專利名稱：晶片封裝體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光源模組，特別是涉及一種采用發(fā)光晶片封裝體的光 源模組。
背景技術(shù)：
近年來，利用含氮化鎵的化合物半導(dǎo)體，如氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵 (AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)等的發(fā)光二極體(light emitting diode, LED) 元件備受矚目。三族氮化物為一寬頻帶能隙的材料，其發(fā)光波長可以從紫 外光一直涵蓋至紅光，因此可說是幾乎涵蓋整個可見光的波段。此外，相 較于傳統(tǒng)燈泡，發(fā)光二極體具有絕對的優(yōu)勢，例如體積小、壽命長、低電 壓/電流驅(qū)動、不易破裂、不含水銀(沒有污染問題)以及發(fā)光效率佳(省 電)等特性，因此發(fā)光二極體在產(chǎn)業(yè)上的應(yīng)用非常廣泛。由于發(fā)光二極體的發(fā)光現(xiàn)象不屬于熱發(fā)光或放電發(fā)光，而是屬于冷性 發(fā)光，所以發(fā)光二極體裝置在散熱良好的情況下，壽命可長達(dá)十萬小時以 上，且無須暖燈時間(idling time)。此外，發(fā)光二極體裝置具有反應(yīng)速 度快(約為1(T秒)、體積小、用電省、污染低(不含水銀)、高可靠度、適 合量產(chǎn)等優(yōu)點，因此其應(yīng)用的領(lǐng)域十分廣泛。 因此，發(fā)光二極體被視為 21世紀(jì)最重要的光源。然而，由于發(fā)光二極體運作時會產(chǎn)生大量的熱能，且發(fā)光二極體的亮 度及壽命都會受到溫度的影響，因此當(dāng)發(fā)光二極體的功率增加時，散熱的 需求也就逐漸增加?，F(xiàn)有習(xí)知技術(shù)是使用復(fù)雜的散熱系統(tǒng)，然而復(fù)雜的散 熱系統(tǒng)也會造成體積過大以及成本增加等問題。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種晶片封裝體的制造方法，以簡化' 制程。此外，本發(fā)明的目的是提供一種晶片封裝體，以提高散熱效率。 本發(fā)明提出一種晶片封裝體，其包括一散熱板、多個接點、 一薄膜線 路層、 一導(dǎo)電粘著層、 一第一封膠與至少一晶片。其中，接點配置于散熱 板外側(cè)，而薄膜線路層配置于散熱板與接點上，并與散熱板電性絕緣。導(dǎo) 電粘著層配置于薄膜線路層與接點之間，且薄膜線路層經(jīng)由導(dǎo)電粘著層與 接點電性連接。晶片配置于薄膜線路層上，而晶片具有一主動表面、 一背面與多個凸塊，其中凸塊配置于主動表面上，且晶片藉由凸塊與薄膜線路 層電性連接。第一封膠至少包覆部分散熱板、導(dǎo)電粘著層、部分接點與至 少一部分薄膜線路層。在本發(fā)明的一實施例中，第一封膠更具有一第一開口，其暴露出部分 薄膜線路層，而晶片配置于第一開口所暴露的該薄膜線路層上，且晶片為發(fā)光晶片。在本發(fā)明的一實施例中，晶片封裝體更包括一底膠，其配置于晶片與 薄膜線路層之間，以包覆凸塊，且底膠暴露出背面。在本發(fā)明的一實施例中，晶片封裝體更包括一第二封膠，其配置于第 一開口內(nèi)，以包覆晶片與底膠。在本發(fā)明的一實施例中，晶片封裝體更包括一第二封膠，其配置于第 一開口內(nèi)，以包覆晶片。在本發(fā)明的一實施例中，第一封膠包覆晶片。在本發(fā)明的一實施例中，第一封膠為透明材質(zhì)。在本發(fā)明的一實施例中，晶片包括記憶體晶片。在本發(fā)明的一實施例中，導(dǎo)電粘著層的材質(zhì)包括焊料、銀膠、或異方性導(dǎo)電膠、異方性導(dǎo)電膜，或者是導(dǎo)電型B階膠。在本發(fā)明的一實施例中，薄膜線^"層包括一可撓性基板、 一圖案化金 屬層與一焊罩層，其中圖案化金屬層配置于可撓性基板上，而焊罩層配置 于圖案化金屬層上。