專利名稱：有機(jī)led器件的制作方法
有機(jī)LED器件
這個(gè)發(fā)明涉及帶有柔性基板并在發(fā)射區(qū)域上具有均勻亮度的大型 有機(jī)電致發(fā)光器件(有機(jī)LED或OLED)。
現(xiàn)在的標(biāo)準(zhǔn)OLED包括一個(gè)位于沉積在玻璃基板上的兩個(gè)電極之間 的有機(jī)疊層。兩個(gè)不同類型的OLED可以通過光發(fā)射方向來區(qū)別。在所 謂的底部發(fā)射器中，光通過透明底部電極(通常為陽極)和透明基板 離開0LED器件，同時(shí)第二電極(頂部電極，通常為陰極)具有反射性。 在所謂的頂部發(fā)射器中，光通過透明的頂部電極離開OLED器件，同時(shí) 底部電極和/或基板具有反射性。在大多數(shù)情況中，底部發(fā)射器的層結(jié) 構(gòu)可以簡單地倒轉(zhuǎn)為頂部發(fā)射器。
底部和頂部發(fā)射OLED器件都采用公共薄膜電極，其表現(xiàn)出等于或 大于0. lft/平方的高薄層電阻，這里術(shù)語"平方，，是指電極面積。如 果要在整個(gè)發(fā)射區(qū)域得到均勻亮度，陽極和陰極的電阻對發(fā)光面積的 最大尺寸施加了限制。對于當(dāng)前的材料系統(tǒng)，這個(gè)面積在幾十平方厘 米的量級。對于頂部發(fā)射配置中的0LED，其尺寸限制甚至更為嚴(yán)重， 特別是如果IT0被用在頂部。IT0電參數(shù)的優(yōu)化由光學(xué)要求和工藝溫度 限制進(jìn)行折衷。為進(jìn)一步增加OLED器件的發(fā)光面積，它必須被細(xì)分成 子板(sub-tile)以減少單個(gè)電極尺寸。每個(gè)子板可以被認(rèn)為是發(fā)光 子0LED。子板0LED在基板上通過金屬跡線互連。由子板組成的0LED 的總發(fā)光面積是每個(gè)子板發(fā)光面積之和。對于大區(qū)域應(yīng)用，金屬跡線 的電阻應(yīng)該適當(dāng)?shù)氐陀?. OlQ/平方。同時(shí)，薄膜技術(shù)對于大區(qū)域解決 方案是不夠的，因?yàn)楸拥碾娮杼卟⑶疑a(chǎn)具有所需電阻的足夠厚
的層是昂貴且耗時(shí)的。
申請?zhí)枮镋P05101161.7的歐洲專利申請公開了一種底部發(fā)射 0LED器件，其具有粘貼在反射的頂部陰極上的金屬箔，用于保護(hù)有機(jī) 層從而確保該器件長的工作壽命以及提高電極之一的導(dǎo)電性。這個(gè)技 術(shù)不能應(yīng)用于頂部發(fā)射器，因?yàn)樵陧敳侩姌O上的厚覆蓋箔將阻止頂部 方向的光發(fā)射。
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種在整個(gè)發(fā)光區(qū)域上具有均勻亮度 的大型有機(jī)電致發(fā)光頂部發(fā)射器件，該器件具有良好的壽命并且很容 易生產(chǎn)。
這個(gè)目標(biāo)可通過這樣一種有機(jī)電致發(fā)光器件來解決，該器件具有 經(jīng)過至少部分透明頂部電極發(fā)出光的疊層，所述疊層包括導(dǎo)電箔，該 導(dǎo)電箔包括具有上下側(cè)、且作為基板的載體材料和具有一厚度的笫一
金屬層，使得在載體材料上側(cè)產(chǎn)生小于0. 05ft/平方的薄層電阻，后者 (第一金屬層)至少包括第一金屬表面作為底部電極，所述疊層還包 括沉積在底部電極上方并被設(shè)計(jì)用于發(fā)光的有機(jī)疊層，位于有機(jī)疊層 上方的透明頂部電極，以及至少覆蓋頂部電極和有機(jī)疊層的至少部分 透明的保護(hù)元件。術(shù)語"疊層，，是指一系列不同的層。所以術(shù)語"有 機(jī)疊層，，是指一系列不同的有機(jī)層。這個(gè)導(dǎo)電箔經(jīng)由第一金屬層提供 了足夠低阻值的電互連，同時(shí)作為有機(jī)LED中的電極以大大降低至少 沿著底部電極的電壓降。由于這大大降低了電壓降，對于例如具有 10cm*10cm的幾十倍量級和更大的發(fā)光區(qū)域的大面積有機(jī)LED,也能獲 得均勻亮度。例如使用足夠厚的金屬層和/或諸如金，銀，銅的高導(dǎo)電 性材料可以獲得低的薄層電阻。