專利名稱：鍵盤的制作方法
技術領域：
。本發(fā)明大體涉及一種計算機鍵盤，并且更具體地涉及一種具有非物理性按鈕致動作用(non-physical button actuation)的鍵盤，使該鍵盤的鍵和內(nèi)部 電路之間形成有效的屏障。
背景技術：
鍵盤包括多個連接到微處理器的"開關"，該微處理器監(jiān)控著每個開關 的狀態(tài)，并根據(jù)這種狀態(tài)下的變化而觸發(fā)特定的響應。將這些開關布置為形 成鍵矩陣，并使每一個開關對應于鍵盤的用戶界面上的一個鍵鈕。鍵矩陣本 身通常為印刷電路板(PCB)或薄膜，其位于鍵鈕陣列的下面，并每一鍵鈕 正下方的電路上具有一個斷口 (break)。因而，鍵矩陣是多個開路，等待通 過引入橋接導通元件(bridging conductive element)以使其"閉合"，從而 允許小量的電流流過。該微處理器監(jiān)控該鍵矩陣在該陣列上的任何位置處的 連通信號，并在發(fā)現(xiàn)這種閉合電路時，將該電路在該鍵矩陣上的位置與其只 讀存儲器上的字符映射表相比較，隨后輸出恰當?shù)淖址?。開關能夠以多種不同方式閉合，包括使用橡膠圓點(rubber dome)(其 上部內(nèi)表面帶有碳元件)、金屬觸點、膜或泡沫元件，現(xiàn)在簡要地說明其中 的一些方式。目前應用的較普遍的開關技術之一是使用橡膠圓點，即每一鍵鈕定位在 小的、柔性的橡膠圓點上，該橡膠圓點中心具有硬質(zhì)的碳元件。當按壓鍵鈕 時，該鍵鈕下側(cè)的柱塞抵靠著該橡膠圓點的上表面按下，使該碳元件相應地 移動并由此被按壓到直接位于其下方的、該PCB的電路中的斷口上，并從而 將該電路橋接。當釋放該鍵時，該橡膠圓點彈性回復其初始的形狀，并驅(qū)使 該鍵返回其初始位置。公知地，還提出一種三層的膜，其中兩層具有呈鍵矩 陣的元件，該兩層之間具有一隔離層。在這種情況下，在橡膠圓點上無需設 置碳觸點。作為替代，當按壓鍵并壓縮橡膠圓點時，從該橡膠圓點的中心凸起的、小的橡膠"指部"將該膜的三層擠壓在一起，并在該位置使該電路橋接。膜開關盡管并不都具有分隔開的鍵，但操作非常類似。作為替代，其利 用整體的橡膠片，該橡膠片具有用于鍵鈕的突起區(qū)域。這提供了一種能夠承 受極端環(huán)境的鍵盤，但該鍵盤也是一種幾乎沒有觸覺響應的鍵盤。從這些例子中可清楚地看到，顯然需要在鍵盤的觸覺響應及其承受諸如 與細粉塵或液體接觸等惡劣環(huán)境的能力之間作出權(quán)衡。發(fā)明內(nèi)容。因此，本發(fā)明的目的是提供一種鍵盤，其能夠承受諸如細粉塵或浸入液 體等惡劣的環(huán)境，同時依然能夠提供良好的觸覺響應。根據(jù)本發(fā)明，提供一種開關，該開關包括鍵構(gòu)件，該鍵構(gòu)件相對于鍵矩 陣設置在初始位置，以使施加在所述鍵構(gòu)件上的壓力在所述鍵矩陣上產(chǎn)生電 接觸，其中在所述鍵構(gòu)件內(nèi)或其上設置第一磁體，或者將該第一磁體設置成 為所述鍵構(gòu)件，并設置第二磁體，使所述第一磁體和所述第二磁體的相同的 磁極相互分隔地彼此面對，所述第三磁體和第二磁體設置和構(gòu)造為在兩者之 間產(chǎn)生相斥力，當所述施加的壓力移除時該相斥力使所述第二磁體朝向其初 始位置返回。因此，通過利用兩個磁體的相同極性的表面之間產(chǎn)生的相斥力使鍵鈕在 被按壓后返回其初始位置來實現(xiàn)上述目的。優(yōu)選地，鍵構(gòu)件包括鍵帽，其中心具有向下凸出的柱塞；以及多個向 下凸出的腿部，其中所述向下凸出的腿部與多個鄰接的導柱配合，從而所述 鍵構(gòu)件可沿一個軸線在兩個方向上可滑動地移動。