在本發(fā)明的一實施例中，薄膜線路層具有一第二開口，其位于晶片下 方，并暴露出部分散熱板。在本發(fā)明的一實施例中，散熱板具有一凸起部，其貫穿第二開口，并 與晶片接合。在本發(fā)明的一實施例中，晶片封裝體更包括一第三封膠，其配置于接 點與散熱板之間，并位于第一封膠下方。本發(fā)明提出一種晶片封裝體的制造方法，其包括下列步驟。首先，提 供一圖案化金屬板，而圖案化金屬板具有至少一散熱部、多個接點部以及 多個凹槽，其中凹槽分隔散熱部與接點部，且散熱部位于接點部之間。在 接點部上形成一導(dǎo)電粘著層。接合圖案化金屬板與一薄膜線路層，其中薄 膜線路層經(jīng)由導(dǎo)電粘著層與接點部電性連接。在薄膜線路層上配置至少一 個晶片，而晶片具有多個凸塊，且晶片經(jīng)由凸塊與薄膜線路層電性連接。 在圖案化金屬板上形成一第一封膠，以覆蓋至少一部分薄膜線路層，并填 入凹槽內(nèi)。移除部分圖案化金屬板，以暴露出凹槽內(nèi)的第一封膠，并形成 彼此分隔的至少一散熱板以及多個接點。進(jìn)行一切割制程，以形成至少一 晶片封裝體。在本發(fā)明的一實施例中，在形成第一封膠的步驟中，第一封膠包覆該 晶片。在本發(fā)明的一實施例中，在形成第一封膠的步驟中，第一封膠具有一 第一開口，其暴露出晶片。本發(fā)明提出一種晶片封裝體的制造方法，其包括下列步驟。首先，接 合一 圖案化金屬板與 一基材，而圖案化金屬板包括至少 一散熱板與多個接 點，其中散熱板位于接點之間。在接點上形成一導(dǎo)電粘著層。接合圖案化 金屬板與一薄膜線路層，其中薄膜線路層經(jīng)由導(dǎo)電粘著層與接點電性連接。 在薄膜線路層上配置至少一個晶片，而晶片具有多個凸塊，且晶片經(jīng)由凸 塊與薄膜線路層電性連接。在圖案化金屬板上形成一第一封膠，以包覆至 少一部分薄膜線路層、部分散熱板與部分接點。移除基材。進(jìn)行一切割制 程，以形成至少一晶片封裝體。在本發(fā)明的一實施例中，在形成第一封膠的步驟中，第一封膠包覆晶片。在本發(fā)明的一實施例中，在形成第一封膠的步驟中，第一封膠具有一 第一開口，其暴露出晶片。在本發(fā)明的一實施例中，在配置晶片之后，晶片封裝體的制造方法更 包括在該第一封膠所暴露的薄膜線路層上形成一第二封膠，以包覆晶片?；谏鲜觯捎诒景l(fā)明將薄膜線路層與金屬板接合，以承載晶片，因 此本發(fā)明的晶片封裝體具有較佳的散熱效率與較長的使用壽命。此外，此 晶片封裝體具有外露的接點，以便于組裝至其他電子裝置上。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉 較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1是依照本發(fā)明的第一實施例的一種晶片封裝體的剖面圖。圖2A至圖2F是依照本發(fā)明的第一實施例的一種晶片封裝體的制造方 法的剖面示意圖。圖3A至圖3F是依照本發(fā)明的第一實施例的另一種晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。圖4是依照本發(fā)明的第二實施例的一種晶片封裝體的剖面圖。圖5A至圖5G是依照本發(fā)明的第二實施例的一種晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。圖6是依照本發(fā)明的第三實施例的 一種晶片封裝體的剖面圖。圖7A至圖7E是依照本發(fā)明的第三實施例的一種晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。圖8A至圖8E是依照本發(fā)明的第三實施例的另一種晶片封裝體的制造 方法的剖面示意圖。圖9是依照本發(fā)明的第四實施例的 一種晶片封裝體的剖面圖。圖IOA至圖10G是依照本發(fā)明的第四實施例的一種晶片封裝體的制造 方法的剖面示意圖。100、 300、 400、 500:晶片封裝體110:圖案化金屬板110a:凹槽110b:第三開口112:散熱板112a:散熱部1122:凸起部114接點114a:接點部120薄膜線路層120a:第二開口122可撓性基板124:圖案化金屬層126焊罩層130:導(dǎo)電粘著層140晶片140a:主動表面l楊:背面142:凸塊150第一封膠150a:第一開口160底膠170:反射層180第二封膠190:第三封膠210基材具體實施方式
