專利名稱：介質(zhì)層的形成方法及雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種介質(zhì)層的形成方法 及雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)的日益進(jìn)步，集成度越來越高，線寬
越做越小，為降低后段互連結(jié)構(gòu)的電阻電容延遲(RC Delay)，引入銅 雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造工藝來形成后段的互連結(jié)構(gòu)。專利號為US 7030031 B2 的美國專利公開了 一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造工藝。
圖1至圖3為所述的美國專利公開的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造工藝的各步驟 相應(yīng)的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
如圖l所示，提供半導(dǎo)體基底ll,在所述半導(dǎo)體基底ll中具有導(dǎo)電層 10，所述導(dǎo)電層10的材質(zhì)可以為銅；
在所述半導(dǎo)體基底ll上形成介質(zhì)層(又稱為覆蓋層，Cap Layer) l2 和中間介電層13，其中所述介質(zhì)層12可以是氮化硅，所述中間介電層13 為低介電常數(shù)材料；
可選的，在所述中間介質(zhì)層13上可形成覆蓋層14;
通過圖形化方法在所述中間介電層13中形成連接孔15,并在所述連 接孔15中和中間節(jié)電層13 (或覆蓋層14)上平坦化層16;
在所述平坦化層16上形成光刻膠層19,并在所述光刻膠層19中形成 溝槽圖案20;
如圖2所示，通過刻蝕將所述溝槽圖案20轉(zhuǎn)移到所述中間介電層13 中，形成溝槽24;
并去除所述光刻膠層19和平坦化層16;
如圖3所示，在所述溝槽24和連接孔15中填充金屬材料，形成互連線 25和連接插塞26。
所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法中， 一般通過化學(xué)氣相沉積的方法形 成介質(zhì)層12;在形成介質(zhì)層12時，首先用氨氣等離子體對所述導(dǎo)電層IO進(jìn)行表面預(yù)處理，去除所述導(dǎo)電層10表面的氧化物，例如若導(dǎo)電層10材
質(zhì)為銅，通過表面預(yù)處理去除氧化銅；接著在導(dǎo)電層10上和半導(dǎo)體基底 11的表面的其它部分通過沉積形成介質(zhì)層12;
然而，所述的方法形成的介質(zhì)層12后，會在導(dǎo)電層10上方相應(yīng)位置 的介質(zhì)層12表面產(chǎn)生突起缺陷，如圖4所示的突起12a，使介質(zhì)層12表面 平坦化程度降低；由于介質(zhì)層12作為連接孔15的刻蝕停止層，突起12a會 影響對形成連接孔15的刻蝕終止信號的檢測，在沒有突起的位置的造成 連接孔的刻蝕不足，易形成斷路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種介質(zhì)層的形成方法及雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，該方 法在形成介質(zhì)層時不會產(chǎn)生突起缺陷。
本發(fā)明提供的一種介質(zhì)層的形成方法，包括
提供具有金屬層的半導(dǎo)體基底；
用無氮的還原性氣體的等離子體對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理； 在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層。 可選的，所述表面預(yù)處理的步驟如下 將所述半導(dǎo)體基底置于工藝腔中；
向所述工藝腔中通入無氮的還原性氣體，該還原性氣體在激勵源的 激勵下電離，產(chǎn)生等離子體；
在等離子體和半導(dǎo)體基底之間施加偏壓，使等離子體向半導(dǎo)體基底 表面移動，轟擊所述金屬層表面。
可選的，所述激勵源為微波源或射頻源。
可選的，所述激勵源為射頻源，該射頻源的功率為500至700W。
可選的，所述還原性氣體為氫氣或一氧化碳。
可選的，所述還原性氣體為氫氣和氦氣的混合氣體。
可選的，所述混合氣體的流量為50至200sccm。
可選的，對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理的工藝和在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層的工藝可原位進(jìn)行或在不同的工藝腔中分別進(jìn)行。 可選的，所述介質(zhì)層為氮化硅或碳化硅或氮碳硅化合物。 本發(fā)明還提供一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，包括
