專利名稱：一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域中的半導(dǎo)體器件的制造工藝技術(shù)，特別是一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝。

背景技術(shù)：
現(xiàn)有的功率器件在做完正面后都要將背面減薄再做背面金屬化，由于在減薄后還要將硅片做背面金屬化及退火，因此硅片的厚度就不能太薄。如果太薄，在以后的加工過程中容易造成碎片，影響整個(gè)工序的成品率。
對(duì)于目前流行的各種便攜式電子設(shè)備或儀器都正在向小型化和微型化及高可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地要求電子元器件的體積要求也越來越苛刻，體積越小越好，厚度越薄越好，而性能越可靠越好。其中半導(dǎo)體器件中的硅片目前已經(jīng)做得很薄，通常4英寸的硅片已做到150um左右、5英寸的硅片已做到180um左右、6英寸的硅片已做到220um左右，但還不能滿足某些特殊使用的要求。在科學(xué)實(shí)踐中，對(duì)于以貼片式使用的封裝硅片的厚度已有小于120um的要求，對(duì)于IGBT等一些用單晶材料來加工的器件在做完正面后也需要將硅片減薄到100um以下，這種厚度的硅片，用現(xiàn)有常規(guī)的加工方法是很難達(dá)到要求的。因此，市場迫切需要一種既能確保加工成品率的同時(shí)又能將硅片厚度進(jìn)一步減薄的加工方法。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種既能確保加工成品率的同時(shí)又能將硅片厚度進(jìn)一步減薄的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝。
本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝主要是先將二塊硅片正面互粘、固定呈一體，然后用現(xiàn)有的常規(guī)減薄加工方法對(duì)互粘呈一體的硅片視作為一塊加工處理，再對(duì)二個(gè)被加工背面分別進(jìn)行金屬化處理，最后將互粘呈一體的硅片放置于溶膠液中，經(jīng)溶膠后自然分離，得到二塊分立的超薄型硅片。
本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝流程主要如下 (1)首先對(duì)被加工的硅片進(jìn)行正面金屬化處理，再對(duì)二塊硅片已進(jìn)行過金屬化處理的正面上分別涂粘合膠； (2)將二塊硅片上已涂膠過的正面互相粘合呈一體的硅片； (3)將二塊正面粘全在一起、呈一體硅片的二個(gè)背面利用常規(guī)的加工辦法分別進(jìn)行減薄加工處理； (4)對(duì)二塊互相粘合呈一體狀態(tài)下的二個(gè)被減薄加工過的背面分別進(jìn)行金屬化處理； (5)將上述已完成加工處理的二塊互相粘合呈一體的硅片浸泡在與粘合膠相符的溶膠液中將膠溶解，二塊硅片自然分離，獲得二塊厚度相當(dāng)于原來一塊的1/2加工后厚度的薄型硅片。
此外，所述的粘合膠為可溶性粘合膠，可以用市售的光刻膠充任；所述的溶膠液為粘合膠的相應(yīng)溶解液。
基于上述構(gòu)思的本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，由于首先在二塊硅片正常切割厚度的狀態(tài)下加工并金屬化處理正面，并在互相粘合呈一體的狀態(tài)下利用常規(guī)加工方法進(jìn)行背面的減薄和金屬化處理，不僅使硅片的成品厚度可以減薄到以前的一半左右，徹底改變了以往不能加工出150um以下硅片的狀況，而且將硅片原來的分散加工處理工序提前或集中完成，免除了現(xiàn)有技術(shù)的后道加工中有可能發(fā)生廢品的狀況；二塊硅片在粘合狀態(tài)下同時(shí)進(jìn)行減薄和背面金屬化處理，極大地提高了工作效率，與現(xiàn)有技術(shù)的加工方法相比，至少可提高30％；而且基本上完全利用現(xiàn)有的技術(shù)設(shè)施和加工手段，附加投入極少。由上可見，本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝與現(xiàn)有的同類制造工藝相比，具有無可比擬的技術(shù)先進(jìn)性，極強(qiáng)的實(shí)用性和可貴的經(jīng)濟(jì)性，不僅是一種加工制造超薄型硅片的極具可操作性和行之有效的先進(jìn)工藝，而且也可以借此用于非超薄型硅片的生產(chǎn)中，以降低廢品率和進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。



圖1是本發(fā)明實(shí)施例的工藝流程框圖； 圖2是本發(fā)明實(shí)施例的制造工藝流程圖。
圖中 1.硅片 2.正面 3.背面 4.粘呈一體的硅片 5.粘合膠
