專利名稱：氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對元件形狀的加工以改善氮化物半導體發(fā)光器件特別;^ 光二極管的輸出，還涉及可容易地使加工條件最優(yōu)化并提高器件成品率的 制造方法。
背景技術：
III族氮化物半導體具有對應于可見光范圍至紫外光范圍的能量的直 接帶隙，并且能夠高效率發(fā)光，因此將它們用于產(chǎn)品例如發(fā)光二極管(LED ) 和激光二極管(LD)中。特別地，通過與熒光材料結合對白色發(fā)光二極管 的實現(xiàn)被預期是發(fā)光二極管的應用的新領域。
發(fā)光二極管的輸出由內(nèi)部量子效率與光提取效率的乘積確定，其中內(nèi) 部量子效率取決于外延層結構和結晶性，光提取效率取決于器件內(nèi)的再吸 收和器件形狀。已知將加工器件形狀的多種方法用于提高光提取效率(曰 本實用新型申請公開No.51-142870 ，以及日本未審查的專利公開 No.56-50586)。
可以通過與氮化物半導體中相同的原理提高輸出，并且可以通過以相 同的方式對器件進行形狀加工，實現(xiàn)器件的提高的發(fā)光輸出(日本未審查 的專利z〉開No.2004-6662和No.2004-87930)。通常，使用MOCVD作為生長方法，在作為襯底的藍寶石(A1203) 或碳化硅(SiC )上生長高質(zhì)量的氮化物半導體。選擇藍寶石和碳化硅是因 為它們是在高溫下穩(wěn)定的物質(zhì)，并且即使在用于通過MOCVD生長氮化物
的iooo°c -2000x:的溫度下也穩(wěn)定。
然而，還已知器件中的氮化物半導體和用作襯底的藍寶石或SiC是難
于加工的硬物質(zhì)，并且通過激光加工、利用等離子體的干法蝕刻或者高溫 濕法蝕刻，實現(xiàn)對器件的加工。
激光加工包括局域地將加工位置加熱至超高的溫度，并且通過燒蝕和 蒸發(fā)實現(xiàn)加工。由于高加工速度和高吞吐量，該加工方式是有利的。然而， 要考慮的缺點在于，樣品在加工位置附近遭受高溫。
并且，通過燒蝕和蒸發(fā)散射的加工材料易于向后附著到晶片上，因此 在激光加工后經(jīng)常需要某種蝕刻處理。
用于蝕刻氮化物半導體的其他方法采用苛刻的加工條件，例如，在干
法蝕刻中具有幾十eV能量的粒子參與反應，但是就溫度而言，這對應于 幾十萬度的熱能，因此根據(jù)條件，加工部分暴露于幾百。C。并且，由于在 干法蝕刻中，在具有處于受激態(tài)的卣素例如氯的氣氛中進行加工，在希望 的部分處加工元件期間，其它部分也受到影響。
當在元件上形成電極時，激光加工和蝕刻處理特別地成問題。當加工 部分在電極附近時，在加工部分處產(chǎn)生的熱引起電M面的劣化，從而惡 化器件特性。另外，用于蝕刻的卣素使得主要由金屬構成的電極被大面積 地侵蝕，并且如杲?jīng)]有用掩膜充分保護電極，電極本身會被蝕刻。在電極 形成之后器件的加工過程中，有必要檢查所意欲的加工條件，并且考慮它 們的影響來選擇條件，產(chǎn)生工藝窗口狹窄的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是通過具有高吞吐量的激光加工工藝作為用于加工 器件形狀的方法并且通過蝕刻作為在激光加工之后的處理，防止器件特性 劣化并提高器件生產(chǎn)的成品率。本發(fā)明基于這樣的發(fā)現(xiàn)而實現(xiàn)，即通過在形成電極之前進行激光加工 和激光加工后的蝕刻處理，可以避免在加工步驟中對電極特性的影響，并 在改善光提取效率的同時提高元件生產(chǎn)成品率。
具體地，本發(fā)明包括以下發(fā)明內(nèi)容。 (1 ) 一種氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，所述氮化物半導體發(fā)光 器件包括襯底、在所述襯底上的氮化物半導體層和在所述氮化物半導體上 的電極，所述氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法的特征在于通過激光進行 的器件加工，隨后是蝕刻處理，然后是電極的形成。
