專利名稱：：為改善有機(jī)電子器件加工和性能的中和陽極緩沖層的制作方法為改善有機(jī)電子器件加工和性能的中和陽極緩沖層粒1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及薄膜器件加工和制造技術(shù)。更具體地，本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管器件和顯示器的制造。2.相關(guān)技術(shù)基于LED(發(fā)光二極管)的顯示和照明系統(tǒng)有很多應(yīng)用。這類顯示和照明系統(tǒng)是通過排列很多光-電子元件("元件")如一個(gè)個(gè)LED的陣列而構(gòu)成的?；诎雽?dǎo)體技術(shù)的LED在傳統(tǒng)上一直使用無機(jī)材料，但近來，有機(jī)LED("OLED")已開始流行于有些照明和顯示應(yīng)用。利用有機(jī)材料的其它元件/器件的實(shí)例包括有機(jī)太陽能電池、有機(jī)晶體管、有機(jī)探測器、生物芯片和有機(jī)激光器。OLED—般由2層或多層傳輸空穴(或電子)的至少部分導(dǎo)電有機(jī)薄層(例如，緩沖層)和夾在2個(gè)電極即陽極和陰極之間的、在空穴-電子在其中復(fù)合時(shí)發(fā)光的發(fā)射層(EL)組成。在所施電壓下，陽極把空穴注入ABL,然后ABL把它們傳輸?shù)紼L,同時(shí)陰極把電子直接注入EL。注入的空穴和電子分別朝帶相反電荷的電極遷移并在EL中復(fù)合成激子。激子通過發(fā)射輻射線，即光，松弛到較低能態(tài)。一般，聚合物基OLED器件已用基于摻雜的導(dǎo)電聚合物，如PEDOT(聚亞乙基二氧基噻吩)或PANI(聚苯胺)，的陽極緩沖層(ABL)材料(也叫做空穴傳輸層或HTL)制造。PEDOT常與PSS(聚(苯乙烯磺酸))之類的酸混合。最常用的ABL材料之一是可獲自HCStarckCorporation的BaytronPVPCH8000。BaytronPVPCH8000的PEDOT:PSS重量比為1:20,電阻率為約100kQ-cm。BaytronPVPCH8000適合于諸如不需要進(jìn)一步形成圖案/加工并提供良好日光效率和相當(dāng)?shù)筒僮麟妷阂蟮臒o源矩陣顯示器的應(yīng)用。但是，這些器件結(jié)構(gòu)幾乎無例外地達(dá)不到所期望的壽命。使用BaytronCH8000溶液帶來的一個(gè)問題是，這些溶液是強(qiáng)酸性的，因此會(huì)造成加工設(shè)備的腐蝕和玻璃基底上ITO層的溶解。另一個(gè)問題是，Baytron的干燥薄膜相當(dāng)容易吸水。吸入Baytron薄膜的水會(huì)造成不希望發(fā)生的腐蝕問題。用BaytronCH8000之類的材料帶來的另一個(gè)復(fù)雜性是，烘烤時(shí)材料發(fā)生交聯(lián)并變得不溶于水，因此難以從器件上不需要它的部位除去。最理想的是制造壽命更長和加工要求不繁雜的ABL材料。附圖簡述圖1示出按照本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施方案制造ABL的工藝流程。圖2表示按照本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施方案的OLED器件405的實(shí)施方案的截面圖。圖3(A)示出本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方案的電流-電壓曲線。圖3(B)示出與圖3(A)中相同的4種器件的發(fā)光效率。圖4示出上述4種器件中各種器件的歸一化壽命數(shù)據(jù)。圖5示出上述4種器件中各種器件在DC條件下受驅(qū)動(dòng)時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓要求。圖6A和6B比較用傳統(tǒng)ABL材料和用已經(jīng)完全中和的ABL材料(按照本發(fā)明)的ABL薄膜在不同烘烤條件下(烘烤后)的吸水速率。圖7示出用傳統(tǒng)ABL材料和用已完全中和的ABL材料(按照本發(fā)明)的ABL薄膜對(duì)于ITO的腐蝕作用。