具體實(shí)施例方式 下面結(jié)合附圖及典型實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
在圖1和圖2中，本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝主要是先將二塊硅片1-1和1-2正面2-1和2-2互粘、固定呈一體，然后用現(xiàn)有的常規(guī)減薄加工方法對(duì)互粘呈一體的硅片4視作為一塊加工處理，再對(duì)二個(gè)被加工背面3-1和3-2分別進(jìn)行金屬化處理，最后將互粘呈一體的硅片4放置于溶膠液中，經(jīng)溶膠后自然分離，得到二塊分立的薄型硅片1。
本發(fā)明的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝流程主要如下 (1)首先對(duì)被加工的硅片1-1和1-2進(jìn)行正面金屬化處理，再對(duì)二塊硅片1-1和1-2已進(jìn)行過金屬化處理的正面2-1和2-2上分別涂粘合膠5； (2)將二塊硅片1-1和1-2上已涂膠過的正面2-1和2-2互相粘合呈一體硅片4； (3)將二塊正面2-1和2-2粘全在一起、呈一體硅片4的二個(gè)背面3-1和3-2利用常規(guī)的加工辦法分別進(jìn)行減薄加工處理； (4)對(duì)二塊互相粘合呈一體狀態(tài)下的二個(gè)被減薄加工過的背面3-1和3-2分別進(jìn)行金屬化處理； (5)將上述已完成加工處理的二塊互相粘合呈一體硅片4浸泡在與粘合膠相符的溶膠液中將膠溶解，二塊硅片1-2和1-2自然分離，獲得二塊薄型硅片成品1。
此外，所述的粘合膠(5)由市售的光刻膠充任；所述的溶膠液為光刻膠的相應(yīng)溶解液。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，其特征在于工藝流程如下
(1)首先對(duì)被加工的硅片(1-1)和(1-2)進(jìn)行正面金屬化處理，再對(duì)二塊硅片(1-1)和(1-2)已進(jìn)行過金屬化處理的正面(2-1)和(2-2)上分別涂粘合膠(5)；
(2)將二塊硅片(1-1)和(1-2)上已涂膠過的正面(2-1)和(2-2)互相粘合呈一體硅片(4)；
(3)將二塊正面(2-1)和(2-2)粘全在一起、呈一體硅片(4)的二個(gè)背面(3-1)和(3-2)利用常規(guī)的加工辦法分別進(jìn)行減薄加工處理；
(4)對(duì)二塊互相粘合呈一體狀態(tài)下的二個(gè)被減薄加工過的背面(3-1)和(3-2)分別進(jìn)行金屬化處理；
(5)將上述已完成加工處理的二塊互相粘合呈一體硅片(4)浸泡在與粘合膠相符的溶膠液中將膠溶解，二塊硅片(1-1)和(1-2)自然分離，獲得二塊薄型硅片(1)成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，其特征在于所述的硅片(1)成品的厚度是在現(xiàn)有相同加工方法下加工的單片硅片厚度的一半。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，其特征在于所述的粘合膠(5)為可溶性粘合膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，其特征在于所述的粘合膠(5)可以用市售的光刻膠充任。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，其特征在于所述的溶膠液為粘合膠(5)的相應(yīng)溶解液。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝，先將二塊硅片正面互粘呈一體，然后用現(xiàn)有的常規(guī)減薄加工方法對(duì)互粘呈一體的硅片視作為一塊加工處理，對(duì)二個(gè)背面分別進(jìn)行金屬化處理后放置于溶膠液中，經(jīng)溶膠后自然分離，得到二塊分立的薄型硅片。由于可在二塊硅片正常切割厚度的狀態(tài)下先加工并金屬化處理正面，后在互相粘合狀態(tài)下利用常規(guī)加工方法進(jìn)行背面的減薄和金屬化處理，不僅使硅片的成品厚度可以減薄到現(xiàn)有加工方法中單塊的一半厚度，徹底改變以往不能加工出150um以下硅片的狀況，而且二塊硅片在粘合狀態(tài)下同時(shí)進(jìn)行減薄和背面金屬化處理，有利于提高工作效率和成品率，與現(xiàn)有技術(shù)的加工方法相比，至少可提高30％，且可充分利用現(xiàn)有的技術(shù)設(shè)施和加工手段，有很強(qiáng)的可操作性和實(shí)用性。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101101873SQ20071004280
公開日2008年1月9日 申請(qǐng)日期2007年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者新 王 申請(qǐng)人:上海華微科技有限公司