀、八苯基卟啉鈀等，但是并不限于這些，可根據(jù)所要求的發(fā)光色、元件性能、與主體化合物的關(guān)系出發(fā)選擇適合的配位化合物。接著，空穴注入/輸送層是幫助空穴向發(fā)光層的注入并輸送至發(fā)光區(qū)的層，空穴遷移率高，并且電離能通常小，為5.5eV以下。作為這樣的空穴注入/輸送層，優(yōu)選在較低的電場強度下將空穴輸送至發(fā)光層的材料，進一步優(yōu)選例如在施加104106V/cm的電場時，其空穴的遷移率至少為10—4cm7V.S以上的材料。作為形成空穴注入/輸送層的材料，只要是具有上述優(yōu)選的性質(zhì)的材料，就沒有特別限制，可以從現(xiàn)有光傳導材料中作為空穴的電荷輸送材料常用的材料和有機EL元件的空穴注入層中使用的公知的材料中選擇任意的材料來使用。作為芳族胺衍生物通?？闪信e下述通式表示的化合物。[化學式61]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage67</formula>Ar"—Ar'3、A,—Ar"和A—Ar8是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基、或者環(huán)原子數(shù)5—50的芳香族雜環(huán)基。a—c和p—r分別是0—3的整數(shù)。A和Ar4、A一和Ar6、Af和A可以彼此互相連接形成飽和或者不飽和的環(huán)。作為環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基以及環(huán)原子數(shù)5一50的芳香族雜環(huán)基的具體例子，可列舉與上述通式(1)和(3)中的基團相同的基團。[化學式62]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula>Ar'—Ar4是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基、或者環(huán)原子數(shù)5—50的芳香族雜環(huán)基。L是連接基，是單鍵、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基、或者環(huán)原子數(shù)5—50的芳香族雜環(huán)基。x是0—5的整數(shù)。Ar2和Ar3可以互相連接形成飽和或者不飽和的環(huán)。其中，作為環(huán)碳原子數(shù)6—50的芳香族烴基、以及環(huán)原子數(shù)5_50的芳香族雜環(huán)基的具體例子，可列舉與上述通式(1)和(3)中的基團相同的基團。作為具體例子，可列舉三唑衍生物(參閱美國專利3，112，197號說明書等)、噁二唑衍生物(參閱美國專利3,189,447號說明書等)、咪唑衍生物(參閱特公昭37-16096號公報等)、多芳基鏈烷烴衍生物(參閱美國專利3，615，402號說明書、同第3，820，989號說明書、同第3，542，544號說明書、特公昭45-555號公報、同51-10983號公報、特開昭51-93224號公報、同55-17105號公報、同56-4148號公報、同55-108667號公報、同55-156953號公報、同56-36656號公報等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(參閱美國專利第3，180,729號說明書、同第4，278，746號說明書、特開昭55-88064號公報、同55-88065號公報、同49-105537號公報、同55-51086號公報、同56-80051號公報、同56-88141號公報、同57-45545號公報、同54-112637號公報、同55-74546號公報等)、苯二胺衍生物(參閱美國專利第3，615，404號說明書、特公昭51-10105號公報、同46-3712號公報、同47-25336號公報、特開昭54-53435號公報、同54-110536號公報、同54-119925號公報等)、芳胺衍生物(參閱美國專利第3，567，450號說明書、同第3,180,703號說明書、同第3,240,597號說明書、同第3，658，520號說明書、同第4，232，103號說明書、同第4，175，961號說明書、同第4，012，376號說明書、特公昭49-35702號公報、同39-27577號公報、特開昭55-144250號公報、同56-119132號公報、同56-22437號公報、西德專利第1，110，518號說明書等)、氨基取代査耳酮衍生物(參閱美國專利第3，526，501號說明書等)、噁唑衍生物(美國專利第3，257，203號說明書等中公開的物質(zhì))、苯乙烯蒽衍生物(參閱特開昭56-46234號公報等)、芴酮衍生物(參閱特開昭54-110837號公報等)、腙衍生物(參閱美國專利第3，717，462號說明書、特開昭54-59143號公報、同55-52063號公報、同55-52064號公報、同55-46760號公報、同55-85495號公報、同57-11350號公報、同57-148749號公報、特開平2-311591號公報等)、芪衍生物(參閱特開昭61-210363號公報、同第61-228451號公報、同61-14642號公報、同61-72255號公報、同62-47646號公報、同62-36674號公報、同62-10652號公報、同62-30255號公報、同60-93455號公報、同60-94462號公報、同60-174749號公報、同60-175052號公報等)、硅氨烷衍生物(美國專利第4,950,950號說明書)、聚硅烷類(特開平2-204996號公報)、苯胺類共聚物(特開平2-282263號公報)、特開平1-211399號公報公開的導電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。