專利名稱：有機發(fā)光顯示器以及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器，更具體地講，涉及一種具有存儲電容器的有機發(fā)光顯示器以及一種制造該有機發(fā)光顯示器的方法。
背景技術(shù)：
與笨重且用高電壓操作的陰極射線管(CRT)不同，諸如有機發(fā)光顯示器和液晶顯示器的顯示裝置厚度小且用低電壓操作，這種顯示裝置正被廣泛地用作下一代顯示裝置。
具體地講，有機發(fā)光顯示器是自發(fā)射顯示裝置，在這種自發(fā)射顯示裝置中，通過陽極和陰極注入到有機材料中的電子和空穴復(fù)合以產(chǎn)生激子，作為產(chǎn)生的激子的能量的結(jié)果發(fā)射具有特定波長的光。因此，由于有機發(fā)光顯示器不需要單獨的光源(如背光單元)，從而與液晶顯示器相比，有機發(fā)光顯示器的功耗低，所以它被著重作為下一代顯示裝置。此外，有機發(fā)光顯示裝置可容易地確保寬的可視角度和高的響應(yīng)速度。
有機發(fā)光顯示器根據(jù)驅(qū)動方法可分為無源矩陣型和有源矩陣型，近年來，由于有源矩陣型有機發(fā)光顯示器的功耗低、精度高、響應(yīng)速度快、視角寬和厚度小，所以主要采用有源矩陣型有機發(fā)光顯示器。
在這種有源矩陣型有機發(fā)光顯示器中，作為圖像表示的基本單位的像素以矩陣的形式布置在基底上。在每個像素中布置發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有這樣的結(jié)構(gòu)第一電極(陽極)、發(fā)光層和第二電極(陰極)按順序堆疊。發(fā)光層由分別產(chǎn)生紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)的有機材料制成。在每個像素中布置連接到發(fā)光元件的薄膜晶體管(TFT)和存儲電容器，以單獨地控制像素。
通?？稍谥圃霻FT的同時形成存儲電容器。例如，當分別形成TFT的有源層和柵電極時，可形成存儲電容器的第一電極和第二電極。通過在將非晶硅沉積到基底上之后，在低溫(例如，≤600℃)下將非晶硅層退火，由將被晶化的多晶硅層形成有源層。存儲電容器的第一電極由N+摻雜的多晶硅層制成。
如果上述的有機發(fā)光顯示器僅具有P-溝道MOS(PMOS)TFT，則需要單獨的掩模工藝來將N+雜質(zhì)摻雜到存儲電容器的第一電極中。結(jié)果，存在的問題在于有機發(fā)光顯示器的制造工藝復(fù)雜化并且成本提高。
另一方面，如果上述的有機發(fā)光顯示器具有包括PMOS TFT和N-溝道MOS(NMOS)TFT的互補型MOS TFT，則由于在形成NMOS TFT的N+源區(qū)和漏區(qū)時可將N+雜質(zhì)摻雜到存儲電容器的第一電極中，所以不需要單獨的掩模工藝。然而，由于在形成CMOS TFT的柵電極之前執(zhí)行N+雜質(zhì)的摻雜工藝，所以當形成柵電極時，摻雜的N+雜質(zhì)會產(chǎn)生不必要地擴散。結(jié)果，問題在于劣化了CMOS TFT的性能和可靠性，從而降低了有機發(fā)光顯示器的顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
已經(jīng)開發(fā)了本發(fā)明來克服上述和其它問題，本發(fā)明的一目的在于提供一種有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器能夠簡化形成存儲電容器的工藝并防止TFT的性能和可靠性的劣化。
本發(fā)明的另一目的是提供一種制造本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，有機發(fā)光顯示器包括基底；薄膜晶體管，形成在所述基底的一部分上，所述薄膜晶體管具有有源層、柵電極以及至于所述有源層和所述柵電極之間的柵極絕緣層；存儲電容器，形成在所述基底的另一部分上，所述存儲電容器具有形成在與形成所述有源層的表面相同的表面上的第一電極、形成在與形成所述柵電極的表面相同的表面上的第二電極以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的柵極絕緣層，所述有源層和所述第一電極分別由本征多晶硅層制成。
所述本征多晶硅層的電阻為1E8Ω至1E11Ω。
所述有源層和所述第一電極分別形成在所述柵電極和所述第二電極的下方。
所述有機發(fā)光顯示器還包括形成在所述薄膜晶體管上方的發(fā)光元件。
所述發(fā)光元件具有第一電極、有機發(fā)光層和第二電極按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。
