專利名稱：半導體封裝、電子部件、以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種搭載有半導體部件的半導體封裝、電子部件、以 及電子設(shè)備，特別是涉及適用于外觀被曲面化的電子設(shè)備的半導體封 裝、電子部件、以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近幾年的電子設(shè)備流行輕薄短小，并且外觀多采用曲面的重視設(shè) 計的產(chǎn)品開始在市場上出現(xiàn)。并且，作為概念式樣的多種電子設(shè)備中 也發(fā)表了曲面設(shè)計的產(chǎn)品。
為了以具有曲面的外觀實現(xiàn)輕薄短小的式樣，希望能夠在以往不 能安裝的曲面部內(nèi)也搭載內(nèi)置部件，優(yōu)選安裝基板能夠曲面化并確保 空間。
這里對搭載有半導體裝置的半導體封裝的現(xiàn)有例進行說明。
圖21為示意性地表示現(xiàn)有例1相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視 圖。現(xiàn)有例1為專利文獻1中公開的現(xiàn)有一般的球柵陣列型電子部件
(以下稱為BGA型電子部件)。如圖21所示，現(xiàn)有的BGA型電子部 件100具有平面上的底座基板101;形成于該底座基板101 —側(cè)的表面 上的模構(gòu)成的收容部102;設(shè)置于該收容部102內(nèi)的作為半導體元件的 IC芯片103;以及設(shè)置于底座基板101另一側(cè)的表面上、與IC芯片103 的各端子以電線等連接的半徑為r的焊錫球104。 BGA型電子部件100 與安裝基板(未圖示)的連接是在安裝基板上放置BGA型電子部件 100，之后通過回流熔爐加熱，焊錫球104熔融，連接BGA型電子部 件100和安裝基板。
6圖22為示意性地表示現(xiàn)有例2相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視
圖。現(xiàn)有例2為與專利文獻2中公開的現(xiàn)有的芯片尺寸封裝相同的封 裝。如圖22所示的半導體封裝200，將布線圖案202a的兩個表面上層 積有絕緣薄膜202b的內(nèi)插板202的電極墊片202c與半導體芯片201 的電極(未圖示)通過導電體203連接后，在內(nèi)插板202和半導體芯 片201之間的空間內(nèi)注入絕緣樹脂204，進而使內(nèi)插板202從半導體芯 片201的側(cè)面彎曲到背面(設(shè)有電極墊片的面的相反側(cè)的面)，通過 在半導體芯片201的背面露出芯片的區(qū)域涂布絕緣樹脂204，使得內(nèi)插 板202與半導體芯片201粘結(jié)。在內(nèi)插板202的電極墊片202d上形成 有焊錫凸起205。在該半導體芯片201中，將內(nèi)插板202與半導體芯片 201通過起到粘結(jié)劑效果的絕緣樹脂204粘結(jié)。
專利文獻l:特開平9-167811號公報 專利文獻2:特開平8-335663號公報
發(fā)明內(nèi)容
然而，可以考慮到現(xiàn)有的半導體封裝的構(gòu)造在安裝有半導體封裝 的基板進行曲面化時會發(fā)生各種問題。例如，現(xiàn)有例1和現(xiàn)有例2的 半導體封裝結(jié)構(gòu)中，將基板曲面化會發(fā)生以下的問題。
現(xiàn)有例1相關(guān)的問題點為，由于底座基板101與IC芯片103以及 收容部102被完全固定，因而在將安裝基板曲面化時，底座基板101 和IC芯片103不能完全追隨彎曲。因此，將安裝基板曲面化時，在與 焊錫球104的接合面或IC芯片103上會產(chǎn)生由裂縫引起的連接不良。
現(xiàn)有例2相關(guān)的問題點為，由于內(nèi)插板202通過絕緣樹脂204與 半導體芯片201粘結(jié)，因此與現(xiàn)有例1相同地，在將安裝基板曲面化 時，內(nèi)插板202或半導體芯片201不能隨之彎曲。因此，在焊錫球205 和電極墊片202d的結(jié)合面或半導體芯片201上會產(chǎn)生由裂縫引起的連接不良。
本發(fā)明的主要課題為，即使將安裝有半導體封裝的基板曲面化， 也能夠緩和施加到電連接部的應力，不會產(chǎn)生連接不良，提高連接可 靠性。
在本發(fā)明的第一觀點中的半導體封裝，其特征在于，具有 一側(cè) 表面上具有電極的半導體部件；在上述半導體部件的另一側(cè)表面上的 周緣部上至少設(shè)置兩處，并且能夠彎曲或撓曲的支撐塊；以及通過上 述支撐塊相對于上述半導體部件架設(shè)在上述支撐塊之間，并且在撓性 樹脂薄膜中具有布線圖案，且上述布線圖案與上述半導體部件的上述 電極電連接的內(nèi)插板。
在本發(fā)明的第二觀點中的半導體封裝，其特征在于，具有 一側(cè) 表面上具有電極的半導體部件；在撓性樹脂薄膜中具有布線圖案，并 且至少一個端部在上述半導體部件側(cè)折回，且上述布線圖案與上述半 導體部件的上述電極電連接的內(nèi)插板；以及在上述內(nèi)插板的折回部分 附近設(shè)置在上述內(nèi)插板之間，并且能夠彎曲或撓曲的支撐塊。
根據(jù)本發(fā)明(技術(shù)方案1-24)，在將搭載有半導體封裝的基板曲 面化時，由于內(nèi)插板具有撓性，由支撐塊支撐，因此內(nèi)插板可曲面化， 由于伴隨曲面化的應力通過支撐塊追隨彎曲或撓曲而被吸收，因此不 會對半導體部件施加應力。并且，即使半導體封裝進行曲面化，也能 夠緩和施加到半導體部件和基板的連接部分的應力，不會產(chǎn)生連接不 良，提高可靠性。
圖1為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝的構(gòu) 成的(A)平面圖，(B) X-X，間放大剖視圖，(C) Y-Y，間剖視圖。 圖2為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的圖1的Y-Y'間剖視圖的變形例。
圖3為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝的制
造方法的工序剖視圖。
圖4為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝凸狀
曲面化的狀態(tài)的例子的側(cè)視圖。
圖5為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝凹狀 曲面化的狀態(tài)的例子的側(cè)視圖。