作為空穴注入層的材料可以使用上述的物質(zhì)，優(yōu)選使用卟啉化合物(特開昭63-2956965號公報等公開的物質(zhì))、芳香族叔胺化合物及苯乙烯胺化合物(參閱美國專利第4，127，412號說明書、特開昭53-27033號公報、同54-58445號公報、同54-149634號公報、同54-64299號公報、同55-79450號公報、同55-144250號公報、同56-119132號公報、同61-295558號公報、同61-98353號公報、同63-295695號公報等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。還可以例舉美國專利第5，061，569號所述的分子內(nèi)具有2個稠合芳香環(huán)的化合物，例如4，4'-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯(lián)苯(以下縮寫為NPD)，還有特開平4-308688號公報所記載的3個三苯胺單元連結(jié)成了星爆(starburst)型的4，4，，4"-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)三苯胺(以下縮寫為MTDATA)等。另外，還可以使用特許一3571977中公開的下述通式表示的含氮化合物。[化學式63]R6Z式中，R1、R2、R3、R4、R5和R6表示取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的雜環(huán)基中的任何一個。其中，R1、R2、R3、R4、W和R6可以相同或不同。R'和R2、R3和R4、R，R6或者W和R6、R2和R3、R4和R5也可以形成稠環(huán)。此外，還可以使用美國專利2004—0113547中記載的下述通式的化合物。[化學式64]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>R'—R6是取代基，優(yōu)選是氰基、硝基、磺酰基、羰基、三氟甲基、鹵素等吸電子基。另外，P型Si、p型SiC等無機化合物也可以用作空穴注入層的材料?？昭ㄗ⑷?、輸送層可以通過例如真空蒸鍍法、旋涂法、澆注法、LB法等公知的方法將上述的化合物進行薄膜化形成。作為空穴注入、輸送層的膜厚沒有特別限制，通常為5nm—5txm。該空穴注入、輸送層在空穴輸送區(qū)含有本發(fā)明的化合物時，可以由上述材料的一種或兩種以上構(gòu)成的一層而構(gòu)成，或者也可以層疊由與上述空穴注入、輸送層不同種的化合物組成的空穴注入、輸送層。另外，有機半導體層是幫助向發(fā)光層的空穴注入或電子注入的層，優(yōu)選具有10—'"S/cm以上的電導率的物質(zhì)。作為這樣的有機半導體層的材料，可以使用含噻吩低聚物、特開平8-193191號公報公開的含芳基胺低聚物等導電性低聚物、含芳基胺樹枝狀高分子(7il—A7S>f>卜"U7—)等導電性樹枝狀高分子等。接著，電子注入層/輸送層是幫助電子向發(fā)光層的注入并輸送至發(fā)光區(qū)的層，電子遷移率大，另外，粘付改善層是由該電子注入層中與陰極的粘付性特別好的材料組成的層。另外，已知由于有機EL元件中發(fā)出的光由電極(此時是陰極)反射，所以直接從陽極取出的發(fā)光和經(jīng)過電極反射取出的發(fā)光會產(chǎn)生干涉。為了有效地利用該干涉效果，電子輸送層的膜厚可在數(shù)nm—數(shù)um內(nèi)適當選擇，但是膜厚特別厚時，為了避免電壓升高，優(yōu)選在外加10410/，的電場時電子遷移率至少為10—5cm7Vs以上。作為用于電子注入層的材料，優(yōu)選8-羥基喹啉或其衍生物的金屬配位化合物、噁二唑衍生物。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物的金屬配位化合物具體例子，可以使用含喔星(一般為8-羥基喹啉)的螯合物的金屬螯合喔星化合物，例如三(8-羥基喹啉)合鋁作為電子注入材料。另一方面，作為噁二唑衍生物，可列舉用下述式表示的電子傳遞化合物。[化學式65](式中，Ar1，Ar2Ar3，Ar5，Ar6，八1"9分別表示取代或未取代的芳基，分別可以相同或不同。另外，Ar4,Ar7,八？表示取代或未取代的亞芳基，分別可以相同或不同。)在此，作為芳基，可列舉苯基、聯(lián)苯基、蒽基、芘基、芘基。另外，作為亞芳基，可列舉亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。另外，作為取代基可列舉碳原子數(shù)110的烷基、碳原子數(shù)110的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選薄膜形成性的物質(zhì)。作為上述電子傳遞性化合物的具體例，可以例舉下述物質(zhì)。