專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別是涉及能夠簡(jiǎn)單且廉價(jià)地制造、能夠以低功耗進(jìn)行通信的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
伴隨著電子設(shè)備的普及，提出了以低成本實(shí)現(xiàn)層疊了多芯片模塊(MCM)的多芯片封裝、或者系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)的層疊技術(shù)、芯片間布線(xiàn)技術(shù)等。
圖1示出了現(xiàn)有多芯片模塊的結(jié)構(gòu)的例子。在該多芯片模塊中，組合了硅中介層1和硅中介層21。在硅中介層1的表面2上通過(guò)凸塊4安裝有芯片5。同樣地，在硅中介層21的表面22上，通過(guò)凸塊24安裝了芯片25。而且，在硅中介層1的表面2和背面3之間形成有貫通孔6，在硅中介層21的表面22和背面23之間形成有貫通孔26。并且，貫通孔6和貫通孔26通過(guò)凸塊7相互連接。通過(guò)形成在硅中介層1上的圖案、硅中介層1的貫通孔6、凸塊7、硅中介層21的貫通孔26、以及硅中介層21上的圖案，進(jìn)行硅中介層1上的芯片5和硅中介層21上的芯片25之間的通信。
然而，為了形成貫通孔，不僅需要開(kāi)發(fā)新的工序，而且需要在硅中介層的背面形成電極，還存在難以形成微小的貫通孔等的問(wèn)題。
因此，已知例如圖2的A所示，利用靜電電容耦合進(jìn)行通信的技術(shù)(例如非專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。在圖2的A的例子中，在硅中介層1的表面2(安裝有芯片5的面)上形成電極41，同樣在硅中介層21的表面22(安裝有芯片25的面)上形成電極51，使電極41和電極51相對(duì)地配置硅中介層1的表面2和硅中介層21的表面22。硅中介層1的表面2上的芯片5、以及硅中介層21的表面22上的芯片25，分別通過(guò)利用了電極41和電極51的靜電感應(yīng)的通信路徑進(jìn)行通信。
非專(zhuān)利文獻(xiàn)1“日経エレクトロニクス”2005年10月10日發(fā)行，p.92-99發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，如果如圖2的A所示，將電極41、51相對(duì)配置而進(jìn)行無(wú)線(xiàn)通信，則如下的方法更廉價(jià)且容易制造，即例如如圖2的B所示，在硅中介層1的表面2和硅中介層21的表面22之間配置凸塊61，通過(guò)該凸塊61進(jìn)行通信。
本發(fā)明是鑒于這種狀況而作出的發(fā)明，實(shí)現(xiàn)可簡(jiǎn)單且廉價(jià)地制造、能夠以低功耗進(jìn)行通信的半導(dǎo)體裝置。
用于解決問(wèn)題的手段本發(fā)明的側(cè)面是半導(dǎo)體裝置，其具備第1板狀部件，其是由高電阻的原材料構(gòu)成的板狀部件，在一個(gè)面上形成有電路；第2板狀部件，其是由高電阻的原材料構(gòu)成的板狀部件，在一個(gè)面上形成有電路；在上述第1板狀部件的形成有上述電路的面上配置的作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第1平板；第1通信部，其配置在上述第1板狀部件的形成有上述電路的面上，通過(guò)上述第1平板進(jìn)行通信；在上述第2板狀部件的形成有上述電路的面上配置的作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第2平板；以及第2通信部，其配置在上述第2板狀部件的形成有上述電路的面上，通過(guò)上述第2平板進(jìn)行通信，上述第1板狀部件和上述第2板狀部件配置成使各自的沒(méi)有形成上述電路的面相對(duì)。
上述第1板狀部件可具有接受電力供給的接合線(xiàn)，上述第2板狀部件可具有接受電力供給的凸塊。
上述第1板狀部件和上述第2板狀部件可以是硅中介層，其體積電阻是1kΩcm以上。
至少具備兩組由上述第1板狀部件和上述第2板狀部件構(gòu)成的組合，一個(gè)組的上述第1板狀部件和上述第2板狀部件中的一個(gè)板狀部件的形成有上述電路的面、與另一個(gè)組的上述第1板狀部件和上述第2板狀部件中的一個(gè)板狀部件的形成有上述電路的面，被配置成相互相對(duì)，可以在兩者之間設(shè)置通信用凸塊和電力供給用凸塊。