有利地，該導柱安裝在基板上，而所述鍵矩陣和所述鍵構(gòu)件設置在所述 基板的相對兩側(cè)上?？蛇x地，所述鍵構(gòu)件可包括鍵帽，其中心具有向下凸出的柱塞，所述 柱塞可滑動地安裝在向上凸出的凸緣內(nèi)，該凸緣從所述基板凸出，從而該鍵 構(gòu)件可沿一個軸線在兩個方向上滑動地移動。優(yōu)選地，該第一磁體設置在該柱塞的相對于該鍵帽的遠端。有利地，該基板設有孔，以允許所述第一磁體在所述施加的壓力作用下5穿過所述基板，從而在所述鍵矩陣上產(chǎn)生電接觸。該第二磁體優(yōu)選地設置在 與所述鍵矩陣的與所述第一磁體相對的一側(cè)上。優(yōu)選地，在所述基板和所述鍵矩陣之間設置非滲透性的隔離層，以阻止 液體或類似物從所述鍵構(gòu)件一側(cè)進入到所述鍵矩陣一側(cè)。有利地，所述鍵矩陣可包括可彈性變形的膜，并且所述鍵矩陣設置在所 述第二磁體相對于所述第一磁體的后面。優(yōu)選地將該第二磁體可滑動地安裝 在由凸緣限定的通道內(nèi)。有利地，所述第二磁體和所述鍵矩陣設置及構(gòu)造為 施加在所述鍵構(gòu)件上并使所述第一磁體朝向所述第二磁體移動的壓力在兩 個磁體間產(chǎn)生相斥力，該相斥力足以導致所述第二磁體在所述通道內(nèi)移動， 以便向所述鍵矩陣施加壓力并使該鍵矩陣彈性變形并產(chǎn)生電接觸。優(yōu)選地， 當移除所述施加的力時變形的所述鍵矩陣使所述第二磁體朝向其初始位置 返回。優(yōu)選地，在所述鍵矩陣的與該第二磁體相對側(cè)設置第三磁體，以使所述 第三磁體和第二磁體的相同磁極以相互間隔的關系彼此面對，所述第三磁體 和第二磁體設置和構(gòu)造為在該兩個磁體之間產(chǎn)生相斥力，當移除所述施加的 力時該相斥力使所述第二磁體朝向其初始位置返回。從這里所描述的多個實施例中、以及參照這些實施例所做的說明，將使 得本發(fā)明的上述的和其他方案顯而易見。


現(xiàn)在將參照附圖并僅通過示例的方式描述本發(fā)明的各實施例，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的示意性實施例的開關的俯視示意圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明第一示意性實施例的開關的剖視示意圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明第二示意性實施例的開關的剖視示意圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明第三示意性實施例的開關的剖視示意圖； 圖5a是圖4的中間磁體在其初始位置時的剖視示意圖； 圖5b是當開關按下時的圖4的中間磁體的剖視示意圖； 圖6是根據(jù)本發(fā)明第四示意性實施例的開關的剖視示意圖； 圖7a是圖6的中間磁體在其初始位置的剖視示意圖；圖7b是當開關按下時圖6的中間磁體和基板磁體的剖視示意圖； 圖8a是根據(jù)本發(fā)明第五示意性實施例的開關的俯視示意圖； 圖8b是根據(jù)本發(fā)明第五示意性實施例的開關的立體示意圖； 圖8c是根據(jù)本發(fā)明第五示意性實施例的開關的剖視示意圖； 圖9a是根據(jù)本發(fā)明第六示意性實施例的開關的俯視示意圖； 圖9b是根據(jù)本發(fā)明第六示意性實施例的開關的立體示意圖； 圖9c是根據(jù)本發(fā)明第六示意性實施例的開關的剖視示意圖。
具體實施方式