(2)根據(jù)上述(1)的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在 于，所述通過激光進行的器件加工實現(xiàn)對所述氮化物半導體層的至少一部 分的去除。
(3 )才艮據(jù)上述(1)或(2 )的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其 特征在于，所述通過激光進行的器件加工實現(xiàn)在所述發(fā)光器件的所述半導
體層中的溝槽和/或用于分離成各個發(fā)光器件的圍繞所述器件的周邊的所 述半導體層中的分離槽的形成。
(4 )才艮據(jù)上述(1)至(3 )中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制 造方法，其特征在于，所述激光的能量高于所述氮化物半導體層的至少一 部分的帶隙能量。
(5 )根據(jù)上述(1)至(4 )中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制 造方法，其特征在于，所述蝕刻處理是濕法蝕刻。
(6)根據(jù)上述(5)的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在 于，所述濕法蝕刻是采用正磷酸的濕法蝕刻。
(7 )根據(jù)上述(1)至(4 )中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制 造方法，其特征在于，所述蝕刻處理是干法蝕刻。
(8)根據(jù)上述(7)的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在 于，所述干法蝕刻是采用氯基氣體的干法蝕刻。
(9 )根據(jù)上述(1)至(8 )中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制 造方法，其特征在于，在所述激光器件加工之前通過干法蝕刻進行所述激光器件加工的對準。(10) 根據(jù)上述(1)至(9)中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的 制造方法，其特征在于，對蝕刻之后的所述氮化物半導體層的表面的至少 一部分進行非鏡面處理。(11) 根據(jù)上述(1)至(10 )中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的 制造方法，其特征在于，通過蝕刻在激光加工部分處形成傾斜的表面。(12) 才艮據(jù)上述(11)的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征 在于，在所述蝕刻處理之后形成于所述氮化物半導體上的電極的至少一部 分與所述傾斜的表面接觸。根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)激光器件加工和蝕刻而不影響電極，從而提高 器件成品率。傾斜的蝕刻表面還提高了光提取效率。


圖l是在實例1中制造的氣化物半導體發(fā)光器件的平面圖。圖2是沿圖1的發(fā)光器件的A-A截取的截面圖。圖3是在實例2中制造的氮化物半導體發(fā)光器件的平面圖。圖4是沿圖3的發(fā)光器件的A-A截取的截面圖，其中襯底側朝上。101: p側襯墊102:可透光的p電極103: n側襯墊104:各個元件的邊界(分離槽形成部分) 105:溝槽 201:襯底202:氮化物半導體層具體實施方式