所述柵極絕緣層具有氮化硅層和氧化硅層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明還構(gòu)思了一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，包括的步驟有提供基底，其中，在所述基底上限定了用于PMOS薄膜晶體管的第一區(qū)域和用于存儲電容器的第二區(qū)域；在所述基底上形成本征多晶硅層；將所述本征多晶硅層圖案化，以形成所述第一區(qū)域中的有源層并形成所述第二區(qū)域中的第一電極；在所述基底的整個表面上形成柵極絕緣層，以覆蓋所述有源層和所述第一電極；在所述柵極絕緣層上分別對應(yīng)于所述有源層和所述第一電極形成柵電極和第二電極；在所述有源層的兩側(cè)形成P+雜質(zhì)區(qū)域。
此外，本發(fā)明構(gòu)思了一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，包括的步驟有提供基底，其中，在所述基底上限定了用于第一導(dǎo)電類型的第一MOS薄膜晶體管的第一區(qū)域、用于第二導(dǎo)電類型的第二MOS薄膜晶體管的第二區(qū)域和用于存儲電容器的第三區(qū)域，其中，所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反；在所述基底的整個表面上形成本征多晶硅層；將所述本征多晶硅層圖案化，以分別形成第一區(qū)域中的第一有源層和第二區(qū)域中的第二有源層，并形成第三區(qū)域中的第一電極；在所述基底的整個表面上形成柵極絕緣層，以覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層以及所述第一電極；在所述柵極絕緣層上分別對應(yīng)于所述第一有源層和所述第二有源層形成第一柵電極和第二柵電極，在所述柵極絕緣層上對應(yīng)于所述第一電極形成第二電極；在所述第一有源層的兩側(cè)形成第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)域；在所述第二有源層的兩側(cè)形成第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)域。
所述本征多晶硅層的電阻為1E8Ω至1E11Ω。
通過利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝來沉積非晶硅層并通過執(zhí)行退火工藝(如爐內(nèi)退火或準分子激光退火(ELA))來形成所述本征多晶硅層。
所述柵極絕緣層具有氮化硅層和氧化硅層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。
當所述第一導(dǎo)電類型是N型時，所述第二導(dǎo)電類型是P型，或者當所述第一導(dǎo)電類型是P型時，所述第二導(dǎo)電類型是N型。


通過參照以下結(jié)合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的更完整的理解和本發(fā)明的許多優(yōu)點將會變得更好理解并且變得更清楚，在附圖中，相同的標號表示相同或相似的組件，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示器的示意圖；圖2是示出有機發(fā)光顯示器的像素的局部剖視圖；
圖3是示出有機發(fā)光顯示器中的存儲電容器的電容和比較示例的電容的曲線圖；圖4A至圖4C是示出制造有機發(fā)光顯示器的第一方法的過程圖；圖5A至圖5D是示出制造有機發(fā)光顯示器的第二方法的過程圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以很多不同的形式來實現(xiàn)，而不應(yīng)該理解為限于在此提出的實施例。當然，提供這些實施例是為了使本公開徹底和完全，并將本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
現(xiàn)在將參照圖1和圖2來描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光顯示器，圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示器的示意圖，圖2是示出有機發(fā)光顯示器的像素的局部剖視圖。