圖6為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝與預 先彎曲成凹狀的基板連接時的某一工序的剖視圖。
圖7為示意性地表示本發(fā)明的實施方式2相關(guān)的半導體封裝的制 造方法的工序剖視圖。
圖8為示意性地表示本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝的構(gòu) 成的剖視圖。
圖9為示意性地表示本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝的制 造方法的工序剖視圖。
圖10為示意性地表示本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝凸狀 曲面化的狀態(tài)的例子的側(cè)視圖。
圖11為示意性地表示本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝凹狀 曲面化的狀態(tài)的例子的側(cè)視圖。
圖12為示意性地表示本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝與預 先彎曲成凹狀的基板連接時的某一工序的剖視圖。
圖13為示意性地表示本發(fā)明的實施方式5相關(guān)的半導體封裝的構(gòu) 成的剖視圖。
圖14為示意性地表示本發(fā)明的實施方式5相關(guān)的半導體封裝的制 造方法的工序剖視圖。
圖15為示意性地表示本發(fā)明的實施方式6相關(guān)的半導體封裝的構(gòu) 成的剖視圖。
圖16為示意性地表示本發(fā)明的實施方式7相關(guān)的半導體封裝的構(gòu) 成的剖視圖。
圖17為示意性地表示本發(fā)明的實施方式7相關(guān)的半導體封裝的制造方法的工序剖視圖。
圖18為示意性地表示本發(fā)明的實施方式8相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)
成的(A)平面圖，(B) X-X'間放大剖視圖，(C) Y-Y，間剖視圖。 圖19為示意性地表示本發(fā)明的實施方式9相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)
成的(A)平面圖，(B) X-X，間放大剖視圖，(C) Y-Y，間剖視圖。 圖20為示意性地表示本發(fā)明的實施方式10相關(guān)的半導體封裝的
構(gòu)成的(A)平面圖，(B) X-X'間放大剖視圖，(C) Y-Y'間剖視圖。 圖21為示意性地表示現(xiàn)有例1相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視圖。
圖22為示意性地表示現(xiàn)有例2相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視圖。
標號說明 1半導體封裝 10半導體芯片 10a第一面 10b第二面 11電極
20、 20a、 20b支撐塊 30內(nèi)插板 40焊錫球 50基板
60、 62隔片
61、 64曲面隔片 63隔片 63a第一面
63b第二面 70粘結(jié)劑
100BGA型電子部件 101底座基板102收容部
103 IC芯片 104焊錫球 200半導體封裝 201半導體芯片 202內(nèi)插板 202a布線圖案 202b絕緣薄膜 202c電極墊片 202d電極墊片 203導電體 204絕緣樹脂 205焊錫凸起
具體實施方式
實施方式1
參照
本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝。圖1為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的(A)平面 圖，(B) X-X'間放大剖視圖，(C) Y-Y'間剖視圖。圖2為示意性地 表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的圖1的Y-Y'間剖 視圖的變形例。
實施方式1相關(guān)的半導體封裝1具有半導體芯片10、支撐塊20、 內(nèi)插板30、以及焊錫球40。
半導體芯片IO在第二面10b的周緣部設(shè)置有電極11。在圖1 (B) 中，半導體芯片IO在第二面lOb上相對的一對兩個邊附近設(shè)置有電極 11。半導體芯片IO可以采用例如IC芯片。
支撐塊20與設(shè)于半導體芯片IO的第二面10b上的電極11的排列方向相平行地粘結(jié)在半導體芯片10的第一面10a的周緣部。支撐塊20 至少設(shè)置兩處，例如，設(shè)置于圖1 (C)中相對邊附近的兩處，圖2中 每一邊分為兩個，共設(shè)置4個。在支撐塊20之間，在半導體芯片10 和內(nèi)插板30之間存在有空間。關(guān)于支撐塊20的尺寸，如果以圖1 (B) 的左右方向為寬度，向紙內(nèi)的方向為長度，上下方向為厚度的話，為 了易于向內(nèi)側(cè)彈性變形，優(yōu)選寬度在半導體芯片10的邊的長度的1/4 以下，為了均勻地緩和施加在焊錫球40上的應力，優(yōu)選長度為在圖1 (B)的向紙內(nèi)方向上與內(nèi)插板30上搭載焊錫球40的范圍相同的長度， 厚度應隨基板50的曲率可變，其應為內(nèi)插板30曲面化時不會接觸半 導體芯片IO的第一面10a的高度。支撐塊20采用能夠追隨基板50的 曲面化導致的彎曲或撓曲的彈性材料，例如優(yōu)選硬度為60以下的橡膠 狀材料，也可以使用硬度的硅橡膠或丁腈橡膠、氟橡膠等。
內(nèi)插板30為在兩層撓性樹脂薄膜(未圖示)之間設(shè)有布線圖案的 三層構(gòu)造。內(nèi)插板30設(shè)置為覆蓋半導體芯片IO的外周。內(nèi)插板30在 半導體芯片IO的第一面10a側(cè)通過支撐塊20架設(shè)于支撐塊20之間， 從半導體芯片10的第一面10a側(cè)在支撐塊20的外側(cè)折回到半導體芯 片10的第二面10b上。內(nèi)插板30的布線圖案(未圖示)在半導體芯 片10的第二面10b側(cè)與對應的電極11電連接，在基板50側(cè)的表面設(shè) 置有用于與基板50的電極(未圖示)電連接的焊錫球40。關(guān)于內(nèi)插板 30的尺寸，以圖l (A)的上下方向為長度，左右方向為寬度的話，為 了在曲面化時盡量向支撐塊20施加均等的應力，優(yōu)選長度與支撐塊20 的長度相等，內(nèi)插板30的折回寬度通過必要的電極11的面積和長度 求得。內(nèi)插板30與電極11的連接力需要能夠承受曲面化時的張力， 因此優(yōu)選其左右均等，根據(jù)需要也可以設(shè)為能夠覆蓋半導體芯片10的 第二面10b的整個表面的半導體芯片10的寬度的1/2。
