專利名稱：用于減少應(yīng)變硅中的缺陷的基于氮的植入的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文的揭示內(nèi)容大體來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體技術(shù)，且更特定來(lái)說(shuō)涉及利用氮來(lái)調(diào)整襯底 屈服強(qiáng)度。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)中存在制造具有更高裝置密度的集成電路(IC)的趨勢(shì)。為實(shí)現(xiàn)此
目的，已經(jīng)且繼續(xù)向著在半導(dǎo)體晶片上按比例縮減尺寸(例如，以亞微米級(jí))而努力。 為達(dá)到所述高密度，需要更小的特征大小、特征與層之間的更小分離，及/或需更精確 的特征形狀，舉例來(lái)說(shuō)，例如金屬互連或引線。集成電路尺寸的按比例縮減可有助于 更快的電路性能及/或切換速度，且可通過(guò)(舉例來(lái)說(shuō))在半導(dǎo)體電路小片上提供或"封
裝"更多電路及/或每個(gè)半導(dǎo)體晶片提供或"封裝"更多電路小片而在ic制作過(guò)程中
產(chǎn)生更高的有效生產(chǎn)量。
半導(dǎo)體技術(shù)中的一種基礎(chǔ)建造塊是金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。MOS晶體管 通常在半導(dǎo)體襯底12 (舉例來(lái)說(shuō)，例如硅)(圖1)上形成。所述晶體管IO通常包含 在半導(dǎo)體襯底12內(nèi)形成的源極14及漏極16區(qū)域及在襯底12內(nèi)的源極14與漏極16 之間界定的溝道區(qū)域18。柵極結(jié)構(gòu)或疊層20在溝道區(qū)域18上方形成。柵極結(jié)構(gòu)20 包含柵極電介質(zhì)或電絕緣材料薄層22及上覆在柵極電介質(zhì)22上的柵極電極或?qū)щ姴?料層24。側(cè)壁間隔物26駐存在柵極結(jié)構(gòu)20的側(cè)邊緣上以有助于與源極14及漏極16 區(qū)域相關(guān)聯(lián)的延展區(qū)域28的間隔。側(cè)壁間隔物26還用于保護(hù)柵極結(jié)構(gòu)20的側(cè)壁。溝 道區(qū)域18具有相關(guān)聯(lián)長(zhǎng)度"L"，而晶體管10橫斷溝道18而延伸的程度稱作晶體管 寬度"W"。
為激活晶體管10，向柵極電極24施加偏壓以使電流在溝道18內(nèi)流動(dòng)。可了解到， 針對(duì)既定偏壓產(chǎn)生的電流量是晶體管10的縱橫比(W/L)以及溝道18內(nèi)載流子的移動(dòng)性 的函數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)載流子具有較高移動(dòng)性時(shí)，電流可更容易地在溝道18內(nèi)產(chǎn)生。 舉例來(lái)說(shuō)，此允許較低偏壓(以節(jié)約電力)下的更快電路操作。然而，隨著減小尺寸 來(lái)提高封裝密度，晶體管寬度"W"及/或溝道長(zhǎng)度"L"減小。減小這些尺寸可導(dǎo)致 各種性能問(wèn)題，例如較慢的晶體管操作(例如，降低的切換速度等)。
因此，將需要有助于裝置的按比例縮減同時(shí)提高載流子移動(dòng)性的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本文的揭示內(nèi)容涉及增強(qiáng)或另外調(diào)整其上形成有晶體管的襯底的屈服強(qiáng)度或彈 性。通過(guò)將氮并入到所述襯底中且更特定來(lái)說(shuō)并入到所述晶體管的源極/漏極延展區(qū)域 及/或源極/漏極區(qū)域中來(lái)調(diào)整所述襯底的屈服強(qiáng)度?？稍诰w管制作期間通過(guò)將添加氮 作為源極/漏極延展區(qū)域形成及/或源極/漏極區(qū)域形成的一部分而容易地將氮并入到所 述襯底中。