在本發(fā)明的側(cè)面中，在形成有電路的面上配置了作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第1平板的第1板狀部件、與在形成有電路的面上配置了作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第2平板的第2板狀部件，被配置成使各自的沒(méi)有形成電路的一面相對(duì)。在第1板狀部件和第2板狀部件夾在第1平板和第2平板之間的狀態(tài)下，利用第1平板和第2平板的靜電感應(yīng)，在第1板狀部件的第1通信部和第2板狀部件的第2通信部之間進(jìn)行通信。
發(fā)明的效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明的側(cè)面，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置。特別是可實(shí)現(xiàn)能夠簡(jiǎn)單且廉價(jià)地制造、能夠以低功耗進(jìn)行通信的半導(dǎo)體裝置。


圖1是表示現(xiàn)有多芯片模塊的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2是說(shuō)明現(xiàn)有硅中介層間的通信的圖。
圖3是說(shuō)明在應(yīng)用本發(fā)明的多芯片模塊中應(yīng)用的硅中介層的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖4是表示應(yīng)用本發(fā)明的多芯片模塊的截面結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖5是表示硅中介層的平面結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖6是表示通信芯片的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖7是表示通信芯片附近的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖8是表示組合了硅中介層的狀態(tài)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
圖9是說(shuō)明體積電阻率的圖。
圖10是表示通信部的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖11是說(shuō)明圖10的電路圖動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖12是表示其他通信部的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖13是說(shuō)明圖12的通信部的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖14是表示硅中介層的平面結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖15是說(shuō)明組合了硅中介層的狀態(tài)的側(cè)剖視圖。
圖16是表示硅中介層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明101硅中介層；102表面；103背面；104凸塊；105通信芯片；106、107、108芯片；201硅中介層；202表面；203背面；204凸塊；205通信芯片；206、207、208芯片；301硅中介層；302表面；303背面；304凸塊；305通信芯片；306、307芯片；401硅中介層；402表面；403背面；404凸塊；405通信芯片；406、407芯片。
具體實(shí)施例方式
以下，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，下面舉例說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成要件與說(shuō)明書(shū)或者附圖中記載的實(shí)施方式的對(duì)應(yīng)關(guān)系。本記載是為了確認(rèn)支持本發(fā)明的實(shí)施方式被記載在說(shuō)明書(shū)或者附圖中。因此，即使有雖然記載在說(shuō)明書(shū)或者附圖中，但是沒(méi)有作為與本發(fā)明的構(gòu)成要件對(duì)應(yīng)的實(shí)施方式而記載在這里的實(shí)施方式，也不意味該實(shí)施方式不與該構(gòu)成要件對(duì)應(yīng)。相反，即使實(shí)施方式作為與構(gòu)成要件對(duì)應(yīng)的部分而記載于此，也不意味該實(shí)施方式不與該構(gòu)成要件以外的構(gòu)成要件對(duì)應(yīng)。