參照圖1，在基底110上形成用于發(fā)光或圖像表示的像素區(qū)域A1，在基底110上圍繞像素區(qū)域A1形成非像素區(qū)域A2。像素以矩陣的形式布置在像素區(qū)域A1中。在非像素區(qū)域A2中形成用于驅(qū)動像素的掃描線SL1的掃描線驅(qū)動區(qū)域130和用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)線驅(qū)動區(qū)域140。
基底110可由絕緣材料(如玻璃或塑料)或金屬材料(如不銹鋼(SUS))制成。當基底110由金屬材料制成時，還在基底110上形成絕緣層。
例如，如圖1所示，像素包括分別為PMOS的第一TFT T1和第二TFT T2、存儲電容器Cst以及發(fā)光元件L1。然而，形成像素的TFT的類型和數(shù)量以及存儲電容器的數(shù)量并不限于該示例，而可以以各種方式改變。
現(xiàn)在更詳細地描述像素，第一TFT T1連接到掃描線SL1和數(shù)據(jù)線DL1，根據(jù)從掃描線SL1輸入的開關(guān)(swithcing)電壓將從數(shù)據(jù)線DL1輸入的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)降诙FT T2。存儲電容器Cst連接到第一TFT T1和電源線VDD，并存儲電壓Vgs，其中，該電壓Vgs與從第一TFT T1傳輸?shù)碾妷汉褪┘拥诫娫淳€VDD的電壓之間的差對應(yīng)。第二TFT T2連接到電源線VDD和存儲電容器Cst，并提供輸出電流Id，其中，輸出電流Id與對應(yīng)于存儲在存儲電容器Cst中的電壓和發(fā)光元件L1的閾值電壓Vth之間的差的電壓的平方成比例。通過輸出電流Id使發(fā)光元件L1發(fā)光。輸出電流Id滿足下面的等式(1)，其中，β是比例值(scaling value)
Id＝(β/2)×(Vgs-Vth)2等式(1)將參照圖2更詳細地描述TFT T2、存儲電容器Cst和發(fā)光元件L1。
在基底110上形成緩沖層120。在緩沖層120上分別形成有源層210和第一電極215。有源層210具有源區(qū)211、漏區(qū)212以及位于源區(qū)211和漏區(qū)212之間的溝道區(qū)213。柵極絕緣層220形成在基底110的整個表面上，以覆蓋有源層210和第一電極215。柵電極230對應(yīng)于有源層210的溝道區(qū)213形成在柵極絕緣層220上。第二電極235對應(yīng)于第一電極215形成在柵極絕緣層220上。第一電極215、第二電極235以及位于第一電極215和第二電極235之間的柵極絕緣層220形成存儲電容器Cst。中間絕緣層240形成在柵極絕緣層220上，以覆蓋柵電極230和存儲電容器Cst。源電極251和漏電極252形成在中間絕緣層240上。源電極251通過第一接觸孔221和241電連接到源區(qū)211，漏電極252通過第二接觸孔222和242電連接漏區(qū)212，其中，所述第一接觸孔221和241分別設(shè)置在柵極絕緣層220和中間絕緣層240中，第二接觸孔222和242分別設(shè)置在柵極絕緣層220和中間絕緣層240中。有源層210、柵極絕緣層220、柵電極230、源電極251和漏電極252相應(yīng)地形成TFT 2。源電極251還通過設(shè)置在中間絕緣層240中的第三接觸孔243與存儲電容器Cst的第二電極235電連接。
緩沖層210優(yōu)選地為氮化硅(SiN)層，或者為氮化硅(SiN)層與氧化硅(SiO2)層堆疊的結(jié)構(gòu)。
有源層210和第一電極215由電阻為1E8Ω至1E11Ω的本征多晶硅層制成。源區(qū)211和漏區(qū)212可分別用P+雜質(zhì)進行摻雜。
與單晶硅層不同，由于存在于本征多晶硅層的界面和晶界中的很多缺陷的能級低，所以這些缺陷可作為具有低能量的自由載流子。因此，本征多晶硅層可應(yīng)用于存儲電容器Cst的第一電極215。
圖3是示出有機發(fā)光顯示器的存儲電容器的電容和比較示例的電容的曲線圖。更具體地講，圖3示出了在100KHz的高頻帶測量的根據(jù)本實施例的存儲電容器Cst的電容S1和在1MHz或更高的高頻帶測量的根據(jù)比較示例的存儲電容器的電容S2。通過圖3可以證明，本實施例的存儲電容器Cst具有反相(inverted)電容。
圖2中的柵極絕緣層220具有氮化硅(SiN)層與氧化硅(SiO2)層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。氮化硅層的厚度為大約400，氧化硅層的厚度為大約800。
柵電極230和第二電極235由相同的材料制成。例如，它們由金屬層(如MoW、Al、Cr或Al/Cr)制成。