與現(xiàn)有OLED中使用的昂貴的薄膜沉積 技術(shù)相比，導(dǎo)電箔可以通過簡單且廉價(jià)的粘合技術(shù)(例如將金屬層粘 貼在栽體材料上方)與OLED器件的其它疊層分開進(jìn)行生產(chǎn)。載體材料 可以是適合于承栽厚度為幾十微米或更多的金屬層的任何材料，例如 玻璃或聚酰亞胺薄膜。保護(hù)元件指的是保護(hù)有機(jī)層抵御環(huán)境以獲得足 夠器件壽命的任何措施。保護(hù)元件可以是環(huán)繞在OLED器件環(huán)境敏感部 分周圍的化學(xué)惰性層或剛性覆蓋物。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬層進(jìn)一步包括位于與有機(jī)疊層的接觸 面的導(dǎo)電擴(kuò)散阻擋層。電極材料擴(kuò)散到有機(jī)材料導(dǎo)致了干擾該有機(jī)材 料屬性的雜質(zhì)含量的增加。這個(gè)擴(kuò)散阻擋將減少或阻止有機(jī)疊層的發(fā) 射屬性的退化，從而將增加這個(gè)OLED器件的工作壽命。
在一個(gè)實(shí)施例中，透明頂部電極由氧化銦錫(ITO)制成。ITO是 一種導(dǎo)電且透明的材料。除了具有所需的電屬性之外，頂部電極同時(shí) 作為阻擋層以保護(hù)有機(jī)疊層抵御環(huán)境。然而，連透明的ITO層也吸收 一定數(shù)量的光，這對ITO層的厚度施加了限制。在一個(gè)替代的實(shí)施例 中，透明頂部電極具有低于20nm的厚度并且包括位于與有機(jī)疊層的接
觸面的頂部金屬層和電子注入層。甚至這種薄金屬層具有比IT0層更 低的薄層電阻。同樣，金屬層的制備也比例如ITO層的制備更容易。 另一方面，所要求的透明度限定了頂部電極的厚度低于20nm，這必然 導(dǎo)致了保護(hù)有機(jī)疊層抵御環(huán)境的附加效果。
在另一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬層進(jìn)一步包括第二金屬區(qū)域，其與 第一金屬區(qū)域電絕緣并被設(shè)計(jì)用于提供到透明頂部電極的直接電接 觸。這里，直接電接觸表示在第二金屬區(qū)域和頂部電極之間沒有任何 中間有機(jī)層的接觸。這可以在有機(jī)疊層和頂部電極的沉積期間通過普 通的掩模技術(shù)來獲得。頂部電極到低阻值導(dǎo)電材料的連接分配OLED器 件的驅(qū)動電流靠近發(fā)光區(qū)域(有機(jī)疊層)，幾乎沒有電阻損失，由此 減少了通過更高電阻材料(頂部電極)的導(dǎo)電路徑的長度。于是，第 二金屬區(qū)域用作一個(gè)分路并且為頂部電極電流源提供總體較低的電 阻。這導(dǎo)致了 OLED器件亮度均勻性的進(jìn)一步提高。
如果疊層中的各層被圖案化為多個(gè)子區(qū)域以形成發(fā)光子板，所述 均勻性甚至能被進(jìn)一步提高，發(fā)光子板通過非發(fā)光區(qū)域彼此隔離以提 供導(dǎo)電金屬跡線給每個(gè)子板。這里，圖案化的子區(qū)域可以被規(guī)則或不 規(guī)則地成形。發(fā)光子板表示包括能夠發(fā)光的局部疊層的OLED器件的局 部(子區(qū)域)。OLED的總發(fā)光區(qū)域是各子板區(qū)域的和。非發(fā)光區(qū)域是 這樣的區(qū)域，其中既不存在發(fā)光有機(jī)材料也沒有驅(qū)動電壓施加到有機(jī) 層。例如，非發(fā)光區(qū)域可以包括導(dǎo)電材料以在OLED器件的較寬部分上 分配電流，幾乎沒有電阻損失。因此，非發(fā)光區(qū)域基本上是具有低于 0. 05Q/平方的薄層電阻的導(dǎo)電良好的金屬跡線，并且用作到底部和/ 或頂部電極的分路以提供總體較低的電阻，導(dǎo)致在整個(gè)發(fā)光區(qū)域上的 均勻亮度。
在另一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬層的第一和第二金屬區(qū)域被絕緣填 充材料分隔開。該絕緣填充材料用于疊層的平面化。這樣的平面化避 免了在已有疊層上將要制備的隨后各層內(nèi)的由于一些下級層內(nèi)的邊界 /曲線造成的層故障。該填充材料位于第一和第二金屬區(qū)域之間，因此 該填充材料必須是絕緣的，比如標(biāo)準(zhǔn)樹脂。在導(dǎo)電材料之間的所述絕 緣填充材料另外將閃絡(luò)或直接從一個(gè)電極流向另一個(gè)電極的臨界漏電 流的風(fēng)險(xiǎn)最小化了。這里術(shù)語"分隔"的意思是在有機(jī)疊層和頂部電 極被沉積之前在第 一和第二金屬區(qū)域之間沒有導(dǎo)電通路。