本發(fā)明的側(cè)面是半導(dǎo)體裝置，其具備第1板狀部件(例如，圖4的硅中介層101)，其是由高電阻的原材料構(gòu)成的板狀部件，在一個(gè)面上形成有電路(例如，圖4的芯片106、107)；第2板狀部件(例如，圖4的硅中介層201)，其是由高電阻的原材料構(gòu)成的板狀部件，在一個(gè)面上形成有電路(例如，圖4的芯片206、207)；在上述第1板狀部件的形成有上述電路的面(例如，圖4的表面102)上配置的作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第1平板(例如，圖8的平板121-1)；第1通信部(例如，圖10的發(fā)送部1001-1-1)，其配置在上述第1板狀部件的形成有上述電路的面上，通過(guò)上述第1平板進(jìn)行通信；在上述第2板狀部件的形成有上述電路的面上配置的作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第2平板(例如，圖8的平板221-1)；以及第2通信部(例如，圖10的接收部2002-1-1)，其配置在上述第2板狀部件的形成有上述電路的面上，通過(guò)上述第2平板進(jìn)行通信，上述第1板狀部件和上述第2板狀部件配置成使各自的沒(méi)有形成上述電路的面(例如，圖4的背面103、203)相對(duì)。
上述第1板狀部件可具有接受電力供給的接合線(xiàn)(例如，圖4的接合線(xiàn)504)，上述第2板狀部件可具有接受電力供給的凸塊(例如，圖4的凸塊505)。
至少具備兩組(例如，圖4的硅中介層101、201的組、和硅中介層301、401的組)由上述第1板狀部件和上述第2板狀部件構(gòu)成的組合，一個(gè)組(例如，圖4的硅中介層101、201的組)的上述第1板狀部件和上述第2板狀部件中的一個(gè)板狀部件的形成有上述電路的面(例如，圖4的硅中介層201的表面202)、與另一個(gè)組(例如，圖4的硅中介層301、401的組)的上述第1板狀部件和上述第2板狀部件中的一個(gè)板狀部件的形成有上述電路的面(例如，圖4的硅中介層301的表面302)，被配置成相互相對(duì)，可以在兩者之間設(shè)置通信用凸塊和電力供給用凸塊(例如，圖4的凸塊505)。
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖3示出了裝入到應(yīng)用本發(fā)明的多芯片模塊中的作為由高電阻原材料構(gòu)成的板狀部件的硅中介層的結(jié)構(gòu)。在硅中介層101中，在其表面102上通過(guò)多個(gè)凸塊104配置有通信芯片105，并且配置有芯片106、107。通信芯片105的詳細(xì)內(nèi)容參照?qǐng)D6至圖8在后面敘述，其與其他硅中介層進(jìn)行通信。芯片106、107例如由CPU(Central Processing Unit中央處理單元)、或者存儲(chǔ)器等構(gòu)成，分別執(zhí)行與預(yù)先決定的規(guī)定功能相關(guān)的處理。在硅中介層101的表面102上，雖然未圖示，但是形成有布線(xiàn)圖案。與此相對(duì)，沒(méi)有在表面102的相反側(cè)的背面103上配置芯片。
硅中介層201也同樣，在表面202上通過(guò)多個(gè)凸塊204安裝了通信芯片205、芯片206、207。沒(méi)有在硅中介層201的背面203上安裝芯片。
在硅中介層301的表面302上，通過(guò)多個(gè)凸塊304配置有通信芯片305、芯片306、307。沒(méi)有在硅中介層301的背面303上配置芯片。
同樣地，在硅中介層401的表面402上，通過(guò)多個(gè)凸塊404安裝了通信芯片405、芯片406、407。沒(méi)有在硅中介層401的背面403上安裝芯片。
芯片206、207、306、307、406、407也與芯片106、107相同，是執(zhí)行通信以外的規(guī)定功能的芯片。
圖4示出了將硅中介層101至401組合而制造的多芯片模塊的結(jié)構(gòu)。在該多芯片模塊501中，將硅中介層101和硅中介層201設(shè)為一組，將硅中介層301和硅中介層401設(shè)為一組。
即，硅中介層101和硅中介層201被配置成使分別作為通信芯片105和通信芯片205的天線(xiàn)的平板(參照?qǐng)D6在后面敘述)分別相對(duì)、且使各自的背面103和背面203相對(duì)。同樣地，硅中介層301和硅中介層401被配置成使各個(gè)背面303和背面403相對(duì)、且使通信芯片305的平板和通信芯片405的平板分別相對(duì)。