第一實施例圖1是依照本發(fā)明的第一實施例的一種晶片封裝體的剖面圖。請參考圖1，本實施例的晶片封裝體100包括一散熱板112、多個接點114、 一薄 膜線路層120、 一導(dǎo)電粘著層130、 一第一封膠150與至少一晶片140，其中 接點114位于散熱板112的外側(cè)。此外，薄膜線路層120配置于散熱板112 與接點114上，且薄膜線路層120與散熱板112電性絕緣。舉例而言，薄膜 線路層120可以經(jīng)由一絕緣粘著層(未繪示)而固定于散熱板112上，并 與散熱板112電性絕緣。導(dǎo)電粘著層130配置于薄膜線路層120與接點114 之間，且薄膜線路層120經(jīng)由導(dǎo)電粘著層130與接點114電性連接。第一 封膠150包覆部分散熱板114、導(dǎo)電粘著層130、部分接點114與部分薄膜 線路層120，而第一封膠150具有一第一開口 150a,其暴露出部分薄膜線 路層120。晶片140配置于第一開口 150a所暴露的薄膜線路層120上，而 晶片140具有一主動表面140a、一背面140b與多個凸塊142，其中凸塊142 配置于主動表面140a上，且晶片140藉由凸塊142與薄膜線路層120電性 連接。值得注意的是，第一封膠150也可以完全包覆晶片140,其詳述如后。 請繼續(xù)參考圖1,更詳細(xì)而言,散熱板112與接點114可以是共平面，并由相同材質(zhì)所構(gòu)成。舉例而言，接點114與散熱板112的可以是銅、鋁、或 其他具有高熱傳導(dǎo)系數(shù)的金屬，因此晶片140所產(chǎn)生的熱量能夠迅速地經(jīng) 由接點114與散熱板112而傳導(dǎo)至外界。薄膜線路層120包括一可撓性基 板122、 一圖案化金屬層124與一焊罩層126,其中圖案化金屬層124配置 于可撓性基板122上，且焊罩層126配置于圖案化金屬層124上。然而，本 實施例并不限定薄膜線路層120具有單層線路，而薄膜線路層120也可以 是具有多層線路。此外，為了提高散熱效率，薄膜線路層120可以是W—第二開口 120a，其 位于晶片140下方，并暴露出部分散熱板112。另外，導(dǎo)電粘著層130的材 質(zhì)可以是焊料、銀膠、異方性導(dǎo)電膠、異方性導(dǎo)電膜、導(dǎo)電型B階膠或其 他導(dǎo)電材料，因此薄膜線路層120可以經(jīng)由導(dǎo)電粘著層130固定于接點114,并 與接點114電性連接。再者，晶片140可以是發(fā)光二極體、機(jī)發(fā)光二極體 或其他型態(tài)的發(fā)光晶片。為了提高晶片封裝體100的亮度，第一開口 150a的寬度可以是自薄膜 線路層120往遠(yuǎn)離薄膜線路層120的方向逐漸增加。此外，晶片封裝體IOO 也可以更包括一反射層]70,其配置于該第一封膠150的第一開口 150a的 內(nèi)壁上，以提高亮度。在本實施例中，第一封膠150的邊緣與接點114的 邊緣可以是切齊。另外，為了保護(hù)凸塊142與薄膜線路層120之間的電性 連接，本實施例的晶片封裝體100可以更包括一底膠160,其配置于晶片 140與薄膜線路層120之間，以包覆凸塊142，并暴露出背面140b。再者，晶 片封裝體IOO也可以更包括一第二封膠180，其配置于第一開口 150a內(nèi)，以 包覆晶片140與底膠160,且第二封膠180為透明材質(zhì)。然而，在另一實施 例中，晶片封裝體100也可以僅具有第二封膠180，便可保護(hù)凸塊142與薄 膜線路層120之間的電性連接。另外，為了提高亮度，第二封膠180也可 以摻有螢光粉。由于本實施例的晶片封裝體100將薄膜線路層120固定于散熱板112,以 取代現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)所采用的電路版，因此相較于現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)，本實施例 的晶片封裝體100具有較佳的散熱效率與較長的使用壽命。