專利名稱：用于減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體制造，且更明確地說，涉及用于減少光致抗 蝕劑釋氣效應(yīng)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
離子注入器在半導(dǎo)體制造中廣泛用于選擇性地改變材料傳導(dǎo)性。在典 型的離子注入器中，從離子源產(chǎn)生的離子向下游輸送穿過一系列束線組件， 所述束線組件可包含一個或一個以上的分析器和/或校正器磁體和多個電 極?？墒褂盟龇治銎鞔朋w來選擇所需的離子種類，并濾出雜質(zhì)種類或具 有不合需要的能量的離子?？墒褂盟鲂Ｕ鞔朋w來在離子束到達目標晶 片之前操縱離子束的形狀或以其它方式調(diào)節(jié)離子束質(zhì)量?？墒褂煤线m形狀 的電極來修改離子束的能量和形狀。在已經(jīng)將離子束輸送穿過所述一系列 束線組件之后，可將離子束引導(dǎo)到終端站中以執(zhí)行離子注入。
請參閱圖l所示，其描繪的是常規(guī)離子注入器系統(tǒng)100。正如對大多數(shù) 離子注入器來說典型的情況是，將系統(tǒng)100收容在高真空環(huán)境下。離子注 入器系統(tǒng)100可包括離子源102和一系列束線組件，離子束10穿過所述一 系列束線組件。所述一系列束線組件可包含(例如)一提取操縱器104、過濾 器磁體106、加速或減速柱108、分析器磁體110、旋轉(zhuǎn)質(zhì)量縫112、掃描 器114和校正器磁體116。很像操縱光束的一系列光學(xué)透鏡，離子注入器組 件可在將離子束10導(dǎo)引朝向目標晶片118之前對離子束10進行過濾和聚 焦。目標晶片118通常被收容在高真空下的晶片終端站(未圖示)中。
在半導(dǎo)體制造中，經(jīng)常只對晶片表面的選定區(qū)域執(zhí)行目標(target)晶 片的離子注入，而通常用稱為光致抗蝕劑的光敏材料來遮蔽晶片表面的其 余部分。通過光刻工藝，可將目標晶片涂覆一層經(jīng)圖案化的光致抗蝕劑材 料，只暴露晶片表面中需要離子注入的選定區(qū)域。在離子注入期間，離子 束不僅對晶片表面的暴露部分有影響，而且對光致抗蝕劑層有影響。高能 離子經(jīng)常會使光致抗蝕劑材料內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂，并釋放揮發(fā)性有機化學(xué)物 質(zhì)和/或其它微粒以進入收容目標晶片的真空腔室(即，晶片終端站)中。這 種現(xiàn)象被稱為"光致抗蝕劑釋氣"。
離子注入器中的光致抗蝕劑釋氣可對離子束具有若干有害效應(yīng)。舉例 來說，從光致抗蝕劑釋放的微粒可導(dǎo)致高真空晶片終端站中的壓力增加或 壓力波動。釋氣微粒還可能從晶片終端站向上游遷移到其它束線組件，例
如圖1所示的校正器磁體116和掃描器114,且還可能影響離子注入器的上 述那些部分中的真空等級。
釋氣微粒經(jīng)常與入射離子束相互作用，例如與離子束交換電荷。因此， 具有單個正電荷的離子可能失去其電荷給釋氣微粒且變成中性；帶雙電荷 的離子可能失去一個正電荷給釋氣微粒,且變成帶單個電荷；等等。因此，由 釋氣引發(fā)的電荷交換可能干擾離子注入器中的離子劑量測定系統(tǒng)。典型的 離子劑量測量系統(tǒng)通過隨時間匯集所測量的束電流并基于特定離子種類具 有已知電荷狀態(tài)的假定而將所匯集的束電流(即，總離子電荷)轉(zhuǎn)換成總劑 量來確定離子劑量。然而，由釋氣引發(fā)的電荷交換隨機改變離子種類的電荷 狀態(tài)，進而使離子劑量測定系統(tǒng)所依賴的電荷狀態(tài)假定無效。舉例來說，如 果釋氣微粒趨向于從正離子處搶奪正電荷，那么此電荷交換將致使劑量測 定系統(tǒng)不完全統(tǒng)計所述離子種類，這又導(dǎo)致向目標晶片過度供應(yīng)所述離子 種類。
由于上述釋氣微粒的上游遷移的緣故，可能在校正器磁體中發(fā)生一些 電荷交換。與那些不經(jīng)歷電荷交換的同種離子相比，電荷已改變的離子遭受 不同的洛倫茲力(Lorentz force)。如此，電荷改變離子將偏離主離子束i 各 徑，從而導(dǎo)致目標晶片的劑量配給不均勻。由電荷已改變的離子流形成的束 泄出(Beamlets)在下文中稱為"寄生束泄出"。除產(chǎn)生寄生束泄出以外，電 荷交換還可改變受影響離子的能量和角度，能量和角度兩者將影響目標晶 片中的最終摻雜劑分布。