在基板502的表面503上形成有布線(xiàn)圖案，并且根據(jù)需要還安裝了各種芯片(都沒(méi)有圖示)。另外，表面503通過(guò)接合線(xiàn)506與硅中介層301的表面302連接。硅中介層101的表面102也通過(guò)接合線(xiàn)504與基板502的表面503連接。硅中介層401的表面402通過(guò)多個(gè)凸塊404與基板502的表面503連接。另外，硅中介層301的表面302和硅中介層201的表面202通過(guò)多個(gè)凸塊505連接。
通過(guò)這樣構(gòu)成，從在基板502的表面503上形成的布線(xiàn)圖案，通過(guò)凸塊404中的規(guī)定部分向配置在硅中介層401的表面402上的通信芯片405、芯片406、407提供所需的電力。另外同樣地，通過(guò)規(guī)定的其他凸塊404，在基板502的表面503上形成的規(guī)定布線(xiàn)圖案和硅中介層401上的通信芯片405、芯片406、407之間進(jìn)行信號(hào)的交換。
從基板502的表面503的布線(xiàn)圖案通過(guò)接合線(xiàn)506向硅中介層301上的通信芯片305、芯片306、307提供所需的電力。硅中介層301上的芯片306、307通過(guò)通信芯片305和通信芯片405，與硅中介層401上的芯片406、407進(jìn)行通信。
從基板502的表面503的布線(xiàn)圖案，通過(guò)接合線(xiàn)506、硅中介層301上的布線(xiàn)圖案、規(guī)定的凸塊505、硅中介層201的表面202的布線(xiàn)圖案、規(guī)定的凸塊204，向硅中介層201上的通信芯片205、芯片206、207提供電力。芯片206、207通過(guò)規(guī)定的凸塊204、硅中介層201上的布線(xiàn)圖案、規(guī)定的凸塊505、硅中介層301上的布線(xiàn)圖案、規(guī)定的凸塊304，與硅中介層301上的芯片306、307進(jìn)行通信。
從基板502的表面503上的布線(xiàn)圖案，通過(guò)接合線(xiàn)504、硅中介層101上的布線(xiàn)圖案、規(guī)定的凸塊104，向硅中介層101的通信芯片105、芯片106、107提供所需的電力。通過(guò)通信芯片105、205進(jìn)行芯片106、107與芯片206、207之間的通信。
通過(guò)依次經(jīng)由直接相鄰的硅中介層間的通信，進(jìn)行沒(méi)有直接相鄰的硅中介層間的通信。例如，通過(guò)通信芯片105、通信芯片205、凸塊505，進(jìn)行芯片106、107和芯片306、307之間的通信。而且，通過(guò)通信芯片105、通信芯片205、凸塊505、通信芯片305、通信芯片405，進(jìn)行芯片106、107和芯片406、407之間的通信。通過(guò)通信芯片105、通信芯片205、凸塊505、通信芯片305、通信芯片405、凸塊404，進(jìn)行芯片106、107與基板502的表面503上的未圖示的芯片之間的通信。
圖5示出了硅中介層101和硅中介層201的平面結(jié)構(gòu)。硅中介層101如圖5的A所示，在芯片106的左上配置有芯片108，在芯片106的左下側(cè)配置有芯片107。在芯片106的右側(cè)區(qū)域Q中形成有通信區(qū)域111。在該通信區(qū)域111中還配置有通信芯片105-1至105-4。
同樣地，如圖5B所示在硅中介層201上，在芯片206的左下側(cè)配置有芯片207，在左上側(cè)配置有芯片208。芯片206的右側(cè)區(qū)域Q中形成有通信區(qū)域211，在通信區(qū)域211中還配置有通信芯片205-1至205-4。
雖然省略了圖示，硅中介層301、401也同樣地構(gòu)成。
圖6放大示出了通信芯片105-1至105-4的平面結(jié)構(gòu)。通信芯片105-1在其上側(cè)形成有由鋁等金屬構(gòu)成的作為天線(xiàn)的平板121-1-1、122-1-1。平板121-1-1、122-1-1成組地進(jìn)行發(fā)送或者接收的通信。同樣地，通信芯片105-1從平板121-1-1、122-1-1的右起向左，按順序還具有平板121-1-2、122-1-2至121-1-8、122-1-8。另外同樣地，在下側(cè)從右向左按順序具有平板121-1-9、122-1-9至121-1-16、122-1-16(省略一部分號(hào)碼的圖示)。