發(fā)明詳述在描述本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，規(guī)定術(shù)語"混合物"和"溶液"具有相同意思。它們是指化學(xué)反應(yīng)和/或物理混合在一起的液態(tài)、固態(tài)和氣態(tài)化合物的組合或混合。所公開的是產(chǎn)生更長器件壽命的ABL配方。在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方案中，酸性ABL材料(如PEDOT:PSS混合物)被揮發(fā)性堿(如氫氧化銨或氨)完全或部分中和。然后用中和的ABL溶液來形成ABL層。在至少一個(gè)實(shí)施方案中，制備ABL溶液的方法包括測量酸性ABL材料的所需量，計(jì)算存在的H+當(dāng)量，以及加入等量的揮發(fā)性堿。如果溶液的表面張力不夠低，則可加入表面活性劑來保證更好的層加工。在用中和(或部分或完全)ABL溶液的OLED器件中多路驅(qū)動(dòng)條件下的壽命，與用傳統(tǒng)酸性(未中和)ABL材料的相同OLED器件相比，增加了。在用傳統(tǒng)的未中和ABL材料的OLED器件中普遍存在的亮度的起始大衰減，在中和ABL溶液OLED器件中也不顯著了。此外，發(fā)現(xiàn)，ABL在用按照本發(fā)明的中和ABL溶液制造時(shí)，與傳統(tǒng)上使用的材料相比，烘烤后更容易除去?；谥泻腿芤旱腁BL對(duì)其制造在上的基底材料，如ITO,的腐蝕性也較小。其部分原因是這種ABL的酸含量較少以及，與未中和ABL相比，觀察到中和ABL的吸水量少。此外，用中和溶液制成的ABL的面內(nèi)電阻率高到足以適合于無源矩陣顯示應(yīng)用。圖1示出按照本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施方案制造ABL的工藝流程。首先，要確定所需的中和程度(方框110)。這可以通過實(shí)驗(yàn)來確定，因?yàn)槿Q于所用的具體酸性ABL材料和具體揮發(fā)性堿，可能需要不同的中和程度。確定的中和程度將影響器件性能、可加工性和壽命。對(duì)于要制造的特定OLED器件而言一旦確定了，當(dāng)然就可保持其恒定。在有些實(shí)施方案中，例如，100%即完全中和的ABL是最有效的(見下文)。所需的中和程度可以通過計(jì)算、測量或?qū)嶒?yàn)確定酸性ABL材料內(nèi)存在多少當(dāng)量H+而得到。這在化學(xué)領(lǐng)域內(nèi)是周知的，無需深入討論。然后在傳統(tǒng)酸性ABL材料的溶液中加入等當(dāng)量數(shù)的揮發(fā)性堿(方框120)。然后，可能需要或要求表面活性劑或其它添加劑(在方框125處核查)。如果是這樣，則在溶液內(nèi)加入表面活性劑或其它添加劑(方框130)。然后在(OLED的)陽極上沉積中和溶液(方框160)。適用的沉積方法有^艮多，有些是選擇性的，有些是非選擇性的。旋涂是能用來沉積中和ABL溶液的一種常用方法。一旦溶液已被沉積，它就開始干燥成薄膜，為了硬化和穩(wěn)定化薄膜，還能進(jìn)行烘烤(方框170)。在本發(fā)明的有些實(shí)施方案中，中和ABL溶液不經(jīng)烘烤而僅在室溫真空條件下干燥。在使用烘烤時(shí)，烘烤溫度可以是能給出所期望結(jié)果的任何適合的溫度(例如，200°C或更高)并烘烤任何合適的時(shí)間。圖2示出按照本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施方案的OLED器件405的實(shí)施方案的截面圖。該OLED器件405可代表較大OLED顯示器的一個(gè)OLED像素或子像素。OLED器件405是無源矩陣器件，因?yàn)樗幌裼性淳仃嚻骷菢雍衅渥蚤_關(guān)機(jī)構(gòu)。如圖2所示，該OLED器件405包括在基底408上的第一電極411。如本說明書和權(quán)利要求中所用，術(shù)語"在…上"包括當(dāng)所述層處于物理接觸或所述層被一層或多層間隔層分隔時(shí)。第一電極411可以為像素化應(yīng)用形成圖案或?yàn)楸彻庹彰骰蛘彰鲬?yīng)用而不形成圖案。在第一電極411之上沉積一種或多種有機(jī)材料以形成有機(jī)堆416的一層或多層有機(jī)層。有機(jī)堆416在第一電極411上。