針對此種晶片 封裝體100,以下將提出兩種的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖2A至圖2F是依照本發(fā)明的第一實施例的一種晶片封裝體的制造方 法的剖面示意圖。請參考圖2A，本實施例的晶片封裝體的制造方法包括下列 步驟。首先，提供一圖案化金屬板110，而此圖案化金屬板110具有至少一 散熱部112a、多個接點部114a以及多個凹槽110a。凹槽110a分隔散熱部 112a與接點部114a，且散熱部112a位于接點部114a之間。更洋細(xì)而言,提 供一金屬板(未繪示)，然后對于此金屬板進(jìn)行半蝕刻制程(half-etching process),以形成圖案化金屬板110。請參考圖2B,在接點部114a上形成一導(dǎo)電粘著層130，而此導(dǎo)電粘著 層130的形成方式例如是網(wǎng)版印刷。然后，提供一薄膜線路層120，并接合 圖案化金屬板110與一薄膜線路層120，其中薄膜線路層120經(jīng)由導(dǎo)電粘著 層130與接點部114a電性連接。請參考圖2C,在薄膜線路層120上配置至少一個晶片140，而晶片HO 經(jīng)由凸塊142與薄膜線路層120電性連接。然后，在薄膜線路層120與晶 片140之間形成一底膠160，以包覆凸塊142。然而，在另一實施例中，也 可以不需形成底膠160。請參考圖2D，經(jīng)由一封膠制程(molding process),在圖案化金屬板 110上形成一第一封膠150，以覆蓋至少一部分薄膜線路層120,并填入凹 槽110a內(nèi)。此外，為了增加第一封膠150的反射率，在形成第一封膠150 之后，在第一封膠150的第一開口 150a的內(nèi)壁上也可以形成一反射層n0。請參考圖2E,在形成底膠160與第一封膠150之后，在第一封膠"0 所暴露的薄膜線路層120上形成一第二封膠180,以包覆晶片"0。然而，在 另一實施例中，由于未形成底膠160，因此也可以直接在第一封膠150所暴 露的薄膜線路層120上形成一第二封膠180。請參考圖2E與圖2F，移除部分圖案化金屬板110，以暴露出凹槽110a 內(nèi)的第 一封膠15 0,并形成彼此分隔的至少 一散熱板112以及多個接點114 。 更詳細(xì)而言，移除圖案化金屬板110的部分厚度，以暴露出凹槽110a內(nèi)的 第一封膠150。換言之，散熱板112與接點114將可完全被分隔，以避免散 熱板112與接點114產(chǎn)生電性短路。最后，進(jìn)行一切割制程，以形成至少一晶片封裝體100。至此大致完成 晶片封裝體100的制造流程。以下將詳細(xì)說明此晶片封裝體100的另一種 制造方法。圖3A至圖3F是依照本發(fā)明的第一實施例的另一種晶片封裝體的制造 方法的剖面示意圖。請參考圖3A,本實施例的晶片封裝體的制造方法包括 下列步驟。首先，接合一圖案化金屬板110與一基材210,而圖案化金屬板 110包括至少一散熱板112與多個接點114,其中散熱板112位于接點ll4 之間，且散熱板112與接點114為彼此分隔。更詳細(xì)而言，將一金屬板(未 繪示)固定于基材210上，然后對于金屬板進(jìn)行微影制程與蝕刻制程，以 形成圖案化金屬板IIO,其中微影制程包括曝光制程與顯影制程。此外，基 材210可以是一可移除的暫時性承載體，例如是巻帶或是其他易與圖案化 金屬板110分離的薄膜。此外，圖案化金屬板110的材質(zhì)可以是銅、鋁或其他具有高熱傳導(dǎo)系數(shù)的金屬。請參考圖3B,在接點114上形成一導(dǎo)電粘著層130。此外，形成導(dǎo)電粘著層130的方法例如是網(wǎng)版印刷。然后，提供一薄膜線路層UO，并接合圖案化金屬板110與薄膜線路層120，其中薄膜線路層120經(jīng)由導(dǎo)電粘著層 130與接點114電性連接。