另外，基板50為在與各焊錫球40相對應的位置上具有電極(未 圖示)的布線基板。接著，參照附圖對實施方式1相關(guān)的半導體封裝的制造方法進行 說明。圖3為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝的 制造方法的工序剖視圖。
首先，使半導體芯片10的第一面10a朝上，在半導體芯片10的
第一面10a的周緣部預定位置上粘結(jié)固定支撐塊20 (參照圖3 (A))。 接著，在支撐塊20之間設(shè)置與支撐塊20厚度相同的具有足夠剛性的 隔片60 (參照圖3 (B))。
接著，將內(nèi)插板30在支撐塊20上的預定位置上進行對位，將內(nèi) 插板30與支撐塊20粘結(jié)固定(參照圖3 (C))，之后，使半導體芯 片10的第二面10b朝上地配置，將內(nèi)插板30的兩端部分向半導體芯 片10的第二面10b側(cè)折回，將半導體芯片10的電極11與內(nèi)插板30 的內(nèi)周側(cè)的電極墊片(未圖示)在預定位置定位，通過熱壓接法連接 (參照圖3 (D))。其中，熱壓接時施加在半導體芯片10上的壓力 由隔片60承受。之后，在內(nèi)插板30的外周側(cè)的電極(未圖示)上搭 載焊錫球40后，取下隔片60 (參照圖3 (E))。由此完成的半導體 封裝1如圖1 (B)所示搭載于基板50上。
接著，參照附圖對將搭載有實施方式1相關(guān)的半導體封裝的基板 曲面化時的情況進行說明。圖4為示意性地表示本發(fā)明的實施方式1 相關(guān)的半導體封裝凸狀曲面化的狀態(tài)的例子的側(cè)視圖。圖5為示意性 地表示本發(fā)明的實施方式1相關(guān)的半導體封裝凹狀曲面化的狀態(tài)的例 子的側(cè)視圖。
將基板50以支撐塊20的圖1 (B)的左右方向中心為頂點平行二 維凸狀彎曲時，通過焊錫球40向上推壓內(nèi)插板30(參照圖4)。這樣， 支撐塊20能夠追隨基板50的曲面化導致的彎曲或撓曲，因此能夠減 輕焊錫球40的應力，就可以避免產(chǎn)生連接不良等問題。并且，使基板50以支撐塊20的圖1 (B)的左右方向中心為頂點
平行二維凹狀彎曲時，通過焊錫球40向下按壓內(nèi)插板30 (參照圖5)。 這樣，支撐塊20能夠追隨基板50的曲面化導致的彎曲或撓曲，因此 能夠減輕焊錫球40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良等問題。
其中，如圖2所示，將支撐塊20在單側(cè)設(shè)有兩個以上、相互間設(shè) 有間隙時，就有支撐塊20能夠更容易地追隨曲面化導致的彎曲或撓曲， 減輕施加到焊錫球40的應力的效果。
接著，參照附圖對實施方式1相關(guān)的半導體封裝與預先彎曲成凹 凸狀的基板連接時的情況進行說明。圖6為示意性地表示本發(fā)明的實 施方式1相關(guān)的半導體封裝與預先彎曲成凹狀的基板連接時的某一工 序的剖視圖。
對于凸狀曲面化的基板來說，通過將半導體封裝加壓并搭載，與 如圖5所示的將搭載有半導體封裝的基板曲面化的情況相同地，支撐 塊20能夠追隨彎曲或撓曲，因而能夠減輕焊錫球40的應力，避免產(chǎn) 生連接不良等問題。
對于凹狀曲面化的基板50來說，如圖6所示，準備與預先曲面化 的基板50的曲率相配合的曲面隔片61，將該曲面隔片61插入到支撐 塊20之間，使支撐塊20彈性變形，通過使內(nèi)插板30配合基板50的 曲率后連接，能夠與將搭載有半導體封裝的基板曲面化的情況相同地， 吸收施加到內(nèi)插板30的應力并彎曲。另外，該情況下，半導體封裝與 基板50連接后，拔出曲面隔片61。
根據(jù)實施方式1，在將搭載有半導體封裝1的基板50曲面化時， 或者在預先曲面化的基板50上搭載半導體封裝1時，能夠使內(nèi)插板30 在支撐塊20之間吸收基板的曲面化引起的彎曲或撓曲，使曲面化時的 變形成為可能。實施方式2
參照
本發(fā)明的實施方式2相關(guān)的半導體封裝。圖7為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式2相關(guān)的半導體封裝的制造方法的工序
剖視圖。
實施方式2相關(guān)的半導體封裝與實施方式1為相同的構(gòu)成，但是 支撐塊20并未與半導體芯片10或者內(nèi)插板30的任意一個粘結(jié)固定。 實施方式2相關(guān)的半導體封裝通過以下所示制造方法制造。
首先，在半導體芯片10的第一面10a上設(shè)置與支撐塊20厚度相 同且與半導體芯片大小相同的具有足夠剛性的隔片62(參照圖7(A))。 接著，將內(nèi)插板30在支撐塊20上的預定位置進行對位，將內(nèi)插板30 的兩端部分向半導體芯片10的第二面10b側(cè)折回，將半導體芯片10 的電極11與內(nèi)插板30的內(nèi)周側(cè)的電極墊片(未圖示)在預定位置定 位，通過熱壓接法連接(參照圖7 (B))。另外，熱壓接時施加在半 導體芯片10上的壓力由隔片62承受。
接著，取下隔片62，在半導體芯片10和內(nèi)插板30之間設(shè)置與實 施方式1相同的隔片60后，在半導體芯片10和內(nèi)插板30之間設(shè)置支 撐塊20 (參照圖7 (C))。此時，支撐塊20并未粘結(jié)固定。之后， 在設(shè)置有隔片60的狀態(tài)下搭載焊錫球40后，取下隔片60 (參照圖7 (D))。由此完成的半導體封裝搭載于基板上。
另外，支撐塊20的寬度和長度以及材質(zhì)、內(nèi)插板30的寬度和長 度可以適用實施方式l。并且，支撐塊20的厚度設(shè)為比半導體芯片10 和內(nèi)插板30原有的間隙厚5%左右的話，夾在半導體芯片IO和內(nèi)插板 30之間而被壓縮，不會脫落。
根據(jù)實施方式2，與實施方式1相同，半導體封裝的曲面化是可能的，并且具有能夠取消支撐塊20的粘結(jié)工序的優(yōu)點。 實施方式3
對本發(fā)明的實施方式3相關(guān)的半導體封裝進行說明。
實施方式3相關(guān)的半導體封裝具有與實施方式1、 2相同的構(gòu)成，
但是支撐塊的材質(zhì)是由在焊錫球熔融的溫度以下的溫度下軟化的熱可