在所述晶體管上方形成應(yīng)變誘發(fā)層在以對(duì)所述晶體管施加應(yīng)變以改變晶體 管操作性能，且更特定來(lái)說(shuō)增強(qiáng)所述晶體管內(nèi)載流子的移動(dòng)性。增強(qiáng)載流子移動(dòng)性允 許所述晶體管在大小上按比例縮減，同時(shí)也允許需要的電流響應(yīng)于所施加的偏壓而產(chǎn) 生。襯底的增強(qiáng)的屈服強(qiáng)度減輕所述晶體管因所述應(yīng)變誘發(fā)層所致的塑性變形。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上方面或?qū)嵤├沂疽环N形成晶體管的方法。所述 方法包括調(diào)整半導(dǎo)體襯底的屈服強(qiáng)度，在所述半導(dǎo)體襯底上形成所述晶體管及在所述 晶體管的一個(gè)或一個(gè)以上部分內(nèi)誘發(fā)應(yīng)變。


圖l是MOS晶體管的透視圖。
圖2是圖解說(shuō)明根據(jù)本文所提供揭示內(nèi)容的MOS晶體管的形成的截面圖。
圖3是圖解說(shuō)明根據(jù)本文所提供揭示內(nèi)容的MOS晶體管的形成的另一截面圖。
圖4以截面圖解說(shuō)明根據(jù)本文所提供的揭示內(nèi)容形成的MOS晶體管。
具體實(shí)施例方式
將了解，在MOS晶體管的溝道內(nèi)誘發(fā)應(yīng)變提高載流子移動(dòng)性，此又增強(qiáng)晶體管 操作。因此，本文的揭示內(nèi)容提供在MOS晶體管上方形成應(yīng)變誘發(fā)材料層。然而， 應(yīng)變誘發(fā)層的實(shí)施方案可對(duì)所述晶體管具有不利作用。舉例來(lái)說(shuō)，所述應(yīng)變誘發(fā)層施 加到晶體管的應(yīng)變可超過(guò)其上形成有所述晶體管的襯底的屈服強(qiáng)度或彈性。如此，所 述襯底可變得塑性變形或遭損傷，導(dǎo)致所述晶體管無(wú)法如需地操作(例如，因?yàn)樵礃O 及漏極區(qū)域可能一起"短路")。因此，本文的揭示內(nèi)容還提供將氮并入到所述襯底 以提高所述襯底的屈服強(qiáng)度。
翻到圖2，其圖解說(shuō)明根據(jù)本文所提供揭示內(nèi)容的MOS晶體管200的形成。在 半導(dǎo)體襯底202上形成晶體管200且晶體管200包括在襯底202上方形成的柵極結(jié)構(gòu) 或門(mén)疊層404。將了解，如本文所提及的"襯底"可包含例如半導(dǎo)體晶片或晶片上的 一個(gè)或一個(gè)以上電路小片等任何類(lèi)型的半導(dǎo)體(例如，硅、SiGe、 SOI)以及與其相 關(guān)聯(lián)的任何其它類(lèi)型的半導(dǎo)體及/或外延層。柵極結(jié)構(gòu)204包括柵極電介質(zhì)206及柵極 電極208。通過(guò)在襯底202上方形成非導(dǎo)電材料層且在所述非導(dǎo)電材料層上方形成導(dǎo) 電材料層來(lái)形成柵極結(jié)構(gòu)204。然后，將這些層圖案化以分別形成柵極電介質(zhì)206及
柵極電極208。
將了解，可以任何適合方式執(zhí)行此圖案化(如同本文所提及的所有掩模及/或圖案 化)，舉例來(lái)說(shuō)，例如光刻技術(shù)，其中光刻法廣義上是指將一個(gè)或一個(gè)以上圖案在各 種媒介之間轉(zhuǎn)移的過(guò)程。在光刻法中，在圖案將要轉(zhuǎn)移到的一個(gè)或一個(gè)以上層上方形 成光敏抗蝕劑涂層(未顯示)。然后，通過(guò)將所述抗蝕劑涂層暴露于(選擇性地)透 過(guò)包含所述圖案的介入光刻法掩模的一個(gè)或一個(gè)以上類(lèi)型的輻射或光來(lái)將所述抗蝕劑 涂層圖案化。光導(dǎo)致所述抗蝕劑涂層的暴露或未暴露部分變得或多或少地可溶，此取 決于所使用抗蝕劑的類(lèi)型。然后，使用顯影劑來(lái)移除更可溶的區(qū)域，從而留下經(jīng)圖案 化的抗蝕劑。然后，所述經(jīng)圖案化的抗蝕劑可用作可選擇性地對(duì)其加以處置(例如， 蝕刻)的下伏層的掩模。