請參考圖3C,在薄膜線路層120上配置至少一個晶片140，且晶片140經(jīng)由凸塊142與薄膜線路層120電性連接。然后，為了保護(hù)凸塊142與薄 膜線路層120之間的電性連接，在配置晶片140之后，也可以在晶片140 與薄膜線路層120之間形成一底膠160，以包覆凸塊142。請參考圖3D,在圖案化金屬板110上形成一第一封膠150，以包覆至少 一部分薄膜線路層120、部分散熱板112與部分接點114。更詳細(xì)而言，第 一封膠150更填入散熱板112與接點114之間的間隙，以固定散熱板112 與接點114。此外，為了增加第一封膠150的反射率，在形成第一封膠150 之后，在第一封膠150的第一開口 150a的內(nèi)壁上也可以形成一反射層U0。請參考圖3E,在形成底膠160與第一封膠150之后，在第一封膠150 所暴露的薄膜線路層12〔l上形成一第二封膠180，以包覆晶片140。然而，在 另一實施例中，由于未形成底膠160，因此也可以直接在第一封膠150所暴 露的薄膜線路層120上形成一第二封膠180。請參考圖3E與圖3F,移除基材210,然后進(jìn)行一切割制程，以形成至 少一晶片封裝體IOO。至此大致完成晶片封裝體100的制造流程。值得注意 的是，移除基材210步驟可以在切割制程之前與形成第一封膠150之后的 任一步驟中執(zhí)行。第二實施例圖4是依照本發(fā)明的第二實施例的一種晶片封裝體的剖面圖。請參考 圖4,本實施例與第一實施例相似，其不同之處在于在本實施例中，晶片封 裝體300更包括一第三封膠190，其配置于接點114與散熱板112之間，并位 于第一封膠150下方。此外，接點114與散熱板112之間的第三封膠190 的直徑大于接點114與散熱板112之間的第一封膠150的直徑。然而，在 其他實施例中，接點114與散熱板112之間的第三封膠190的直徑也可以 小于或等于接點114與散熱板112之間的第一封膠150的直徑。為了增加散熱效率，散熱板112也可以具有一凸起部1122，其貫穿第 二開口 120a,并與晶片140接合。此外，在凸起部1122與晶片140之間也 可以配置一散熱膠(未繪示)。再者，此種具有凸起部1122的散熱板1U 也可以應(yīng)用于第一實施例中。以下將對于此種晶片封裝體300的制造方法 進(jìn)行詳細(xì)說明。圖5A至圖5G是依照本發(fā)明的第二實施例的一種晶片封裝體的制造方 法的剖面示意圖。請參考圖5A,本實施例的晶片封裝體的制造方法與第一 實施例相似，其不同之處在于圖案化金屬板110的散熱部112a具有一凸起部1122。此外，圖案化金屬板110的形成方式與圖2A相似。請參考圖5B，圖5B所繪示的內(nèi)容與圖2B相似，主要為形成導(dǎo)電粘著層130,以及接合薄膜線路層120與圖案化金屬板110。請參考圖5C,圖5C所繪示的內(nèi)容與圖.2C相似，主要為將晶片140配置于薄膜線路層120上，以及形成底膠160。同樣地，底膠160不并限定需形成。請參考圖5D,圖5D所繪示的內(nèi)容與圖2D相似，主要為形成第一封膠 150與反射層170。同樣地，反射層170不并限定需形成。請參考圖5E,圖5E所繪示的內(nèi)容與圖2E相似，主要為形成第二封膠 180。同樣地，第二封膠180不并限定需形成。此外，在圖2F中，移除圖 案化金屬板110的部分厚度，以暴露凹槽110a內(nèi)的第一封膠150，因此散 熱板112與接點114之間能夠電性絕緣。然而，在本實施例中，在圖案化 金屬板110內(nèi)形成多個第三開口 110b，以暴露出凹槽110a內(nèi)的第一封膠 150。此時，散熱板112與接點114之間也是電性絕緣。另外，形成第三開 口 110b的方法例如是雷射鉆孔(Laser-drilled)或半切割(Half cut)。請參考圖5F,形成一第三封膠190,以填入第三開口 110b。請參考圖5F與圖5G，最后，進(jìn)行一切割制程，以形成至少一晶片封裝 體300。至此大致完成晶片封裝體300的制造流程。第三實施例圖6是依照本發(fā)明的第三實施例的一種晶片封裝體的剖面圖。請參考 圖6，本實施例與第一實施例相似，其不同之處在于在本實施例的晶片封 裝體400中，第一封膠150完全包覆晶片140。