有機(jī)堆416包括陽極緩沖層("ABL")417和發(fā)光聚合物(LEP)層420。OLED器件405還包括在有機(jī)堆416上的第二電極423。還可以按需要添加圖2中未示出的其它層，包括阻隔層、電荷輸運(yùn)層，電荷注射層，極化層、衍射層和在任何已有層之間的界面層。按照本發(fā)明，其中有些層將在下文更詳細(xì)地描述。基底408:基底408可以是能支撐其上的有機(jī)和金屬層的任何材料?；?08可以是透明或不透明的(例如，在上-發(fā)射器件內(nèi)用不透明基底)。通過改變或過濾能通過基底408的光的波長，能改變器件發(fā)射光的顏色?；?08能由玻璃、石英、硅、塑料或不銹鋼組成；優(yōu)選基底408由柔韌的薄玻璃組成?；?08的優(yōu)選厚度取決于所用的材料和器件的應(yīng)用?；?08可以呈片狀或連續(xù)膜狀。例如，對(duì)于特別適合于塑料、金屬和金屬化塑料箔的輥-對(duì)-輥制造工藝，能用連續(xù)膜。一般用單一基底408來構(gòu)造較大的OLED顯示器，它含許多隨后要按某種圖案排布的像素，如OLED器件405。第一電極411:在一種結(jié)構(gòu)內(nèi)，第一電極411起陽極作用(陽極是導(dǎo)電層，起空穴注射層的作用，而且包含功函數(shù)大于約4.5eV的材料)。典型的陽極材料包括金屬(如鈾、金、4巴、銦等)；金屬氧化物(如氧化鉛、氧化錫、ITO(氧化銦錫)等)；石墨；摻雜的無機(jī)半導(dǎo)體(如硅、鍺、砷化鎵等)；和摻雜的導(dǎo)電聚合物(如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等)。第一電極411可以是對(duì)器件405內(nèi)產(chǎn)生的光的波長為透明、半透明或不透明的，取決于器件405是上-發(fā)射還是下-發(fā)射。第一電極411的厚度可以為約10nm~約1000nm,優(yōu)選約50nm~約200nm,更優(yōu)選約100nm。第一電極層411一般可以用薄膜沉積技術(shù)中已知的任何方法制造，包括，例如，真空蒸發(fā)、濺射、電子束沉積或化學(xué)蒸氣沉積。ABL417:ABL417的空穴遷移率一般比電子遷移率大得多，并用來有效地把空穴從第一電極411傳輸?shù)絃EP層420。ABL417可以用聚合物或低分子材料制造。按照本發(fā)明，ABL417從主要包含酸性ABL材料和揮發(fā)性堿的溶液形成，其中揮發(fā)性堿中和酸性ABL材料內(nèi)的部分或全部酸性基團(tuán)。在本發(fā)明的有些實(shí)施方案中，酸性ABL材料是PEDOT:PSS以及揮發(fā)性堿是NH3。用揮發(fā)性堿如NH3,預(yù)期在烘烤/干燥時(shí)，氨會(huì)完全逸散，重又留下酸性基團(tuán)。意外地，發(fā)現(xiàn)情況并非如此。例如，在中和的PEDOT:PSS中，PSS的氨鹽大多留下了，即使在烘烤之后。酸性ABL材料可包含導(dǎo)電聚合物和酸或多酸的混合物，所述導(dǎo)電聚合物如PEDOT,聚(3，4-二甲氧基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(異硫茚)及其衍生物、聚吡咯及其衍生物，PANI及其衍生物，所述酸或多酸如聚(苯乙烯磺酸)(PSS)、聚(2-丙烯酰胺基-2-曱基-l-丙磺酸)、磺化全氟化樹脂(如杜邦化學(xué)公司的NAFIONTM)、2-丙烯酰胺基-2-曱基-l-丙磺酸、樟腦磺酸、十二烷基苯磺酸、聚丙烯酸，以及它們的組合。能用于本發(fā)明許多實(shí)施方案中的揮發(fā)性堿包括氨(NH3),單烷基胺類(NH2R),二烷基胺類(NHR。，諸如三曱胺、三乙胺等的三烷基胺類(NR3),烷基芳基胺類，芳基胺類和芳族雜環(huán)化合物如吡啶、吡咯、咪唑或三唑。為改進(jìn)其可加工性，溶液中還能加入離子或非離子表面活性劑。溶液能沉積(例如用旋涂法)到第一電極411上。已沉積溶液干燥成薄膜。已沉積溶液可以在高溫下烘烤到足夠硬化，或僅簡單地使之在室溫下真空干燥。在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方案中，用30。/。氨(NH3)水溶液中和PEDOT:PSS材料。在至少一個(gè)實(shí)施方案中，PEDOT:PSS被30wt^/o氨完全中和，以致PSS中存在的所有H+離子全都被中和了。