塑性樹脂形成。實施方式3相關(guān)的半導體封裝的制造方法與實施方式1、 2相同。另外，如圖4或圖5那樣，使基板50與支撐塊20的長邊方向 平行地從中心開始進行二維凹凸狀彎曲時，為了緩和基板50的內(nèi)部應 力，優(yōu)選在焊錫球40熔融溫度以下的環(huán)境下進行，在該環(huán)境下的溫度 下實施曲面化時，由于支撐塊20軟化，向內(nèi)側(cè)彎曲，能夠吸收施加到 內(nèi)插板30上的應力。曲面化后，恢復到常溫時，支撐塊20以向內(nèi)側(cè) 彎曲著的狀態(tài)再度硬化，因而有曲面化后也不會有支撐塊20的復原力 施加到內(nèi)插板30的情況產(chǎn)生的優(yōu)點。
實施方式4
參照
本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝。圖8為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視圖。
實施方式4相關(guān)的半導體封裝1與實施方式1 3的不同點在于 并不覆蓋半導體芯片10的外周，而是在內(nèi)插板30上搭載半導體芯片 10，內(nèi)插板30折回的部分內(nèi)側(cè)只設(shè)有支撐塊20。
半導體芯片IO的第二面10b上設(shè)置的電極11配置于基板50側(cè)。 支撐塊20不與半導體芯片IO抵接，至少上下表面與內(nèi)插板30抵接。 內(nèi)插板30為了與基板50側(cè)取得電連接而配置有焊錫球40。內(nèi)插板30 的布線圖案(未圖示)在折回的兩端上與搭載的半導體芯片IO的電極 11電連接。支撐塊20附近、半導體芯片10與內(nèi)插板30之間存在有空 間。其他構(gòu)成與實施方式1 3相同。接著，參照附圖對實施方式4相關(guān)的半導體封裝的制造方法進行 說明。圖9為示意性地表示本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝的 制造方法的工序剖視圖。
首先，在內(nèi)插板30的與焊錫球40搭載面相反側(cè)的表面(上表面) 上設(shè)置隔片63 (參照圖9 (A))。其中，隔片63設(shè)計為階梯狀，隔 片63從內(nèi)插板30的設(shè)置面到第一面63a為止的高度與支撐塊20的高 度相同，從隔片63的內(nèi)插板30設(shè)置面到第二面63b的高度與從內(nèi)插 板30的焊錫球40搭載面相反側(cè)的表面到半導體芯片10的第二面10b 的距離相同。并且，隔片63的階梯上段的寬度為在其與內(nèi)插板30的 折回前端相抵接時，內(nèi)插板30上的電極墊片(未圖示)與半導體芯片 10的電極11的抵接面在垂直的方向的間距一致的寬度。另外，隔片 63的設(shè)置可以在內(nèi)插板30的設(shè)置面上通過絲網(wǎng)印刷等設(shè)置定位線作為 標識。
接著，在內(nèi)插板30上的隔片63的兩端部分設(shè)置支撐塊20 (參照 圖9 (B))。此時，應使隔片63的端面與支撐塊20輕輕抵接。此時， 優(yōu)選支撐塊20與內(nèi)插板30粘結(jié)固定。
接著，使內(nèi)插板30的兩端沿支撐塊20的外側(cè)折回兩次以夾持支 撐塊20，折回的內(nèi)插板30的前端部與隔片63的階梯面抵接并定位(參 照圖9 (C))。另外，內(nèi)插板30的折回部分寬度為半導體芯片IO的 橫向?qū)挾萳/2的情況下，隔片63沒有必要設(shè)置階梯，可以通過內(nèi)插板 30的折回前端之間抵接來定位。
接著，在半導體芯片10的電極11朝向內(nèi)插板30側(cè)的狀態(tài)下，將 半導體芯片10在內(nèi)插板30的預定位置進行對位后，通過熱壓接法連 接(參照圖9 (D))。熱壓接時施加給半導體芯片10的壓力由隔片 63承受。之后，在內(nèi)插板30的外周側(cè)的電極(未圖示)上搭載焊錫球40后，取下隔片63 (參照圖9 (E))。如此完成的半導體封裝如圖8 所示搭載于基板50上。
接著，參照附圖對將搭載有實施方式4相關(guān)的半導體封裝的基板 曲面化時的情況進行說明。圖IO為示意性地表示將本發(fā)明的實施方式 4相關(guān)的半導體封裝凸狀曲面化的狀態(tài)的例子的側(cè)視圖。圖11為示意 性地表示將本發(fā)明的實施方式4相關(guān)的半導體封裝凹狀曲面化的狀態(tài) 的例子的側(cè)視圖。
將基板50以支撐塊20的圖8的左右方向中心為頂點平行二維凸 狀彎曲時，通過焊錫球40向上推壓內(nèi)插板30，如圖10所示，支撐塊 20能夠追隨基板50的曲面化導致彎曲或撓曲，因此能夠減輕焊錫球 40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良等問題。
并且，使基板50以支撐塊20的圖8的左右方向中心為頂點平行 二維凹狀彎曲時，通過焊錫球40向下按壓內(nèi)插板30，如圖11所示， 支撐塊20能夠追隨基板50的曲面化導致的彎曲或撓曲，因此能夠減 輕焊錫球40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良等問題。
接著，參照附圖對實施方式4相關(guān)的半導體封裝與預先彎曲成凹 凸狀的基板連接時的情況進行說明。圖12為示意性地表示本發(fā)明的實 施方式4相關(guān)的半導體封裝與預先彎曲成凹狀的基板連接時的某一工 序的剖視圖。
對于凸狀曲面化的基板來說，通過對半導體封裝加壓并搭載，與 將如圖IO所示的搭載有半導體封裝的基板曲面化的情況相同地，支撐 塊20能夠追隨基板50的曲面化導致的彎曲或撓曲，因而能夠減輕焊 錫球40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良等問題。
對于凹狀曲面化的連接基板來說，如圖12所示，準備與預先曲面化的基板50的曲率相配合的曲面隔片64，將該曲面隔片64插入到支 撐塊20之間，從而使支撐塊20彈性變形，通過使內(nèi)插板30配合基板 50的曲率后連接，能夠與將搭載有半導體封裝的基板曲面化的情況相 同地，支撐塊20能夠追隨基板50的曲面化導致的彎曲或撓曲，因而 能夠降低焊錫球40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良等問題。另外，該 情況下，半導體封裝與基板50連接后，拔出曲面隔片64。
根據(jù)實施方式4，即使是在面向基板50側(cè)的方向的第二面10b側(cè) 具有電極11的半導體芯片IO也能夠曲面化。
實施方式5
參照
本發(fā)明的實施方式5相關(guān)的半導體封裝。圖13為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式5相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視圖。
