專利名稱：半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體的監(jiān)測結構，特別涉及半導體的金屬硅化物質(zhì)量的 監(jiān)測結構。
背景技術：
在現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路芯片中，半導體器件的高集成度導致減小導電引 線(例如柵極電極或位極)的寬度，隨著導電引線寬度的減小，它們的相應電
阻增大。例如，導電引線的寬度減小到1/N,它們的電阻增加N倍，電阻的增大 導致半導體器件的運行速度下降。
對于用作半導體器件的柵極或位線， 一般采用摻雜的多晶硅線，但是這種 摻雜的多晶硅線呈現(xiàn)30-70歐姆/平方厘米的高表面電阻以及每個觸點約為 30-70歐姆/平方厘米的高接觸電阻。
為了降低如此高的表面和接觸電阻，已經(jīng)提出 一種在兩根多晶硅線之間形 成一金屬硅化物。例如當硅化鉭或硅化鴒形成于兩根多晶硅線之間時，可以將 表面電阻降低至5歐姆/平方厘米而接觸電阻降低至3歐姆/平方厘米，所以相 應地延長了半導體的運行時間。 一般的金屬硅化物制造過程包括下列步驟先 沉積一金屬層，例如鉭或鴒，然后進行一熱制程，使先前沉積的金屬層與接觸 到的硅基底或多晶硅柵極反應成金屬硅化物。
但是上述金屬硅化物形成質(zhì)量的好壞對半導體器件的性能有決定性的影 響，比如當夾在兩根多晶硅線之間的有源區(qū)金屬硅化物形成不好時，測出的有 源電阻值就會相當大且半導體的運行速度下降，所以有必要設置一監(jiān)測結構參 監(jiān)測金屬硅化物形成的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，通過該監(jiān)測結 構通過監(jiān)測金屬硅化物的有源電阻、漏電流等從而保證半導體金屬硅化物的質(zhì)量。
為了達到所述的目的，本發(fā)明提供了一種半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構， 其中，包括位于金屬硅化物內(nèi)的復數(shù)個通孔，與通孔連接的金屬線。
在上述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構中，所述的金屬硅化物組成有源區(qū)。 在上述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構中，所述的有源區(qū)位于兩根多晶硅 線之間。
在上述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構中，所述的兩根多晶硅線之間的距 離采用最小設計原則。
在上述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構中，所述的多晶硅線和有源區(qū)有一 定的重疊。
在上述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構中，所述的有源區(qū)底部具有通孔。 在上述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構中，所述的有源區(qū)上部具有通孔。 在上述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構中，所述的金屬線具有與通孔連接 的對應通孔。
夸發(fā)明由于采用了上述的技術方案，使之與現(xiàn)有技術相比，具有以下的優(yōu)
點和積極效果可以監(jiān)測金屬硅化物的有源電阻、漏電流等，從而保證半導體
金屬硅化物的形成質(zhì)量，而且結構簡單，操作方便。


本發(fā)明的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構由以下的實施例及附圖給出。
圖1為實施例1的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構的示意圖； 圖2為實施例2的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構的示意具體實施例方式
以下將對本發(fā)明的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構作進一步的詳細描述。 在圖l中，有源區(qū)2夾在兩根多晶硅線la、 lb之間，兩根多晶硅線la、 lb 之間的距離采用最小設計原則，多晶硅線la、 lb和有源區(qū)2有一定的重疊，有 源區(qū)2由金屬硅化物組成。有源區(qū)2的兩端與金屬硅化物的監(jiān)測結構連接，也 就是有源區(qū)2利用復數(shù)個通孔化、4b、 4c、化將金屬硅化物與兩條金屬線3a、