柵極電介質(zhì)206用其形成的非導(dǎo)電材料層通常包含基于氧化物的材料的薄層?？?在存在(舉例來(lái)說(shuō))02的情況下在(舉例來(lái)說(shuō))約600攝氏度與約1100攝氏度之間 的溫度下通過(guò)任何適合的材料形成過(guò)程(舉例來(lái)說(shuō)，例如熱氧化處理)將此層形成為 (舉例來(lái)說(shuō))約10埃與約50埃之間的厚度。柵極電極208用其形成的導(dǎo)電材料層通 常包含基于多晶硅的材料。可將此層形成為(舉例來(lái)說(shuō))約800與約5000埃之間的厚 度，且此層可包括摻雜劑，例如p型摻雜劑(硼)或n型摻雜劑(例如，磷)，此取 決于正形成晶體管的類(lèi)型。
在形成經(jīng)圖案化柵極結(jié)構(gòu)204的情況下，執(zhí)行實(shí)施方案過(guò)程210以在襯底202內(nèi) 在柵極結(jié)構(gòu)204的任一側(cè)上形成源極延展區(qū)域220及漏極延展區(qū)域222。將了解，可 在柵極結(jié)構(gòu)204的各側(cè)上構(gòu)建偏移間隔物(未顯示)以保護(hù)所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁并引 導(dǎo)植入。僅以實(shí)例而非限制的方式，可將具有約1E19到1E21原子/cm3之間的濃度的 p型摻雜劑(例如，硼)(針對(duì)PMOS晶體管)或具有約1E19到1E21原子/cm3的濃 度的n型摻雜劑(例如，磷)(針對(duì)NMOS晶體管)植入到(舉例來(lái)說(shuō))約150埃與 約350埃之間的深度，以建立延展區(qū)域220、 222。從而在延展區(qū)域220、 222之間的 襯底202內(nèi)且在柵極結(jié)構(gòu)204以下界定溝道區(qū)域224。將了解，可執(zhí)行熱過(guò)程(例如， 快速熱退火)以激活所述延展區(qū)域摻雜劑，從而導(dǎo)致其在門(mén)疊層204下方稍微側(cè)向擴(kuò) 散。
還可在源極延展220及漏極延展222區(qū)域的形成之前或之后在此接合點(diǎn)處將氮作 為源極/漏極延展區(qū)域植入過(guò)程210的部分或分離的過(guò)程植入到襯底202中。舉例來(lái)說(shuō)， 可分離地將用來(lái)建立延展區(qū)域220、 222的氮?dú)饧皳诫s劑氣體離子化(在同一或不同的 離子化室中)，且然后通過(guò)分離的離子束將其置入到襯底202中。
然后，在柵極結(jié)構(gòu)204的側(cè)邊緣上形成側(cè)壁間隔物226 (圖3)。側(cè)壁間隔物226 包含絕緣材料，例如基于氧化物及/或氮化物的材料。通過(guò)以大致保形的方式將所述材 料的一個(gè)或一個(gè)以上層沉積在所述裝置上方來(lái)形成間隔物226，隨后是其各向異性蝕 刻，從而將所述間隔物材料從柵極結(jié)構(gòu)204及襯底202的頂部移除，而留下柵極結(jié)構(gòu) 204的側(cè)邊緣上的區(qū)域。所述側(cè)壁間隔物可具有(舉例來(lái)說(shuō))約300埃與約700埃之
間的厚度，且從而使后續(xù)形成的源極/漏極區(qū)域從柵極結(jié)構(gòu)204的橫向邊緣偏移。
然后，通過(guò)植入過(guò)程232在襯底202內(nèi)形成源極228及漏極230區(qū)域。僅以實(shí)例 而非限制的方式，可將具有約lel9與5e21之間的濃度的p型摻雜劑(例如，硼)(針 對(duì)PMOS晶體管)或具有約lel9與5e21之間的濃度的n型摻雜劑(例如，磷)(針 對(duì)NMOS晶體管)植入到(舉例來(lái)說(shuō))約300埃與約1500埃之間的深度，以建立源 極228及漏極230區(qū)域。
