專利名稱：具有保護(hù)性外圍區(qū)的半導(dǎo)體管芯以及形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體加工，且更具體地，涉及一種具有保護(hù)性 外圍區(qū)的半導(dǎo)體管芯。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體管芯的外圍區(qū)一般易于損壞，尤其是在封裝加工和可靠性 測(cè)試中。通常，半導(dǎo)體管芯的轉(zhuǎn)角和邊緣相對(duì)于管芯的中心要承受更 大的應(yīng)力。例如，在晶片切割過程中，管芯邊緣可能出現(xiàn)缺口或裂紋 而損壞。同樣，在封裝加工和可靠性測(cè)試中，半導(dǎo)體管芯經(jīng)受熱循環(huán)， 導(dǎo)致對(duì)轉(zhuǎn)角和邊緣的附加應(yīng)力。
在管芯的轉(zhuǎn)角和邊緣處發(fā)生的損壞容易傳播(pr叩agate)到管芯 的有源區(qū)，毀壞管芯全部或部分的互連或電路，從而降低器件的可靠 性。例如，裂紋可能從半導(dǎo)體管芯的邊緣和轉(zhuǎn)角處傳播到有源區(qū)。同 樣，邊緣和轉(zhuǎn)角更易于分層剝離，該分層剝離也向有源區(qū)傳播，進(jìn)一 步降低了可靠性。此外，現(xiàn)今的技術(shù)在制造半導(dǎo)體管芯中使用更多的 具有低介電常數(shù)K的材料(也稱為低K電介質(zhì)材料)，并且這些低K 材料具有低附著力和低機(jī)械強(qiáng)度，這進(jìn)一步加劇了該問題。通常的管
芯保護(hù)方案沒有提供充分的保護(hù)，因此導(dǎo)致了可靠性的降低和生產(chǎn)成 本的增加。
現(xiàn)今使用的一個(gè)通常的管芯保護(hù)方案使用具有止裂環(huán)和密封環(huán)的 雙環(huán)方案，所述止裂環(huán)防止鈍化破裂以及阻止這些裂紋的傳播，所述
密封環(huán)位于止裂環(huán)內(nèi)，用以防止水分侵入。在該雙環(huán)方案中，環(huán)的邊 在各金屬層中都被形成為堅(jiān)固連續(xù)的(solid continuous)金屬線。不同 金屬層內(nèi)的連續(xù)的金屬線通過使用位于通孔層中的通孔而相互連接。然而，每一通孔層內(nèi)的通孔都是不連續(xù)的。因此，由于這些環(huán)用各金 屬層內(nèi)的純粹連續(xù)的線形成，并且每一通孔層內(nèi)的通孔都是不連續(xù)的， 所以不能充分防止裂紋或分層剝離的傳播，從而導(dǎo)致有源電路的故障 增加。


本發(fā)明通過示例的方式來示出且不受附圖限制，附圖中相同的附
圖標(biāo)記代表相似的元件，其中
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯的俯視圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的、圖1中的一部分半導(dǎo)體管
芯的放大圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的、穿過圖2所示的一部分半 導(dǎo)體管芯而提取的剖視圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的、圖2所示的一部分半導(dǎo)體 管芯的進(jìn)一步放大圖；以及
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的、圖1中的一部分半導(dǎo)體 管芯的放大圖。