[化學式66]另外，作為用于電子注入層和電子輸送層的材料，也可以使用下述通式(E)—(J)表示的化合物。用下式表示的含氮雜環(huán)衍生物。[化學式67](通式(E)和(F)中，A1A3分別獨立地是氮原子或碳原子。Ar'是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基，A是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基、或者它們的二價基。其中，A和A的任意一方為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1060的稠環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的單雜稠環(huán)基、或者它們的2價基。L1、L2和L分別獨立地是單鍵、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜亞芳基或者取代或未取代的亞芴基。R為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基，n為05的整數(shù)，在n為2以上的情況下，多個R可以相同或不同，此外，相鄰的多個R基彼此可以結(jié)合，形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳香族環(huán)。R'為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基、或者一L—Ar1—Ar2。)用下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物HAr—L—Ar'—Ar2(G)(式中，HAr是可以具有取代基的碳原子數(shù)為340的含氮雜環(huán)，L是單鍵、可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的亞芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為360的雜亞芳基或可以具有取代基的亞芴基，Ar'是可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的2價芳香族烴基，A是可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的芳基、或可以具有取代基的碳原子數(shù)為360的雜芳基。)用下述式表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物。[化學式68](式中，X和Y相互獨立，是碳原子數(shù)為16的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)，或者X和Y相結(jié)合而形成飽和或不飽和的環(huán)的結(jié)構(gòu)，RR4分別獨立，表示氫原子、鹵原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為16的垸基、垸氧基、芳氧基、全氟代烷基、全氟代烷氧基、氨基、垸基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺?；?、磺酰基、氨磺酰基(7^77二^)、甲硅烷基、氨基甲酰基、芳基、雜環(huán)基、烯基、炔基、硝基、甲?；喯趸?、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、說明書第71/82頁異硫氰酸酯基或者氰基或者相鄰時取代或者未取代的環(huán)進行稠合形成的結(jié)構(gòu)。)用下述式表示的硼烷衍生物。[化學式69]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>(式中，R,R8和Z2分別獨立，表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族烴基、雜環(huán)基、取代氨基、取代氧硼基、垸氧基或芳氧基，X、Y和Z,分別獨立，表示飽和或不飽和的烴基、芳香族烴基、雜環(huán)基、取代氨基、烷氧基或芳氧基，Zi和Z2的取代基可以相互結(jié)合而形成稠環(huán)，n表示13的整數(shù)，當n為2以上時，Z,可以不同。其中，不包括n是l且X、Y和R2是甲基并且Rs是氫原子或取代氧硼基的情況和n為3且Z,為甲基的情況。)[化學式70]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula>[式中，Q'和Q2分別獨立，表示用下述通式(K)表示的配位基，L表示鹵原子、取代或者未取代的烷基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的雜環(huán)基、或者用一0R1(R'是氫原子、取代或者未取代的垸基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的芳基、取代或者未取代的雜環(huán)基)或一0—Ga—Q3(Q4)(03和。4與Q'和Q，義)表示的配位基。][化學式71](式中，環(huán)A'和A2是可以具有取代基的已相互稠合的六員芳環(huán)結(jié)構(gòu)。)