參看附圖的圖l，其示出了開關的俯視示意圖。該開關包括鍵帽IO，該 鍵帽IO具有大致位于中心的中空柱塞(plunger) 13，在使用時，柱塞13的 端部與膜24 (或圓頂開關裝置的圓頂構(gòu)件的冠狀部)接合。四個向上凸出的 剛性導柱12從基板14延伸，所述各導柱12等間隔地圍繞柱塞13分布。各 導柱12的截面大體為X型，在X型結(jié)構(gòu)的各臂之間限定了大體為V型的導 軌或?qū)Р?。鍵帽IO在其每個角部還包括多個向下凸出的腿部17，每一腿部 17的截面大體為(圓角的)L形，其頂點被設置及構(gòu)造為與由各導柱12限 定的、面向內(nèi)的導軌相協(xié)作。使用時，當使用者按壓鍵時，柱塞13向下移動，與膜24接觸并使期望 的電路閉合。當鍵向下移動時，各腿部17沿著各自的導軌12下滑。當釋放 鍵時，回位裝置(在以下的實施例中，通過多個磁體之間的相斥力提供回位 裝置)使鍵帽IO返回其初始位置，并且電路斷開。圖1中示出的橫向切分鍵帽10的中心線16限定了圖2—圖7中的剖視 圖的觀察平面?，F(xiàn)在參看附圖的圖2，其示出了根據(jù)本發(fā)明第一示意性實施例的剖視示 意圖，如上文所述，包括鍵帽10和導柱12。在本實施例中，基板14具有孔 19，該孔直接位于柱塞13下方，并具有足夠大的尺寸以允許柱塞13穿過而 超出該基板的下表面。如上所述，基板14的下表面的下面是膜24，該膜24 包括三個層橋接級層(bridge level);斷路級層，其在與橋接級層接觸時 與導通電路相協(xié)作；以及隔離層，位于兩者之間。膜24的尺寸和形狀基本 上與基板14相同，并且膜24包含與鍵的數(shù)目相同數(shù)目的橋接區(qū)域。膜24可以由任何耐用的柔性材料制成，可采用聚酯。膜24內(nèi)設置有印刷電路， 該印刷電路包括往返于開關元件的電氣元件(開關元件包括電路的斷開區(qū)域 及其對應的導通橋接區(qū)域)，從而當柱塞13穿過基板14中的孔19時，擠 壓其下的膜24并驅(qū)使上部的導通橋接區(qū)域與斷開電路區(qū)域接觸，從而在該 位置"接通(switching)"。在支承板20內(nèi)部設置有多個下部磁體22，所述下部磁體22同心地設置 在相同數(shù)目的柱塞磁體18的下方。下部磁體22具有N極22a和S極22b， 并且其取向設置為與對應的柱塞磁體18的極性相對，以使兩者以相同的極 性表面彼此面對(本例中為S極一S極面對)。本領域熟練技術人員應理解 的是，當將同磁極相面對的兩個磁體放在一起時會產(chǎn)生相斥力。該力與磁體 的磁場的強度相關，并因此能夠通過選擇磁體而將該相斥力調(diào)節(jié)為理想的相 斥程度。在這一示意性實施例中，默認狀態(tài)下，鍵帽10保持在所示的位置上。 通過產(chǎn)生于柱塞磁體18的S極18b和下部磁體22的S極22b之間產(chǎn)生的相 斥力該鍵帽保持在基板14上方的這一高度上。當使用者按壓鍵帽10時，所 施加的力大于相斥的磁力，由此使鍵垂直向下移動(只要該施加的力存在) 直到腿部17的底面到達基板14的上表面(或其間的限定極限位置)。在該 極限位置處，柱塞13穿過了基板14上的孔19并接觸該基板下面的膜24， 從而在該位置使膜24變形并在該膜24中產(chǎn)生導通的橋接區(qū)域，以橋接其下 面的印刷電路上的相關聯(lián)的斷開點，并產(chǎn)生"接通"。當使用者將手指從鍵 帽10上移開時，移除了所施加的力，并且磁體18、 22的相斥力用于使鍵帽 10返回其初始位置?？梢栽O置裝置來確保鍵帽10的腿部17的下部不致上升 到高于導柱12的高度?，F(xiàn)在參看附圖中的圖3，其示出根據(jù)本發(fā)明第二示意性實施例的開關。 