熟練的技術(shù)人員理解的是，附圖中的元件的示出是簡明且清楚的， 并且不需要按規(guī)定比例畫出。例如，附圖中的一些元件的尺寸可相對(duì) 于其他元件被放大，用以幫助增進(jìn)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的理解。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，管芯的保護(hù)性外圍區(qū)被用于對(duì)半導(dǎo)體 管芯的有源區(qū)提供保護(hù)。在一個(gè)實(shí)施例中，蜂窩狀結(jié)構(gòu)被用來在半導(dǎo) 體管芯的有源區(qū)周圍形成保護(hù)環(huán)以提供保護(hù)而不受水分、破裂、分層 剝離等的損害?？商鎿Q地，其他多邊形結(jié)構(gòu)或圓形結(jié)構(gòu)也可被用來形 成保護(hù)環(huán)。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯10的俯視圖。
6(可替換地，半導(dǎo)體管芯IO可被稱為集成電路管芯。)半導(dǎo)體管芯10
被示出為具有第一保護(hù)環(huán)12和第二保護(hù)環(huán)14的單個(gè)管芯(也被稱為 環(huán)12和環(huán)14)。環(huán)12包圍環(huán)14，環(huán)14包圍半導(dǎo)體管芯10的有源區(qū) 22。在所示出的實(shí)施例中，有源區(qū)22包括核區(qū)(core region) 18和包 圍核區(qū)18的焊盤16。有源區(qū)22和核區(qū)18可包括任何類型的互連和電 路用以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體管芯IO的任何種類的功能，這里互連和電路也同樣 可位于核區(qū)18的外面(例如，包圍焊盤16或在焊盤16的下面)。半 導(dǎo)體管芯10的有源區(qū)22可使用傳統(tǒng)加工技術(shù)形成，該有源區(qū)包括核 區(qū)18和焊盤16。
圖l示出了具有一行焊盤的外圍焊盤排列的一個(gè)示例?？商鎿Q地， 焊盤的行數(shù)可多于一行。焊盤也可以排列成使得焊盤能夠以陣列方式 設(shè)置在核區(qū)18的上面。在不同實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯10也可以沒有 用于引線鍵合連接的焊盤16,但是可以包括用于倒裝芯片連接的凸點(diǎn) 焊盤或用于其他下一級(jí)連接的其他連接焊盤(landing pad)類型。
半導(dǎo)體管芯IO還包括位于環(huán)12外側(cè)的劃片區(qū)20，該劃片區(qū)位于 環(huán)12的外側(cè)邊與半導(dǎo)體管芯IO的外側(cè)邊之間。在所示出的實(shí)施例中， 環(huán)12和環(huán)14被示出為連續(xù)的環(huán)；然而，在可替換的實(shí)施例中，這些 環(huán)可以不連續(xù)。例如，環(huán)12、環(huán)14或兩者均可包括一個(gè)或多個(gè)缺口。 同樣，如同將要在下面詳細(xì)討論的一樣，環(huán)12和14除了圖1所示的 直角形形狀之外可有不同的形式。例如， 一個(gè)或兩個(gè)環(huán)可以有漸尖的 轉(zhuǎn)角，這樣每個(gè)轉(zhuǎn)角包括穿過該轉(zhuǎn)角的邊?？商鎿Q地，環(huán)在轉(zhuǎn)角處可 以是圓的。同樣，注意環(huán)12、環(huán)14或兩者可僅部分包圍有源區(qū)。例如， 在一個(gè)實(shí)施例中，環(huán)14可僅部分包圍有源區(qū)，并且環(huán)12也因而僅部 分包圍環(huán)14。
圖2示出了圖1半導(dǎo)體管芯10中區(qū)域30的放大圖。在所示出的 實(shí)施例中，環(huán)12由導(dǎo)電材料形成為具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)的環(huán)。也就是說， 環(huán)12包括許多形成為蜂窩狀結(jié)構(gòu)(包括完整六邊形，如六邊形32，以及部分六邊形，如部分六邊形36，該部分六邊形通常形成在環(huán)的邊緣
處)的六邊形單元。如參考圖3將看到和進(jìn)一步描述的，六邊形單元
的壁由導(dǎo)電材料形成(例如銅、鋁、鎢、金或它們的組合)并且向下
延伸穿過所有互連金屬層和通孔層到達(dá)半導(dǎo)體管芯的襯底。六邊形單 元內(nèi)部填充有一種電介質(zhì)材料或多種電介質(zhì)材料。例如，在一個(gè)實(shí)施