實施方式5相關(guān)的半導體封裝與實施方式1 4的不同點在于，使 用電極11并非設(shè)置在第二面10b相對的兩邊，而是在單側(cè)的邊部的半 導體芯片10。半導體芯片10僅在第二面10b的一邊的邊部設(shè)有電極 11。內(nèi)插板30在半導體芯片10的第二面10b上折回的一側(cè)的端部附 近與半導體芯片10的電極11電連接，在另一側(cè)的端部附近通過粘結(jié) 劑70粘結(jié)固定在半導體芯片10的第二面10b上。其他構(gòu)成與實施方 式1相同。
接著，參照附圖對實施方式5相關(guān)的半導體封裝的制造方法進行 說明。圖M為示意性地表示本發(fā)明的實施方式5相關(guān)的半導體封裝的 制造方法的工序剖視圖。
首先，在內(nèi)插板30上搭載焊錫球40后，將設(shè)置于半導體芯片IO 的第二面10b上的電極11與內(nèi)插板30的電極(未圖示)通過熱壓接 法連接(參照圖14 (A))。接著，在半導體芯片10的第一面10a的 預定位置上設(shè)置支撐塊20 (參照圖14 (B))。另外，支撐塊20優(yōu)選粘結(jié)固定在半導體芯片10的第一面10a，也可以不進行粘結(jié)固定。
接著，使內(nèi)插板30折回以使其被設(shè)置于半導體芯片IO上的支撐 塊20支撐(參照圖14 (C))。之后，使內(nèi)插板30在半導體芯片10 的第二面10b側(cè)折回，將折回的內(nèi)插板30的端部與半導體芯片10的 第二面10b側(cè)通過粘結(jié)劑70粘結(jié)固定(參照圖14 (D))。如此完成 的半導體封裝1如圖13所示搭載于基板50上。
另外，實施方式5相關(guān)的半導體封裝的曲面化方法與實施方式1 相同。
根據(jù)實施方式5，能夠得到與實施方式1相同的效果，并且有著 即使不使用隔片，也能通過熱壓接法將半導體芯片10的電極11與內(nèi) 插板30電連接的制造上的優(yōu)點。
實施方式6
參照
本發(fā)明的實施方式6相關(guān)的半導體封裝。圖15為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式6相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視圖。
實施方式6相關(guān)的半導體封裝在內(nèi)插板30的一側(cè)的端部不折回到 半導體芯片IO的第一面10a側(cè)這一點與實施方式5不同，其他構(gòu)成與 實施方式5相同。內(nèi)插板30的與半導體芯片IO的電極ll相連接的一 側(cè)端部相反側(cè)的另一側(cè)端部粘結(jié)固定于支撐塊20上。并且，支撐塊20a、 20b也與半導體芯片10的第一面10a粘結(jié)固定。并且，折回到半導體 芯片IO的第二面10b上的內(nèi)插板30的一側(cè)端部以圖15的向紙內(nèi)方向 為長度，左右方向為寬度的話，為了在曲面化時向支撐塊20a、 20b施 加均等的應力，優(yōu)選其長度為與支撐塊20a、 20b相同的長度，內(nèi)插板 30的折回寬度根據(jù)必要的電極11的面積和上述長度求得，但是根據(jù)需 要也可以長達半導體芯片10的寬度。另外，在實施方式6中，由于內(nèi)插板30的另一側(cè)端部與支撐塊
20b粘結(jié)固定的粘結(jié)面積有限，因而會有內(nèi)插板30與支撐塊20b的粘 結(jié)部分由于支撐塊20b的彈性變形產(chǎn)生的張力而剝離的可能，但是如 果加強粘結(jié)力，或者降低支撐塊20b的彈性模量的話，則也可以用于 曲率較大、內(nèi)插板30的彈性變形引起的張力較大的情況。并且，實施 方式6相關(guān)的半導體封裝的制造方法以及曲面化方法與實施方式5相 同，但是由于沒有必要將內(nèi)插板30的一側(cè)的端部折回至半導體芯片10 的第二面10b，因而具有可以簡化內(nèi)插板30的構(gòu)成的優(yōu)點。
實施方式7
參照
本發(fā)明的實施方式7相關(guān)的半導體封裝。圖16為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式7相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的剖視圖。
實施方式7相關(guān)的半導體封裝與實施方式4的不同點在于，使用 電極11并非設(shè)置于第二面10b相對的兩邊，而是設(shè)置于單側(cè)的邊部的 半導體芯片10。半導體芯片10僅在第二面10b的一邊的邊部設(shè)有電極 11。內(nèi)插板30在夾著支撐塊20a折回的一側(cè)的端部附近與半導體芯片 10的電極11電連接，在另一側(cè)的端部附近與粘結(jié)固定于半導體芯片 10的第二面10b上的支撐塊20b粘結(jié)固定。
支撐塊20a設(shè)置為被內(nèi)插板30的折彎部分夾持。支撐塊20b在半 導體芯片IO的第二面10b上，在與支撐塊20a相對的邊的附近位置處 粘結(jié)固定。支撐塊20a以及支撐塊20b的厚度設(shè)為使跨過支撐塊20a 和支撐塊20b被支撐的內(nèi)插板30能夠與半導體芯片10的第二面10b 相平行。支撐塊20a的厚度為從支撐塊20b的厚度減去電極11、以及 內(nèi)插板30的厚度所得的厚度。支撐塊20b的厚度隨基板50的曲率可 變，應為在內(nèi)插板30曲面化時，使內(nèi)插板30與半導體芯片IO的第二 面10b不接觸的高度，或者，使折回部分的內(nèi)插板30之間不會相互接 觸的高度。并且，支撐塊20a與支撐塊20b的材質(zhì)和寬度并不一定要相同， 可以通過支撐塊20a的彈性模量比支撐塊20b更低，或者通過使支撐 塊20a的寬度比支撐塊20b更窄，使兩支撐塊的彈性變形量均等，從 而使得施加給焊錫球40的應力更均勻。其他構(gòu)成與實施方式4相同。
接著，參照附圖對實施方式7相關(guān)的半導體封裝的制造方法進行 說明。圖17為示意性地表示本發(fā)明的實施方式7相關(guān)的半導體封裝的 制造方法的工序剖視圖。
首先，在內(nèi)插板30上以公知的方法搭載焊錫球40后，將半導體 芯片10的電極11與內(nèi)插板30的電極(未圖示)通過熱壓接法連接(參 照圖17 (A))。接著，在內(nèi)插板30的預定位置上粘結(jié)固定支撐塊20a， 并且在半導體芯片10的第二面10b的預定位置上粘結(jié)固定支撐塊20b (參照圖17 (B))。接著，使內(nèi)插板30在支撐塊20a的外側(cè)兩次折 回以夾持支撐塊20a，使折回的內(nèi)插板30的前端部與支撐塊20b粘結(jié) 固定(參照圖17 (C))。如此完成的半導體封裝如圖16所示搭載于 基板50上。