在有些實(shí)施方案中，酸性ABL材料僅被部分中和，例如，中和程度為50%或75%。在本發(fā)明的有些實(shí)施方案中，中和能有效地使ABL的pH值落在在約1.5~約8之間。這些混合物呈深藍(lán)-紫色并以850nm處吸收最大和500nm處的弱肩為特征，這一點(diǎn)與在BaytronCH8000和其它PEDOT:PSS材料中所觀察到的吸收略有不同。一旦制成了中和溶液，就把它沉積在第一電極411上。制造ABL417中所用的中和溶液，可以用選擇性沉積技術(shù)或非選擇性沉積技術(shù)沉積到第一電極411上。選擇性沉積技術(shù)的實(shí)例包括，例如，噴墨印刷、柔性版印刷和絲網(wǎng)印刷。非選擇性沉積技術(shù)包括，例如，旋涂、浸涂、網(wǎng)紋涂和噴涂。一旦已沉積，就把溶液干燥成薄膜。干燥的薄膜就成為ABL417。在至少一個(gè)實(shí)施方案中，中和溶液變成薄膜的干燥是在沉積后通過在室溫下真空干燥整個(gè)器件來實(shí)現(xiàn)的。在另一些實(shí)施方案中，中和薄膜的干燥包括沉積后在200。C或更高溫度下烘烤器件。在其它實(shí)施方案中，烘烤溫度在5(TC或更高溫度的任何溫度。烘烤和/或干燥時(shí)間能按需要改變。ABL417的厚度可以為約5nm~約1000nm,傳統(tǒng)上用約50nm~約250nm。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中，用約100nm的ABL層。經(jīng)200。C烘烤的中和ABL薄膜比相同沉積表面上的未中和薄膜更易用水除去。相信這是因?yàn)橹行訟BL材料失去了像酸性ABL材料那樣有效的交聯(lián)的能力。完全中和的ABL薄膜的吸水速率比傳統(tǒng)酸性ABL薄膜的小。因溶液的中性，幾乎完全抑制了中和ABL薄膜中底陽極(第一電極411)的腐蝕。與傳統(tǒng)的酸性ABL薄膜相比，使用中和ABL薄膜的電壓電流特性、電阻率和粘度幾乎相同或有時(shí)更好，如以下BaytronCH8000中的情況所示。重要的是，用中和ABL薄膜的OLED器件的壽命超過了用傳統(tǒng)酸性ABL薄膜的器件(也示于附圖內(nèi)。)LEP層420:對(duì)于有機(jī)LED(OLED),LEP層420含至少一種發(fā)光的有機(jī)材料。這些有機(jī)發(fā)光材料一般歸于兩類。第一類OLED,稱作聚合物發(fā)光二極管或PLED,用聚合物作為部分LEP層420。聚合物在本性上可以是有機(jī)或有機(jī)金屬的。如本文所用，術(shù)語"有機(jī)"也包括有機(jī)金屬材料在內(nèi)。優(yōu)選把這些聚合物溶解在有機(jī)溶劑如曱苯或二曱苯中，并旋轉(zhuǎn)(旋涂)到器件上，但其它沉積方法也是可能的。特別優(yōu)選在LEP層420中用聚合物活性電子材料的器件。任選地，LEP層420可包括在響應(yīng)光吸收時(shí)改變其電性能的光響應(yīng)材料。光響應(yīng)材料常用在把光能轉(zhuǎn)化為電能的探測器和太陽能電池板中。LEP層420中的發(fā)光有機(jī)聚合物可以是，例如，含共軛重復(fù)單元的EL聚合物，尤其相鄰重復(fù)單元以共軛方式鍵接的EL聚合物，如聚噻吩類、聚亞苯基類、聚噻吩亞乙烯基類或聚對(duì)亞苯基亞乙烯基類或它們的同族、它們的共聚物、衍生物或混合物。更具體地，有機(jī)聚合物可以是，例如，聚芴類；發(fā)射白光、紅光、藍(lán)光、黃光或綠光的聚對(duì)亞苯基亞乙烯基類和為2-或2，5-取代的聚對(duì)亞苯基亞乙烯基類；聚對(duì)苯撐亞乙烯基類；多螺環(huán)聚合物。優(yōu)選的有機(jī)發(fā)光聚合物包括發(fā)射綠光、紅光、藍(lán)光或白光的發(fā)光聚合物("LEP")或它們的同族、它們的共聚物、衍生物或混合物。其它聚合物包括多螺環(huán)芴狀聚合物。除聚合物以外，發(fā)射熒光或磷光的較小有機(jī)分子能作為發(fā)光材料置于LEP層420中。與作為溶液或懸浮液涂布的聚合物材料不同，小分子發(fā)光材料還能通過蒸發(fā)、升華或有機(jī)蒸氣相沉積法進(jìn)行沉積。PLED材料和較小有機(jī)分子的組合也能起活性電子層的作用。例如，PLED可化學(xué)衍生自有機(jī)小分子或簡單地與有機(jī)小分子混合而形成LEP層420。