本實施例在很多方面大致與上述的第一示意性實施例相同，并且采用同樣的 附圖標記表示相同的部件。然而，在此例中，在基板14和膜24之間設置隔 離層26。該隔離層26將電子元件與外界環(huán)境物理地隔絕，使鍵盤在浸入液 體中或進入細粉塵或粗砂的情況下不影響該鍵盤的操作性能。隔離層26可 由任何非滲透性材料制成，優(yōu)選為橡膠，并可設置一組凸出物以輔助該接觸 過程。依據(jù)橡膠的厚度/密度來優(yōu)化磁體的強度，以提供所需的相斥力。8現(xiàn)在參看附圖的圖4，其示出根據(jù)本發(fā)明第三示意性實施例的開關。在 本實施例中，基板14上并不具有與前述實施例相同的孔，而是由單一的非 滲透性的板構(gòu)成。從基板14的下側(cè)向下凸出的是凸緣150，該凸緣150限定了腔體，該腔 體內(nèi)設置中間磁體28。該中間磁體28的S極28b面朝上并且N極28a的面 朝下，從而S極28b面對柱塞磁體18的S極18b。通過膜24將中間磁體28 保持在其腔體中，該膜24將變形到一定程度以允許中間磁體28從由凸緣150 限定的腔體(依據(jù)施加在鍵帽10上的壓力)凸出到執(zhí)行該中間磁體的功能 所必需的程度。中間磁體28本身具有一個表面平坦的磁極(面對柱塞磁體18的任一磁 極)以及一個具有特定輪廓的表面。現(xiàn)在參看圖5a，中間磁體28的N極28a 具有向下凸出的凸起中部28a'。該凸起部28a'可與磁體28—體形成，但 更適合包括一設置在磁體28上的"襯底(sock)"狀構(gòu)件30。位于下面的 膜24抵靠設置在中間磁體28上的凸起部28a',以便在沒有其他由使用者 間接施加的力的作用時，將中間磁體28保持在其腔體中?，F(xiàn)在參看圖4和 圖5b，當使用者按壓鍵帽10時，該鍵帽10向下移動，直到柱塞磁體18到 達其極限位置為止(在本例中為基板14的上表面)。當使柱塞磁體18的S 極18b更靠近中間磁體28的S極28b時，中間磁體28將承受上述的相斥磁 力的作用并被抵靠著膜24推動，膜24變形以允許磁體28從該腔體凸出。 膜24內(nèi)部具有限制級層(restricting level) 24b，該限制級層具有多個孔，每 一孔位于每一個中間磁體28的下方，所述孔足夠大以允許磁體28的凸起部 28a'穿過，但不允許肩部穿過，從而凸起部28a'能夠(在一定程度上)穿 過該孔并使得橋接級層24a下側(cè)上的導通的橋接區(qū)域24a'與斷開電路級層 24c上的印刷電路的上表面相接觸。當使用者從鍵帽IO上移幵手指時，磁體 18、 28之間的相斥力隨著兩者的相對分開而消失，導致由變形的膜24施加 在磁體28上的力大于來自柱塞磁體18上的任何相斥力，并因而使膜24回 復其原始形狀，將磁體28返回到由裙部150限定的腔體內(nèi)的原始位置。必須謹慎地選擇磁體18、 28和膜24，以確保相斥力和由膜24提供的回 復力的大小限定為能夠?qū)崿F(xiàn)其功能。再參看圖4，為使鍵帽IO保持如圖所示 的靜止狀態(tài)，其中磁體18、 28之間的間距被限定為X，由膜24提供的回復力必須大于兩個磁體18、 28、鍵帽10、腿部17和柱塞13的重量(即，作 用于該組合體上的力)。還要考慮腿部17和導柱12之間的摩擦力。間距為 X時的相斥力應大于或等于膜提供的回復力，然而，當間距小于1/2X時， 相斥力應當遠大于該膜提供的回復力，以確保當按壓鍵帽10時充分致動中 間磁體28?，F(xiàn)在參看圖6，其示出了根據(jù)本發(fā)明的第四示意性實施例，其中將由膜 24提供的回復力(在第三實施例中)替換為(在中間磁體28和下部磁體22 之間的)第二相斥力。