例中，六邊形單元包括低K電介質(zhì)材料(其中，如同在此處所使用的 一樣，低K是指介電常數(shù)小于3)。因此，每個(gè)六邊形單元都有導(dǎo)電 或金屬壁，在導(dǎo)電或金屬壁內(nèi)有電介質(zhì)材料。
注意，在示出的實(shí)施例中，環(huán)12的外側(cè)邊34是由導(dǎo)電材料形成 的直邊，例如用來形成六邊形單元的壁的導(dǎo)電材料。環(huán)12的外側(cè)邊34 的直邊或是通過將完整六邊形(如六邊形32)與部分六邊形(如部分 六邊形36)堆積在一起來實(shí)現(xiàn)，或是通過將部分六邊形堆積在一起來 實(shí)現(xiàn)。在所示出的實(shí)施例中，環(huán)12的內(nèi)側(cè)邊不像環(huán)12的外側(cè)邊一樣 形成直邊。在可替換的實(shí)施例中，環(huán)12的外側(cè)邊34可不使用部分六 邊形以不形成直邊。在另一可替換的實(shí)施例中，如虛線所示，內(nèi)側(cè)邊 也可通過添加部分六邊形(類似于部分六邊形36，沿著內(nèi)側(cè)邊)以形 成直邊。
在一實(shí)施例中，環(huán)12的寬度37大約為2-4個(gè)六邊形單元。在可 替換的實(shí)施例中，寬度37可更小或更大以容納更少或者更多的六邊形 單元。在一實(shí)施例中，寬度37的范圍大約為1至IO微米。同樣，注 意，六邊形可以具有任何尺寸，取決于所需寬度37的值以及所需六邊 形的行數(shù)。例如，在一實(shí)施例中，六邊形單元的寬度可大約為一微米。
在可替換的實(shí)施例中，環(huán)12的單元可具有其他多邊形形狀。例如， 除了六邊形單元之外，環(huán)12可包括五邊形單元或八邊形單元等，或者 不同單元形狀的組合。環(huán)12也可包括完整多邊形單元與部分多邊形單 元的組合(類似于完整六邊形單元32和部分六邊形單元36)?？商鎿Q 地，如下面參見圖5將看到的，環(huán)12可包括圓形單元。與六邊形單元一樣，這些多邊形單元或者圓形單元中的每一個(gè)都包括填充有一種或 多種電介質(zhì)材料的導(dǎo)電單元壁。同樣，注意，環(huán)12的轉(zhuǎn)角可形成為各 種不同的形式。例如，更多單元可位于轉(zhuǎn)角處，因此致使處于轉(zhuǎn)角中 的單元的面積比轉(zhuǎn)角之間沿著邊的單元的面積大。
在所示出的實(shí)施例中，環(huán)14也是由導(dǎo)電材料形成的具有蜂窩狀結(jié) 構(gòu)的環(huán)。也就是說，環(huán)14包括許多形成為蜂窩狀結(jié)構(gòu)的六邊形單元(同 樣包括完整六邊形和部分六邊形)。上面所提及的關(guān)于環(huán)12的描述、 示例和替換也同樣適用于環(huán)14和環(huán)14的六邊形單元(例如，用于環(huán) 12和環(huán)12單元的相同的形狀類型、材料和尺寸也可用于環(huán)14)。
同樣，與環(huán)12相同，環(huán)14的外側(cè)邊也由導(dǎo)電材料形成，如用來 形成六邊形單元壁的導(dǎo)電材料。在所示出的實(shí)施例中，環(huán)14的內(nèi)側(cè)邊 不像環(huán)14的外側(cè)邊一樣形成直邊；然而，在可替換的實(shí)施例中，內(nèi)側(cè) 邊也可由導(dǎo)電材料來形成以形成直邊。用來形成環(huán)12或環(huán)14的外側(cè) 邊(如果存在)或內(nèi)側(cè)邊(如果存在)的導(dǎo)電材料，可以是與用來形 成六邊形單元的壁的導(dǎo)電材料相同。可替換地，可以使用不同的導(dǎo)電 材料。
在一實(shí)施例中，環(huán)14的寬度39大約為5-7個(gè)六邊形單元。在可 替換的實(shí)施例中，寬度39可更小或更大以容納更少或者更多的六邊形 單元。在一實(shí)施例中，寬度39的范圍是大約1至10微米。同樣，在 一實(shí)施例中，寬度37大約是寬度39的一半。同樣，注意，六邊形可 以是任何尺寸，取決于所需寬度39的值和所需六邊形的行數(shù)。例如， 在一實(shí)施例中，六邊形單元的寬度可以是大約一微米。在一實(shí)施例中， 環(huán)12的單元與環(huán)14的單元具有相同的尺寸和形狀；然而，在可替換 的實(shí)施例中，每個(gè)環(huán)可使用不同尺寸或形狀的單元。