同樣地，通信芯片105-2具有平板121-2-1、122-2-1至121-2-16、122-2-16，通信芯片105-3具有平板121-3-1、122-3-1至121-3-16、122-3-16，通信芯片105-4具有平板121-4-1、122-4-1至121-4-16、122-4-16。
圖7放大示出了通信芯片105-1的剖面結(jié)構(gòu)。如該圖所示，在通信芯片105-1的圖中右側(cè)和左側(cè)，通過(guò)凸塊104配置有平板121-1、121-9。另外，通信芯片105-1通過(guò)凸塊104與硅中介層101上的焊盤(pán)(pad)131連接。該焊盤(pán)131進(jìn)一步與未圖示的布線(xiàn)圖案連接。
如圖8所示，硅中介層101的平板121-1(121-1-1至121-1-16)、與硅中介層201的平板221-1(221-1-1至221-1-16)被配置成使得所對(duì)應(yīng)的部分相對(duì)。其結(jié)果，在相對(duì)配置的平板121-1和平板221-1之間，存在由高電阻材料構(gòu)成的硅中介層101、201。硅中介層101、201由于是高電阻硅基板，因此介電常數(shù)高，由平板121-1、221-1構(gòu)成的電容器的容量與如圖2的A所示將電極41、51僅通過(guò)空氣相對(duì)配置的情況相比，能夠設(shè)為極大的值。其結(jié)果，即使將平板121-1、221-1面積設(shè)成較小，也能夠?qū)崿F(xiàn)足夠大的靜電耦合。
硅中介層101至401的體積電阻率，具體來(lái)說(shuō)設(shè)為1kΩcm以上的值。體積電阻率例如如圖9所示，當(dāng)在寬度為W、厚度為t、長(zhǎng)度為L(zhǎng)的物質(zhì)中流過(guò)電流I時(shí)，通過(guò)測(cè)定在距離為L(zhǎng)的兩端產(chǎn)生的電位差V，能夠從下式求出。
體積電阻率＝(V/I)×(W/L)×t...(1)硅原本是非導(dǎo)電部件，因此能夠通過(guò)不將雜質(zhì)摻雜到硅中，從而實(shí)現(xiàn)高電阻的硅中介層。
通信芯片105、205、305、405分別具有通信部，該通信部是由對(duì)應(yīng)于各平板的發(fā)送部和接收部中的至少一方構(gòu)成的。即，對(duì)于發(fā)送用的平板設(shè)置有發(fā)送部，對(duì)于接收用的平板設(shè)置有接收部。在所對(duì)應(yīng)的平板進(jìn)行發(fā)送和接收兩者的情況下，設(shè)置有發(fā)送部和接收部?jī)烧摺Ｍㄐ判酒?05和通信芯片205配置成分別使接收用的平板與發(fā)送用的平板相對(duì)。例如，在配置成使接收用的平板221-1-1、222-1-1與發(fā)送用的平板121-1-1、122-1-1相對(duì)的情況下，如圖10所示連接與發(fā)送用的平板121-1-1、122-1-1對(duì)應(yīng)的發(fā)送部1001-1-1、和與接收用的平板221-1-1、222-1-1對(duì)應(yīng)的接收部2002-1-1。
發(fā)送部1001-1-1由反相器1011至1014構(gòu)成。從端子IN輸入的信號(hào)通過(guò)反相器1011、1012、1013，從端子N1提供給平板121-1-1，并且通過(guò)反相器1011、1014從端子N2提供給平板122-1-1。
在接收部2002-1-1的輸入端子N3、N4上分別連接有平板221-1-1、222-1-1。輸入端子N3、N4連接在放大器2013的輸入端子上。在輸入端子N3和N4之間連接有電阻2011、2012。在電阻2011和電阻2012之間提供基準(zhǔn)電壓VREF。放大器2013的輸出，被提供給滯后比較器(Hysteresis Comparator)2014的非翻轉(zhuǎn)輸入端子、滯后比較器2016的翻轉(zhuǎn)輸入端子。在比較器2014的翻轉(zhuǎn)輸入端子上被提供基準(zhǔn)電壓VR1，在比較器2016的非翻轉(zhuǎn)輸入端子中被提供基準(zhǔn)電壓VR2。
比較器2014的輸出(節(jié)點(diǎn)N5)通過(guò)反相器2015，連接在與NAND電路2019一起構(gòu)成交叉鎖定電路(クロスラツチ回路)的NAND電路2018的一個(gè)輸入上。比較器2016的輸出(節(jié)點(diǎn)N6)，通過(guò)反相器2017連接在NAND電路2019的一個(gè)輸入上。NAND電路2018的輸出連接在NAND電路2019的另一個(gè)輸入上，NAND電路2019的輸出連接在NAND電路2018的另一個(gè)輸入上。