提供具有金屬層的半導(dǎo)體基底；
用無氮的還原性氣體的等離子體對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理；
在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層上形成中間介電層；
在所述中間介電層中形成開口，其中，至少一開口底部露出所述金 屬導(dǎo)線層表面；
在所述開口中填充金屬材料。 可選的，所述表面預(yù)處理的步驟如下 將所述半導(dǎo)體基底置于工藝腔中；
向所述工藝腔中通入無氮的還原性氣體，該還原性氣體在激勵源的 激勵下電離，產(chǎn)生等離子體；
在等離子體和半導(dǎo)體基底之間施加偏壓，使等離子體向半導(dǎo)體基底 表面移動，轟擊所述金屬層表面。
可選的，所述激勵源為纟效波源或射頻源。
可選的，所述激勵源為射頻源，該射頻源的功率為500至700W。
可選的，所述還原性氣體為氫氣或一氧化碳。
可選的，所述還原性氣體為氫氣和氦氣的混合氣體。
可選的，對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理的工藝和在所述半導(dǎo)體基底
可選的，所述介質(zhì)層為氮化硅或碳化硅或氮碳硅化合物。 可選的，所述中間介電層為低介電常數(shù)材料。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點
在具有金屬層的半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層之前，用無氮的還原性氣 體對所述金屬層表面進(jìn)行預(yù)處理，避免了氮和金屬層中的材料產(chǎn)生化學(xué)
反應(yīng)，從而避免了在介質(zhì)層表面形成突起的缺陷，有助于形成表面平坦
化程度較高的介質(zhì)層；減少了或消除了對后續(xù)工藝的影響；
當(dāng)該介質(zhì)層為雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中的刻蝕停止層時，由于介質(zhì)層較為平坦 化，可消除或降低對刻蝕終點檢測的影響；
當(dāng)該介質(zhì)層作為絕緣材料時，由于較為平坦化，厚度一致性較好， 從而穩(wěn)定性也較高，有助于提高形成的產(chǎn)品的穩(wěn)定性。


圖1至3為現(xiàn)有技術(shù)中的一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造工藝的各步驟相應(yīng) 的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖4為現(xiàn)有的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造工藝在覆蓋層表面產(chǎn)生突起缺陷的 剖面示意圖5為本發(fā)明的介質(zhì)層的制造方法的實施例的流程構(gòu)的剖面示意圖9至圖14為本發(fā)明的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟相應(yīng)的結(jié) 構(gòu)的剖面示意圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。 在金屬層(例如銅)上形成介質(zhì)層時，需要先去除金屬層表面的氧 化層，現(xiàn)有的一種方法中采用氨氣等離子體預(yù)處理的方法來去除所述氧 化層，所述氨氣等離子體中的氫與氧化銅發(fā)生還原反應(yīng)，將氧化銅還原 為銅，而氨氣中的氮氣卻沿著銅的晶粒間隙滲入到銅金屬層中，并和銅 發(fā)生反應(yīng)生成銅和氮的化合物，該化合物在沉積介質(zhì)層時的高溫的作用 下，會沿銅晶粒間隙向外生長，并延伸至導(dǎo)電層表面之上的介質(zhì)層中， 使得介質(zhì)層表面形成突起的缺陷。
本發(fā)明提供一種形成介質(zhì)層的方法。
圖5為本發(fā)明的介質(zhì)層的形成方法的實施例的流程圖。
如圖5所示，步驟S100,提供具有金屬層的半導(dǎo)體基底；
如圖6所示的剖面示意圖，提供半導(dǎo)體基底100,在所述半導(dǎo)體基 底100中具有半導(dǎo)體器件(未示出)，例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管； 在所述半導(dǎo)體基底100中還具有金屬層102,所述金屬層102表面被露 出；所述金屬層102的材質(zhì)為銅。
如圖5所示，步驟S110,用還原性氣體的等離子體對所述金屬層進(jìn) 行表面預(yù)處理；
由于金屬層102暴露在空氣中，會在表面生成氧化物，例如氧化銅； 在該半導(dǎo)體基底IOO上形成介質(zhì)層之前，需要先將該金屬層102表面的 氧化銅去除；