這種金屬配位化合物，作為n型半導體的性質(zhì)較強，電子注入能力大。進而，形成配位化合物時的生成能量也低，所以己形成的金屬配位化合物的金屬和配位基的鍵合性也變得牢固，作為發(fā)光材料的熒光量子效率也會增大。如果列舉形成上述通式(K)的配位基的環(huán)A'和A2的取代基的具體例子，有氯、溴、碘、氟等鹵原子；甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或者未取代的烷基；苯基、萘基、3—甲基苯基、3—甲氧基苯基、3—氟苯基、3—三氯甲基苯基、3—三氟甲基苯基、3—硝基苯基等取代或者未取代的芳基；甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3—四氟丙氧基、1,1,1，3，3,3—六氟一2—丙氧基、6—(全氟乙基)己氧基等取代或者未取代的垸氧基；苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3—氟苯氧基、五氟苯基、3—三氟甲基苯氧基等取代或者未取代的芳氧基；甲硫基、乙硫基、叔丁基硫基、己基硫基、辛基硫基、三氟甲基硫基等取代或者未取代的烷硫基；苯硫基、對硝基苯硫基、對叔丁基苯硫基、3—氟苯硫基、五氟苯硫基、3—三氟甲基苯硫基等取代或者未取代的芳硫基；氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等單或二取代氨基；雙(乙酰氧基甲基)氨基、雙(乙酰氧基乙基)氨基、雙(乙酰氧基丙基)氨基、雙(乙酰氧基丁基)氨基等酰基氨基；羥基，甲硅烷氧基，?；谆被柞；?、二甲基氨基甲?；?、乙基氨基甲?；?、二乙基氨基甲酰基、丙基氨基甲?；?、丁基氨基甲?；?、苯基氨基甲?；劝被柞；人峄?，磺酸基，亞胺基，環(huán)戊烷基、環(huán)己基等環(huán)烷基；苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二嗯烷基、哌啶基、嗎啉烷基(乇》7才！J-二少)、哌嗪基、三嗪基(卜y7于二少)、咔唑基、呋喃基、苯硫基、喊唑基、隨二唑基、苯并螺唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、吡喃基(7°，二》)等雜環(huán)基等。另外，以上的取代基之間也可以通過結(jié)合進一步形成六員芳環(huán)或者雜環(huán)。作為本發(fā)明的有機EL元件的優(yōu)選形式，有在輸送電子的區(qū)域或者陰極和有機層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。在這里，所謂的還原性摻雜劑是指可以將電子輸送性化合物還原的物質(zhì)。因而，只要是具有一定的還原性的物質(zhì)就可使用各種各樣的物質(zhì)，例如，可以適當?shù)厥褂眠x自堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土類金屬的氧化物、堿土類金屬的鹵化物、稀土類金屬的氧化物、稀土類金屬的鹵化物、堿金屬的碳酸鹽、堿土金屬的碳酸鹽、堿金屬的有機配位化合物、堿土類金屬的有機配位化合物和稀土類金屬的有機配位化合物的至少一種物質(zhì)。另外，更加具體地講，作為優(yōu)選的還原性摻雜劑，可列舉選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)及Cs(功函數(shù)1.95eV)的至少一種堿金屬、和選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.0一2.5eV)及Ba(功函數(shù)2.52eV)的至少一種堿土類金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)為2.9eV以下的物質(zhì)。這些物質(zhì)中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑為選自由K、Rb及Cs構(gòu)成的一組中的至少一種堿金屬，進一步優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選為CS。這些堿金屬的還原能力特別高，通過向電子注入?yún)^(qū)域的比較少量的添加，可以提高有機EL元件中的發(fā)光亮度、延長其壽命。另外，作為功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜劑，也優(yōu)選這些兩種以上的堿金屬的組合，特別優(yōu)選包含Cs的組合，例如Cs和Na、Cs和K、Cs和Rb或Cs和Na和K的組合。通過包含Cs進行組合，可以有效地發(fā)揮其還原能力，通過向電子注入?yún)^(qū)域的添加，可以提高有機EL元件中的發(fā)光亮度、延長其壽命。本發(fā)明中可以在陰極和有機層之間進一步設置由絕緣體或半導體構(gòu)成的電子注入層。此時，可以有效地防止電流的泄漏，提高電子注入性。作為這樣的絕緣體，優(yōu)選使用由堿金屬硫?qū)僭鼗衔?、堿土類金屬硫?qū)僭鼗衔?、堿金屬的鹵化物及堿土類金屬的鹵化物構(gòu)成的一組中的至少一種金屬化合物。