當(dāng)將信號(hào)(圖11的A)輸入到發(fā)送部1001-1-1的端子IN時(shí)，通過(guò)反相器1011、1012、1013在端子N1(平板121-1-1)中、以及通過(guò)反相器1011、1014在端子N2(平板122-1-1)中，分別產(chǎn)生相位相反的電壓(圖11的B的由虛線(xiàn)表示的電壓和由實(shí)線(xiàn)表示的電壓)。由于靜電感應(yīng)，在接收側(cè)的平板221-1-1、222-1-1(輸入端子N3、N4)中產(chǎn)生相位相反的電壓(圖11的C的由虛線(xiàn)表示的電壓和由實(shí)線(xiàn)表示的電壓)。放大器2013放大通過(guò)該靜電感應(yīng)提供的信號(hào)，輸出到節(jié)點(diǎn)VA(圖11的D)。
比較器2014將從放大器2013輸入的信號(hào)水平與基準(zhǔn)電壓VR1進(jìn)行比較，在大于基準(zhǔn)電壓VR1的情況下，向節(jié)點(diǎn)N5輸出正脈沖(圖11的E)。同樣地，比較器2016將從放大器2013輸出的信號(hào)水平與基準(zhǔn)電壓VR2進(jìn)行比較，在小于基準(zhǔn)電壓VR2的情況下，向節(jié)點(diǎn)N6中輸出正脈沖(圖11的F)。節(jié)點(diǎn)N5、N6的輸出分別通過(guò)反相器2015、2017翻轉(zhuǎn)，每當(dāng)輸入負(fù)脈沖時(shí)通過(guò)將輸出進(jìn)行翻轉(zhuǎn)的交叉鎖定電路進(jìn)行鎖定并輸出(圖11的G)。
以上設(shè)為通過(guò)兩組平板交換信號(hào)，但是在能夠得到足夠水平的信號(hào)的情況下，如圖12所示，也能夠通過(guò)一組平板121-1-1、221-1-1交換信號(hào)。在這種情況下，發(fā)送部1001-1-1由反相器1031、1032構(gòu)成，輸入到端子IN的信號(hào)通過(guò)反相器1031、1032提供給與端子N1連接的平板121-1-1。
接收部2002-1-1由反相器2031、2032、2033構(gòu)成，通過(guò)反相器2031、2033從端子OUT輸出來(lái)自與端子N2連接的平板221-1-1的信號(hào)。另外，反相器2031的輸出通過(guò)反相器2032被反饋到反相器2031的輸入。
當(dāng)信號(hào)(圖13的A)被輸入到發(fā)送部1001-1-1的端子IN時(shí)，通過(guò)反相器1031、1032在端子N1(平板121-1-1)中產(chǎn)生電壓(圖13的B)。由于靜電感應(yīng)，在接收側(cè)的平板221-1-1(輸入端子N2)上也產(chǎn)生電壓(圖13的C)。當(dāng)端子N2的電壓大于反相器2031的閾值Vth時(shí)，反相器2031的輸出進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，反相器2032的輸出也進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，加速反相器2031的輸入變化。反相器2031的輸出進(jìn)一步通過(guò)反相器2033進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，從端子OUT輸出(圖13的D)。
以上，通過(guò)在硅中介層101至401上分別搭載通信芯片105至405、芯片106至406、107至407，從而形成所對(duì)應(yīng)的電路，但是也可以通過(guò)直接裝在各硅中介層101至401上而形成所對(duì)應(yīng)的電路。
在圖14所示的實(shí)施方式中，通過(guò)直接裝在硅中介層101上而形成了通信電路151-1至151-4。同樣地，通過(guò)直接裝在硅中介層201上而形成了通信電路251-1至251-4。
在這種情況下，當(dāng)組合硅中介層101和硅中介層201時(shí)成為如圖15所示。在這種情況下，在硅中介層101的表面102上形成了與通信電路151-1至151-4對(duì)應(yīng)的CMOS(Cosplementary Mental-Oxide Semiconductor互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)電路161。但是即使在該情況下，也與圖8中的情況相同地形成了平板121-1。
另外，在硅中介層201上的表面202上，也形成了與通信電路251-1至251-4對(duì)應(yīng)的CMOS電路261。在該情況下，也與圖8中的情況相同，平板221-1形成在硅中介層201的表面202上。