如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解，上文描述的寄生束泄出問題可類 似地在運行分子離子束的離子注入器中出現(xiàn)。分子離子束與離子注入器中 的殘余氣體的相互作用可導(dǎo)致分子斷裂，從而導(dǎo)致離子受到電荷改變以及 質(zhì)量改變。因此，分子斷裂還可能向離子注入工藝引入污染物。
已經(jīng)開發(fā)了許多技術(shù)來減輕由釋氣引發(fā)的電荷交換的效應(yīng)。舉例來說， 為了補償電荷交換對劑量測定的影響，已經(jīng)提議在束電流匯集工藝中包含 直流(direct current, DC)偏移，所述DC偏移與晶片終端站中的氣體壓力 相關(guān)。然而，此劑量測定補償途徑只解決了由寄生束泄出引起的問題的一 個方面。
根據(jù)另一途徑，可通過將惰性氣體以遠大于釋氣等級的量排;改到晶片 終端站中來減輕上述由光致抗蝕劑釋氣造成的壓力波動。盡管這種方法可 能會使晶片終端站中的氣體壓力穩(wěn)定，但所得的高于最佳值的壓力可能會 負面地影響離子注入。
根據(jù)圖2所說明的又一途徑，可在晶片終端站204與束線組件206之 間提供一傳導(dǎo)限制孔徑202。傳導(dǎo)限制孔徑202通常是固定的孔徑，其寬度 剛夠允許掃描離子束20穿過。傳導(dǎo)限制孔徑202意在用于兩個用途，即，減
少釋氣微粒的上游遷移和阻止寄生束泄出進入晶片終端站204。然而，由于 傳導(dǎo)限制孔徑202必須比目標晶片208的直徑寬，所以此途徑僅可在減少 釋氣微粒傳導(dǎo)或阻止寄生束泄出方面取得有限的成功。
鑒于前述內(nèi)容，將需要提供一種用以減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的解決 方案，其克服上述不足和缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示用于減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的技術(shù)。在一個特定示范性 實施例中，所述技術(shù)可實行為一種用于在離子注入機中減少光致抗蝕劑釋 氣效應(yīng)的設(shè)備。所述設(shè)備可包括位于終端站與上游束線組件之間的漂移管。 所述設(shè)備還可包括位于所述漂移管與所述終端站之間的第一可變孔徑。所 述設(shè)備可進一步包括位于所述漂移管與所述上游束線組件之間的第二可變 孔徑?？烧{(diào)節(jié)所述第一可變孔徑和所述第二可變孔徑以促進差動抽吸。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，可基于離子束的至少一個維度 來調(diào)節(jié)第一可變孔徑和第二可變孔徑，以允許所述離子束的至少一部分穿 過。
根據(jù)此特定示范性實施例的另外方面，所述設(shè)備可進一步包括位于漂 移管內(nèi)部的低溫冷卻面板陣列，所述低溫冷卻面板俘獲從終端站向上游遷 移的至少一部分微粒。另外，在重新產(chǎn)生低溫冷卻面板期間，可完全關(guān)閉第 一可變孔徑以將漂移管與終端站隔離，且在重新產(chǎn)生低溫冷卻面板期間，可 完全關(guān)閉第二可變孔徑以將漂移管與上游束線組件隔離。
根據(jù)此特定示范性實施例的額外方面，所述設(shè)備可進一步包括一個或 一個以上的低溫冷卻面板，其部署在終端站中釋氣微粒集中的一個或一個 以上位置附近。所述設(shè)備還可包括多個擋板，其將釋氣微粒引導(dǎo)朝向所述 一個或一個以上的j氐溫冷卻面板。
根據(jù)此特定示范性實施例的另一方面，所述上游束線組件可包括校正 器磁體。所述設(shè)備可進一步包括位于校正器磁體的第 一部分與校正器磁體 的第二部分之間的中間真空腔室，以及耦合到所述中間真空腔室以增強與 校正器磁體相關(guān)聯(lián)的真空等級的一個或一個以上的抽吸元件。校正器磁體 的第 一部分和校正器磁體的第二部分可致使離子軌跡在相同方向上彎曲。 或者，校正器磁體的第 一部分和校正器磁體的第二部分可致使離子軌跡在 相反方向上彎曲。
