專利名稱：可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體塑料封裝體元器件，尤其是涉及一種可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法。屬半導體封裝技術領域。
背景技術：
半導體塑料封裝元器件基本采用多種物質相結合的封裝體，其中的材料主要有金屬引線框、環(huán)氧樹脂、金屬絲、高分子粘合劑、金屬鍍層等。但是，不同的物質會因溫度、濕度、振動等因素的變化而容易造成在不同物質之間產(chǎn)生分層；尤其是在高溫環(huán)境中，由于不同物質的熱膨脹系數(shù)是不一樣的，所以會在水平方向或垂直方向產(chǎn)生不同程度的拉、推應力，進而在不同物質間產(chǎn)生分層(如圖6(a)、7(a)、8(a)、9(a)所示)，最終導致半導體塑料封裝元器件的功能缺陷或早期失效等問題。
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種可以可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法。
本發(fā)明的目的可以通過以下方案加以實現(xiàn)一種可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法，其特征在于在半導體塑料封裝體內，在與環(huán)氧樹脂塑封料結合的金屬引線框的表面局部鍍上金屬層，同時在與環(huán)氧樹脂塑封料結合的金屬引線框的表面制作粗糙面。局部鍍金屬可采用電鍍、沉積、蒸金、濺鍍等方式來實現(xiàn)；粗糙面可采用機械或蝕刻加工或刮除等方式來實現(xiàn)。在金屬引線框的表面通過局部鍍金屬層的方式來相對增加引線框金屬底材的表面積一方面可以減少金屬引線框與環(huán)氧樹脂間的介質；另一方面，金屬底材一般采用銅材，而金屬鍍層往往采用金、銀等，因為銅與環(huán)氧樹脂的粘合力要大大優(yōu)于金和銀，所以局部鍍金屬層的方法也間接增加了金屬引線框與環(huán)氧樹脂間的粘合力(如圖3)。同時通過在金屬引線框的表層制作粗糙面來增加與環(huán)氧樹脂間的結合面積，減少因拉力等因素造成的金屬引線框與環(huán)氧樹脂之間的滑動力(如圖4)。因此，以上兩種方案的結合使用可以使金屬引線框與環(huán)氧樹脂之間相互咬得更緊，從而起到防止或減少分層的作用。
本發(fā)明半導體塑料封裝元器件分層問題的改善，有利于提高元器件的散熱能力和抗熱應力變化能力，產(chǎn)品的密封性、功能參數(shù)以及可靠性都得到了很好的保證。


圖1為本發(fā)明的實施例示意圖。
圖2為本發(fā)明的典型完整塑封體結構示意圖。
圖3(a)、(b)為制作局部金屬層前后金屬引線框與環(huán)氧樹脂塑封料接合面的受力對比圖。
圖4(a)、(b)為制作粗糙面前后金屬引線框與環(huán)氧樹脂塑封料接合面的受力對比圖。
圖中金屬引線框1，環(huán)氧樹脂塑封料2，金屬層3，粗糙面4，金屬絲5，硅材芯片6。
具體實施例方式參見圖1，本發(fā)明可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法，它是在半導體塑料封裝體內，在與環(huán)氧樹脂塑封料2結合的金屬引線框1的表面局部鍍上金屬層3，同時在與環(huán)氧樹脂塑封料2結合的金屬引線框1的表面制作粗糙面4。
參見圖2，圖2為典型完整塑封體結構示意圖。
參見圖3、4，圖3、4為本發(fā)明改善前后金屬引線框與環(huán)氧樹脂塑封料接合面的受力對比圖。
權利要求
1.一種可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法，其特征在于在半導體塑料封裝體內，在與環(huán)氧樹脂塑封料(2)結合的金屬引線框(1)的表面局部鍍上金屬層(3)，同時在與環(huán)氧樹脂塑封料(2)結合的金屬引線框(1)的表面制作粗糙面(4)。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法，其特征在于所述的局部鍍金屬層(3)的制作是采用電鍍或沉積或蒸金或濺鍍方式來實現(xiàn)。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法，其特征在于所述的粗糙面(4)的制作是采用機械或蝕刻加工或刮除等方式來實現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種可以防止半導體塑料封裝體內元器件分層的封裝方法，屬半導體封裝技術領域。其特征在于在半導體塑料封裝體內，在與環(huán)氧樹脂塑封料(2)結合的金屬引線框(1)的表面局部鍍上金屬層(3)，同時在與環(huán)氧樹脂塑封料(2)結合的金屬引線框(1)的表面制作粗糙面(4)。所述的局部鍍金屬層(3)的制作是采用電鍍或沉積或蒸金或濺鍍方式來實現(xiàn)。粗糙面(4)的制作是采用機械或蝕刻加工或刮除等方式來實現(xiàn)。本發(fā)明半導體塑料封裝元器件分層問題的改善，有利于提高元器件的散熱能力和抗熱應力變化能力，產(chǎn)品的密封性、功能參數(shù)以及可靠性都得到了很好的保證。
文檔編號H01L23/31GK101075600SQ200710022348
公開日2007年11月21日 申請日期2007年4月29日 優(yōu)先權日2007年4月29日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮, 于燮康, 茅禮卿, 潘明東, 陶玉娟, 聞榮福, 周正偉, 李福壽 申請人:江蘇長電科技股份有限公司