電子注入層只要是由這些堿金屬硫?qū)僭鼗衔锏葮?gòu)成的，就可以進一步提高電子注入性，故優(yōu)選。具體來講，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)僭鼗衔铮闪信e例如Li20、K20、Na2S、Na2Se及Na20，作為優(yōu)選的堿土類金屬硫?qū)僭鼗衔?，可列舉例如Ca0、Ba0、Sr0、BeO、BaS及CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，可列舉例如LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土類金屬的鹵化物，可列舉例如CaFz、BaF2、SrF2、Mg^及BeF2等氟化物和氟化物以外的鹵化物。另外，構(gòu)成電子輸送層的半導體，可列舉例如包含Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn中的至少一種元素的氧化物、氮化物或氮氧化物等的單獨一種或兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子輸送層的無機化合物，優(yōu)選微結(jié)晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。電子輸送層只要是由這些絕緣性薄膜構(gòu)成的，由于可以形成更均勻的薄膜，因此，可以減少黑點等圖像缺陷。另外，作為這樣的無機化合物，可列舉例如上述的堿金屬硫?qū)僭鼗衔铩A土類金屬硫?qū)僭鼗衔?、堿金屬的鹵化物及堿土類金屬的鹵化物等。接著，作為陰極，使用功函數(shù)小的(4eV以下)金屬、合金、導電性化合物或這些的混合物作為電極物質(zhì)。作為這種電極物質(zhì)的具體例子，可列舉鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、銫、鎂-銀合金、鋁/氧化鋁、Al/Li20、Al/Li0、Al/LiF、鋁-鋰合金、銦、稀土類金屬等。該陰極可以通過將這些電極物質(zhì)用蒸鍍法或濺射法等方法形成薄膜來制備。其中，當從陰極觀察發(fā)光層發(fā)光時，優(yōu)選陰極的光透過率大于10%。還優(yōu)選陰極的片材電阻率為數(shù)百Q(mào)/口以下，膜厚通常為10nm-1,，優(yōu)選50-200nm。另外，通常由于對超薄薄膜施加電場，有機EL元件易因漏電和短路而產(chǎn)生象素缺陷。為了防止形成這些缺陷，優(yōu)選在電極對之間插入絕緣薄膜層。作為用于絕緣層的材料，可列舉例如氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕和氧化釩等，還可使用它們的混合物和層疊物。接著，關(guān)于本發(fā)明有機EL元件的制造方法，例如，通過用上述的材料和方法形成陽極、發(fā)光層、根據(jù)需要而設的空穴注入層、以及根據(jù)需要而設的電子注入層后，最后形成陰極即可。也可采用從陰極到陽極的、與上述相反的順序制作有機EL元件。下面，對在透光性基板上依次設置陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極的結(jié)構(gòu)的有機EL元件的制作例進行說明。首先，在合適的透光性基板上采用蒸鍍法或濺射法等方法形成由陽極材料組成的薄膜，使得所形成的薄膜厚度為1^以下，優(yōu)選為10-200mn，從而制作陽極。接著，在該陽極上設置空穴注入層?？刹捎萌缟纤龅恼婵照翦兎ā⑿糠?、澆鑄法、LB法等方法形成空穴注入層，從易得到均勻的薄膜，且難以形成針孔等觀點考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當采用真空蒸鍍法形成空穴注入層時，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物(空穴注入層的材料)、作為目標的空穴注入層的晶體結(jié)構(gòu)和復合結(jié)構(gòu)等的不同而不同，但通常優(yōu)選適當?shù)卦谝韵路秶鷥?nèi)選擇蒸鍍源的溫度50-45(TC、真空度10-7-10—3乇、蒸鍍速率O.01-50nm/s、基板溫度一50。C至300。C、膜厚5nm-5jom。隨后，在空穴注入層上設置發(fā)光層。該發(fā)光層的形成也可以通過使用本發(fā)明的發(fā)光材料采用真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、澆注法等方法將發(fā)光材料薄膜化來制備，從易得到均勻的薄膜，且難以形成針孔等觀點考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當采用真空蒸鍍法形成發(fā)光層時，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物的不同而不同，通常可選自與空穴注入層的形成相同的條件范圍。膜厚優(yōu)選為10—40nm的范圍。。接著，在該發(fā)光層上設置電子注入層。此時，也可以與空穴注入層、發(fā)光層相同，為了得到均勻的薄膜，優(yōu)選采用真空蒸鍍法形成所述電子注入層。蒸鍍條件可選自與空穴注入層、發(fā)光層相同的條件范圍。于是，最后層疊陰極，可以制得有機EL元件。