在另一特定示范性實施例中，所述技術(shù)可實行為一種用于減少光致抗 蝕劑釋氣效應(yīng)的方法。所述方法可包括將漂移管定位在終端站與上游束線 組件之間。所述方法還可包括調(diào)節(jié)位于漂移管與終端站之間的第一可變孔 徑和位于漂移管與上游束線組件之間的第二可變孔徑，以促進差動抽吸。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，所述方法可進一步包^"基于離 子束的至少一個維度而調(diào)節(jié)第一可變孔徑和第二可變孔徑，以允i午至少一 部分離子束穿過。
根據(jù)此特定示范性實施例的另外方面，所述方法可進一步包括在漂移 管內(nèi)部部署低溫冷卻面板陣列，以俘獲從終端站向上游遷移的至少 一部分 微粒。所述方法可另外包括在重新產(chǎn)生低溫冷卻面板期間，完全關(guān)閉第一 可變孔徑以將漂移管與終端站隔離，以及在重新產(chǎn)生低溫冷卻面板期間，完 全關(guān)閉第二可變孔徑以將漂移管與上游束線組件隔離。
根據(jù)此特定示范性實施例的額外方面，所述方法可進一步包^:在終端 站中釋氣微粒集中的一個或一個以上位置附近部署一個或一個以上4氐溫冷 卻面板。所述方法可另外包括提供多個擋板，其將釋氣微粒引導(dǎo)朝向所述 一個或一個以上^f氐溫冷卻面4反。
根據(jù)此特定示范性實施例的另 一方面，上游束線組件包括校正器^f茲體。 所述方法可進一步包括在校正器磁體的第一部分與校正器磁體的第二部分 之間插入中間真空腔室，以及抽吸所述中間真空腔室以增強與校正器磁體 相關(guān)聯(lián)的真空等級。
在又一特定示范性實施例中，所述技術(shù)可實行為至少一種信號，其包 含在至少一個載波中以用于傳輸計算機指令程序，所述計算機指令程序經(jīng) 配置以可由至少一個處理器來讀取以指令所述至少一個處理器才丸^f亍用于執(zhí) 行如上文陳述的方法的計算機過程。
在又一特定示范性實施例中，所述技術(shù)可實行為至少一種處理器可讀 載體，其用于存儲計算機指令程序，所述計算機指令程序經(jīng)配置以可由至 少一個處理器來讀取以指令所述至少一個處理器執(zhí)行用于執(zhí)行如上文陳述 的方法的計算機過程。
在另一特定示范性實施例中，所述技術(shù)可實行為一種用于在離子注入 器中減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的設(shè)備。所述設(shè)備可包括位于磁體的第 一部 分與磁體的第二部分之間的中間真空腔室。所述設(shè)備還可包括一個或一個 以上的抽吸元件，其耦合到所述中間真空腔室以增強與所述磁體相關(guān)聯(lián)的 真空等級。
根據(jù)此特定示范性實施例的其它方面，磁體的第 一部分和^茲體的第二 部分可致使離子軌跡在相同方向上彎曲。
根據(jù)此特定示范性實施例的另外方面，磁體的第 一部分和》茲體的第二 部分可致使離子軌跡在相反方向上彎曲。
在又一特定示范性實施例中，所述技術(shù)可實行為一種用于在離子注入 器中減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的方法。所述方法可包括提供磁體的第 一部 分和f茲體的第二部分。所述方法還可包括將中間真空腔室定位在第一部分
與第二部分之間。所述方法可進一步包括抽吸所述中間真空腔室，以增強 與磁體相關(guān)聯(lián)的真空等級。
本發(fā)明揭示用于減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的技術(shù)。在 一個特定示范性 實施例中，所述技術(shù)可實行為 一種用于在離子注入機中減少光致抗蝕劑釋 氣效應(yīng)的設(shè)備。所述設(shè)備可包括位于終端站與上游束線組件之間的漂移管。 所述設(shè)備還可包括位于漂移管與終端站之間的第 一可變孔徑。所述"i殳備可 進一 步包括位于漂移管與上游束線組件之間的第二可變孔徑?？烧{(diào)節(jié)第一 可變孔徑和第二可變孔徑以促進差動抽吸。
現(xiàn)將參看如附圖中所示的本發(fā)明示范性實施例來更詳細地描述本發(fā) 明。盡管下文參看示范性實施例來描述本發(fā)明，但應(yīng)了解本發(fā)明不限于此。 可以理解本文教示的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到額外的實施方案、修改 和實施例以及其它使用領(lǐng)域，其屬于如本文描述的本發(fā)明范圍內(nèi)，且本發(fā) 明可相對于其而具有有效實用性。