因而，在該情況下也能夠與圖8中的情況相同地進(jìn)行通信處理。
圖16示出了硅中介層的通信區(qū)域111的內(nèi)部截面結(jié)構(gòu)的例子(圖14、圖15所示的實(shí)施方式中的CMOS結(jié)構(gòu)沒(méi)有圖示)。在P型硅襯底1511上形成有場(chǎng)氧化膜1512。在場(chǎng)氧化膜1512上形成有多晶硅-金屬硅化物(polycide)1513、和從多晶硅-金屬硅化物1513隔有規(guī)定間隔的多晶硅-金屬硅化物1514。多晶硅-金屬硅化物1513、1514間的電容用于穩(wěn)定電源。多晶硅-金屬硅化物1513通過(guò)接點(diǎn)1515連接在金屬層1516上。
通過(guò)通孔1517，連接金屬層1516和在其上隔著氧化膜1518形成的金屬層1519。通過(guò)通孔1522，連接金屬層1519和在其上隔著氧化膜1520形成的金屬層1521。在金屬層1521上形成有氧化膜1523，進(jìn)一步在其上形成有保護(hù)膜1524。在保護(hù)膜1524和氧化膜1523中形成有焊盤(pán)開(kāi)口1525。
以上，以將本發(fā)明應(yīng)用于多芯片模塊的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于其他的半導(dǎo)體裝置。
此外，本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于上述實(shí)施方式，在不超出本發(fā)明要領(lǐng)的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備第1板狀部件，其是由高電阻的原材料構(gòu)成的板狀部件，在一個(gè)面上形成有電路；第2板狀部件，其是由高電阻的原材料構(gòu)成的板狀部件，在一個(gè)面上形成有電路；在上述第1板狀部件的形成有上述電路的面上配置的作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第1平板；第1通信部，其配置在上述第1板狀部件的形成有上述電路的面上，通過(guò)上述第1平板進(jìn)行通信；在上述第2板狀部件的形成有上述電路的面上配置的作為通信用天線(xiàn)的多個(gè)第2平板；以及第2通信部，其配置在上述第2板狀部件的形成有上述電路的面上，通過(guò)上述第2平板進(jìn)行通信，上述第1板狀部件和上述第2板狀部件配置成使各自的沒(méi)有形成上述電路的面相對(duì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第1板狀部件具有接受電力供給的接合線(xiàn)，上述第2板狀部件具有接受電力供給的凸塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第1板狀部件和上述第2板狀部件是硅中介層，其體積電阻是1kΩcm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，至少具備兩組由上述第1板狀部件和上述第2板狀部件構(gòu)成的組合，一個(gè)組的上述第1板狀部件和上述第2板狀部件中的一個(gè)板狀部件的形成有上述電路的面、與另一個(gè)組的上述第1板狀部件和上述第2板狀部件中一個(gè)板狀部件的形成有上述電路的面，被配置成相互相對(duì)，在兩者之間設(shè)置有通信用凸塊和電力供給用凸塊。
全文摘要
提供一種能夠簡(jiǎn)單且廉價(jià)地制造、并能夠以低功耗進(jìn)行通信的半導(dǎo)體裝置。在硅中介層(101)的表面(102)上形成通信芯片(105)和平板(121－1)。在硅中介層(201)中也同樣地在其表面(202)上形成通信芯片(205)和平板(221－1)。將兩個(gè)硅中介層(101、201)配置成使背面(103、203)相對(duì)，通過(guò)平板(121－1、221－1)的靜電感應(yīng)在通信芯片(105、205)間進(jìn)行通信。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101017813SQ200710002849
公開(kāi)日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2007年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月8日
發(fā)明者助川俊一, 重并賢一, 工藤守 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社