在其中的一個實施例中，將所述半導(dǎo)體基底IOO置于工藝腔中；向 所述工藝腔中通入無氮的還原性氣體，該還原性氣體在激勵源的激勵下 電離，產(chǎn)生等離子體；在等離子體和半導(dǎo)體基底IOO之間施加偏壓，使 等離子體向半導(dǎo)體基底IOO表面移動，并轟擊所述金屬層102表面，如 圖7所示的剖面示意圖中的等離子體a;
所述還原性氣體的等離子體與所述金屬層102表面的氧化物發(fā)生還 原反應(yīng)，將所述氧化物還原為銅；
所述激勵源可以為微波源或射頻源；
所述還原性氣體為氬氣或一氧化碳或氬氣和氦氣的混合氣體； 在其中的一個實施例中，所述激勵源為射頻源，所述射頻源的功率 為500至700W;所述還原性氣體為氫氣和氦氣的混合氣體，其中，氫 氣的體積百分比為5%,氦氣的體積百分比為95%,該混合氣體的流量 為50至200sccm;等離子體預(yù)處理的時間為30至60s;
通過氳氣和氦氣的混合氣體的等離子體的表面預(yù)處理，去除了金屬 層102表面的氧化物，此外，由于產(chǎn)生所述等離子體的氣體無氮氣，消 除了產(chǎn)生突起缺陷的根源，因而不會在后續(xù)沉積介質(zhì)層后產(chǎn)生突起缺 陷；
此外，所述等離子體也會轟擊所述半導(dǎo)體基底IOO的其它區(qū)域的表 面，可去除半導(dǎo)體基底IOO表面的污染物，并增強(qiáng)后續(xù)形成的介質(zhì)層和
半導(dǎo)體基底100表面的粘附性。
如圖5所示的流程圖，步驟S120,在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)
層；
如圖8所示的剖面示意圖，在所述半導(dǎo)體基底100上沉積介質(zhì)層
104;
所述介質(zhì)層104可以是碳化硅、氧化硅、氮化硅、碳氮氧化合物 (SiOC)、氮碳^法化合物(NDC)中的一種或其組合；沉積所述介質(zhì)層 104的方法為物理氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積、高密度等離 子體化學(xué)氣相沉積、原子層沉積中的一種；
沉積所述介質(zhì)層104的反應(yīng)氣體包括三甲基曱硅烷基(TMS)、氨 氣、硅烷、TEOS、臭氧、二氯二氫硅、氧化二氮、氮氣、氧氣中的一 種或其組合；
以所述介質(zhì)層104為氮碳硅化合物(NDC )為例，當(dāng)所述半導(dǎo)體基 底100完成等離子體表面預(yù)處理后，將半導(dǎo)體基底100置于沉積工藝腔 中，向工藝腔中通入生成NDC的反應(yīng)氣體，例如氨氣和TMS，同時調(diào) 節(jié)射頻源能量和腔室溫度，使得反應(yīng)氣體的化學(xué)鍵打破并重新組合成 NDC,附著在半導(dǎo)體基底100表面；
所述TMS的流量可以為300至400sccm，所述氨氣的流量可以為 600至800sccm，反應(yīng)室溫度可以為100至1000°C ，壓力為2至8托， 在其中的一個實施例中，溫度為350°C，壓力為3.7托，射頻源功率為 400至1500W,反應(yīng)時間約為10至30秒；
其中，對所述金屬層102進(jìn)行表面預(yù)處理的工藝和在所述半導(dǎo)體基 底IOO上沉積介質(zhì)層104的工藝可以在不同的工藝腔中分別進(jìn)行，也可 以在同 一工藝腔中原位進(jìn)行。
在具有金屬層102的半導(dǎo)體基底100上沉積介質(zhì)層104之前，用無 氮還原性氣體的等離子體對所述金屬層102表面進(jìn)行預(yù)處理，避免了氮 和金屬層102中的金屬材料(例如銅)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而避免了在介 質(zhì)層104表面形成突起的缺陷，有助于形成表面平坦化程度較高的介質(zhì) 層104;減少了或消除了對后續(xù)工藝的影響； 例如，當(dāng)該介質(zhì)層104為刻蝕停止層時，由于介質(zhì)層104較為平坦 化，可降低對刻蝕終點檢測的影響；當(dāng)該介質(zhì)層作為絕緣材料時，由于 較為平坦化，厚度一致性較好，從而穩(wěn)定性也較高，有助于提高形成的 產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
本發(fā)明還提供一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法。
圖9至圖14為本發(fā)明的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法的實施例的各步驟 相應(yīng)的結(jié)構(gòu)的剖面示意如圖9所示，提供半導(dǎo)體基底200,在所述半導(dǎo)體基底200中具有 半導(dǎo)體器件(未示出)，例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；在所述半導(dǎo)體 基底200中還具有銅金屬層202,所述銅金屬層202表面被露出。