除發(fā)光的活性電子材料以外，LEP層420可包括能傳輸電荷的材料。電荷傳輸材料包括能傳輸載流子的聚合物或小分子。例如，可以用有機(jī)材料，如聚噻吩、衍生聚噻吩、齊聚聚噻吩、衍生齊聚聚噻吩、并五苯、包括C60的組合物和包括衍生C60的組合物。LEP層420還可包括半導(dǎo)體，如硅或砷化鎵。LEP層420的厚度一般大于80nm,優(yōu)選在40~125nm之間。ABL417和LEP層420之類的所有有機(jī)層都能通過沉積有機(jī)溶液或用旋涂或其它沉積法進(jìn)行噴墨印刷。這種有機(jī)溶液可以是任何"流體，，或在壓力下能流動(dòng)的可變形物質(zhì)，并可包括溶液、油墨、糊料、乳液、分散體等。液體也可以含有或補(bǔ)充影響沉積滴的粘度、接觸角、增稠、親合性、干燥、稀釋等的其它物質(zhì)。此外，層417和420可各按需要為穩(wěn)定性和維持后續(xù)層沉積所需要的某些表面性能而進(jìn)行交聯(lián)或物理或化學(xué)硬化。第二電極(423)在一個(gè)實(shí)施方案中，當(dāng)在第一電極411和第二電才及423之間施加電位時(shí)，第二電極423起陰極作用。在該實(shí)施方案中，當(dāng)在起陽極作用的第一電極411和起陰極作用的第二電極423之間施加電位時(shí)，從活性電子層420釋放出通過笫一電極411和基底408的光子。雖然能起陰極作用的許多材料都是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所已知的，但最優(yōu)選使用包括鋁、銦、銀、金、鎂、鈣和鋇或它們的組合或它們的合金的組合物。也可以用鋁、鋁合金和鎂與銀的組合或它們的合金。優(yōu)選第二電極423的厚度為約10-約1000nm,更優(yōu)選約50~約500nm，最優(yōu)選約100~約300nm。雖然本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員知道很多可用來沉積第一電極材料的方法，但優(yōu)選真空沉積法，如物理蒸氣沉積(PVD)法。也可用其它層(未示出)，如阻隔層和吸氣劑層，來保護(hù)電子器件。這類層是本領(lǐng)域熟知的，在此不具體討論了。圖3A示出本發(fā)明多種實(shí)施方案的電流-電壓曲線。有4種具有下列特性的被試器件。對(duì)使用PEDOT:PSS(BaytronCH8000)為酸性ABL和30%NH4OH水溶液并具有0%("對(duì)比，，器件)、50%、75%和100%的不同中和程度的各種器件進(jìn)行試驗(yàn)。在各器件內(nèi)把ABL所制成厚度為約100nm,而且各器件用厚80nm的發(fā)白光的聚芴基LEP?；资峭坑蠭TO(氧化銦錫)陽極(100120nm)的玻璃(0,7mm厚)。陰極用LiF和鈣然后鋁的復(fù)合材料形成。然后封裝這些器件。電流密度(mA/cm2)-電壓圖表明，所有器件具有大致類似的特性。值得注意的是，在外施電位為-2V時(shí)，有一個(gè)小于10^mA/cn^的逆電流電流密度。圖3(B)示出與圖3(A)中相同的4個(gè)器件的發(fā)光效率。用亮度(cd/m勺-電壓表示的發(fā)光效率表明，中和程度較高的器件具有較高的效率以及任意中和程度，即使50%,也會(huì)產(chǎn)生比未中和的傳統(tǒng)對(duì)比器件更有效的器件。圖4示出上述4種器件中各種器件的歸一化壽命。可以看到，用含有中和程度較高的ABL的組合物制成的器件，較之用含有中和程度較低的ABL的組合物制成的相同器件，壽命更長。用中和ABL的器件，起始亮度降落較小，用中和程度為100%的器件，亮度隨時(shí)間的下降更線性。圖5示出在DC條件下驅(qū)動(dòng)時(shí)，上述4種器件中每一種的電壓驅(qū)動(dòng)要求。有利的是，完全中和的器件，較之對(duì)比器件和部分中和的器件，要求較低的驅(qū)動(dòng)電壓，而且，所需電壓隨時(shí)間也是更線性地變化。圖6A和6B比較在不同烘烤條件下用傳統(tǒng)ABL材料的ABL薄膜與用完全中和ABL材料的ABL薄膜(按照本發(fā)明)的吸水速率。BaytronCH8000厚膜的吸水速率在22。C和34%相對(duì)濕度下測定。一組薄膜在20。C真空干燥，而另一組在200。