替代或除在延展區(qū)域220、 222形成時(shí)將氮并入到襯底202中之外，可在此接合 點(diǎn)處將氮添加到襯底202。可作為用于形成源極228及漏極230區(qū)域的植入過(guò)程232 的部分而添加氮。舉例來(lái)說(shuō)，可分離地將用于建立源極228及漏極230區(qū)域的氮?dú)饧?摻雜劑氣體離子化(在同一或不同的離子化室中)且然后通過(guò)分離的離子束將其植入 到襯底202中。
無(wú)論如何，植入氮使得半導(dǎo)體襯底202中來(lái)自所述氮的植入損傷的峰值范圍落到 半導(dǎo)體襯底202中來(lái)自源極228及/或漏極230植入的植入損傷的峰值范圍的約四分之 一與來(lái)自源極228及/或漏極230植入的對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的損傷的約范圍末端(EOR) 之間的某處。舉例來(lái)說(shuō)，如果在約40keV的能量下植入砷來(lái)建立源極228及/或漏極 230區(qū)域而使得對(duì)襯底202的晶格結(jié)構(gòu)的植入損傷的峰值范圍在約300埃處出現(xiàn)且所 述晶格結(jié)構(gòu)被損傷到約600埃的深度或更確切其具有約600埃的EOR，那么在一能量 下植入所述氮，使得來(lái)自所述氮的對(duì)所述晶格結(jié)構(gòu)的植入損傷的峰值范圍落到約300 埃的四分之一與約600埃之間或約75埃與約600埃之間的某處。
還以用于形成源極228及/或漏極230區(qū)域的劑量的約四分之一與約用于形成源極 228及/或漏極230區(qū)域的劑量之間的劑量植入所述氮。舉例來(lái)說(shuō)，如果使用每平方厘 米2E15原子的砷的劑量來(lái)形成源極228及/或漏極230區(qū)域，那么將以所述量的約四 分之一與約所述量之間或每平方厘米約1E15原子與每平方厘米約2E15原子之間的劑 量植入所述氮。將了解，所述氮植入可以是可引入氮的任何離子化形式(例如，原子 (N)、分子(N2)或其它簇/分子離子)。 一旦已形成源極228及漏極230區(qū)域及對(duì)應(yīng)的延 展區(qū)域220、 222且已將氮添加到襯底202中，那么視情況通過(guò)低熱預(yù)算過(guò)程(例如， 等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD))沉積基于氧化物的材料的薄層234 (圖4)。舉 例來(lái)說(shuō)，可將氧化物層234沉積到約20埃與約150埃之間的厚度。所述氧化物層通常 用作基于氮化物的蓋層的后續(xù)圖案化的蝕刻終止層。
然后，形成應(yīng)變誘發(fā)材料層236?？蓪⑺鰬?yīng)變誘發(fā)層形成到(舉例來(lái)說(shuō))約100 埃與約IOOO埃之間的厚度，且其可包含任何適合的應(yīng)變誘發(fā)材料，舉例來(lái)說(shuō)，例如氧 化物、氮化物、氧氮化物、SiC、 SiCO、 SiCN、 SiOCN。將了解，可調(diào)節(jié)所述應(yīng)變誘 發(fā)層的厚度及/或組合物以控制應(yīng)變誘發(fā)層所誘發(fā)的應(yīng)變的量。還可執(zhí)行退火過(guò)程以激 活應(yīng)變誘發(fā)層236。以實(shí)例的方式，可在約1000攝氏度與約1100攝氏度之間的溫度 下通過(guò)快速熱退火(RTA)執(zhí)行所述退火，及/或在約IIOO攝氏度與約1300攝氏度之間 的溫度下(舉例來(lái)說(shuō))用激光及/或閃光燈執(zhí)行所述退火約一毫秒。
將了解，應(yīng)變誘發(fā)層236通過(guò)用于提高晶體管內(nèi)載流子的移動(dòng)性而有助于所需的 裝置操作。還將了解，向晶體管200添加氮用于提高襯底202的彈性或屈服強(qiáng)度，使 得所述晶體管不響應(yīng)于所述應(yīng)變誘發(fā)層所施加的應(yīng)變且更特定來(lái)說(shuō)不因用于激活所述 應(yīng)變誘發(fā)層的退火過(guò)程而變形，其中所述退火或加熱可降低襯底202的屈服強(qiáng)度。