另外，實施方式7相關(guān)的半導體封裝的曲面化方法與實施方式4 相同，但是由于沒有必要使內(nèi)插板30的一側(cè)的端部折回至半導體芯片 10的第二面10b，因而具有可以簡化內(nèi)插板30的構(gòu)成的優(yōu)點。
實施方式8
參照
本發(fā)明的實施方式8相關(guān)的半導體封裝。圖18為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式8相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的(A)平面 圖，(B) X-X'間放大剖視圖，(C) Y-Y'間剖視圖。
實施方式8相關(guān)的半導體封裝中，采用電極11并非設(shè)置在第二面 10b相對的兩邊，而是設(shè)在單側(cè)的邊部的半導體芯片10，在半導體芯 片10的第一面10a的任意三邊附近分別粘結(jié)固定有一個支撐塊20。并且，內(nèi)插板30的三邊在支撐塊20的外側(cè)向半導體芯片10的第二面10b 折回，在折回的一邊的端部附近與半導體芯片10的電極11電連接，
在余下兩邊的端部附近粘結(jié)固定于半導體芯片10的第二面10b上。其
他構(gòu)成與實施方式1相同。
支撐塊20可以采用與實施方式1相同的材質(zhì)。并且，支撐塊20 的尺寸，以與半導體芯片IO的各邊相平行的方向為長度，以圖18(B) 的上下方向為厚度，余下的一邊為寬度的話，為了盡量均等地緩和施 加給焊錫球40的應力，優(yōu)選其長度為半導體芯片IO的長度的1/3以上， 為了更易于向內(nèi)側(cè)的彈性變形，優(yōu)選其寬度為半導體芯片10的1/4以 下，厚度隨基板50的曲率可變，應為在將內(nèi)插板30曲面化時，使其 與半導體芯片IO的第一面10a接觸為止的高度以下。并且，支撐塊20 在半導體芯片10的各邊的設(shè)置要考慮到從半導體芯片10的中心部附 近使內(nèi)插板30三維曲面化的情況，以較好的平衡性設(shè)置三邊。
關(guān)于內(nèi)插板30，以圖18 (A)中與半導體芯片10的各邊相平行的 方向為長度，垂直方向為寬度的話，為了在曲面化時盡可能均等地對 支撐塊20施加應力，優(yōu)選其長度為與支撐塊20的長度相同或以上， 內(nèi)插板30的電極11側(cè)的折回寬度可以根據(jù)必要的電極11的面積和上 述長度求得。并且，內(nèi)插板30在粘結(jié)劑70部分的折回寬度考慮到粘 結(jié)面積和粘結(jié)力，應為能夠確保能夠承受由內(nèi)插板30的曲面化引起支 撐塊20彈性變形時的張力所需的粘結(jié)面積的寬度。
接著，對實施方式8相關(guān)的半導體封裝的制造方法進行說明。
首先，與實施方式5相同地，在內(nèi)插板30上搭載焊錫球40后， 將半導體芯片IO的電極11與內(nèi)插板30的電極(未圖示)通過熱壓接 法連接。接著，將支撐塊20如圖18 (C)所示，分別設(shè)置與半導體芯 片10的第一面10a的三邊附近并粘結(jié)固定。接著，將內(nèi)插板30折回以支撐設(shè)置于半導體芯片10上的支撐塊
20。之后，使內(nèi)插板30的端部在支撐塊20的外側(cè)折回兩次以夾持支 撐塊20，將折回的內(nèi)插板30的前端部與半導體芯片10的第二面10b 粘結(jié)固定。如此完成的半導體封裝1如圖18 (B)所示搭載于基板50 上。
接著，對實施方式8相關(guān)的半導體封裝從中心進行三維曲面化的 情況進行說明。
使基板50從中心開始進行三維球狀凸狀彎曲時，通過焊錫球40 推壓內(nèi)插板30，由于支撐塊20設(shè)置于半導體芯片10的三邊附近，因 而能夠追隨基板50的三維曲面化導致的彎曲或撓曲，因此能夠減輕焊 錫球40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良等問題，進行三維曲面化。
并且，將基板50從中心開始進行三維球狀凹狀彎曲時，通過焊錫 球40向下按壓內(nèi)插板30，與凸狀彎曲時相同，由于支撐塊20設(shè)置于 半導體芯片10的三邊，因而能夠追隨基板50的三維曲面化導致的彎 曲或撓曲，因此能夠減輕焊錫球40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良等 問題，進行三維曲面化。
接著，對實施方式8相關(guān)的半導體封裝與預先三維球狀凸狀彎曲 的基板相連接的情況進行說明。
對于三維球狀凸狀曲面化的基板來說，通過對半導體封裝加壓并 搭載，與將上述搭載有半導體封裝的基板曲面化的情況相同地，由于 支撐塊20設(shè)置于三邊，因而能夠追隨基板50的三維曲面化導致的彎 曲或撓曲。因此，能夠減輕焊錫球40的應力，可以避免產(chǎn)生連接不良 等問題，進行三維曲面化。
實施方式9參照
本發(fā)明的實施方式9相關(guān)的半導體封裝。圖19為示 意性地表示本發(fā)明的實施方式9相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的(A)平面
圖，(B) X-X'間放大剖視圖，(C) Y-Y'間剖視圖。
實施方式9相關(guān)的半導體封裝的內(nèi)插板30除了與半導體芯片10 的電極11相連接的部分以外的端部并不折回到半導體芯片10的第二 面10b側(cè)，而是與設(shè)置在除了電極11附近的邊以外的其他邊的支撐塊 20粘結(jié)固定。并且，支撐塊20也與半導體芯片IO粘結(jié)固定。其他構(gòu) 成與實施方式8相同。
另外，在實施方式9中，由于內(nèi)插板30的兩邊的端部與支撐塊 20b粘結(jié)固定，粘結(jié)面積有限，因而會有內(nèi)插板30與支撐塊20的粘結(jié) 部分由于支撐塊20的彈性變形產(chǎn)生的張力而剝離的可能，但是如果加 強粘結(jié)力，或者降低支撐塊20的彈性模量的話，也可以用于曲率較大、 內(nèi)插板30的彈性變形引起的張力較大的情況。
并且，實施方式9相關(guān)的半導體封裝的曲面化方法與實施方式8 相同，但是由于內(nèi)插板30沒有必要折回至半導體芯片IO的第二面10b， 因而具有可以簡化內(nèi)插板30的構(gòu)成的優(yōu)點。