在所示出的實(shí)施例中，環(huán)12和14被具有寬度38的間隙24所隔 開。在一實(shí)施例中，寬度38的范圍是大約1至IO微米。在所示出的
9實(shí)施例中，間隙24在環(huán)之間是基本一致的。在所示出的實(shí)施例中，間 隙24中填充有一種或多種電介質(zhì)材料。作為替換的實(shí)施例，間隙中可 填充有與環(huán)12和14中一樣的六邊形狀單元，因此將環(huán)12和14結(jié)合 成更寬的環(huán)。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的、穿過環(huán)12和14 (見圖2) 而提取的、穿過單元壁70至78的剖視圖。半導(dǎo)體管芯10包括襯底42、 接觸層45和多個(gè)通孔層(如通孔層44)以及覆蓋在襯底42上方的金 屬層(如金屬層46)。在有源區(qū)22中，接觸層45提供電連接到襯底 42中的器件，并且通孔層和金屬層可供接觸層45與襯底42中的其他 器件之間以及接觸層45與最上層金屬層46之間的電信號(hào)的布線使用。 環(huán)14和12的單元形成在接觸層45和多個(gè)通孔層及金屬層中。形成在 通孔層中的環(huán)的結(jié)構(gòu)和形狀可與形成在金屬層中的結(jié)構(gòu)和形狀相似。 在其他實(shí)施例中，形成在通孔層中的環(huán)的結(jié)構(gòu)和形狀可不同于形成在 金屬層中的環(huán)的結(jié)構(gòu)和形狀。例如，形成在通孔層中的環(huán)可具有與形 成在金屬層中的環(huán)不同的多邊形形狀或不同的壁厚。在其他實(shí)施例中， 形成在一個(gè)通孔層中的環(huán)可具有與形成在其他通孔層中的環(huán)不同的多 邊形形狀或不同的壁厚。
單元壁部分的每個(gè)垂直疊堆(如通孔層44的單元壁部分48和金 屬層46的單元壁部分50)形成了環(huán)12和14內(nèi)的單元壁。返回參見圖 2，橫截面是穿過壁70至75 (穿過環(huán)14的4個(gè)完整單元和一個(gè)部分單 元)并且穿過壁76至78 (穿過環(huán)12的兩個(gè)完整單元)而提取的。在 所示出的實(shí)施例中，注意，單元壁部分在每個(gè)金屬層和通孔層中(正 如在圖2中能看到的，并且正如下面參見圖4將看到的)是連續(xù)的。 可替換地，正如將在下面進(jìn)一步描述的，單元壁部分可以在金屬層中 連續(xù)而在通孔層中不連續(xù)。
注意，當(dāng)形成用于互連的通孔和金屬部分(即布線金屬)以及有 源區(qū)22的有源電路時(shí)，可形成每個(gè)通孔層中的單元壁部分(如通孔層
1044的單元壁部分48)和每個(gè)金屬層中的單元壁部分(如金屬層46的單元壁部分50)。因此，如同在形成有源電路時(shí)形成通孔和金屬互連一樣，也形成環(huán)12和14的通孔層中的單元壁部分和金屬層中的單元壁部分。注意，傳統(tǒng)加工和材料可用來形成環(huán)12和14的通孔層中的單元壁部分和金屬層中的單元壁部分。
在一實(shí)施例中，通孔層和金屬層中的單元壁部分包括銅?？商鎿Q地，可以使用其他導(dǎo)電材料，例如鋁、金或鎢，或者導(dǎo)電金屬的任何組合。同樣注意，通孔層和金屬層中的單元壁部分也可包括所需要的其他材料或?qū)?，例如，本領(lǐng)域所公知的阻擋層和黏附層。每個(gè)通孔層和金屬層還包括電介質(zhì)材料，在電介質(zhì)材料中形成有單元壁部分(如分別為電介質(zhì)54和電介質(zhì)56)。例如，覆蓋在襯底42上方的接觸層45可包括PSG (摻雜磷的硅玻璃)，中間層(除了接觸層45、通孔層44和金屬層46以外的所有層)可包括低K電介質(zhì)或多孔低K電介質(zhì)，以及上層(通孔層44和金屬層46)可包括由氧化物形成的四乙基原硅酸鹽(TEOS)。因此，注意，填充在每個(gè)單元內(nèi)的電介質(zhì)可包括不同種類的電介質(zhì)。