圖l是現(xiàn)有的離子注入器的示意圖。
圖2是說明用于減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的現(xiàn)有方法的示意圖。 圖3是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的用于減少釋氣微粒的示范性差動抽吸 方法的示意圖。
圖4是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的用于用策略式放置的低溫抽吸元件來
減少釋氣微粒的示范性方法的示意圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的中間真空腔室的示范性實施方案的示意圖。 圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的中間真空腔室的另一示范性實施方案的示意圖。
具體實施例方式
為了有助于更全面理解本發(fā)明，現(xiàn)在參看附圖，其中用相同標號來表 示相同元件。這些圖式不應(yīng)被解釋為限制本發(fā)明，而是將它們;f見為只具有 示范性。
本發(fā)明的實施例提供用于基于差動抽吸和低溫抽吸排列而在離子注入 期間減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的各種技術(shù)。中間真空腔室可將晶片終端站 與上游組件分離，且可在晶片終端站、中間真空腔室和上游組件之間實施 級聯(lián)(cascaded)差動抽吸方案。# 據(jù)一些實施例，4氐溫冷卻漂移管可允許 向下游輸送離子束，但減少釋氣微粒的向上游流動。
請參閱圖3所示，其說明根據(jù)本發(fā)明實施例的用于減少釋氣^f斂粒的示 范性差動抽吸方法。在此實施例中，用將終端站304與束線腔室306分離
的中間真空腔室302來實施兩級差動抽吸方案。束線腔室306可收容(例如) 校正器磁體(未圖示)。第一孔徑308可限制中間真空腔室302與終端站304 之間的傳導(dǎo)。第二孔徑310可限制中間真空腔室302與束線腔室306之間 的傳導(dǎo)。優(yōu)選的是，第一孔徑308和第二孔徑310具有可變開口，〗吏得它 們可基于所需傳導(dǎo)性以及束高度和/或束寬度而調(diào)節(jié)。三個真空腔室可分別 由抽吸元件312、 314和316來抽吸。由光致抗蝕劑釋氣引起的氣體壓力可 從終端站304向束線腔室306逐漸降低。差動抽吸可阻止釋氣微粒到達束 線中的最后一個作用組件(例如，校正器磁體)，或以其它方式將系統(tǒng)中的 氣體壓力減到最小。
在離子注入期間，抽吸元件312可以是通過/人終端站304移除至少一部 分釋氣微粒而抵抗釋氣微粒向上游遷移的第 一 防線。 一 些釋氣微粒可能逃 逸到中間真空腔室302,在所述中間真空腔室302處該抽吸元件314可形成 抵抗釋氣微粒的第二防線。可通過抽吸元件316快速移除游離到束線腔室 306中的任何殘余微粒?？勺屑殔f(xié)調(diào)抽吸元件312、 314和316的操作，且仔 細調(diào)節(jié)可變孔徑308和310，以維持終端站304、中間真空腔室302和束線 腔室306之間的所需壓力差。由于這種配置，可防止釋氣微粒的實質(zhì)部分(如 果不是全部的話)到達位于終端站304上游的束線元件。
中間真空腔室302可只專用于差動抽吸?；蛘?，中間真空腔室302可 收容一個或一個以上的束線組件，例如減速透鏡。根據(jù)一個實施例，可通 過磁極片來執(zhí)行中間真空腔室302的抽吸，或可將磁極片轉(zhuǎn)換成用于低溫 抽吸的冷表面。
請參閱圖4所示，其說明根據(jù)本發(fā)明實施例的用于用策略式放置的低 溫抽吸元件減少釋氣微粒的另一示范性方法?？蓪⑵乒?02定^f立在晶片 終端站414與上游束線組件416之間。晶片終端站414可收容晶片415，可 相對于傳入離子束40以機械方式掃描所述晶片415。上游束線組件416可 以是校正器磁體或離子束4 0在進入晶片終端站414之前穿過其中的其它束 線元件。
漂移管402的寬度可足以允許離子束40穿過。漂移管402可由位于漂 移管402內(nèi)部的低溫冷卻面板陣列來低溫抽吸。所述面板可提供所需量的 冷表面區(qū)域以用于抽吸用途?？赏ㄟ^控制器406來管理對漂移管402的低 溫抽吸。
