專利名稱：一種晶圓生產(chǎn)工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及晶圓生產(chǎn)工藝。
背景技術：
在半導體蝕刻的制程中，通常晶圓放置在靜電吸盤上，晶圓邊緣以外的區(qū)域由聚焦環(huán)(FocusRing)遮擋。聚焦環(huán)用于防止通過轟擊等離子體產(chǎn)生的電子 分布到晶圓以外的地方。然而，在實際制程中，通常由于晶圓上電子的過度聚集而造成晶圓邊緣出 現(xiàn)電弧放電現(xiàn)象，從而導致晶圓報廢。經(jīng)過研究，晶圓邊緣上電子的過度聚集造成的原因有兩個其中之一是由 于聚焦環(huán)使用時間過長，聚焦環(huán)就會變薄，當聚焦環(huán)的厚度與晶圓基本處于同 一個平面上時，電子就會大量聚集在晶圓邊緣，造成電弧^:電。另外，由于晶圓的邊緣通常會在前面的制程中殘留很多金屬圖案，這些殘 留的金屬會感應電子，使電子聚集在晶圓的邊緣，進而產(chǎn)生電弧放電的現(xiàn)象。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓生產(chǎn)工藝，該工藝可以有效解決蝕刻制程 中產(chǎn)生的電弧放電現(xiàn)象。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種晶圓生產(chǎn)工藝，首先通過順序沉積多層 介質(zhì)以形成晶圓，然后進入蝕刻制程，其中，當晶圓每一層介質(zhì)沉積結束后都 需要清洗晶圓表面，尤其需要清洗晶圓邊緣。在進入蝕刻制程前，晶圓表面上沒有金屬附著。在蝕刻制程中，晶圓放置在靜電吸盤上，聚焦環(huán)設置在晶片的外邊緣并遮 蓋靜電吸盤，其中聚焦環(huán)高于晶圓的表面。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的晶圓在進入蝕刻制程時，晶圓的表面不會殘留任何的金屬，有效防止金屬感應電子，此外，始終保持聚焦環(huán)高于晶圓表面， 有效防止電子聚集在晶圓邊緣，進而有效防止電弧放電現(xiàn)象的產(chǎn)生。
具體實施方式
本發(fā)明的晶圓生產(chǎn)主藝首先按照順序沉積不同介質(zhì)以形成晶圓，然后進入 蝕刻制程。當每一層介質(zhì)沉積結束后都需要清洗晶圓表面，尤其需要清洗晶圓 邊緣。在蝕刻制程中，晶圓放置在靜電吸盤上，聚焦環(huán)設置在晶圓的外邊緣并遮 蓋靜電吸盤。使用的晶圓的邊緣在裝入靜電吸盤前需要保持干凈，即在前續(xù)制程中不會 在晶圓的邊緣殘留金屬，有效防止由于殘留金屬對電子的感應，造成電子集聚 在晶圓的表面，從而引起電弧放電現(xiàn)象。在電子濺射的過程中，靜電吸盤可以有助于電子均勻在晶圓的表面上分布。 此外，當聚焦環(huán)的上表面與晶圓表面處于同一平面，則需要及時更換聚焦環(huán)。權利要求
1. 一種晶圓生產(chǎn)工藝，首先通過順序沉積多層介質(zhì)以形成晶圓，然后進入蝕刻制程，其特征在于當晶圓每一層介質(zhì)沉積結束后都需要清洗晶圓表面，尤其需要清洗晶圓邊緣。
2、 如權利要求l所述的晶圓生產(chǎn)工藝，其特征在于在進入蝕刻制程前，晶圓 表面上沒有金屬附著。
3、 如權利要求1所述的晶圓生產(chǎn)工藝，其特征在于在蝕刻制程中，晶圓放置 在靜電吸盤上，聚焦環(huán)設置在晶圓的外邊緣并遮蓋靜電吸盤，其中聚焦環(huán)高于 晶圓的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶圓生產(chǎn)工藝，首先通過順序沉積多層介質(zhì)以形成晶圓，然后進入蝕刻制程，其中，當晶圓每一層介質(zhì)沉積結束后都需要清洗晶圓表面，尤其需要清洗晶圓邊緣。在進入蝕刻制程前，晶圓表面上沒有金屬附著。在蝕刻制程中，晶圓放置在靜電吸盤上，聚焦環(huán)設置在晶片的外邊緣并遮蓋靜電吸盤，其中聚焦環(huán)高于晶圓的表面。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的晶圓在進入蝕刻制程時，晶圓的表面不會殘留任何的金屬，有效防止金屬感應電子，此外，始終保持聚焦環(huán)高于晶圓表面，有效防止電子聚集在晶圓邊緣，進而有效防止電弧放電現(xiàn)象的產(chǎn)生。
文檔編號H01L21/31GK101241854SQ20071003715
公開日2008年8月13日 申請日期2007年2月6日 優(yōu)先權日2007年2月6日
發(fā)明者倪丹宏, 劉改花, 梁昆約 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司