此外，平坦化層260形成在中間絕緣層240上，以覆蓋圖2中的TFT T2。發(fā)光元件L1形成在平坦化層260上。發(fā)光元件L1具有第一電極310、有機發(fā)光層330和第二電極340按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。第一電極310通過設(shè)置在平坦化層260中的通孔261與TFT T2的漏電極252電連接。
發(fā)光元件L1的第一電極310通過像素限定層320與相鄰像素的第一電極(未示出)絕緣，并通過設(shè)置在像素限定層320中的開口321接觸有機發(fā)光層330。
第一電極310和第二電極320可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、Al、Mg-Ag、Ca、Ca/Ag、或Ba、或者它們的組合制成。
有機發(fā)光層330可由低分子有機材料或高分子有機材料制成?？蛇x擇地，有機發(fā)光層330具有空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)。
盡管在圖1中沒有示出，但是非像素區(qū)域A2中的掃描線驅(qū)動區(qū)域130和數(shù)據(jù)線驅(qū)動區(qū)域140中的每個可由多個PMOS TFT或CMOS TFT制成。
將參照圖4A至圖4C描述制造有機發(fā)光顯示器的第一方法，圖4A至圖4C是示出了制造有機發(fā)光顯示器的第一方法的過程圖。第一方法涉及有機發(fā)光顯示器僅具有PMOS TFT的情況，圖4A至圖4C示出了像素區(qū)域A1中的存儲電容器區(qū)域和PMOS TFT區(qū)域。
參照圖4A，在基底110上形成緩沖層120。緩沖層120由氮化硅(SiN)層制成，或者具有氮化硅(SiN)層與氧化硅(SiO2)層堆疊的結(jié)構(gòu)。在緩沖層120上形成電阻為1E8Ω至1E11Ω的本征多晶硅層，并將該本征多晶硅層圖案化，以形成PMOS TFT區(qū)域中的有源層210并形成存儲電容器區(qū)域中的第一電極215。
通過利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝將非晶硅層沉積在緩沖層120上，然后執(zhí)行退火工藝(如爐內(nèi)退火或準分子激光退火(ELA))，來形成本征多晶硅層。這樣，緩沖層120防止基底110的雜質(zhì)擴散到非晶硅層中。
接下來，柵極絕緣層220形成在基底110的整個表面上，以覆蓋有源層210和第一電極215。柵極絕緣層220具有氮化硅(SiN)層與氧化硅(SiO2)層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。氮化硅層的厚度為大約400，氧化硅層的厚度為大約800。
參照圖4B，將金屬層(如MoW、Al、Cr或Al/Cr)沉積在柵極絕緣層220上，并將該金屬層圖案化，以形成與有源層210的中心部分(即，溝道區(qū)域，參照圖4C)對應(yīng)的柵電極230和與第一電極215對應(yīng)的第二電極235。結(jié)果，在基底110的像素區(qū)域A1中形成存儲電容器Cst(參照圖2)。
參照圖4C，利用掩模工藝和離子植入工藝將P+雜質(zhì)摻雜到有源層210的兩側(cè)，以分別形成P+源區(qū)211和P+漏區(qū)212。
其后，通過已知的方法形成中間絕緣層240(參照圖2)、源電極251和漏電極252(參照圖2)、平坦化層260(參照圖2)、像素限定層320(參照圖2)以及發(fā)光元件L1(參照圖2)。
因此，在這種制造有機發(fā)光顯示器的方法中，由于存儲電容器Cst的第一電極215由本征多晶硅層制成，所以可以省略用于第一電極215的單獨的摻雜工藝。結(jié)果，簡化了有機發(fā)光顯示器的制造工藝。
將參照圖5A至圖5D來描述制造有機發(fā)光顯示器的第二方法，圖5A至圖5D是示出了制造有機發(fā)光顯示器的第二方法的過程圖。第二方法示出了有機發(fā)光顯示器具有CMOS TFT的情況。圖5A至圖5D示出了像素區(qū)域A1中的存儲電容器區(qū)域和PMOS TFT區(qū)域及非像素區(qū)域A2中的NMOS TFT區(qū)域。
參照圖5A，在基底110上形成緩沖層120。緩沖層120為氮化硅(SiNx)層或具有氮化硅(SiN)層與氧化硅(SiO2)層堆疊的結(jié)構(gòu)。在緩沖層120上形成電阻為1E8Ω至1E11Ω的本征多晶硅層，并將該本征多晶硅層圖案化，以分別形成PMOS TFT區(qū)域中的有源層210和NMOS TFT區(qū)域中的有源層216，并形成存儲電容器區(qū)域中的第一電極215。