可在束線組件416與漂移管402之間提供第一閥/孔徑408?？稍谄?管402與晶片終端站414之間提供第二閥/孔徑410。每個閥/孔徑可用為雙 重用途服務(wù)的單個機構(gòu)來實施。 一方面，所述閥/孔徑408和410中的每一 個可充當可變孔徑，其可針對所需傳導(dǎo)性且/或根據(jù)離子束40的高度/寬度 而調(diào)節(jié)。另一方面，所述閥/孔徑408和410中的每一個可充當閘閥，其可 在重新產(chǎn)生低溫面板期間關(guān)閉以隔離漂移管402，以便減少用于加溫和冷卻 漂移管402所需的時間量。
根據(jù)某實施例，可能需要針對晶片終端站414實施一個或一個以上的 額外低溫抽吸元件404。可通過首先確定一個或一個以上的強烈釋氣^f立置來 實質(zhì)上改進對來自晶片終端站414的釋氣微粒的抽吸。由于晶片415的掃 描運動以及釋氣微粒穿透光致抗蝕劑層并散發(fā)到晶片終端站414中所花費 的時間的緣故，釋氣微?？赡苴呄蛴诩性诰?15前方，但集中到離子束 40的任一側(cè)(例如在圖4中所示的位置處)。因此，可將低溫抽吸元件404策 略式放置在這些強烈釋氣位置附近，使得可更有效地疏散所述釋氣孩t粒。根 據(jù)一些實施例，可能需要提供擋板418，以引導(dǎo)釋氣微粒遠離漂移管402的 方向，且朝向低溫抽吸元件404。所述擋板418還可安裝在通向晶片終端站 414中的可變孔徑(未圖示)上。
根據(jù)一些實施例，為了改進與束線元件相關(guān)聯(lián)的真空等級(例如在圖3 所示的束線腔室306中)，可將磁體分成兩個部分且可在所述兩個部分之間 插入中間真空腔室。這種配置可能是有利的，因為磁極之間的間隙較小，磁 體通常難以抽吸。較小的磁極間隙往往會阻止位于磁體上游或下游的真空 泵進行有效抽吸。磁體位置中的專用真空腔室可增強與磁體相關(guān)聯(lián)的真空 等級。
請參閱圖5所示，是根據(jù)本發(fā)明實施例的中間真空腔室的示范性實施方 案。在此實施例中，可將70。校正器磁體502分成兩個部分504和506。所 述兩個新的》茲體504和506可維持類似于原始^f交正器^茲體502的總體弧形 形狀?？稍诖朋w504與506之間插入中間真空腔室500。中間真空腔室500
可支持差動抽吸且/或收容(各)束線元件。
請參閱圖6所示，是根據(jù)本發(fā)明實施例的中間真空腔室的另一示范性 實施方案。在此實施例中，將校正器磁體602分成兩個部分，且在所得^茲體 604與606之間插入中間真空腔室600。與圖5所示的實施例形成對比，磁 體606可翻轉(zhuǎn)(flipped)，使得-磁體604和606形成S形形狀。
在這一點上，應(yīng)注意如上文描述的根據(jù)本發(fā)明的用于減少光致抗蝕劑 釋氣效應(yīng)的技術(shù)在某種程度上通常涉及處理輸入數(shù)據(jù)和產(chǎn)生輸出^:據(jù)。此 輸入數(shù)，的，:里和，，，據(jù)的產(chǎn)生可，硬件或軟件中實施。舉，來說，可
據(jù)所存儲的指令來進;:作的一個或一個以上丄理器可實施如上i描述的
根據(jù)本發(fā)明的與減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)相關(guān)聯(lián)的功能。如果情況是這樣 的話，那么以下情況屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)此類指令可存儲在一個或一個 以上處理器可讀載體(例如，石茲盤)上，或經(jīng)由一個或一個以上^f言號而傳輸?shù)揭粋€或一個以上處理器。