然后，可執(zhí)行進(jìn)一步的處理活動(dòng)，例如將源極228及/或漏極230區(qū)域退火，隨后 是移除應(yīng)變誘發(fā)層236。在另一實(shí)例中，可選擇性地將所述應(yīng)變層從NMOS或PMOS 裝置蝕刻掉。舉例來(lái)說(shuō)，可將層236從PMOS區(qū)域蝕刻掉，使得僅NMOS區(qū)域具有 所述應(yīng)變層。再次，此后是將源極228及/或漏極230區(qū)域退火，隨后是將應(yīng)變誘發(fā)層 236從所述NMOS裝置移除。還可執(zhí)行硅化物處理，其中在晶體管200上方形成難熔 金屬材料，隨后是熱處理，其中金屬與硅界面反應(yīng)以形成硅化物(例如，在柵極結(jié)構(gòu) 204的頂部以及在源極228及漏極230區(qū)域中)。然后將未反應(yīng)的金屬剝除，以便可 形成層間電介質(zhì)及金屬化層。
將了解，出于簡(jiǎn)化及易于理解的目的，本文所描繪的層及/或元件以相對(duì)于彼此的 特定尺寸(例如，層與層的尺寸及/或定向)進(jìn)行圖解說(shuō)明，且元件的實(shí)際尺寸可實(shí)質(zhì) 不同于本文所圖解說(shuō)明的尺寸。另外，除非另有陳述及/或相反規(guī)定，本文所論述的層
中的任何一者或一者以上可以任何數(shù)量的適合方式來(lái)形成，例如通過(guò)旋涂技術(shù)、濺射 技術(shù)(例如，磁控濺射及/或離子束濺射)、(熱)生長(zhǎng)技術(shù)及/或沉積技術(shù)(舉例來(lái)說(shuō)， 例如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及/或等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積 (PECVD)或原子層沉積(ALD))，且可以任何適合方式(除非另外明確指示)圖 案化，舉例來(lái)說(shuō)，例如通過(guò)蝕刻及/或光刻技術(shù)。
本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可在不背離所請(qǐng)求本發(fā)明的范圍的情況下對(duì) 所闡述的實(shí)例性實(shí)施例及所實(shí)施的其它實(shí)施例做出各種修改。
權(quán)利要求
1、一種形成包括晶體管的半導(dǎo)體裝置的方法，其包含調(diào)整半導(dǎo)體襯底的屈服強(qiáng)度；在所述半導(dǎo)體襯底上形成所述晶體管；及通過(guò)所述晶體管的一個(gè)或一個(gè)以上部分內(nèi)的誘發(fā)應(yīng)變來(lái)形成應(yīng)變誘發(fā)層。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述晶體管包含將源極/漏極延展區(qū)域植 入到所述襯底中及將源極/漏極區(qū)域植入到所述襯底中；其中調(diào)整所述屈服強(qiáng)度包含當(dāng) 植入所述源極/漏極延展區(qū)域及所述源極/漏極區(qū)域中的至少一者時(shí)將氮植入到所述襯 底中；且其中誘發(fā)應(yīng)變包含在所述晶體管上方形成應(yīng)變誘發(fā)層。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述應(yīng)變誘發(fā)層包含氮化物、氧化物、氧氮 化物、SiC、 SiCO、 SiCN及SiOCN中的至少一者。
4、 如權(quán)利要求2所述的方法，其中誘發(fā)應(yīng)變進(jìn)一步包含將所述應(yīng)變誘發(fā)層退火。
5、 如權(quán)利要求2、 3或4所述的方法，其進(jìn)一步包含在形成所述應(yīng)變誘發(fā)層之前 在所述晶體管上方形成氧化物層。
6、 如權(quán)利要求2、 3或4所述的方法，其中植入所述氮，以使得所述半導(dǎo)體襯底 中來(lái)自所述氮的植入損傷的峰值范圍介于所述半導(dǎo)體襯底中來(lái)自源極及/或漏極植入 的植入損傷的峰值范圍的約四分之一與來(lái)自源極及/或漏極植入的對(duì)所述半導(dǎo)體襯底 的損傷的約范圍末端(EOR)之間。