如同在第三實施例中，鍵帽10可滑動地安裝在固定 到未打孔的、非滲透性的基板上14的四個導柱12中。從基板14的下側(cè)的 與柱塞磁體18共線的位置向下凸出的是凸緣150，該凸緣150限定了比第三 實施例更深的腔體。凸緣150的末端非常接近支承板，膜24位于兩者之間。 在支承板20上或其內(nèi)部設置基板磁體22，該基板磁體22取向為，其向上面 對中間磁體28的磁極與中間磁體28向下面對該基板磁體的磁極具有相同的 極性?，F(xiàn)在另外參看圖7a和圖7b，使用者按壓鍵鈕10，從而減小了柱塞13 底端上的柱塞磁體18與設置在基板14 (相對于柱塞磁體18)的遠側(cè)面(far side)的位于腔體內(nèi)的中間磁體28之間的間距。隨著該間距的減小，相斥力 則在增加，導致中間磁體28下滑并接觸膜24的上表面。這使得橋接級層24a 的下側(cè)的導通的橋接區(qū)域24a'移動到與斷開電路級層24c上的印刷電路的 上表面接觸，從而連通該電路(如圖7b中所示)。當使用者從鍵鈕10上移 開手指時，柱塞磁體18和中間磁體28之間的間距增大，直到其到達柱塞磁 體18和中間磁體28之間的相斥力小于下部磁體22與中間磁體28之間的相 斥力的位置，隨后，中間磁體28沿著向上的方向移動，返回到腔體內(nèi)(如 圖7a中所示)。應注意的是，雖然本實施例中所示的磁體28不帶有"襯底" 狀構(gòu)件30 (圖5a和圖5b中存在"襯底"狀構(gòu)件30)，但可在本實施例中 或其他示意性實施例中設置該"襯底"狀構(gòu)件。本實施例優(yōu)于前述實施例的優(yōu)點在于借助第二相斥磁力而不是依靠變 形的膜24產(chǎn)生的回復力使中間磁體28返回其在該腔體中的默認位置。隨著 時間的流逝，以這種方式使用的膜24將可能劣化并失去提供可靠的回復力 的能力，并且會損壞其內(nèi)部電路，導致鍵盤故障。本實施例中提出的裝置不會出現(xiàn)這種情況。如果柱塞磁體18和中間磁體28之間的相斥力大于基板磁 體22和中間磁體28之間的相斥力，則在每一次按下鍵鈕10時都將產(chǎn)生接 通。如果基板磁體22和中間磁體28之間的相斥力大于中間磁體28、柱塞磁 體18和鍵鈕10 (以及與其結(jié)合的柱塞)組件的重量，則在釋放鍵鈕10之后， 中間磁體28將始終返回其默認位置。如果柱塞磁體18和中間磁體28之間 的相斥力大于(在間距X處)柱塞磁體18和鍵鈕10 (以及與其結(jié)合的柱塞) 組件的重量，則只要釋放該按鈕，該鍵鈕將始終返回其默認位置。現(xiàn)在參看圖8a、圖8b和圖8c，其分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第五示意性 實施例的開關的示意性俯視圖、立體圖和剖視圖。該開關包括鍵帽IO，該鍵 帽10具有大致位于中心的中空柱塞13a，該柱塞13a在其相對于該鍵帽10 的遠端設置有柱塞磁體18。從基板14延伸出剛性的、向上凸起的引導凸緣 12a，該引導凸緣12a限定一筒形通道11，該柱塞13a可滑動地安裝在該通 道內(nèi)。筒形通道11還包含多個垂向定位的導槽120，所述導槽與設置在柱塞 13a上的、數(shù)量基本相同但形狀相反的多個肋連通，以限制鍵帽10圍繞垂直 軸線任意轉(zhuǎn)動。如上所述，使用者按壓鍵帽10導致柱塞13a在引導凸緣12a內(nèi)向下移動， 也使安裝在該柱塞端部的柱塞磁體18向下移動。磁體18接觸下方的膜24 并使膜24變形，從而產(chǎn)生接通。當移除施加在鍵帽IO上的壓力后，柱塞磁 體18和下部磁體22之間的相斥力使鍵帽IO朝向其初始位置返回?