陰極由金屬構(gòu)成，可采用蒸鍍法、濺射法形成。但是，為了使底層的有機物層免于制膜時的損傷，優(yōu)選使用真空蒸鍍法。上述的有機EL元件的制作優(yōu)選在一次抽真空之后，連續(xù)地從陽極制備本發(fā)明的有機EL元件的各層的形成方法沒有特別限定。可使用以往公知的真空蒸鍍法、旋涂法等形成方法?？刹捎靡韵鹿姆椒ㄐ纬捎糜诒景l(fā)明有機EL元件的包含本發(fā)明上述通式(1)表示的混合物的有機薄膜層，所述方法為真空蒸鍍法、分子束蒸鍍法(MBE法)或者溶解于溶劑的溶液的浸涂法、旋涂法、澆鑄法、棒涂法、輥涂法等涂敷法。本發(fā)明的有機EL元件的各有機層的膜厚沒有特別限定，但是考慮針孔等缺陷以及效率的提高，通常優(yōu)選膜厚為數(shù)nm-1,。另外，當向有機EL元件施加直流電壓時，通過使陽極的極性為正，使陰極的極性為負，施加5-40V電壓時，可以觀察到發(fā)光。另外，即使以相反的極性施加電壓也不會流過電流，根本不發(fā)光。此外，施加交流電壓時，僅在陽極的極性為正，而陰極的極性為負時，才能觀察到均勻的發(fā)光。施加的交流電的波形可以是任意的。實施例下面，對本發(fā)明的實施例進行說明，但是本發(fā)明并不限于這些實施例。另外，由各例得到的有機EL元件的評價如下所述。(1)初始性能施加規(guī)定的電壓，測量此時的電流值，同時用亮度計(米諾塔($7》夕)社制分光亮度計放射計CS—1000)測量發(fā)光亮度值和CIE1931色度坐標并進行評價。(2)壽命在特定的初始亮度下進行恒電流驅(qū)動，以亮度的半衰期、以及色度的變化進行評價。實施例1在25mmX75ramX1.1,大小的玻璃基板上設置膜厚130nm的由銦錫氧化物組成的透明電極。向該玻璃基板照射紫外線和臭氧進行洗滌后，在真空蒸鍍裝置上設置該基板。首先，將作為空穴注入層的N，N，-雙(N，N'—二苯基一4一氨基苯基)—N，N—二苯基一4，4，-二氨基一1，1，一聯(lián)苯膜(以下簡稱為"TPD232膜")按照60nm的厚度進行蒸鍍后，在其上將作為空穴輸送層的N，N，N，，N，一四(4一聯(lián)苯基)一二氨基聯(lián)苯層(以下簡稱為"TBDB層")按照20nm的厚度進行蒸鍍。接著，將下述化合物(H-63)和(D—157)按照40:2的重量比同時進行蒸鍍，形成厚40nm的發(fā)光層。接著，將作為電子注入層的三(8—羥基喹啉合)鋁按照20nm的厚度進行蒸鍍。然后將氟化鋰按照0.3nm的厚度進行蒸鍍，接著將鋁按照150nm的厚度進行蒸鍍。該鋁/氟化鋰起陰極的作用。由此制作了有機EL元件。對該元件進行通電試驗，結(jié)果在電壓6.2V、電流密度10mA/cm2的條件下獲得650cd/m2的藍色發(fā)光。另外，在初始亮度為1000cd/m2的條件下進行直流的連續(xù)通電試驗，結(jié)果半衰期是17800小時。元件評價的結(jié)果歸納在表1中。[化學式72]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage81</formula>實施例2—9除了使用表1記載的發(fā)光材料代替實施例1中的(H-63)、(D—157)以外，與實施例1相同地制作有機EL元件。元件評價的結(jié)果歸納在表l中。[化學式73]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage82</formula>除了在實施例l中，使用下述比較化合物一l、2代替(H-63)以外，與實施例1相同地制作有機EL元件。元件評價的結(jié)果歸納在表l中。如果將實施例1和比較例1進行比較，則可判斷即使使用未取代的摻雜劑化合物，若使用本發(fā)明的具有特定結(jié)構(gòu)的芘系衍生物，則也可以獲得壽命長的藍色發(fā)光元件。[化學式74]比牧化弁物一i比牙i化合'物一2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage82</formula>比較例3在25mmX75mmXI.lmm大小的玻璃基板上設置膜厚130mn的由銦錫氧化物組成的透明電極。向該玻璃基板照射紫外線和臭氧進行洗滌后，在真空蒸鍍裝置上設置該基板。首先，將作為空穴注入層的TPD232按照60nm的厚度進行蒸鍍后，在其上將作為空穴輸送層的TBDB按照20nm的厚度進行蒸鍍。接著，將TBDB和上述化合物(H-63)按照l:l重量比同時進行蒸鍍，形成厚40nm的發(fā)光層，此外，將上述化合物(H-63)按照20nm的厚度進行蒸鍍。接著，將作為電子注入層的三(8—羥基喹啉合)鋁按照20nm的厚度進行蒸鍍。然后將氟化鋰按照0.3nm的厚度進行蒸鍍，接著將鋁按照150nm的厚度進行蒸鍍。該鋁/氟化鋰起陰極的作用。由此制作了有機EL元件。元件評價的結(jié)果歸納在表l中。[表l]發(fā)光材料1發(fā)光材料2驅(qū)動電壓(V)發(fā)光亮度(cd/m2)發(fā)光效率(cd/A)半衰期(hr)實施例1H—63D—1576.2650717800實施例2H—63D—25566006.715450實施例3H—63D—385.96307.317500實施例4H—63D—155.96007.416900實施例5H—63D—56610716500實施例6H—163D—1575.96607.418800實施例7H—163D—2556650717900實施例8H—118D_1575.96207.416800實施例9H—118D—2556610715500比較例1比較化合物_1D—1576.54504.96600比較例2比較化合物一2D—1576,74004.55900比較例3TBDBH—637.02402.42000實施例10在25腿X75腿XLlmm大小的玻璃基板上設置膜厚80nm的由銦錫氧化物組成的透明電極。