通過利用PECVD工藝將非晶硅層沉積在緩沖層120上，然后執(zhí)行退火工藝(如爐內(nèi)退火或ELA)，來形成本征多晶硅層。這樣，緩沖層120防止基底110的雜質(zhì)擴散到非晶硅層中。
接下來，柵極絕緣層220形成在基底110的整個表面上，以覆蓋有源層210和216以及第一電極215。柵極絕緣層220具有氮化硅(SiNx)層與氧化硅(SiO2)層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。氮化硅層的厚度為大約400，氧化硅層的厚度為大約800。
參照圖5B，將金屬層(如MoW、Al、Cr或Al/Cr)沉積在柵極絕緣層220上，并將該金屬層圖案化，以分別形成與有源層210和216的中心部分(即，溝道區(qū)域，參照圖5C)對應(yīng)的柵電極230和236以及與第一電極215對應(yīng)的第二電極235。結(jié)果，在基底110的像素區(qū)域A1中形成存儲電容器Cst(參照圖2)。
參照圖5C，利用掩模工藝和離子植入工藝將N+雜質(zhì)摻雜到NMOS TFT區(qū)域中的有源層216的兩側(cè)，以分別形成N+源區(qū)217a和N+漏區(qū)217b。
參照圖5D，利用掩模工藝和離子植入工藝將P+雜質(zhì)摻雜到PMOS TFT區(qū)域中的有源層210的兩側(cè)，以分別形成P+源區(qū)211和P+漏區(qū)212。然后分別在NMOS TFT區(qū)域中的N+源區(qū)217a內(nèi)形成LDD區(qū)域218a和在NMOS TFT區(qū)域中的N+漏區(qū)217b內(nèi)形成LDD區(qū)域218b。
在這種方法中，盡管在分別形成N+源區(qū)217a和N+漏區(qū)217b后分別形成P+源區(qū)211和P+漏區(qū)212，但是也可以在分別形成P+源區(qū)211和P+漏區(qū)212后分別形成N+源區(qū)217a和N+漏區(qū)217b。
其后，通過已知的方法形成中間絕緣層240(參照圖2)、源電極251和漏電極252(參照圖2)、平坦化層260(參照圖2)、像素限定層320(參照圖2)以及發(fā)光元件L1(參照圖2)。
因此，在這種制造有機發(fā)光顯示器的方法中，由于存儲電容器Cst的第一電極215由本征多晶硅層制成，所以可以省略用于第一電極215的單獨的摻雜工藝。因此，盡管有機發(fā)光顯示器包括CMOS TFT，但是可以在形成柵電極230和236之后執(zhí)行N+雜質(zhì)的摻雜工藝。結(jié)果，控制該工藝，使得不會發(fā)生N+雜質(zhì)的不必要擴散，從而防止劣化TFT的性能和可靠性。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對這些實施例進行改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示器，包括基底；薄膜晶體管，形成在所述基底的一部分上，所述薄膜晶體管具有有源層、柵電極以及置于所述有源層和所述柵電極之間的柵極絕緣層；存儲電容器，形成在所述基底的另一部分上，所述存儲電容器具有形成在與形成所述有源層的表面相同的表面上的第一電極、形成在與形成所述柵電極的表面相同的表面上的第二電極以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的柵極絕緣層；其中，所述有源層和所述第一電極由本征多晶硅層制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述本征多晶硅層的電阻在1E8Ω至1E11Ω的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述有源層和所述第一電極分別形成在所述柵電極和所述第二電極的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，還包括形成在所述薄膜晶體管上方的發(fā)光元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述發(fā)光元件包括按順序堆疊的第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述柵極絕緣層包含按順序堆疊的氮化硅層和氧化硅層。