對用于本發(fā)明的III族氮化物(也簡稱為"氮化物")半導體疊層的 村底沒有任何限制，其可以是公知的襯底材料，例如，氧化物單晶如藍寶石單晶(A1203; A面、C面、M面、R面)或尖晶石單晶(MgAl204)、 或者SiC單晶。其中，優(yōu)選藍寶石單晶。因為其折射率為1.7,小于氮化物 半導體的折射率，因此可以通過加工氮化物半導體層而提高光提取效率。 對襯底的平面方向沒有特別限制。其可以為正取向的(just)襯底或者傾 斜的(off-angled)襯底。藍寶石表面還可以用于形成凹凸。在對于每層最優(yōu)的條件下，在襯底上層疊包括第一導電層、發(fā)光層和 第二導電層的氮化物半導體層。通過將層疊的半導體晶片分離成各個器件，制造各發(fā)光器件。 本發(fā)明是這樣的方法，其從表面朝向襯底實現(xiàn)用于器件分離的對半導 體層的分離槽加工或對各個分離的發(fā)光器件的溝槽加工，或者分離槽和溝 槽加工的組合。在層疊氮化物半導體層之后，實施公知的光刻技術，以形成器件分離 區(qū)和n電極形成區(qū)。優(yōu)選在激光加工之前進行該步驟，以實現(xiàn)對于通過激 光加工的對準(定位)，但是如果在激光加工之后進行該步驟也是沒有問 題的。也可以省略該步驟。為了形成器件分離區(qū)和n電極形成區(qū)，通過干法蝕刻對在光刻構圖的 襯底上的氮化物半導體層進行蝕刻。用于該工藝的氣體的類型通常是氯基 氣體。已知的氣體包括Cl2、 SiClt和BCl3,其中112或Ar的混合物作為添 加的氣體，并且可以選擇使用它們的組合。接下來，去除氮化物半導體層的一部分，以形成用于器件分離的分離 槽和/或各個器件溝槽。分離槽和溝槽的形成最初是由激光實現(xiàn)的，并且優(yōu) 選地，激光波長是短于氮化物半導體的吸收邊的波長。由于氮化物半導體 的高吸收系數(shù)，將加工位置限定為激光輻照位置。通過適當?shù)剡x擇激光的 光學系統(tǒng)，可以實現(xiàn)加工至窄于10|im的寬度且實現(xiàn)提高的器件成品率。如果在通過激光去除氮化物層的一部分的步驟中也通過激光進行器件 分離加工，則激光加工深度優(yōu)選到達襯底。如果器件分離激光器加工達到 襯底，則在通過斷裂分離器件的步驟中將改善形狀成品率。在分離區(qū)中對襯底的加工深度(分離槽深度)可以任意地選擇在大于等于lpm的范圍內(nèi)，但如果加工深度太小，在I^的分離處理中將易于發(fā) 生形狀缺陷。大于等于l(Him的深度將防止缺陷，但更優(yōu)選大于等于20nm 的深度。然而，深度不必必須達到襯底。可以在與在去除周邊部分的步驟中同樣的條件下，或者在不同的M 下，進行通過激光去除氮化物半導體的除了器件分離部分以外的部分而形 成溝槽的步驟。然而，由于如果加工深度太大則在隨后的分離處理中易于 發(fā)生形狀缺陷，因此優(yōu)選地，其在周邊部分處以減小的通過加工產(chǎn)生的加 工量進行。如果襯底中的加工量為這樣的，優(yōu)選地深度不大于10jim且更 優(yōu)選地約5pm，則將抑制形狀缺陷的產(chǎn)生。深度不必必須達到襯底。才艮據(jù)本發(fā)明，在激光加工之后進行蝕刻。在激光加工中被局域地加熱 到超高溫度的氮化物半導體層遭受損傷，該損傷可影響器件特性。蝕刻可 以為以氣相進行的干法蝕刻或者以液相進行的濕法蝕刻?？蛇x地，可以組*者。通常使用氯基氣體通過RIE進行干法蝕刻，蝕刻條件可以與用于制造 上述器件分離區(qū)和n電極形成區(qū)的條件相同或不同。還可以在激光加工之 后通過蝕刻形成器件分離區(qū)和n電極形成區(qū)。根據(jù)本發(fā)明，對蝕刻之后的氮化物半導體層表面進行非鏡面處理。利用干法蝕刻，已知根據(jù)加工條件，加工表面可以形成為非鏡面。為 了在加工表面上形成非鏡面，已知在加工表面上形成疏松掩膜的方法和使 用在蝕刻期間的沉積的物質(zhì)作為掩膜的方法，并且可以利用這些方法中的 任何一種?？梢酝ㄟ^將加工表面形成為非鏡面來提高光提取量。用于濕法蝕刻的蝕刻溶液可以具有任何已知的組分和條件。已知正磷 酸或焦磷酸、磷酸和硫酸的混合組分以及氨和磷酸的混合組分。優(yōu)選地，蝕刻之后的激光加工部分的側面相對于氮化物半導體層的表 面不垂直地傾斜。