此時，晶片140可以是發(fā)光 晶片、記憶體晶片或其他類型的晶片，其中發(fā)光晶片包括發(fā)光二極體晶片 或有機(jī)發(fā)光二極體晶片。當(dāng)晶片140為發(fā)光晶片時，第一封膠15G為透明 材質(zhì)。此外，當(dāng)晶片140為記憶體晶片或其他類型的晶片時，第一封膠150 便不限定需為透明材質(zhì)。由于此種晶片封裝體400采用散熱板112作為承載器，因此相較于現(xiàn) 有習(xí)知技術(shù)，此種晶片封裝體400具有較佳的散熱效率。此外，由于此晶 片封裝體400具有外露的接點114，因此此晶片封裝體400可以取代現(xiàn)有習(xí) 知的四方扁平無接腳(Quad Flat No-lead, QFN )封裝體。針對此種晶片 封裝體400,以下將提出兩種的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖7A至圖7E是依照本發(fā)明的第三實施例的一種晶片封裝體的制造方 法的剖面示意圖。請參考圖7A至圖7B，圖7A至圖7B所繪示的內(nèi)容與圖 2A至圖2B相似。請參考圖7C，圖7C所繪示的內(nèi)容與圖2C相似，主要為將晶片140配置于薄膜線路層120上，以及形成底膠160。同樣地，底膠160不并限定需 形成。請參考圖7D，圖7D所繪示的內(nèi)容與圖2D相似，主要不同之處在于所 形成的第一封膠150包覆晶片140，且反射層170無須形成。請參考圖7E,圖7E所繪示的內(nèi)容與圖2F相似，主要為移除部分圖案 化金屬板IIO,以暴露出凹槽110a內(nèi)的第一封膠150。此外，第二封膠180 也無須形成。然后，進(jìn)行一切割制程，以形成至少一晶片封裝體400。至此大致完成 晶片封裝體400的制造流程。以下將詳細(xì)說明此晶片封裝體100的另一種 制造方法。圖8A至圖8E是依照本發(fā)明的第三實施例的另一種晶片封裝體的制造 方法的剖面示意圖。請參考圖8A至圖8B，圖8A至圖8B所繪示的內(nèi)容與圖 3A至圖3B相似。請參考圖8C,圖8C所繪示的內(nèi)容與圖3C相似，主要為將晶片l"配 置于薄膜線路層120上，以及形成底膠160。同樣地，底膠160不并限定需 形成。請參考圖8D,圖8D所繪示的內(nèi)容與圖3D相似，主要不同之處在于所 形成的第一封膠150包覆晶片140，且反射層180無須形成。請參考圖8E，圖8E所繪示的內(nèi)容與圖3F相似，主要為移除基材210，以 暴露散熱板112與接點114之間的第一封膠150。此外，第二封膠180也無 須形成。然后，進(jìn)行一切割制程，以形成至少一晶片封裝體400。至此大致 完成晶片封裝體400的制造流程。第四實施例圖9是依照本發(fā)明的第四實施例的一種晶片封裝體的剖面圖。請參考 圖9，本實施例與第二實施例相似，其不同之處在于在本實施例的晶片封 裝體500中，第一封膠150完全包覆晶片140。此時，晶片140可以是發(fā)光 晶片、記憶體晶片或其他類型的晶片，其中發(fā)光晶片包括發(fā)光二極體晶片 或有機(jī)發(fā)光二極體晶片。當(dāng)晶片140為發(fā)光晶片時，第一封膠150為透明 材質(zhì)。此外，當(dāng)晶片140為記憶體晶片或其他類型的晶片時，第一封膠150 便不限定需為透明材質(zhì)。另外，散熱板112也不限定需具有一凸起部1122。 以下將對于此種晶片封裝體500的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖IOA至圖10G是依照本發(fā)明的第四實施例的一種晶片封裝體的制造 方法的剖面示意圖。請參考圖IOA至圖IOB，圖IOA至圖IOB所繪示的內(nèi)容 與圖5A至圖5B相似。請參考圖IOC，圖IOC所繪示的內(nèi)容與圖冗相似，主要為將晶片MO配置于薄膜線路層120上，以及形成底膠160。同樣地，底膠160不并限定 需形成。請參考圖IOD，圖IOD所繪示的內(nèi)容與圖5D相似主要不同^t在于:所形 成的第一封膠150包覆晶片140，且反射層180無須形成。