C真空烘烤。所得吸水率示于圖6A。未中和傳統(tǒng)BaytronCH8000的真空干燥和真空烘烤薄膜，在約90min后，都有約15~16%的增重。相反，如圖6B所示，用相同BaytronCH8000制成然后用氨完全中和的薄膜，在真空干燥和200。C真空供烤的情況下，90mm后只有7~9%的增重。圖7示出用傳統(tǒng)ABL材料和用完全中和的ABL材料(按照本發(fā)明)的ABL薄膜對(duì)于ITO的腐蝕作用。完全中和的ABL薄膜的中和抑制了ABL對(duì)陽極材料如ITO的腐蝕作用，如圖7所示。傳統(tǒng)ABL(Baytron)在160~165h內(nèi)最終使ITO完全腐蝕。而用完全中和的ABL,ITO陽極的腐蝕，即使有，也極少。因此按照本發(fā)明中和ABL的方法對(duì)于OLED薄膜的加工具有有益作用，如噴墨印刷頭的腐蝕。使用揮發(fā)性堿如NH3，預(yù)期在烘烤/干燥時(shí)，氨會(huì)完全逸散，重又留下酸性基團(tuán)。意外地，發(fā)現(xiàn)情況并非如此。例如，在中和PEDOT:PSS中PSS的氨鹽大多留下了，即使在烘烤后。這可以在實(shí)驗(yàn)上用已在200。C真空下烘烤了30min的中和PEDOT:PSS(Baytron)的元素分析證明。結(jié)果如下BaytronCH8000+NH3對(duì)(CSHUNS03)15.22(CSH4S02)1.00的計(jì)算值實(shí)驗(yàn)值<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>上表說明，在烘烤后，烘烤前的相當(dāng)多的，實(shí)際上幾乎所有的NH3量都留下了，即使烘烤后也如此。烘烤后僅損失少量N。這意味著聚(苯乙烯磺酸)銨鹽在200°C相當(dāng)穩(wěn)定以及氨并未因烘烤而如預(yù)料那樣失去。雖然已舉例說明了本發(fā)明的主要用在OLED顯示器內(nèi)的實(shí)施方案，但幾乎所有使用干燥薄膜層的各類電子器件都可能應(yīng)用這些實(shí)施方案的。本發(fā)明尤其還能應(yīng)用于太陽能電池、晶體管、光電晶體管、激光器、光電探測器或光耦合器中。也能用于生物應(yīng)用如生物傳感器，或化學(xué)應(yīng)用如組合合成之類的應(yīng)用中。前面所述的OLED顯示器/器件能在下列應(yīng)用中用于顯示器內(nèi)計(jì)算機(jī)顯示器、車輛的信息顯示器、TV監(jiān)示器、電話、打印機(jī)、區(qū)域照明和一般照明、背光照明和照明信號(hào)中。權(quán)利要求1.一種有機(jī)薄膜，包含酸性ABL材料；和揮發(fā)性堿，加至所述酸性ABL材料，以形成溶液，所述揮發(fā)性堿至少部分地中和所述酸性ABL材料中的酸性基團(tuán)，所述溶液經(jīng)沉積和干燥形成所述薄膜。2.按照權(quán)利要求1的有機(jī)薄膜，其中所述揮發(fā)性堿包含下列物質(zhì)至少之一氨(NH3)、單烷基胺類(NH2R),二烷基胺類(NHR。，諸如三甲胺、三乙胺之類的三烷基胺類(NR3)，烷基芳基胺類，芳基胺類和芳族雜環(huán)化合物吡咬、p比咯、咪哇或三哇。3.按照前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的有機(jī)薄膜，其中所述酸性基團(tuán)包含至少下列之一聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺基-2-曱基-l-丙磺酸)、聚丙烯酸、磺化全氟化樹脂和所述多酸的鹽。4.按照前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的有機(jī)薄膜，其中所述酸性ABL材料是PEDOT:PSS。5.按照前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的有機(jī)薄膜，其中所述揮發(fā)性堿是氨。6.按照前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的有機(jī)薄膜，其中所述溶液是30%氫氧化銨溶液。7.按照前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的有機(jī)薄膜，其中所述酸性基團(tuán)被所述揮發(fā)性堿完全中和。