在激光加工中，在晶體表面的入射部分處光密度高，因 此加工量也高，但是光在晶體內(nèi)部衰減，因此加工量進少。雖然通過激光 加工自然地形成傾斜的表面，但蝕刻在具有顯著損傷的區(qū)域中產(chǎn)生更大量 的去除，因此形成更傾斜的表面。在與光提取的主要方向上的晶體表面相反的方向上傾斜的表面通過在 該表面上的反射，用于加強在提取的主要方向上的光輻照，因此優(yōu)選地， 根據(jù)傾斜表面的取向來改變光提取的主要方向。蝕刻之后是電極形成的步驟。通過公知的光刻產(chǎn)生電極形成圖形，并 且通過例如氣相沉積、濺射或鍍敷的技術，形成電極。可以同時或分別形成n電極和p電極。對于n電極，已知各種類型的組分和結構，并且可以沒有任何限制地 使用任何這些已知的n電極。與n接觸電極接觸的用于n電極的接觸材料 可以為A1、 Ti、 Ni、 Au等，或者可選地為Cr、 W或V。不必說，可以賦 予整個n電極以接合特性，以形成多層結構。最優(yōu)選地，用Au覆蓋最外 層，以便于接合。對于p電極，也已知各種類型的組分和結構，并且可以沒有任何限制 地使用任何這些已知的p電極?？赏腹獾膒電極材料包括Pt、 Pd、 Au、 Cr、 Ni、 Cu、 Co等。還已 知，部分氧化的結構可以提高半透明度。替代上述金屬，可透光的p電極材料可以為導電氧化物?？梢允褂霉?知的導電氧化物例如ln203、 ITO、 ZnO、 SnO:j等。半透明的電極還可以 包括上述金屬與上述氧化物的組合。并且，替代半透明的p電極，可以使用反射性的p電極。除了上述材 料以外，還可以使用Rh、 Ag、 Al等作為反射性p電極材料。如果在傾斜表面上形成高反射膜，則在與光提取的主要方向相反的方 向上傾斜的表面處的反射就更加有效。因此，優(yōu)選地，在電極形成步驟中 在傾斜表面上形成電極。例如，電極可以形成在傾斜表面的一部分上，并 且電極與襯墊電極連接。實例(實例l)現(xiàn)在將說明本發(fā)明的實例。使用藍寶石(AI203) C面村底作為襯底，并且根據(jù)在日本未審查的專利公開No.2003-243302中公開的方法，通過A1N緩沖層，在藍寶石C面 襯底上依次層疊以下層6nm的未摻雜的GaN層；4nm的n型接觸層， 其中周期性摻雜有Ge以使平均載流子濃度為lxl019Ciir3;以交替的方式五 次層疊的由IncuGa^N制成的12.5nm的n覆層、由GaN制成的16nm厚 的勢壘層和由In。,2Ga().8N制成的2.5mn厚的阱層，然后，最后形成^L置有 勢壘層的具有多量子阱結構的發(fā)光層；由Mg摻雜的(濃度為8xl0"cm—3) Al0.2Gao.8N構成的0.05nm厚的p覆層；以及由Mg摻雜的(濃度為 8xl019cm-3 ) Alo.03Gao.97N構成的0.15nm厚的p接觸層，從而獲得在襯底 上的氮化物半導體層。進行公知的光刻和Cl2氣體RIE，以暴露各個元件的邊界部分和在氮 化物半導體層的表面上的n型接觸層部分的一部分。然后使用激光，以在各個元件的邊界部分處形成分離槽。利用具有266nm的波長、50kHz的頻率和1.6W的輸出來加工層。加 工速度為70mm/秒，并且將溝槽形成至在襯底中20nm的深度。將栽物臺 S走轉90。，以相同的方式在Y軸方向上形成分離槽。然后將激光輸出降低到用于脈沖串方式(burst mode)的0.6W，以去 除在芯片的相反電極之間的GaN層，從而形成溝槽。調(diào)整振蕩定時，以去 除芯片的2/3的長度。在被去除的GaN層的正下方的襯底也被去除了約 5nm，但是量要小于在邊界部分處的分離槽。將形成分離槽之后的襯底浸入包含正磷酸的石英燒杯中持續(xù)20分鐘， 其中使用加熱設備將該正磷酸加熱至240X:，以執(zhí)行濕法蝕刻。氮化物半 導體層的蝕刻量為5.2nm。在存在超聲波的條件下用水清洗濕法蝕刻后的 襯底和氮化物半導體層，然后對其進行有機清洗，以去除抗蝕劑蝕刻掩膜。用抗蝕劑涂覆晶片表面，并且通過光刻使n電極周邊以及器件邊界部 分暴露。所使用的蝕刻氣體為CH2C12，并且將蝕刻壓力增加到2 Pa以高 于接觸層形成條件，導致在表面處同時發(fā)生聚合物沉積和蝕刻，從而在蝕 刻表面上形成非鏡面。