而且，注意，可以使用任何數(shù)目的金屬層和通孔層，例如取決于形成有源區(qū)22的電路和互連所需要的層數(shù)。因此，注意，通過堆疊通孔層和金屬層的單元壁部分，單元的壁(如壁70-78)可形成為向下延伸至襯底42。注意，在所示出的實(shí)施例中，通孔層中的單元壁部分比金屬層中的單元壁部分薄。在可替換的實(shí)施例中，通孔層中和金屬層中的單元壁部分可具有不同的尺寸并可具有任何形狀。
半導(dǎo)體管芯IO也包括覆蓋在最上層的金屬層(在所示出的實(shí)施例中為金屬層46)上面的鈍化層58。在所示出的實(shí)施例中，鈍化層58包括開口，該開口使環(huán)12的金屬層46的單元壁部分暴露出來。在一實(shí)施例中，鈍化層58中的開口在鈍化層58中可以是不連續(xù)的。在另一實(shí)施例中，鈍化層58中的開口提供了覆蓋在環(huán)12的金屬層46的單元壁部分上面的蜂窩形狀。然后，這些開口被導(dǎo)電材料52 (也被稱為
蓋52)蓋住或者填充，導(dǎo)電材料52例如是鋁。可替換地，也可使用其 他導(dǎo)電材料。
在一實(shí)施例中，環(huán)12可被稱為止裂環(huán)，其防止鈍化破裂以及裂紋 的傳播。例如，參見圖3，鈍化層58中的開口和環(huán)12內(nèi)的蓋52防止 鈍化層58中的裂紋和裂紋的傳播。在一實(shí)施例中，環(huán)14可被稱為密 封環(huán)，其防止水分侵入到有源區(qū)并且?guī)椭乐够驕p少分層剝離的傳播。 因此，在所示出的實(shí)施例中，使用兩個(gè)單獨(dú)的環(huán)來保護(hù)有源區(qū)。然而， 注意，不同于現(xiàn)今本領(lǐng)域中通常使用的雙環(huán)方案(如上所述)，這些 止裂環(huán)和密封環(huán)的邊不僅是連續(xù)的金屬線，而是用許多多邊形或圓形 單元形成。
在可替換的實(shí)施例中，將環(huán)12和14分隔開的間隙能夠被除去， 并且這兩個(gè)環(huán)能夠結(jié)合以形成一單個(gè)環(huán)(其至少部分包圍有源區(qū))以 保護(hù)有源區(qū)。即，半導(dǎo)體管芯IO的保護(hù)性外圍區(qū)可包括單個(gè)環(huán)，該單 個(gè)環(huán)可執(zhí)行一些或者所有這些保護(hù)功能。在這個(gè)實(shí)施例中，位于單個(gè) 環(huán)區(qū)域內(nèi)的外側(cè)單元上的鈍化層可包括具有蓋(如圖3中的蓋52)的 開口，用以防止鈍化裂紋及其傳播。同樣注意，在其他可替換的實(shí)施 例中，如果需要，可以使用2個(gè)以上的環(huán)。
圖4示出了圖2中單元32和36的更加詳細(xì)的俯視圖。頂部金屬 層，如圖3所示，這里對(duì)應(yīng)于金屬層46，如上面所討論的，金屬層46 的單元壁通常比下面的通孔層44的單元壁要寬。因此，正如可從圖4 中看到的一樣，最上層的結(jié)構(gòu)60 (形成在金屬層46內(nèi)且包括單元壁部 分50)具有蜂窩形狀，該蜂窩形狀的壁具有第一厚度，然而下面的結(jié) 構(gòu)62 (形成在通孔層44內(nèi)且包括單元壁部分48)也同樣具有蜂窩形 狀，但是該蜂窩形狀的壁具有第二厚度，該第二厚度比第一厚度要薄 (如虛線所示)。在所示出的實(shí)施例中，邊34具有與完整六邊形單元 的壁相同的寬度。然而，在可替換的實(shí)施例中，與完整六邊形單元的
12壁相比，邊34可以具有不同的寬度。
注意，在圖4所示出的實(shí)施例中，下面的結(jié)構(gòu)62在通孔層44內(nèi) 是純粹連續(xù)的結(jié)構(gòu)。然而，在可替換的實(shí)施例中，下面的結(jié)構(gòu)62在通 孔層內(nèi)可以是不連續(xù)的。例如，在通孔層44內(nèi)可以使用多個(gè)分離的通 孔或單元壁部分(具有任何尺寸和形狀)來將上面的結(jié)構(gòu)60連接到蜂 窩狀金屬結(jié)構(gòu)，該蜂窩狀金屬結(jié)構(gòu)形成在緊接在通孔層44下面的金屬 層中。因此，通孔層中的每個(gè)結(jié)構(gòu)(如結(jié)構(gòu)62)可以使用多個(gè)分離的 單元壁部分或通孔來形成，而不是形成純粹連續(xù)的結(jié)構(gòu)。注意，在可 替換的實(shí)施例中，金屬層中的結(jié)構(gòu)(如結(jié)構(gòu)60)也可以是不連續(xù)的。