向該玻璃基板照射紫外線和臭氧進行洗滌后，在真空蒸鍍裝置上設置該基板。首先，將作為空穴注入層的4，4'—雙(N,N—二(3—甲苯基)一4一氨基苯基)一4"一苯基三苯基胺按照60nm的厚度進行蒸鍍后，在其上將作為空穴輸送層的N'，N"—雙[4—(二苯基氨基)苯基]—N'，N"—二苯基聯(lián)苯一4，4，—二胺按照20nm的厚度進行蒸鍍。接著，將上述化合物(H-63)和(D—100)按照40:3的重量比同時進行蒸鍍，形成厚40nm的發(fā)光層。接著，將作為電子注入層的三(8—羥基喹啉合)鋁按照20皿的厚度進行蒸鍍。然后將氟化鋰按照0.3nm的厚度進行蒸鍍，接著將鋁按照150nm的厚度進行蒸鍍。該鋁/氟化鋰起陰極的作用。由此制作了有機EL元件。對該元件進行通電試驗，結(jié)果在電壓6.3V、電流密度10mA/cm2的條件下獲得2000cd/n/的綠色發(fā)光。[化學式75]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage84</formula>比較例4在實施例3中，使用3—(2，一苯并噻唑基)一7—二乙基氨基香豆素代替發(fā)光層化合物(D—38)，來制作有機EL元件。對該元件進行通電試驗，結(jié)果在電壓6.5V、電流密度10mA/cm2的條件下獲得870cd/m2的綠色發(fā)光。如果將實施例10和比較例4進行比較，則顯而易見的是與使用以往84的香豆素衍生物作為摻雜劑相比，使用本發(fā)明的芘系衍生物時，可以獲得效率更高且壽命更長的綠色發(fā)光元件。[化學式76]3—(2'—苯并噻唑基)一7—二乙基氨基香豆素實施例11在25mmX75腿X1.lmra大小的玻璃基板上設置膜厚180nm的由銦錫氧化物組成的透明電極。向該玻璃基板照射紫外線和臭氧進行洗滌后，在真空蒸鍍裝置上設置該基板。首先，將作為空穴注入層的4，4'一雙(N，N—二(3—甲苯基)_4一氨基苯基)一4"一苯基三苯基胺按照60nm的厚度進行蒸鍍后，在其上將作為空穴輸送層的N，N，N，，N，一四(4一聯(lián)苯基)一4，4'一聯(lián)苯胺按照20nm的厚度進行蒸鍍。接著，將上述化合物(H-63)和(D—240)按照40:IO的重量比同時進行蒸鍍，形成厚40nm的發(fā)光層。接著，將作為電子注入層的三(8—羥基喹啉合)鋁按照20nm的厚度進行蒸鍍。然后將氟化鋰按照0.3nm的厚度進行蒸鍍，接著將鋁按照150rnn的厚度進行蒸鍍。該鋁/氟化鋰起陰極的作用。由此制作了有機EL元件。接著，對該元件進行通電試驗，結(jié)果在電壓7.8V、電流密度10mA/cm2的條件下獲得了490cd/ri^的紅色發(fā)光。[化學式77]比較例5在實施例11中，使用4一二氰基亞甲基一6—久咯呢定基(-二口y-乂)苯乙烯基一2—叔丁基一4H—吡喃(DCJTB)代替發(fā)光層化合物D—240，來制作有機EL元件。對該元件進行通電試驗，結(jié)果在電壓8.5V、電流密度10mA/cm2的條件下獲得了300cd/n/的紅色發(fā)光。如果將實施例6和比較例4進行比較，則顯而易見的是與使用以往的DCJTB作為摻雜劑、使用芴化合物作為主體化合物的組合相比，使用本發(fā)明的芘系衍生物作為主體化合物并使用特定結(jié)構(gòu)的摻雜劑的組合，可以獲得效率更高且壽命更長的紅色發(fā)光元件。如上所述，本發(fā)明通過由特定結(jié)構(gòu)的芘系衍生物和特定結(jié)構(gòu)的胺化合物形成發(fā)光層，可獲得與以往相比壽命更長且效率更高的藍色發(fā)光。另外。對于綠色、紅色系發(fā)光也可以獲得高效率的發(fā)光。工業(yè)上的可利用性如上述詳細說明，把特定的芘系衍生物和胺化合物用作發(fā)光材料的本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件，色純度高，耐熱性優(yōu)異，壽命長，還可獲得效率高的藍色、綠色和紅色系發(fā)光。本發(fā)明的有機EL元件可以用于壁掛電視機的平板顯示器等的平面發(fā)光元件、復印機、打印機、液晶顯示器的背光燈或者儀表類等的光源、顯示板、標志燈等。權(quán)利要求1.