7、 如權(quán)利要求6所述的方法，其中以介于用于形成所述源極/漏極區(qū)域的劑量的 四分之一與一倍之間的劑量植入所述氮。
8、 如權(quán)利要求6所述的方法，其附屬于權(quán)利要求4，其中通過(guò)以下操作中的至少 一者來(lái)執(zhí)行所述退火a)在介于約1000攝氏度與約1100攝氏度之間的溫度下執(zhí)行的 快速熱退火；及b)在介于約1100攝氏度與約1300攝氏度之間的溫度下執(zhí)行約一毫秒 的激光或閃光燈退火。
9、 一種形成晶體管的方法，其包含在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，包括柵極電介質(zhì)及柵極電極； 在所述襯底中形成源極/漏極延展區(qū)域，以在所述延展區(qū)域之間且在所述柵極結(jié)構(gòu) 以下界定溝道區(qū)域；在所述襯底中植入氮； 在所述襯底中形成源極/漏極植入?yún)^(qū)域；在所述源極/漏極區(qū)域及所述柵極結(jié)構(gòu)上方形成應(yīng)變誘發(fā)層；及 將所述應(yīng)變誘發(fā)層退火。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中作為所述源極/漏極延展區(qū)域植入過(guò)程的一部 分、作為所述源極/漏極區(qū)域植入過(guò)程的一部分或兩者，將所述氮植入到所述襯底中。
11、 一種半導(dǎo)體裝置，其具有根據(jù)權(quán)利要求9、 10或11所述的方法形成的晶體管。
12、 一種半導(dǎo)體裝置，其包含晶體管，所述晶體管包括-源極區(qū)域，其形成于半導(dǎo)體襯底內(nèi)；漏極區(qū)域，其形成于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，其中所述源極與漏極區(qū)域由所述襯底內(nèi) 的溝道區(qū)域分離；柵極結(jié)構(gòu)，其形成于所述溝道區(qū)域上方；及應(yīng)變誘發(fā)層，其形成于所述源極區(qū)域、漏極區(qū)域及柵極結(jié)構(gòu)上方以在所述晶體管 內(nèi)誘發(fā)應(yīng)變，其中所述源極及漏極區(qū)域包含氮以增強(qiáng)所述襯底的屈服強(qiáng)度。
全文摘要
一種制作于半導(dǎo)體襯底(202)上的晶體管(200)，其中增強(qiáng)或另外調(diào)整所述襯底的屈服強(qiáng)度或彈性。在所述晶體管上方形成應(yīng)變誘發(fā)層(236)以對(duì)所述晶體管施加應(yīng)變來(lái)改變晶體管的操作特性，且更特定來(lái)說(shuō)增強(qiáng)所述晶體管內(nèi)載流子的移動(dòng)性。增強(qiáng)載流子移動(dòng)性允許晶體管尺寸減小，同時(shí)還允許晶體管按需地操作。然而，與制作晶體管相關(guān)聯(lián)的高應(yīng)變及溫度導(dǎo)致有害的塑性變形。因此，通過(guò)將氮并入到硅襯底中且更特定來(lái)說(shuō)并入到所述晶體管的源極/漏極延展區(qū)域(220、222)及/或源極/漏極區(qū)域(228、230)來(lái)調(diào)整所述襯底的屈服強(qiáng)度?？稍诰w管制作期間通過(guò)將添加氮作為源極/漏極延展區(qū)域形成及/或源極/漏極區(qū)域形成的一部分而容易地并入氮。所述襯底的經(jīng)增強(qiáng)屈服強(qiáng)度減輕晶體管因應(yīng)變誘發(fā)層所致的塑性變形。
文檔編號(hào)H01L23/58GK101379601SQ200680041561
公開(kāi)日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2006年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月7日
發(fā)明者P·R·奇丹巴拉姆, 拉杰什·哈曼卡, 斯里尼瓦桑·查克拉瓦蒂, 浩文·布, 道格拉斯·T·格里德 申請(qǐng)人:德州儀器公司