，F(xiàn)在參看圖9a、圖9b和圖9c，分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第六示意性實 施例的開關的示意性俯視圖、立體圖和剖視圖。該開關包括鍵帽10a，當沿 截面方向觀看(如圖9c)時，該鍵帽比前述實施例的鍵帽要短，并具有環(huán)繞 在其周圍的緣部(lip) 100 (如圖9a中所示)。本實施例中的基板14包含 多個基本為正方形的孔，這些孔的尺寸允許鍵帽10a的上表面穿過。當沿截 面方向觀察時，這些孔在較低的位置被加寬，用以容納鍵帽100a的緣部100， 從而這些孔允許鍵帽10a的上表面從其中穿過，但不允許緣部IOO通過其上 部的"頸"部140,由此限制了鍵帽10a整體地脫離該孔。在鍵帽10a的下 側(cè)設置柱塞磁體18，該柱塞磁體18在鍵帽10a承受由使用者施加的壓力時 使膜24變形。正與上述各實施例相同，(當使用者移除施加在鍵帽頂部的 壓力時)鍵帽10a在柱塞磁體18和下部磁體22的兩個相同磁極之間的相斥力的作用下朝向其初始位置返回。
在相應地設置磁體的數(shù)目和磁體布置的條件下，第五、第六示意性實施 例的開關的構(gòu)造方式可用于任何前述的實施例中。
現(xiàn)在，對閱讀本發(fā)明的本領域熟練技術人員而言，顯而易見的是，應用 多個磁體來致動鍵盤內(nèi)的回復力開關，能夠不喪失功能性地在外側(cè)的鍵和內(nèi) 部的電路之間產(chǎn)生非常有效的屏障。這使得能夠提供一種鍵盤，該鍵盤可完 全浸沒在液體中而不致?lián)p害其中的電子器件、又能夠在最惡劣和多塵的環(huán)境 中繼續(xù)工作。即使在鍵鈕和膜之間并無物理連接，但利用移動的磁體之間的 相斥力，仍能夠?qū)崿F(xiàn)良好的觸覺響應。
應當注意的是，上述的實施例是用于說明而非限制本發(fā)明，而且本領域 熟練技術人員能夠不脫離本發(fā)明范圍地設計出多個可選的實施例，其中本發(fā) 明的范圍由如附的權(quán)利要求書界定。在該權(quán)利要求書中，所有加注在括號內(nèi) 的附圖標記不應被解釋為對權(quán)利要求書的限制?？傮w上，詞語"包括有"、 "包括"及類似用語并不排除除了在任何權(quán)利要求項中或說明書中列出的元 件及步驟之外的其他元件及步驟的存在。以單數(shù)形式提及的元件的情況并不 排除這種元件的復數(shù)引用，反之亦然。本發(fā)明可利用包括有若干不同的元件 的硬件來實現(xiàn)，在設備權(quán)利要求中列舉了若干裝置，這些裝置中的若干個裝 置可包括同一個硬件。某些方案在不同的從屬權(quán)利要求中相互重復引用并不 表示不能夠結(jié)合這些方案以實現(xiàn)更優(yōu)的效果。
權(quán)利要求
1.一種開關，該開關包括鍵構(gòu)件，所述鍵構(gòu)件相對于鍵矩陣設置在初始位置，以使施加在所述鍵構(gòu)件上的壓力在所述鍵矩陣上產(chǎn)生電接觸，其中在所述鍵構(gòu)件內(nèi)或其上設置第一磁體，或者將所述鍵構(gòu)件設置成為第一磁體，并且該開關設有第二磁體，使所述第一磁體和所述第二磁體的相同磁極以相互間隔的關系彼此面對，所述第一磁體和第二磁體設置和構(gòu)造為在所述第一磁體和第二磁體之間產(chǎn)生相斥力，當所述施加的力移除時所述相斥力使所述鍵構(gòu)件朝向所述初始位置返回。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關，其中，所述鍵構(gòu)件包括鍵帽，其中 心具有向下凸出的柱塞；所述柱塞滑動地安裝為使所述鍵構(gòu)件能夠沿一個軸 線在兩個方向上可滑動地移動。