一種有機電致發(fā)光元件，其中，在陰極和陽極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機薄膜層，該有機薄膜層的至少一層中含有下述通式(1)所示的芘系衍生物和下述通式(2)所示的胺化合物，(A)k-(X)m-(Ar)n-(Y)o-(B)p…(1)式中，X表示取代或未取代的芘殘基，A和B分別獨立地表示氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為6-50的芳香族烴基、取代或未取代的碳原子數(shù)為5-50的芳香族雜環(huán)基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1-50的飽和或者不飽和的亞烷基，Ar表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6-50的芳香族烴基或者取代或未取代的碳原子數(shù)為5-50的芳香族雜環(huán)基，Y表示取代或未取代的碳原子數(shù)為4-50的稠環(huán)基或者稠合雜環(huán)基，k、o和p分別獨立地表示0-10的整數(shù)，m表示1-10的整數(shù)，n表示3以上的整數(shù)，多個X、A、B、Ar或者Y可以相同，也可以不同，在X、Ar和Y之間的結(jié)合中，至少有一個是間位或鄰位結(jié)合，[化學式1]式中，P表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6-40的芳香族烴基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3-40的雜環(huán)基、取代或未取代的苯乙烯基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為10-40的稠合芳香族環(huán)基，Y1-Y4分別獨立地表示選自取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞烯基、氨基、甲硅烷基、具有由取代或未取代的亞芳基或者二價的雜環(huán)基組成的連接基的未取代的羰基、或者醚基、硫醚基的基團，可以相同或不同，r為2以上時，Y3和Y4可以相同，也可以不同，q表示1-20的整數(shù)，r表示0-3的整數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述通式(1)的芘系衍生物如下述通式(3)所示，X—Ar廣Ar廣Ar廣Y…(3)式中，X表示取代或未取代的芘殘基，An—Ar3分別獨立地表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6—50的芳香族烴基或者取代或未取代的碳原子數(shù)為5—50的芳香族雜環(huán)基，Y表示取代或未取代的碳原子數(shù)為4一50的稠環(huán)基或者稠合雜環(huán)基，在X、An—Ar3和Y的結(jié)合中，至少有一個是間位或鄰位結(jié)合。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述通式(2)的P，如下述通式(4)所示，—X廣(L。廣X廣(L2)t—X廣...(4)式中，Xi、X2和X3分別獨立地表示單鍵、選自取代或未取代的亞烷基、亞芳烷基、亞芳基和雜環(huán)基的二價基，可以相同，也可以不同，另外，也可以是亞烯基、氨基、甲硅烷基、羰基、醚基以及硫醚基，X"X2和X3中的各個基團也可以分別與Y,、Y2、Y3和Y4中的各個基團彼此結(jié)合形成環(huán)，Li和L2分別獨立地表示選自取代或未取代的垸基、芳烷基、芳基和雜環(huán)基的二價基，可以相同，也可以不同，s和t分別是0—10的整數(shù)，其中，s+t》1。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述通式(4)中，L,或L2為芴、蒽、萘、菲、熒蒽、芘、茈、蒽、苯基蒽的殘基或者組合多個這些基團形成的基團的殘基。5.根據(jù)權(quán)利要求1一4中任何一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在一對電極中的至少一個電極的表面上配置有硫?qū)僭鼗衔飳?、鹵化金屬層或者金屬氧化物層。6.根據(jù)權(quán)利要求1—5中任何一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述發(fā)光層含有所述芘系衍生物和所述胺化合物。7.根據(jù)權(quán)利要求1一6中任何一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述發(fā)光層中以99.99:0.01—80.00:20.00的重量％的比率含有所述芘系衍生物和所述胺化合物。8.根據(jù)權(quán)利要求1一7中任何一項所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述發(fā)光層中含有金屬配位化合物。全文摘要本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光元件，其中在陰極和陽極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機薄膜層，由于該發(fā)光層含有特定結(jié)構(gòu)的芘系衍生物和特定結(jié)構(gòu)的胺化合物，所以本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件耐熱性優(yōu)異，壽命長，能以高發(fā)光效率獲得藍色、綠色和紅色系發(fā)光。文檔編號H01L51/50GK101268167SQ200680034089公開日2008年9月17日申請日期2006年8月8日優(yōu)先權(quán)日2005年9月16日發(fā)明者伊藤光則,洼田峰行,舟橋正和申請人:出光興產(chǎn)株式會社