圖5示出了可替換的實(shí)施例，其中圓形單元(如圓形單元64和部 分圓形單元66)被用來代替六邊形單元。即是說，根據(jù)替換實(shí)施例， 圖5示出了圖1中區(qū)域30的放大圖。注意，包圍每個(gè)圓形的區(qū)域68 與圓形單元的金屬壁或?qū)щ姳谙嗤?，并且圖5的圓形單元中填充有電 介質(zhì)材料或電介質(zhì)材料的組合(同上面參見圖2描述的一樣)。因此， 注意，前面關(guān)于六邊形單元的材料、構(gòu)成、尺寸和替換物的描述一般 同樣適用于圖5的圓形單元。
注意，多邊形單元或圓形單元的使用可提供改善的止裂性能和更 好的應(yīng)力保護(hù)。例如，類似于大自然中所展示的蜜蜂蜂窩的蜂房，包 圍半導(dǎo)體管芯的蜂窩狀或六邊形單元結(jié)構(gòu)可用最少量的導(dǎo)電材料(如 銅)來提供最大的強(qiáng)度。因此這可最大可能地加固管芯的外圍區(qū)。類 似地，填充有電介質(zhì)材料的圓形單元也可具有改善的止裂性能。同樣， 注意，在某些實(shí)施例中，在形成六邊形單元壁過程中的實(shí)際蝕刻工藝 可將六邊形的轉(zhuǎn)角滾圓，因此使得六邊形更接近于圓形。這些被滾過 圓角的六邊形狀單元不僅具有良好的強(qiáng)度，而且對(duì)防止裂紋傳播方面 也是有利的。同樣，調(diào)節(jié)單元壁厚度和單元尺寸的比率能夠提供控制 用來形成保護(hù)環(huán)的導(dǎo)電材料密度的方法。這樣，每個(gè)多邊形單元都能 夠用作單獨(dú)的止裂結(jié)構(gòu)并防止裂紋進(jìn)一步向有源電路部分傳播。因此，這可產(chǎn)生良好的可靠性。
在前面的說明書中，本發(fā)明己經(jīng)對(duì)具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。然而， 本領(lǐng)域的一個(gè)普通技術(shù)人員理解的是，在不脫離如權(quán)利要求書中所闡 述的本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出各種修改以及改變。因此，說 明書和附圖是說明性的而非限制性的，且所有這種修改都意在被包括 在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
益處、其他優(yōu)點(diǎn)和問題的解決方案已經(jīng)在上面的具體實(shí)施例中進(jìn) 行了描述。然而，益處、優(yōu)點(diǎn)、問題的解決方案以及所有元件不被解 釋為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、需要的或必須的特征或元件，所 述元件可使所有益處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案產(chǎn)生或變得更加顯著。如此處 所使用的，短語"包括"或任何其他關(guān)于其的變形都意在涵蓋所有非排他 性的包括，這樣，包括一列元件的工藝、方法、產(chǎn)品或裝置就不僅僅 具有那些元件而是可具有其他沒有清楚地列出的或這種工藝、方法、 產(chǎn)品或裝置中固有的其他元件。
權(quán)利要求
1. 一種用于集成電路的管芯，包括有源區(qū)；以及位于所述管芯的外圍區(qū)中的、至少部分包圍所述有源區(qū)的第一環(huán)，其中所述第一環(huán)包括多個(gè)多邊形單元。
2. 如權(quán)利要求l所述的管芯，其中所述多個(gè)多邊形單元中的每一 個(gè)都具有金屬壁。
3. 如權(quán)利要求2所述的管芯，其中所述多個(gè)多邊形單元中的每一 個(gè)在所述金屬壁內(nèi)都具有電介質(zhì)材料。