在另一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電箔進(jìn)一步包括具有一厚度的第二金屬層，
其導(dǎo)致在載體材料下側(cè)產(chǎn)生低于0. 05Q/平方的薄層電阻，并且至少一 個(gè)穿過載體材料的導(dǎo)電通路以將第二金屬層連接到載體材料上側(cè)的第 一金屬層的第一或第二金屬區(qū)域。通過另外使用載體材料的背面用于 電流源(第二金屬層)以及直接通過載體材料接觸第一金屬層的第一 或第二金屬區(qū)域，頂部電極通過第二金屬層到電源的電連接可以更容 易獲得，特別是在圖案化子區(qū)域的情況下。在其它實(shí)施例中也可以加 入更多的金屬層。這些帶有三個(gè)或更多金屬層的實(shí)施例可以用于對具 有諸如不同顏色的區(qū)域進(jìn)行尋址或以復(fù)用模式對區(qū)域進(jìn)行尋址，正如 通常在被動(矩陣)液晶(分段)顯示器中的使用那樣。
在另 一個(gè)實(shí)施例中，該導(dǎo)電箔是包括柔性載體材料的柔性導(dǎo)電箔。 這個(gè)導(dǎo)電箔提供一種組合了均勻亮度和柔性光源優(yōu)勢的OLED器件，并 且提供了將本發(fā)明另外應(yīng)用在需要或期望諸如彎曲的或柔性的非平坦 光源的領(lǐng)域中的可能性。
在另一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)元件包括至少覆蓋透明頂部電極和有機(jī) 疊層的透明的化學(xué)惰性層。 一個(gè)透明的化學(xué)惰性層將保持柔性導(dǎo)電箔 的柔性同時(shí)提供具有較長使用壽命的OLED器件。
在另一個(gè)實(shí)施例中，至少第一金屬層包括銅。銅是非常好的導(dǎo)電 材料。另外的涂層可以應(yīng)用在該銅上，例如金和銀涂層。這些涂層還 可以提供光滑的表面，在其上沉積位于銅層之上其余疊層。光滑的表 面將防止由表面粗糙造成的、導(dǎo)致通過有機(jī)疊層從底部電極到頂部電 極的電流泄露的層故障。這樣的涂層可以例如通過在銅上電鍍來應(yīng)用。
在本說明書和權(quán)利要求中，單詞"包括"不排除其他元素或步驟， 并且不定冠詞"一，，不排除多樣性。在權(quán)利要求中的任何參考符號不 能被解釋來限制這些權(quán)利要求的范圍。
參照附圖，下面的示范性實(shí)施例示出了所提出的有機(jī)LED的實(shí)例，
其沒有限制本發(fā)明的范圍。在這些圖中


圖1是根據(jù)本發(fā)明的0LED器件的第一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，
圖3是具有結(jié)構(gòu)化第一金屬層的根據(jù)本發(fā)明的OLED器件的側(cè)視
圖，
圖4是具有第二金屬層的根據(jù)本發(fā)明的OLED器件的側(cè)視圖，
圖5是根據(jù)本發(fā)明的具有子板的OLED器件的平面圖。
圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)射有機(jī)0LED器件的一個(gè)實(shí)例，其 具有用于通過至少部分透明頂部電極3和至少部分透明保護(hù)元件5發(fā) 出光4的疊層1， 2, 3和5。底部電極12,頂部電極3，和有機(jī)疊層2 被保護(hù)元件5所覆蓋以保護(hù)有機(jī)疊層2抵御環(huán)境從而獲得足夠的壽命。