請參考圖10E,圖IOE所繪示的內(nèi)容與圖5E相似，主要為移除部分圖 案化金屬板IIO，以形成第三開口 110b。此外，第二封膠180也無須形成。請參考圖IOF，圖IOF所繪示的內(nèi)容與圖5F相似，主要為在第三開口 110b內(nèi)形成第三封膠190。請參考圖IOF與圖IOG，最后，進(jìn)行一切割制程，以形成至少一晶片封 裝體500。至此大致完成晶片封裝體500的制造流程。綜上所述，本發(fā)明的晶片封裝體及其制造方法至少具有下列優(yōu)點一、 本發(fā)明將薄膜線路層與具有高熱傳導(dǎo)性的基板接合，因此晶片運 作時所產(chǎn)生的熱能藉由極短的路徑傳至外界，以提高晶片的使用壽命。二、 本發(fā)明的晶片封裝體的接點位于底部或側(cè)面，因此此晶片封裝體 可以以表面粘著技術(shù)(SMT)或插拔方式與其他電子裝置組裝。三、 由于晶片以覆晶接合方式與薄膜線路層電性連接，因此當(dāng)晶片為 發(fā)光晶片時，發(fā)光晶片所發(fā)出的光線較不易受其他構(gòu)件的干擾。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所 作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種晶片封裝體，其特征在于其包括一散熱板；多個接點，配置于該散熱板外側(cè)；一薄膜線路層，配置于該散熱板與上述接點上，且該薄膜線路層與該散熱板電性絕緣；一導(dǎo)電粘著層，配置于該薄膜線路層與上述接點之間，且該薄膜線路層經(jīng)由該導(dǎo)電粘著層與上述接點電性連接；至少一晶片，配置于該薄膜線路層上，而該晶片具有一主動表面、一背面與多個凸塊，其中上述凸塊配置于該主動表面上，且該晶片藉由上述凸塊與該薄膜線路層電性連接；以及一第一封膠，至少包覆部分該散熱板、該導(dǎo)電粘著層、部分上述接點與至少一部分該薄膜線路層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的第一封 膠更具有一第一開口，其暴露出部分該薄膜線路層，而該晶片配置于該第 一開口所暴露的該薄膜線路層上，且該晶片為發(fā)光晶片。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于其更包括一底膠，配 置于該晶片與該薄膜線路層之間，以包覆上述凸塊，且該底膠暴露出該背 面。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于其更包括一第二封 膠，配置于該第一開口內(nèi)，以包覆該晶片與該底膠。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于其更包括一第二封 膠，配置于該第一開口內(nèi)，以包覆該晶片。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的第一封 膠包覆該晶片。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的第一封 膠為透明材質(zhì)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的晶片包 括記憶體晶片。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的導(dǎo)電粘 著層的材質(zhì)包括焊料、銀膠、或異方性導(dǎo)電膠、異方性導(dǎo)電膜，或者是導(dǎo) 電型B階月交。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的薄膜 線路層包4舌一可撓性基板；一圖案化金屬層，配置于該可撓性基板上；以及 一焊罩層，配置于該圖案化金屬層上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的薄膜 線路層具有一第二開口，位于該晶片下方，并暴露出部分該散熱板。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于其中所述的散熱 板具有一凸起部，貫穿該第二開口，并與該晶片接合。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于其更包括一第三 封膠，配置于上述接點與該散熱板之間，并位于該第一封膠下方。