7.一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，包括的步驟有提供基底，其中，在所述基底上限定了用于PMOS薄膜晶體管的第一區(qū)域和用于存儲電容器的第二區(qū)域；在所述基底上形成本征多晶硅層；將所述本征多晶硅層圖案化，以形成所述第一區(qū)域中的有源層并形成所述第二區(qū)域中的第一電極；在所述基底的整個表面上形成柵極絕緣層，以覆蓋所述有源層和所述第一電極；在所述柵極絕緣層上分別對應(yīng)于所述有源層和所述第一電極形成柵電極和第二電極；在所述有源層的兩側(cè)形成P+雜質(zhì)區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述本征多晶硅層的電阻在1E8Ω至1E11Ω的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述本征多晶硅層的步驟包括利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝來沉積非晶硅層并執(zhí)行退火工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過爐內(nèi)退火和準分子激光退火之一來執(zhí)行所述退火工藝。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述柵極絕緣層的步驟包括按順序堆疊氮化硅層和氧化硅層。
12.一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，包括的步驟有提供基底，其中，在所述基底上限定了用于第一導(dǎo)電類型的第一MOS薄膜晶體管的第一區(qū)域、用于第二導(dǎo)電類型的第二MOS薄膜晶體管的第二區(qū)域和用于存儲電容器的第三區(qū)域，其中，所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反；在所述基底的整個表面上形成本征多晶硅層；將所述本征多晶硅層圖案化，以分別形成所述第一區(qū)域中的第一有源層和所述第二區(qū)域中的第二有源層，并形成第三區(qū)域中的第一電極；在所述基底的整個表面上形成柵極絕緣層，以覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層以及所述第一電極；在所述柵極絕緣層上分別對應(yīng)于所述第一有源層和所述第二有源層形成第一柵電極和第二柵電極，并在所述柵極絕緣層上對應(yīng)于所述第一電極形成第二電極；在所述第一有源層的兩側(cè)形成第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)域；在所述第二有源層的兩側(cè)形成第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述本征多晶硅層的電阻在1E8Ω至1E11Ω的范圍內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成所述本征多晶硅層的步驟包括利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝來沉積非晶硅層并執(zhí)行退火工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，通過爐內(nèi)退火和準分子激光退火之一來執(zhí)行所述退火工藝。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述柵極絕緣層的步驟包括按順序堆疊氮化硅層和氧化硅層。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，當所述第一導(dǎo)電類型是N型時，所述第二導(dǎo)電類型是P型，當所述第一導(dǎo)電類型是P型時，所述第二導(dǎo)電類型是N型。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示器，在該有機發(fā)光顯示器中，簡化了形成存儲電容器的工藝，防止了TFT的性能和可靠性的劣化。有機發(fā)光顯示器包括基底；薄膜晶體管，形成在基底的一部分上，該薄膜晶體管具有有源層、柵電極以及置于有源層和柵電極之間的柵極絕緣層；存儲電容器，形成在基底的另一部分上。該存儲電容器具有形成在與形成有源層的表面相同的表面上的第一電極、形成在與形成柵電極的表面相同的表面上的第二電極以及位于第一電極和第二電極之間的柵極絕緣層。有源層和第一電極由本征多晶硅層制成。
文檔編號H01L21/82GK101083261SQ20071000198
公開日2007年12月5日 申請日期2007年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月2日
發(fā)明者黃義勛, 崔雄植 申請人:三星Sdi株式會社