有機(jī)疊層2由一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層組成，其包括至少一個(gè)向0LED器 件的上側(cè)發(fā)出光4的層。除了該發(fā)光層，有機(jī)疊層2可以包括在發(fā)光 層和陰極之間的電子輸運(yùn)層，和/或在發(fā)光層和陽極之間的空穴輸運(yùn) 層。有機(jī)疊層2還可以包括多于一個(gè)的發(fā)光層，每個(gè)發(fā)光層發(fā)射出不 同發(fā)射光譜的光。有機(jī)層在有機(jī)小分子的情況下通常是通過諸如蒸發(fā) 的氣相沉積來提供，或者在更大分子的情況下通過旋涂來提供。有機(jī) 疊層的典型厚度為50-500nm。有機(jī)疊層2的一個(gè)例子是A1Q3 (空穴輸 運(yùn)層)/oc-NPD (發(fā)光層)/摻雜F4-TCNQ的m-MTDATA (電子輸運(yùn)層)。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員也可以應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)中公開的其他有機(jī)材料。
如圖1所示根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)OLED器件包括導(dǎo)電箔1，該導(dǎo)電箔
含有作為基板的、具有上下側(cè)的載體材料ll和具有一厚度、導(dǎo)致在柔 性載體材料11的上側(cè)低于0. 05ft/平方的薄層電阻的第一金屬層12， 后者至少包括作為底部電極的第一金屬區(qū)域。在圖1顯示的實(shí)例中， 第一金屬層等同于第一金屬區(qū)域。依賴于本0LED器件的應(yīng)用，載體材 料11可以是剛性的或柔性的，例如玻璃或塑料。如果栽體材料11是 柔性的，0LED器件將展示出柔性光源的附加特征。具有底部電極區(qū)域 和1012發(fā)光區(qū)域的0LED器件需要20A的驅(qū)動電流以在50Cd/A上產(chǎn)生 1000Cd/m2。給定0. 0511/平方的薄層電阻，在整個(gè)底部電極獲得0. 5V 的最大電壓降。電壓降達(dá)到0. 7V是可以接受的。
例如，單面柔性導(dǎo)電箔是商業(yè)可用的，比如來自Nippon Mektron Ltd的，其包括25 Mm厚的聚酰亞胺薄膜和粘附地接合于聚酰亞胺薄膜 的35/iffl的銅層。具有位于聚酰亞胺薄膜兩側(cè)的銅箔的雙面箔也是可 用的。在大約為0. 001ft/平方的銅的情況下，厚度為35ym的第一金 屬層具有遠(yuǎn)低于0. 01Q/平方的薄層電阻值。在其它實(shí)施例中，在柔性 基板上具有良好粘接屬性的其它金屬，例如銀或金，以及具有金或銀 涂層的銅，也具有很低的薄層電阻值并且適用于低電阻的底部電極材
料。聚酰亞胺薄膜用作柔性栽體材料11。至于剛性載體材料，對于相 似厚度的金屬層得到了非常相似的電阻值。
第一金屬層12可以進(jìn)一步包括在與有機(jī)疊層12的接觸面上的導(dǎo) 電擴(kuò)散阻擋層13。電極材料擴(kuò)散到有機(jī)材料導(dǎo)致干擾該有機(jī)材料的屬 性的雜質(zhì)含量的增加。例如，銅表現(xiàn)了相對高的擴(kuò)散率。具有幾納米 厚的合適的導(dǎo)電擴(kuò)散阻擋層由諸如金的貴金屬組成。
位于有機(jī)疊層2上方的透明頂部電極3可以包括透明導(dǎo)電材料比 如IT0或一種金屬。在后者的情況下，金屬層厚度被限制在這樣的厚 度，在該厚度上金屬層在光譜的可見范圍內(nèi)仍然是至少部分透明的。 IT0層一般通過濺射來沉積，為避免對有機(jī)層的沉積破壞需要一個(gè)位于 IT0電極3和有機(jī)疊層2之間的附加保護(hù)層。用于這種保護(hù)層的合適材 料的一個(gè)例子是酞菁銅(CuPc)薄膜。ITO層的厚度可以明顯高于金屬 電極的厚度。然而，如果ITO用作頂部電極3, ITO電參數(shù)的優(yōu)化由光 學(xué)要求和沉積工藝溫度限制進(jìn)行折衷，IT0電極的典型厚度是大約 100nm。金屬頂部電極3的一個(gè)例子是厚度低于20nm的鋁層，其具有 位于與有機(jī)疊層2的接觸面的諸如LIF的層以降低頂部電極的功函數(shù)。 為獲得頂部電極3良好的透明性，其厚度應(yīng)該甚至更低，比如低于 10nm。另一個(gè)用于頂部電極3的合適材料是與高摻雜電子注入/輸運(yùn)層 相結(jié)合的銀。