8.按照前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的有機(jī)薄膜，其中把所述薄膜作為陽極緩沖層加進(jìn)有機(jī)發(fā)光二極管器件。9.一種有機(jī)發(fā)光器件，包含陽極；沉積在所述陽極上的陽極緩沖層(ABL)，所述陽極緩沖層制造如下沉積含有被溶劑化在揮發(fā)性堿內(nèi)的酸性ABL材料的溶液，使酸性ABL材料中的酸性基團(tuán)至少被部分中和；和沉積在所述陽極緩沖層上的發(fā)光層，所述發(fā)光層能在電子空穴在其中復(fù)合時(shí)發(fā)光。10.權(quán)利要求9的有機(jī)發(fā)光器件，還包含沉積在所述發(fā)光層上的陰極。11.權(quán)利要求9和10中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，還包含基底，所述陽極沉積在所述基底上。12.權(quán)利要求9-11中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述發(fā)光層是共軛聚合物。13.權(quán)利要求9~12中任何一項(xiàng)的器件，其中所述揮發(fā)性堿包含下列物質(zhì)至少之一氨(NH3)、單烷基胺類(NH2R),二烷基胺類(NHR。，諸如三曱胺、三乙胺之類的三烷基胺類(NR3),烷基芳基胺類，芳基胺類和芳族雜環(huán)化合物吡啶、吡咯、咪唑或三唑。14.權(quán)利要求9~13中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述酸性基團(tuán)包含至少下列之一聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺基-2-曱基-l-丙磺酸)、聚丙烯酸、磺化全氟化樹脂和所述多酸的鹽。15.權(quán)利要求9~14中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述酸性ABL材料是PEDOT:PSS。16.權(quán)利要求9~15中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述揮發(fā)性堿是氨。17.權(quán)利要求9-16中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述溶液是30%氫氧化銨溶液。18.權(quán)利要求9-17中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述酸性基團(tuán)已被所述揮發(fā)性堿完全中和。19.權(quán)利要求9~18中任何一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述陽極緩沖層是通過烘烤或干燥所述沉積溶液而制成的。20.權(quán)利要求19的有機(jī)發(fā)光器件，其中烘烤溫度高于50°C。21.—種制造用于有機(jī)電子器件的陽極緩沖層的方法，所述方法包括形成酸性ABL材料被溶劑化在揮發(fā)性堿中的溶液，以使酸性ABL材料內(nèi)的酸性基團(tuán)至少部分地被中和；和在所述有機(jī)電子器件的表面上沉積所述溶液。22.按照權(quán)利要求21的方法，還包括烘烤所述已沉積上溶液的器件。23.按照權(quán)利要求22的方法，其中烘烤溫度高于5(TC。24.按照權(quán)利要求21~23中任何一項(xiàng)的方法，還包括干燥已沉積上溶液的所述器件并除去所述的揮發(fā)性堿。全文摘要用組合了揮發(fā)性堿的酸性陽極緩沖層(ABL)材料形成有機(jī)電子薄膜，所述揮發(fā)性堿完全或部分地中和酸性ABL材料中的酸性基團(tuán)。文檔編號(hào)H01L51/54GK101278420SQ200680036405公開日2008年10月1日申請(qǐng)日期2006年8月11日優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日發(fā)明者P·-M·阿利曼德申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司