3b連接，再將金屬線3a、 3b與外部的測試裝置(未示出)比如萬能電表連接， 通過測試裝置可測出夾在金屬線3a、 3b之間的有源電阻值。當夾在兩根多晶硅 線la、 lb之間的有源區(qū)2金屬硅化物形成不好時，測出的有源電阻值就會相當 大。
圖2中，有源區(qū)12夾在兩根多晶硅線lla、 llb之間，兩根多晶硅線lla、 llb放置在有源區(qū)12的兩邊，多晶硅線lla、 lib的邊緣到有源區(qū)12邊緣的距 離采用最小設計原則，有源區(qū)12由金屬硅化物組成。.金屬硅化物的監(jiān)測結構如 下有源區(qū)12的底部和與該底部該相鄰的上部具有復數(shù)個通孔14a、 14b、 14c、 15a、 15b、 15c,金屬線17a具有與上述復數(shù)個通孔14a、 14b、 14c、 15a、 15b、 15c相對應連4妄的通孔13a、 13b、 13c、 16a、 16b、 16c，將金屬線17a的兩端
與外部的測試裝置(未示出)監(jiān)測有源拐角區(qū)域的漏電;;危。由淺溝隔離區(qū)產(chǎn)生
的應力和兩根多晶硅線產(chǎn)生的應力對于金屬硅化物的形成具有很大的影響，尤 其在有源拐角區(qū)域，應力更加顯著，容易使金屬硅化物穿通N+注入?yún)^(qū)，產(chǎn)生短 路現(xiàn)象且產(chǎn)生漏電流。采用此監(jiān)測結構來監(jiān)測N+和P型4十底之間的漏電流， 可以監(jiān)控金屬硅化物是否穿通N+注入?yún)^(qū)。外部的測試裝置測試有源區(qū)12的任 意底部和與該底部該相鄰的上部的復數(shù)個通孔與金屬線17a、 17b對應連接的通 孔之間的電流，即可測出底部和與該底部該相鄰的上部之間的漏電;克。
采用本發(fā)明的監(jiān)測結構，可全面地監(jiān)測半導體金屬硅化物的質(zhì)量，包括有 源電阻、漏電流等，對存在質(zhì)量的半導體金屬硅化物可以淘汰或者通過修補方 法進行修補完善或者在制造工藝中進行改善以形成合格的半導體金屬硅化物。
以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實施例，并不能以此來限定本發(fā)明的 范圍。任何對本發(fā)明的監(jiān)測結構作本技術領域內(nèi)熟知的步驟的替換、組合、分 立，以及對本發(fā)明實施步驟作本技術領域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本 發(fā)明的揭露以及保護范圍。
權利要求
1、一種半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于，包括位于金屬硅化物內(nèi)的復數(shù)個通孔，與通孔連接的金屬線。
2、 如權利要求l所述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于所述 的金屬硅化物組成有源區(qū)。
3、 如權利要求2所述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于所述 的有源區(qū)位于兩根多晶硅線之間。
4、 如權利要求3所述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于所述 的兩根多晶硅線之間的距離采用最小設計原則。
5、 如權利要求3所述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于所述 的多晶硅線和有源區(qū)有一定的重疊。
6、 如權利要求2所述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于所述 的有源區(qū)底部具有通孔。
7、 如權利要求2所述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于所述 的有源區(qū)上部具有通孔。
8、 如權利要求1所述的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，其特征在于所述 的金屬線具有與通孔連接的對應通孔。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構，本發(fā)明的金屬硅化物的監(jiān)測結構包括位于金屬硅化物內(nèi)的復數(shù)個通孔，與通孔連接的金屬線。采用本發(fā)明的半導體金屬硅化物的監(jiān)測結構可以監(jiān)測半導體有源區(qū)的有源電阻、漏電流等，從而保證金屬硅化物的形成質(zhì)量。
文檔編號H01L23/544GK101350341SQ20071004405
公開日2009年1月21日 申請日期2007年7月20日 優(yōu)先權日2007年7月20日
發(fā)明者軍 何, 立 曹, 黃圣揚 申請人:上海宏力半導體制造有限公司