在圖1中，保護(hù)元件5不僅覆蓋了底部電極12,還覆蓋了頂部電 極3和有機(jī)疊層2。對于保護(hù)元件5的擴(kuò)展的最低要求是覆蓋有機(jī)疊層 2和頂部電極3以防止諸如氧氣或水的臨界氣體從環(huán)境中擴(kuò)散到有機(jī) 疊層2。用作擴(kuò)散阻擋層的合適透明材料對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知 的，例如氮化硅。剛性的、至少部分透明的覆蓋物可以被粘合在栽體 材料11的上側(cè)的上方來用作對作為保護(hù)元件5的保護(hù)層的替代，以用 于在有機(jī)疊層之上提供閉合的密封體積，其可以被抽真空或填充化學(xué) 惰性氣體或液體。
圖2中顯示了本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。這里，圖1的擴(kuò)散阻擋層 13沒有示出，但是其可以存在。金屬層12包括第一金屬區(qū)域in和第 二金屬區(qū)域122，根據(jù)本發(fā)明二者在柔性載體材料11的上側(cè)都具有低 于0. 05ft/平方的薄層電阻。柔性載體材料11的上側(cè)是有機(jī)疊層2被 沉積的一側(cè)，另一側(cè)(下側(cè))可以考慮作為OLED器件的背面。例如通
過光刻和蝕刻來獲得第一金屬區(qū)域121和第二金屬區(qū)域122的分隔。 術(shù)語"分隔，，在這里的意思是在有機(jī)疊層2和頂部電極3的沉積之前 在第一金屬區(qū)域121和第二金屬區(qū)域122之間沒有導(dǎo)電通路。
如果第二金屬區(qū)域122要作為分路為頂部電極金屬跡線提供總的 低電阻，如圖2它所示必須直接連接于頂部電極3。為了獲得在層3和 層122之間良好的電接觸，在第二金屬區(qū)域122頂部必須避免任何有 機(jī)材料。這可以通過在薄膜沉積期間采用合適的掩模技術(shù)來獲得。有 機(jī)疊層通過諸如蒸發(fā)和/或旋涂的合適的薄膜沉積技術(shù)沉積在第一金 屬區(qū)域121之上。為了在有機(jī)疊層沉積之前修正粗糙度，反射率和功 函數(shù)，可以對第一和笫二金屬區(qū)域應(yīng)用適當(dāng)?shù)慕饘俦砻嫣幚怼?br> 如圖2所示，第一金屬區(qū)域121和第二金屬區(qū)域122可以通過絕 緣填充材料6被電分離以避免在將要在已有疊層上依次提供的層內(nèi)出 現(xiàn)由一些下級層的邊界/彎曲造成的層故障，以及避免直接從第一金屬 區(qū)域121流到第二金屬區(qū)域122 (或反之亦然)的漏電流。沒有附加保 護(hù)措施，例如通過在為了獲得分離的第一和第二金屬區(qū)域的導(dǎo)電箔的 激光結(jié)構(gòu)化工藝之后保留金屬材料，這樣的漏電流可能被觸發(fā)。用于 抑制漏電流的合適材料是任何標(biāo)準(zhǔn)的樹脂。在光發(fā)射方向4上觀察， 絕緣填充材料6位于有機(jī)疊層2的下方，從而這個(gè)絕緣填充材料6可 以是透明或不透明的。絕緣填充材料6的出現(xiàn)提高了器件的可靠性。
在圖3中顯示了另一個(gè)實(shí)施例。與前面的圖相反，導(dǎo)電箔1另外 包括位于載體材料ll下側(cè)的第二金屬層14，其具有根據(jù)本發(fā)明的低于 0. 05Q/平方的薄層電阻，該第二金屬層14經(jīng)由穿過載體材料11的至 少一個(gè)導(dǎo)電通路15連接到位于載體材料11上側(cè)的第二金屬區(qū)域122。 所以，通過0LED器件的背面獲得了頂部電極3的電流源。 一方面這使 得在具有大量子板的復(fù)雜結(jié)構(gòu)的OLED的情況下接觸頂部電極3更加容 易，另一方面它減少了在載體材料ll上側(cè)的不發(fā)光區(qū)域所需的表面區(qū) 域。為了電絕緣的目的，在笫二金屬層14上可以有非導(dǎo)電層16。沒有 當(dāng)前的絕緣填充材料6和/或具有在圖3中沒有示出的擴(kuò)散阻擋層的非 常相似的實(shí)施例也是可以想象的。笫三金屬層H提供了一種附加的保 護(hù)以抵御從載體材料下側(cè)進(jìn)入OLED器件的水分滲入。
在其他實(shí)施例中，第二金屬層14能夠可替換地接觸第一金屬區(qū)域 121。在此情況下，第二金屬區(qū)域122將與第二金屬層l4電絕緣并且
經(jīng)由載體材料11的上側(cè)與這里沒有示出的電源接觸。