4. 如權(quán)利要求3所述的管芯，其中所述電介質(zhì)材料是低K電介質(zhì) 材料。
5. 如權(quán)利要求l所述的管芯，進(jìn)一步包括至少部分包圍所述第一 環(huán)的第二環(huán)，其中所述第二環(huán)包括多個(gè)多邊形單元。
6. 如權(quán)利要求2所述的管芯，其中所述金屬壁包括銅、鋁、鎢和 金中的至少一種。
7. 如權(quán)利要求l所述的管芯，其中所述多邊形單元中的每一個(gè)是 五邊形、六邊形和八邊形中的至少一種。
8. 如權(quán)利要求l所述的管芯，進(jìn)一步包括襯底，并且其中所述多 個(gè)多邊形單元延伸至襯底。
9. 一種用于集成電路的管芯，包括 有源區(qū)；位于所述管芯的外圍區(qū)中的、至少部分包圍所述有源區(qū)的第一環(huán)， 其中所述第一環(huán)包括多個(gè)多邊形單元；以及至少部分包圍所述第一環(huán)的第二環(huán)，其中所述第二環(huán)包括多個(gè)多 邊形單元。
10. 如權(quán)利要求9所述的管芯，其中所述多個(gè)多邊形單元中的每 一個(gè)都具有金屬壁。
11. 如權(quán)利要求IO所述的管芯，其中所述多個(gè)多邊形單元中的每 一個(gè)在所述金屬壁內(nèi)都具有電介質(zhì)材料。
12. 如權(quán)利要求ll所述的管芯，其中所述電介質(zhì)材料是低K電介 質(zhì)材料。
13. 如權(quán)利要求10所述的管芯，其中所述金屬壁包括銅、鋁、鎢 和金中的至少一種。
14. 如權(quán)利要求9所述的管芯，其中所述多邊形單元中的每一個(gè) 是五邊形、六邊形和八邊形中的至少一種。
15. —種用于集成電路的管芯，包括 有源區(qū)；位于所述管芯的外圍區(qū)中的、至少部分包圍所述有源區(qū)的第一環(huán)， 其中所述第一環(huán)包括多個(gè)圓形單元。
16. 如權(quán)利要求15所述的管芯，其中所述多個(gè)圓形單元中的每一 個(gè)都具有金屬壁。
17. 如權(quán)利要求16所述的管芯，其中所述多個(gè)圓形單元中的每一 個(gè)在所述金屬壁內(nèi)都具有電介質(zhì)材料。
18. 如權(quán)利要求17所述的管芯，其中所述電介質(zhì)材料是低K電介質(zhì)材料。
19. 如權(quán)利要求15所述的管芯，進(jìn)一步包括至少部分包圍所述第 一環(huán)的第二環(huán)，其中所述第二環(huán)包括多個(gè)圓形單元。
20. 如權(quán)利要求16所述的管芯，其中所述金屬壁包括銅、鋁、鎢 和金中的至少一種。
21. —種形成用于集成電路的管芯的方法，包括 提供有源區(qū)；以及提供位于所述管芯的外圍區(qū)中的、至少部分包圍所述有源區(qū)的第 一環(huán)，其中所述第一環(huán)包括多個(gè)多邊形單元和多個(gè)圓形單元中的至少 一水
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于集成電路的管芯(10)，該管芯包括有源區(qū)(22)。管芯(10)可進(jìn)一步包括位于管芯(10)的外圍區(qū)中的、至少部分包圍有源區(qū)(22)的第一環(huán)(12)，其中第一環(huán)(12)可包括多個(gè)多邊形單元(32、36)。管芯(10)可進(jìn)一步包括包圍第一環(huán)(12)的第二環(huán)(14)，其中第二環(huán)(14)可包括多個(gè)多邊形單元(32、36)。
文檔編號(hào)H01L29/00GK101501855SQ200680038806
公開日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2006年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月18日
發(fā)明者保羅·M·維內(nèi)貝格爾, 圖-昂·N·德蘭, 李巨鐘, 元 袁 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司