在形成非鏡面之后，去除抗蝕劑。使用光刻和剝離方法，從p接觸層側，在化合物半導體疊層的p接觸層上的預定位置處依次形成由Pt和Au制成的可透光p電極。接下來，實 施7>知的光刻和剝離技術，以同時形成p電極和n電極<^襯墊。在半導體側進一步拋光蝕刻后的襯底和氮化物半導體層，以將厚度減 薄至80nm，然后使用斷裂裝置，用于分離成各個元件。當用積分球評價時，每個分離器件的輸出為7.1mW。通過SEM觀察 器件側面，氮化物半導體層的側面相對于已被垂直解理的藍寶石襯底的側 面傾斜約40°,并且形成了相對于襯底表面?zhèn)鹊牡瑰F(襯底側增寬的溝槽)。 (實例2)使用不同M實施該實例。在與實例l相同的條件下進行在襯底上的氮化物半導體層的生長。在 該實例中，首先進行用于器件分離的激光加工。激光加工條件與實例1中的相同，以在X軸和Y軸方向上形成分離槽。 然后以脈沖串方式^f吏用激光，以圓形方式去除氮化物半導體層的除了 分離區(qū)以外的部分，如圖2所示。以1.6W的輸出和30mm/秒的速度掃描 樣品栽物臺，并且在與加工位置匹配的點處使激光振蕩。在輻照部分處以 大致圓形的激光束去除氮化物層，并且在相同的條件下在村底上留下5nm 的力口工痕跡。用抗蝕劑涂覆激光加工過的晶片。使用使激光加工過的分離槽和圓形 部分暴露的掩膜，進行光刻。還使n型接觸形成區(qū)暴露。通過與實例1中相同的n型接觸形成步驟，且在與實例1中相同的條 件下，進行RIE。由于在該步驟期間遭受顯著的由激光引起的損傷的入射 側處的蝕刻量較大，并且在圓形部分的開口側處分離槽具有較大的開口， 因此形成相對于氮化物半導體層的正錐(襯底側變窄的溝槽)。傾斜角度 為約30°。形成Pt反射性電極作為p型電極。通過光刻形成抗蝕劑掩膜，以便覆 蓋圓形部分和n型接觸形成區(qū)，并且通過電子束氣相沉積在暴露的部分上 形成Pt電極和Au襯墊。然后通過剝離去除電極的不想要的部分。為了防止與n型電極短路，通過EB氣相沉積形成Si02膜作為絕緣層，以便覆蓋除了暴露的作為P型襯墊的部分以外的p型電極的整個上表面和 暴露的接合面。并且，在使用抗蝕劑掩膜覆蓋將要暴露的p型村墊的部分之后，在整個表面上氣相沉積A1作為反射性電極，以形成n型電極。以與 實例1相同的方式進行襯底拋光和分離。在T018系統(tǒng)中安裝分離的元件，其中電極側朝下，并且用積分球評 價的輸出為12.2mW。通過SEM觀察元件側表面，氮化物半導體層的側面 相對于已被垂直解理的藍寶石襯底的側面傾斜約30。，并且形成了相對于 襯底表面?zhèn)鹊牡瑰F。 (比較實例)該比較實例是其中首先形成電極的實例，用于比較。以與實例1的相同的方式進行在村底上的氮化物半導體層的生長。使用公知的光刻和Cl2氣體RIE，以暴露各個元件的邊界部分和在氮化物半導體層的表面上的n型接觸層的一部分。在化合物半導體疊層的p接觸層的預定位置處，使用光刻和剝離方法，以從p接觸層側依次形成由Pt和Au制成的半透明的p電極。接下來，實施公知的光刻和剝離技術，以同時形成p電極和n電極接合襯墊。 在與實例1的相同的條件下進行用于形成分離槽的激光加工。 在與實例1的相同的條件下，對分離槽形成之后的襯底進行濕法蝕刻。在存在超聲波的條件下用水清洗濕法蝕刻后的村底和氮化物半導體層，然后對其進行有才幾清洗，以去除抗蝕劑蝕刻掩膜。在去除蝕刻掩膜之后，確認由侵蝕引起的電極樣品的一部分的缺損。還確認在去除之前抗蝕劑掩膜的變形。不合格電極的發(fā)生頻度為約10%。蝕刻條件為在實例1中的2401C，并且設想該溫度引起抗蝕劑掩膜的變形和蝕刻溶液的'滲透。工業(yè)適用性使用激光和低損傷產(chǎn)生的蝕刻，對本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件進 行形狀加工，以提高發(fā)光二極管的輸出，由此防止由隨后的電極形成引起的成品率降低，并且從而提高生產(chǎn)率,
權利要求