由于銅金屬層202暴露在空氣中，會由于自然氧化在表面生成氧化 銅；在該半導(dǎo)體基底200上形成介質(zhì)層之前，需要先將該銅金屬層202 表面的氧化銅去除；
在其中的一個實施例中，將半導(dǎo)體基底200置于工藝腔中；向所述 工藝腔中通入無氮的還原性氣體，該還原性氣體在激勵源的激勵下電 離，產(chǎn)生等離子體；在等離子體和半導(dǎo)體基底200之間施加偏壓，使等 離子體向半導(dǎo)體基底200表面移動，并轟擊所述銅金屬層202表面，如 圖10所示的剖面示意圖中所示的等離子體a;
所述還原性氣體的等離子體與所述銅金屬層202表面的氧化物發(fā)生 還原反應(yīng)，將所述氧化物還原為銅；
所述激勵源可以為微波源或射頻源；
所述還原性氣體為氬氣或一氧化碳或氫氣和氦氣的混合氣體； 在其中的一個實施例中，所述激勵源為射頻源，所述射頻源的功率 為500至700W;所述還原性氣體為氫氣和氦氣的混合氣體，其中，氫 氣的體積百分比為5%,氦氣的體積百分比為95%,該混合氣體的流量 為50至200sccm;等離子體預(yù)處理的時間為30至60s;
通過氫氣和氦氣的混合氣體的等離子體的表面預(yù)處理，去除銅金屬 層202表面的氧化物，此外，由于產(chǎn)生所述等離子體的氣體無氮氣，消
除了產(chǎn)生突起缺陷的根源，因而不會在后續(xù)沉積介質(zhì)層后產(chǎn)生突起缺
陷；
此外，所述等離子體也會轟擊所述半導(dǎo)體基底200表面的其它區(qū)域， 可去除半導(dǎo)體基底200表面的污染物，并增強(qiáng)后續(xù)形成的介質(zhì)層和半導(dǎo) 體基底200表面的粘附性。
如圖ll所示的剖面示意圖，在所述半導(dǎo)體基底200上沉積介質(zhì)層 204;該介質(zhì)層204作為后續(xù)形成連接孔的刻蝕停止層；介質(zhì)層204的 厚度為300至800A;
所述介質(zhì)層204可以是碳化硅、氧化硅、氮化硅、碳氮氧化合物 (SiOC)、氮碳硅化合物(NDC)中的一種或其組合；沉積所述介質(zhì)層 204的方法為物理氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積、高密度等離 子體化學(xué)氣相沉積、原子層沉積中的一種；
沉積所述介質(zhì)層204的反應(yīng)氣體包括三甲基曱硅烷基(TMS)、氨 氣、硅烷、TEOS、臭氧、二氯二氫硅、氧化二氮、氮氣、氧氣中的一 種或其組合；
以所述介質(zhì)層204為氮碳硅化合物(NDC )為例，當(dāng)所述半導(dǎo)體基 底200完成等離子體表面預(yù)處理后，將半導(dǎo)體基底200置于沉積工藝腔 中，向工藝腔中通入生成NDC的反應(yīng)氣體，例如氨氣和TMS,同時調(diào) 節(jié)射頻源能量和腔室溫度，使得反應(yīng)氣體的化學(xué)鍵打破并重新組合，形 成NDC,并附著在半導(dǎo)體基底200表面；
所述TMS的流量可以為300至400sccm,所述氨氣的可以流量為 600至800sccm,反應(yīng)室溫度可以為100至IOO(TC,壓力為2至8托； 在其中的一個實施例中，溫度為350°C，壓力為3.7托，射頻源功率為 400至1500W,反應(yīng)時間約為10至30秒；
其中，對所述金屬層202進(jìn)行表面預(yù)處理的工藝和在所述半導(dǎo)體基 底200上沉積介質(zhì)層204的工藝可以在不同的工藝腔中分別進(jìn)行，也可 以在同一工藝腔中原位進(jìn)行。
在具有金屬層202的半導(dǎo)體基底200上沉積介質(zhì)層204之前，用無 氮還原性氣體的等離子體對所述銅金屬層202表面進(jìn)行預(yù)處理，避免了
氮和銅金屬層202中的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而避免了在介質(zhì)層204表面 形成突起的缺陷，有助于形成表面平坦化程度較高的介質(zhì)層204;減少 了或消除了后續(xù)工藝中刻蝕開口時對刻蝕終點檢測的影響；
如圖12所示，在所述介質(zhì)層204上形成中間介電層206,所述中間 介電層206為低介電常數(shù)材料，例如為黑鉆石(BlackDiamond)、氟硅 玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃中的一種或其組合。形成中間 介電層206的方法為物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積。
如圖13所示，在所述中間介電層206中形成連接孔210和溝槽208, 其中，所述連接孔210的底部露出所述金屬層202的表面；
如圖14所示，在所述連接孔210和溝槽208中填充金屬材料，例 如銅，形成銅互連線208a和連4妄插塞210a。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，包括提供具有金屬層的半導(dǎo)體基底；用無氮的還原性氣體的等離子體對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理；在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層。