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關，其中，將所述鍵矩陣和所述鍵構(gòu)件設 置在所述基板的相對兩側(cè)上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的開關，其中，將所述第一磁體設置在所述柱 塞的相對于所述鍵帽的遠端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的開關，其中，所述基板設有孔，以允許所述 第一磁體在所述施加的壓力的作用下穿過所述基板，從而在所述鍵矩陣上產(chǎn) 生所述電接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的開關，其中，所述第二磁體設置在所述鍵矩 陣的與所述第一磁體相對的一側(cè)上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的開關，其中，在所述基板和所述鍵矩陣之間 設置非滲透性的隔離層，以阻止液體或類似物從所述鍵構(gòu)件一側(cè)進入到所述鍵矩陣一側(cè)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的開關，其中，所述鍵矩陣包括可彈性變形的膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的開關，其中，所述鍵矩陣設置在所述第二磁 體的相對于所述第一磁體的后面。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的開關，其中，所述第二磁體滑動地安裝在由 凸緣限定的通道內(nèi)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的開關，其中，所述第二磁體和所述鍵矩陣設置和構(gòu)造為施加在所述鍵構(gòu)件上、并使所述第一磁體朝向所述第二磁體 移動的壓力在所述第一磁體和所述第二磁體之間產(chǎn)生相斥力，該相斥力足以 使所述第二磁體在所述通道內(nèi)移動，以向所述鍵矩陣施加壓力并使所述鍵矩 陣彈性變形并電接觸。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的開關，其中，當施加到所述鍵構(gòu)件的所述 壓力移除時變形的所述鍵矩陣使所述第二磁體朝向其初始位置返回。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的開關，其中，在所述鍵矩陣的與所述第二磁體相對的側(cè)設置第三磁體，以使所述第三磁體和所述第二磁體的相同磁極 以相互間隔的關系彼此面對，所述第三磁體和第二磁體設置和構(gòu)造為在所述 第三磁體和所述第二磁體之間產(chǎn)生相斥力，當移除所述施加的壓力時所述相 斥力使所述第二磁體朝向其初始位置返回。
全文摘要
一種鍵盤，其中，在按壓鍵鈕之后，利用兩個磁體相同極性的表面之間產(chǎn)生的相斥力使每一鍵鈕返回其初始位置。因此，該鍵盤可制作為能夠承受惡劣的環(huán)境，同時能夠為使用者提供良好的觸覺響應。
文檔編號H01H13/70GK101331570SQ200680047224
公開日2008年12月24日 申請日期2006年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月16日
發(fā)明者戴爾·麥克菲·普爾考克斯 申請人:戴爾·麥克菲·普爾考克斯