實施方式10
參照
本發(fā)明的實施方式10相關(guān)的半導體封裝。圖20為 示意性地表示本發(fā)明的實施方式10相關(guān)的半導體封裝的構(gòu)成的(A) 平面圖，(B) X-X'間放大剖視圖，(C) Y-Y'間剖視圖。
實施方式IO相關(guān)的半導體封裝使用電極11并非設(shè)置在第二面10b 相對的兩邊，而僅設(shè)在單側(cè)的邊部的半導體芯片10，在半導體芯片IO 的第一面10a的四邊附近分別粘結(jié)固定有一個支撐塊20。并且，內(nèi)插 板30的四邊在支撐塊20的外側(cè)向半導體芯片IO的第二面10b折回， 在折回的一邊的端部附近與半導體芯片10的電極11電連接，在余下三邊的端部附近粘結(jié)固定于半導體芯片10的第二面10b上。其他構(gòu)成 與實施方式1相同。
支撐塊20可以采用與實施方式1相同的材質(zhì)。并且，支撐塊20
的尺寸，以與半導體芯片IO的各邊相平行的方向為長度，以圖20(B)
的上下方向為厚度，余下的一邊為寬度的話，為了盡量均等地緩和施
加給焊錫球40的應力，優(yōu)選其長度為與內(nèi)插板30上搭載焊錫球40的 范圍相同的長度，為了易于向內(nèi)側(cè)彈性變形，優(yōu)選其寬度為半導體芯 片10的l/4以下，厚度隨基板50的曲率可變，但應為在內(nèi)插板30曲 面化時，與半導體芯片10的第一面10a相接觸為止的高度以下。并且， 支撐塊20在半導體芯片10的各邊的設(shè)置要考慮到從半導體芯片10的 中心部附近將內(nèi)插板30三維曲面化的情況，為了使施加給悍錫球40 的應力盡量均等，設(shè)置成各邊的長度方向中心與支撐塊20的長度方向 中心一致。
內(nèi)插板30以圖20 (A)中與半導體芯片10的各邊相平行的方向 為長度，垂直方向為寬度的話，為了在曲面化時盡量均等地對支撐塊 20施加應力，優(yōu)選其長度為與支撐塊20的長度相同或以上，內(nèi)插板 30的電極11側(cè)的折回寬度可以根據(jù)必要的電極11的面積和上述長度 求得。并且，粘結(jié)劑70部分的折回寬度考慮到粘結(jié)面積和粘結(jié)力，應 為能夠確保能夠承受由內(nèi)插板30的曲面化引起支撐塊20彈性變形時 的張力所需的粘結(jié)面積的寬度。
接著，對實施方式IO相關(guān)的半導體封裝的制造方法進行說明。
首先，與實施方式8相同地，在內(nèi)插板30上搭載焊錫球40后， 使半導體芯片10的電極11與內(nèi)插板30的一邊端部附近設(shè)置的電極(未 圖示)通過熱壓接法連接。接著，使支撐塊20如圖20 (C)所示，分 別設(shè)置在半導體芯片10的第一面10a的四邊附近并粘結(jié)固定。接著，將內(nèi)插板30折回以支撐設(shè)置于半導體芯片IO上的支撐塊
20。之后，使內(nèi)插板30的端部在支撐塊20的外側(cè)折回兩次以夾持支 撐塊20，將折回的內(nèi)插板30的前端部與半導體芯片10的第二面10b 粘結(jié)固定。如此完成的半導體封裝1如圖20 (B)所示搭載于基板50 上。
接著，對實施方式IO相關(guān)的半導體封裝從中心進行三維曲面化的 情況進行說明。將搭載有實施方式IO相關(guān)的半導體封裝的基板從中心 開始進行球狀曲面化時，由于在半導體芯片10的第一面10a的四邊分 別設(shè)有支撐塊20，因而具有對焊錫球40施加的應力更加均等的效果。
另外，實施方式1 10所示的支撐塊的截面形狀并不僅限于圖示 形狀，也可以為臺形、反轉(zhuǎn)臺形形狀、中間部分比上下表面更寬的樽 形、相反地中間部分比上下表面更細的情況，以及中間部分設(shè)有切口。 特別地，中間部分較細的情況或者中間部分具有切口的形狀的情況下， 具有彈性變形更加容易，曲面形狀的隨動性增加的效果。
并且，在實施方式1 10相關(guān)的半導體封裝中，以搭載半導體芯 片為例進行說明，除了半導體芯片，也可以適用于在半導體芯片上形 成有布線層的半導體裝置、將半導體裝置樹脂封閉的半導體封裝、以 及在基板上搭載有半導體裝置的半導體封裝等半導體部件。
并且，在實施方式1 10相關(guān)的半導體封裝中，以使用焊錫球進 行半導體封裝和基板的電連接為例，但只要是可電連接的導電性部件 即可，也可以為導電膏或在半導體封裝、基板的電極部分涂布膏狀釬 焊料的形態(tài)。
并且，在實施方式1 10相關(guān)的半導體封裝中，內(nèi)插板是以兩層 的撓性樹脂薄膜之間夾持構(gòu)成布線圖案的中間層的三層構(gòu)造為例的， 層構(gòu)成也可以不為實施方式1 10中所限定的，只要是可以電連接半導體芯片、以及半導體封裝等的半導體部件的電極以及基板，且能曲 面化的構(gòu)造體即可。
進而，實施方式1 10相關(guān)的半導體封裝搭載于具有曲面的基板 等的構(gòu)造體上，并搭載于搭載具有該種構(gòu)造體的電子部件的電子設(shè)備 中。
權(quán)利要求
1.一種半導體封裝，其特征在于，具有一側(cè)表面上具有電極的半導體部件；在上述半導體部件的另一側(cè)表面上的周緣部上至少設(shè)置兩處，并且能夠彎曲或撓曲的支撐塊；以及通過上述支撐塊相對于上述半導體部件架設(shè)在上述支撐塊之間，并且在撓性樹脂薄膜中具有布線圖案，且上述布線圖案與上述半導體部件的上述電極電連接的內(nèi)插板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導體封裝，其特征在于，上述內(nèi)插板 構(gòu)成為至少一個端部向上述半導體部件的上述一側(cè)表面?zhèn)日刍亍?br>