圖4是子板OLED器件的平面圖，其包括沉積在載體材料11上側(cè) 的第一金屬區(qū)域121和第二金屬區(qū)域122,通過絕緣填充材料6 二者被 分隔開，且具有位于上方的有機(jī)疊層2。層121， 122, 2和3被圖案化 為子區(qū)域以形成發(fā)光子板(在這里以示例的方式示出了 4個(gè)子板)， 這些發(fā)光子板通過非發(fā)光區(qū)域(沒有有機(jī)疊層的區(qū)域)被彼此分隔以 提供導(dǎo)電金屬跡線121和122到每個(gè)子板。發(fā)光子板覆蓋了包括用于 發(fā)光的0LED疊層的0LED器件的一個(gè)局部(子區(qū)域)。0LED的整個(gè)發(fā) 光區(qū)域是這些子板區(qū)域的和，這里顯示為黑色區(qū)域2。在圖4中，頂部 電極3已經(jīng)被給定了一個(gè)略小的尺寸以明確該層結(jié)構(gòu)。在子板0LED器 件中，頂部電極也可以具有與有機(jī)疊層相同的尺寸。此外，子板可以 由多個(gè)OLED器件串聯(lián)組成。子板的數(shù)量與形狀也可以不同于圖4顯示 的實(shí)例。頂部電極3覆蓋了發(fā)光有機(jī)疊層2 (黑色區(qū)域)并且電連接到 第二金屬層13。
兩個(gè)0LED器件在柔性銅箔上被成功構(gòu)造。在兩個(gè)實(shí)例中，銅層(第 一金屬層)35pm的厚度和低于0. 001!l/平方的電阻?；宄叽鐬?9x49 mm2，包括16個(gè)尺寸為20 mm2的子板。
實(shí)例1:
有機(jī)電致發(fā)光器件包括位于載體材料ll上面的如下疊層。在這個(gè) 實(shí)例中，金被用作擴(kuò)散阻擋層13:
Cu (35卩m) /Au (1 y m) /PED0T (100nm) / oc -NPD (15nm) / ot -NPD: rubrene (15nm) /A1Q3 (60nm) /LiF (lnm) /Al (10nm)
實(shí)例2:
有機(jī)電致發(fā)光器件包括位于載體材料ll上面的如下疊層。在這個(gè) 實(shí)例中，銀被用作擴(kuò)散阻擋層13:
Cu (35 ju m) /Ag (1 p m) /PEDOT (100nm) / oc -NPD (15nm) / a -NPD: rubrene (15nm) /A 1Q3 (6Onm) /Li F (lmn) /A 1 (1 Onm)
PEDOT被用于克服銀或金與空穴輸運(yùn)層oc-NPD的功函數(shù)失配。紅 塋烯(rubrene)是一種摻雜材料和這個(gè)疊層中的實(shí)際熒光材料。在所
有子板的整個(gè)發(fā)光區(qū)域觀察到均勻的亮度，對于兩個(gè)實(shí)例沒有任何區(qū) 別。
參照附圖解釋的實(shí)施例和描述僅僅表示了有機(jī)0LED器件的實(shí)例， 并且不能理解為對涉及這些示例的本專利的權(quán)利要求進(jìn)行限制。同樣 由本專利權(quán)利要求的保護(hù)范圍覆蓋的可替代實(shí)施例對于本領(lǐng)域?qū)I(yè)人
員也是可能的。從屬權(quán)利要求的編號并不暗示這些權(quán)利要求的其它組 合不能表示本發(fā)明的有利實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.有機(jī)電致發(fā)光器件，具有用于經(jīng)過至少部分透明的頂部電極(3)發(fā)射出光(4)的疊層(1，2，3)，包括-導(dǎo)電箔(1)，包括具有上側(cè)和下側(cè)、且作為基板的載體材料(11)和具有一厚度的第一金屬層(12)，使得在載體材料(11)上側(cè)產(chǎn)生低于0.05Ω/平方的薄層電阻，第一金屬層(12)至少包括作為底部電極的第一金屬區(qū)域(122)，-有機(jī)疊層(2)，其沉積在底部電極(11)之上并且被設(shè)計(jì)用于發(fā)光(4)，-位于有機(jī)疊層(2)之上的透明頂部電極(3)，和-至少部分透明的保護(hù)元件(5)，其至少覆蓋頂部電極(3)和有機(jī)疊層(2)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于第一金屬層(12) 進(jìn)一步包括位于與有機(jī)疊層(2)的接觸面上的導(dǎo)電擴(kuò)散阻擋層(13) 。