本發(fā)明的范圍并非受本文描述的具體實施例所限制。實際上，除本文 描述的那些內(nèi)容之外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員從前面的描述內(nèi)容和附圖將容 易明白本發(fā)明的其它各種實施例和修改。因此，將此類其它實施例和修改 視為屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外，雖然本文已經(jīng)在用于特定用途的特定環(huán) 境下在特定實施方案的上下文中描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將 認識到，其實用性并不限于此，且可在用于任何數(shù)目的用途的任何數(shù)目的 環(huán)境下有利地實施本發(fā)明。因此，應(yīng)當鑒于如本文描述的本發(fā)明的整個范 圍和精神來解釋所附權(quán)利要求書。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于在離子注入器中減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的設(shè)備，其特征在于所述的設(shè)備包括漂移管，其位于終端站與上游束線組件之間；第一可變孔徑，其位于所述漂移管與所述終端站之間；以及第二可變孔徑，其位于所述漂移管與所述上游束線組件之間；其中所述第一可變孔徑和所述第二可變孔徑可經(jīng)調(diào)節(jié)以促進差動抽吸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述的第一可變孔徑和所 述第二可變孔徑可基于離子束的至少一個維度而進行調(diào)節(jié)，以允許至少一 部分所述離子束穿過。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于其進一步包括 低溫冷卻面板陣列，其位于所述漂移管內(nèi)部，所述低溫冷卻面板俘獲從所述終端站向上游遷移的至少 一部分微粒。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于所述的第一可變孔徑可在重新產(chǎn)生所述低溫冷卻面板期間完全關(guān)閉， 以將所述漂移管與所述終端站隔離；且所述的第二可變孔徑可在重新產(chǎn)生所述低溫冷卻面板期間完全關(guān)閉， 以將所述漂移管與所述上游束線組件隔離。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于其進一步包括一個或一個以上低溫冷卻面板，其部署在所述終端站中釋氣微粒集中 的一個或一個以上的位置附近。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于其進一步包括 多個擋板，其將所述釋氣微粒引導(dǎo)朝向所述一個或一個以上低溫冷卻面板。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述的上游束線組件包括 校正器磁體。
8. 沖艮據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于其進一步包括中間真空腔室，其位于所述校正器磁體的第 一部分與所述校正器磁體 的第二部分之間；以及一個或一個以上的抽吸元件，其耦合到所述中間真空腔室，以增強與 所述校正器磁體相關(guān)聯(lián)的真空等級。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于所述的校正器磁體的所述 第 一部分和所述校正器磁體的所述第二部分致使離子軌跡在相同方向上彎曲。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于所述的校正器磁體的所述 第一部分和所述校正器磁體的所述第二部分致使離子軌跡在相反方向上彎曲。
11. 一種用于減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的方法，其特征在于所述的方法 包括以下步驟將漂移管定位在終端站與上游束線組件之間；以及 調(diào)節(jié)所述漂移管與所述終端站之間的第 一可變孔徑和所述漂移管與所 述上游束線組件之間的第二可變孔徑，以促進差動抽吸。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于其進一步包括 基于離子束的至少一個維度而調(diào)節(jié)所述第一可變孔徑和所述第二可變孔徑，以允許至少一部分所述離子束穿過。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于其進一步包括 在所述漂移管內(nèi)部部署低溫冷卻面板陣列，以俘獲從所述終端站向上游遷移的至少 一部分微粒。