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體封裝，其特征在于，上述支 撐塊之間、上述半導體部件與上述內(nèi)插板之間具有空間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體封裝，其特征在于， 上述支撐塊與上述半導體部件粘結(jié)固定。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導體封裝，其特征在于， 上述支撐塊與上述內(nèi)插板粘結(jié)固定。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導體封裝，其特征在于， 在上述半導體部件的上述另一側(cè)表面中一對相對的兩個邊附近分別相 互平行地設(shè)置有一個以上的上述支撐塊。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝，其特征在于，上述內(nèi)插板的兩個端部向上述半導體部件的上述一側(cè)表面?zhèn)日刍?，并且上述布線 圖案與上述半導體部件的上述電極在上述兩個端部處電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝，其特征在于，上述內(nèi)插板 的兩個端部向上述半導體部件的上述一側(cè)表面?zhèn)日刍?，并且上述布線 圖案與上述半導體部件的上述電極在上述兩個端部中的第一端部處電 連接，且上述兩個端部中的第二端部與上述半導體部件的上述一側(cè)表 面粘結(jié)固定。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝，其特征在于，上述內(nèi)插板 的一個端部向上述半導體部件的上述一側(cè)表面?zhèn)日刍?，并且上述布線 圖案與上述半導體部件的上述電極在上述一個端部處電連接，上述支撐塊與上述半導體部件以及上述內(nèi)插板粘結(jié)固定。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導體封裝，其特征在 于，在上述半導體部件的上述另一側(cè)表面的三邊上分別設(shè)置有一個以 上的上述支撐塊。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導體封裝，其特征在于，上述內(nèi)插 板的三個端部向上述半導體部件的上述一側(cè)表面?zhèn)日刍兀⑶疑鲜霾?線圖案與上述半導體部件的上述電極在上述三個端部中的第一端部處 電連接，且上述兩個端部中的第二端部以及第三端部與上述半導體部 件的上述一側(cè)表面粘結(jié)固定。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導體封裝，其特征在于，上述內(nèi)插 板的一個端部向上述半導體部件的上述一側(cè)表面?zhèn)日刍?，并且上述?線圖案與上述半導體部件的上述電極在上述一個端部處電連接，上述支撐塊與上述半導體部件以及上述內(nèi)插板粘結(jié)固定。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導體封裝，其特征在 于，在上述半導體部件的上述另一側(cè)表面的四邊上分別設(shè)置有一個以 上的上述支撐塊。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體封裝，其特征在于，上述內(nèi)插 板的四個端部向上述半導體部件的上述一側(cè)表面?zhèn)日刍?，并且上述?線圖案與上述半導體部件的上述電極在上述四個端部中的第一端部處 電連接，且上述四個端部中的第二端部、第三端部以及第四端部與上 述半導體部件的上述一側(cè)表面粘結(jié)固定。
15. —種半導體封裝，其特征在于，具有-一側(cè)表面上具有電極的半導體部件；在撓性樹脂薄膜中具有布線圖案，并且至少一個端部在上述半導 體部件側(cè)折回，且上述布線圖案與上述半導體部件的上述電極電連接 的內(nèi)插板；以及在上述內(nèi)插板的折回部分附近設(shè)置在上述內(nèi)插板之間，并且能夠 彎曲或撓曲的支撐塊。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導體封裝，其特征在于，上述支撐塊附近、上述半導體部件和上述內(nèi)插板之間具有空間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的半導體封裝，其特征在于，上 述支撐塊與上述內(nèi)插板粘結(jié)固定。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項所述的半導體封裝，其特征 在于，上述內(nèi)插板的兩個端部向上述半導體部件側(cè)折回，并且上述布 線圖案與上述半導體部件的上述電極在上述兩個端部處電連接，在上述內(nèi)插板的兩個折回部分各自附近，上述內(nèi)插板之間設(shè)置有 上述支撐塊。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項所述的半導體封裝，具有 設(shè)置于上述半導體封裝與上述內(nèi)插板之間，與上述半導體封裝和上述內(nèi)插板粘結(jié)固定，可彎曲或撓曲的第二支撐塊，其特征在于上述內(nèi)插板的一個端部向上述半導體部件側(cè)折回，并且上述布線圖案與上述半導體部件的上述電極在上述一個端部處電連接。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項所述的半導體封裝，其特征在于，上述支撐塊由彈性體形成。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項所述的半導體封裝，其特征在 于，上述支撐塊由通過加熱軟化的熱可塑性樹脂形成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1至21中任一項所述的半導體封裝，其特征在 于，上述半導體部件為半導體芯片、在半導體芯片上形成有布線層的 半導體裝置、樹脂密封有半導體裝置的半導體封裝、或者在基板上搭 載有半導體裝置的半導體封裝。
23. —種電子部件，其特征在于，搭載有權(quán)利要求1至22中任一 項所述的半導體封裝，并且具備具有曲面的構(gòu)造體。
24. —種電子設(shè)備，其特征在于，搭載有權(quán)利要求23所述的電子部件。
全文摘要
即使安裝有半導體封裝的基板曲面化，也能夠緩和施加到電連接部的應力，不會產(chǎn)生連接不良，提高連接可靠性。半導體芯片(10)的第二面(10b)上具有電極(11)。支撐塊(20)設(shè)置于半導體芯片(10)的第一面(10a)的周緣部的兩個位置處，并且能夠彎曲或撓曲。內(nèi)插板(30)通過與半導體芯片(10)相對的支撐塊(20)，并跨支撐塊(20)設(shè)置，并且在撓性樹脂薄膜中具有布線圖案，其兩個端部向半導體芯片(10)的第二面(10b)折回，且布線圖案與半導體芯片(10)的電極(11)電連接。
文檔編號H01L23/12GK101310380SQ200680042689
公開日2008年11月19日 申請日期2006年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月15日
發(fā)明者三上伸弘, 佐藤淳哉, 澤田篤昌, 渡邊真司 申請人:日本電氣株式會社