1.一種氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，所述氮化物半導體發(fā)光器件包括襯底、在所述襯底上的氮化物半導體層和在所述氮化物半導體上的電極，所述氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法的特征在于通過激光進行的器件加工，隨后是蝕刻處理，然后是電極的形成。
2. 根據(jù)權利要求1的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于， 所述通過激光進行的器件加工實現(xiàn)對所述氮化物半導體層的至少一部分的 去除。
3. 根據(jù)權利要求1或2的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述通過激光進行的器件加工實現(xiàn)在所述發(fā)光器件的所述半導體層 中的溝槽和/或用于分離成各個發(fā)光器件的圍繞所述器件的周邊的所述半導體層中的分離槽的形成。
4. 根據(jù)權利要求1至3中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方 法，其特征在于，所述激光的能量高于所述氮化物半導體層的至少一部分 的帶隙能量。
5. 根據(jù)權利要求1至4中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方 法，其特征在于，所迷蝕刻處理是濕法蝕刻。
6. 根據(jù)權利要求5的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于， 所述濕法蝕刻是釆用正磷酸的濕法蝕刻。
7. 根據(jù)權利要求1至4中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方 法，其特征在于，所述蝕刻處理是干法蝕刻。
8. 根據(jù)權利要求7的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于， 所述干法蝕刻是采用氯基氣體的干法蝕刻。
9. 根據(jù)權利要求1至8中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方 法，其特征在于，在所述激光器件加工之前通過干法蝕刻進行所述激光器 件加工的對準。
10. 根據(jù)權利要求1至9中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，對蝕刻之后的所述氮化物半導體層的表面的至少一部 分進行非鏡面處理。
11. 根據(jù)權利要求1至10中任何一項的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，通過蝕刻在激光加工部分處形成傾斜的表面。
12. 根據(jù)權利要求ll的氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，其特征在 于，在所述蝕刻處理之后形成于所述氮化物半導體上的電極的至少一部分 與所述傾斜的表面接觸。
全文摘要
本發(fā)明的一個目的是通過具有高吞吐量的激光加工方法作為器件形狀的加工方法，并且通過蝕刻作為在激光加工之后的處理，防止器件特性的劣化且提高器件的生產(chǎn)成品率。本發(fā)明涉及一種氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法，所述氮化物半導體發(fā)光器件包括襯底、在所述襯底上的氮化物半導體層和在所述氮化物半導體上的電極，所述氮化物半導體發(fā)光器件的制造方法的特征在于通過激光進行的器件加工，隨后是蝕刻處理，然后是電極的形成。
文檔編號H01L33/32GK101273467SQ20068003556
公開日2008年9月24日 申請日期2006年9月25日 優(yōu)先權日2005年9月26日
發(fā)明者浦島泰人 申請人:昭和電工株式會社