14、 一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于包括 提供一圖案化金屬板，而該圖案化金屬板具有至少一散熱部、多個接點部以及多個凹槽，其中上述凹槽分隔該散熱部與上述接點部，且該散熱 部位于上述接點部之間；在上述"l妄點部上形成一導(dǎo)電粘著層；接合該圖案化金屬板與一薄膜線路層，其中該薄膜線路層經(jīng)由該導(dǎo)電 粘著層與上述接點部電性連接；在該薄膜線路層上配置至少一個晶片，而該晶片具有多個凸塊，且該 晶片經(jīng)由上述凸塊與該薄膜線路層電性連接；在該圖案化金屬板上形成一第一封膠，以覆蓋至少一部分該薄膜線路 層，并填入上述凹槽內(nèi)；移除部分該圖案化金屬板，以暴露出上述凹槽內(nèi)的該第一封膠，并形 成彼此分隔的至少一散熱板以及多個接點；以及進(jìn)行一切割制程，以形成至少一晶片封裝體。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于其中 所述的第一封膠的步驟中，該第一封膠包覆該晶片。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于其中 所述的在形成該第一封膠的步驟中，該第一封膠具有一第一開口，暴露出 該晶片。
17、 —種晶片封裝體的制造方法，其特征在于其包括接合一圖案化金屬板與 一基材，而該圖案化金屬板包括至少一散熱板 與多個接點，其中該散熱板位于上述接點之間； 在上述接點上形成一導(dǎo)電粘著層；接合該圖案化金屬板與一薄膜線路層，其中該薄膜線路層經(jīng)由該導(dǎo)電 粘著層與上述接點電性連接；在該薄膜線路層上配置至少一個晶片，而該晶片具有多個凸塊，且該 晶片經(jīng)由上述凸塊與該薄膜線路層電性連接；在該圖案化金屬板上形成一第一封膠，以包覆至少一部分該薄膜線路層、部分該散熱板與部分上述接點； 移除該基材；以及進(jìn)行一切割制程，以形成至少一晶片封裝體。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于其中 所述的在形成該第一封膠的步驟中，該第一封膠包覆該晶片。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于其中 所述的上述在形成該第一封膠的步驟中，該第一封膠具有一第一開口，暴 露出該晶片。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于其更 包括在該第一封膠所暴露的該薄膜線路層上形成一第二封膠，以包覆該晶 片。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種晶片封裝體，其包括一散熱板、多個接點、一薄膜線路層、一導(dǎo)電粘著層、一第一封膠與至少一晶片。其中，接點配置于散熱板外側(cè)，而薄膜線路層配置于散熱板與接點上，并與散熱板電性絕緣。導(dǎo)電粘著層配置于薄膜線路層與接點之間，且薄膜線路層經(jīng)由導(dǎo)電粘著層與接點電性連接。晶片配置于薄膜線路層上，而晶片具有一主動表面、一背面與多個凸塊，其中凸塊配置于主動表面上，且晶片藉由凸塊與薄膜線路層電性連接。第一封膠至少包覆部分散熱板、導(dǎo)電粘著層、部分接點與至少一部分薄膜線路層。因此，此發(fā)光晶片封裝體具有較佳的散熱效率。
文檔編號H01L21/50GK101231975SQ20071000293
公開日2008年7月30日 申請日期2007年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月26日
發(fā)明者林峻瑩, 毛苡馨, 陳煜仁, 陳雅琪 申請人:南茂科技股份有限公司