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于其進一步包括 在重新產(chǎn)生所述低溫冷卻面板期間，完全關(guān)閉所述第一可變孔徑以將所述漂移管與所述終端站隔離；以及在重新產(chǎn)生所述低溫冷卻面板期間，完全關(guān)閉所述第二可變孔徑以將 所述漂移管與所述上游束線組件隔離。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于其進一步包括 在所述終端站中釋氣微粒集中的一個或一個以上位置附近部署一個或一個以上低溫冷卻面板。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于其進一步包括 提供多個擋板，所述擋板將所述釋氣微粒引導(dǎo)朝向所述一個或一個以上低溫冷卻面板。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述的上游束線組件包 括校正器磁體。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于其進一步包括在所述校正器i茲體的第 一部分與所述校正器磁體的第二部分之間插入 中間真空腔室；以及抽吸所述中間真空腔室，以增強與所述校正器磁體相關(guān)聯(lián)的真空等級。
19. 至少一種信號，其特征在于其包含在至少一個載波中以用于傳輸計 算機指令程序，所述計算機指令程序經(jīng)配置以可由至少一個處理器來讀取 以指令所述至少一個處理器執(zhí)行用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法的計 算機過程。
20. 至少一種處理器可讀載體，其特征在于其用于存儲計算機指令程 序，所述計算機指令程序經(jīng)配置以可由至少一個處理器來讀取以指令所述 至少一個處理器執(zhí)行用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法的計算;fc/L過程。
21. —種用于在離子注入器中減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的設(shè)備，其特征 在于所述的設(shè)備包括中間真空腔室，其位于》茲體的第一部分與所述》茲體的第二部分之間；以及一個或一個以上的抽吸元件，其耦合到所述中間真空腔室，以增強與 所述磁體相關(guān)聯(lián)的真空等級。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于所述的磁體的所述第一 部分和所述磁體的所述第二部分致使離子軌跡在相同方向上彎曲。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于所述的磁體的所述第一 部分和所述》茲體的所述第二部分致使離子軌跡在相反方向上彎曲。
24. —種用于在離子注入器中減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的方法，其特征 在于所述的方法包括提供茲體的第 一部分和所述》茲體的第二部分；將中間真空腔室定位在所述第一部分與所述第二部分之間；以及抽吸所述中間真空腔室，以增強與所述^茲體相關(guān)聯(lián)的真空等級。
全文摘要
本發(fā)明揭示用于減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的技術(shù)。在一個特定示范性實施例中，所述技術(shù)可實行為一種用于在離子注入機中減少光致抗蝕劑釋氣效應(yīng)的設(shè)備。所述設(shè)備可包括位于終端站與上游束線組件之間的漂移管。所述設(shè)備還可包括位于漂移管與終端站之間的第一可變孔徑。所述設(shè)備可進一步包括位于漂移管與上游束線組件之間的第二可變孔徑?？烧{(diào)節(jié)第一可變孔徑和第二可變孔徑以促進差動抽吸。
文檔編號H01L21/302GK101346803SQ200680049162
公開日2009年1月14日 申請日期2006年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月7日
發(fā)明者喬納森·G·英格蘭, 史蒂夫·E·克勞斯, 拉塞爾·J·羅, 艾立克·D·赫爾曼森 申請人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司