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于透明頂 部電極(3)由氧化銦錫制成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于透明頂 部電極(3)具有低于20nm的厚度并且包括位于與有機(jī)疊層(2)的接 觸面上的頂部金屬層和電子注入層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4之任一的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于第 一金屬層(11)進(jìn)一步包括第二金屬區(qū)域U22)，其與第一金屬區(qū)域 (121 )電絕緣并且被設(shè)計(jì)用于提供到透明頂部電極(3)的直接電接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于疊層(l， 2， 3)中的各層被圖案化為子區(qū)域以形成發(fā)光子板，各發(fā)光子板通過非發(fā) 光區(qū)域彼此分隔以為每個(gè)子板提供導(dǎo)電金屬跡線。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于第一金屬層(12)的笫一金屬區(qū)域(in)和第二金屬區(qū)域(l")被絕緣填充材料(6)分隔。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5或7的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于導(dǎo)電箔(1 ) 進(jìn)一步包括- 具有一厚度的第二金屬層(14 )，使得在栽體材料(11)下側(cè)產(chǎn) 生低于0, 05Q/平方的薄層電阻，和-至少一個(gè)導(dǎo)電通路(15 )，其穿過載體材料(11)將第二金屬層(14)連接到位于載體材料(ii)上側(cè)的第一金屬層(i2)的第一 (in)或第二區(qū)域(122)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或8的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于導(dǎo)電箔(1 ) 是包含柔性載體材料(11)的柔性導(dǎo)電箔。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或9的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于保護(hù)元 件(5)包括至少覆蓋透明頂部電極(3)和有機(jī)疊層(2)的透明的化 學(xué)惰性層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1或10的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于至少第 一金屬層(12)包括銅。
全文摘要
有機(jī)電致發(fā)光器件，具有用于經(jīng)過至少部分透明的頂部電極(3)發(fā)射出光(4)的疊層(1，2，3)，包括導(dǎo)電箔(1)，該導(dǎo)電箔包括具有上下側(cè)且作為基板的載體材料(11)和具有一厚度的第一金屬層(12)，使得在載體材料(11)上側(cè)產(chǎn)生少于0.05Ω/平方的薄層電阻，第一金屬層包括至少一個(gè)第一金屬區(qū)域(121)作為底部電極，所述疊層還包括沉積在底部電極之上并被設(shè)計(jì)用于發(fā)光的有機(jī)疊層(2)，位于有機(jī)疊層(2)之上的透明頂部電極(3)，以及至少覆蓋頂部電極和有機(jī)疊層(2)的至少部分透明的保護(hù)元件(5)。
文檔編號H01L51/52GK101341608SQ200680047975
公開日2009年1月7日 申請日期2006年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月19日
發(fā)明者E·W·A·揚(yáng), H·F·博爾納 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司