2、 如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)層的形成方法，其特征在于，所述表 面預(yù)處理的步驟如下將所述半導(dǎo)體基底置于工藝腔中；向所述工藝腔中通入無氮的還原性氣體，該還原性氣體在激勵源的 激勵下電離，產(chǎn)生等離子體；在等離子體和半導(dǎo)體基底之間施加偏壓，使等離子體向半導(dǎo)體基底 表面移動，轟擊所述金屬層表面。
3、 如權(quán)利要求2所述的介質(zhì)層的形成方法，其特征在于所述激 勵源為#1波源或射頻源。
4、 如權(quán)利要求2所述的介質(zhì)層的形成方法，其特征在于所述激 勵源為射頻源，該射頻源的功率為500至700W。
5、 如權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的介質(zhì)層的形成方法，其 特征在于所述還原性氣體為氫氣或一氧化碳。
6、 如權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的介質(zhì)層的形成方法，其 特征在于所述還原性氣體為氫氣和氦氣的混合氣體。
7、 如權(quán)利要求6所述的介質(zhì)層的形成方法，其特征在于所述混 合氣體的流量為50至200sccm。
8、 如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)層的形成方法，其特征在于對所述 金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理的工藝和在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層的工 藝可原位進(jìn)行或在不同的工藝腔中分別進(jìn)行。
9、 如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)層的形成方法，其特征在于所述介 質(zhì)層為氮化硅或碳化硅或氮碳硅化合物。
10、 一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 提供具有金屬層的半導(dǎo)體基底； 用無氮的還原性氣體的等離子體對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理；在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層上形成中間介電層；在所述中間介電層中形成開口，其中，至少一開口底部露出所述金 屬導(dǎo)線層表面；在所述開口中填充金屬材料。
11、 如權(quán)利要求10所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于， 所述表面預(yù)處理的步驟如下將所述半導(dǎo)體基底置于工藝腔中；向所述工藝腔中通入無氮的還原性氣體，該還原性氣體在激勵源的 激勵下電離，產(chǎn)生等離子體；在等離子體和半導(dǎo)體基底之間施加偏壓，使等離子體向半導(dǎo)體基底 表面移動，轟擊所述金屬層表面。
12、 如權(quán)利要求11所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述激勵源為^b皮源或射頻源。
13、 如權(quán)利要求11所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述激勵源為射頻源，該射頻源的功率為500至700W。
14、 如權(quán)利要求10至13任一權(quán)利要求所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方 法，其特征在于所述還原性氣體為氫氣或一氧化碳。
15、 如權(quán)利要求10至13任一權(quán)利要求所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方 法，其特征在于所述還原性氣體為氫氣和氦氣的混合氣體。
16、 如權(quán)利要求10所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理的工藝和在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì) 層的工藝可原位進(jìn)行或在不同的工藝腔中分別進(jìn)行。
17、 如權(quán)利要求10所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述介質(zhì)層為氮化硅或碳化硅或氮碳硅化合物。
18、 如權(quán)利要求10所述的雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述中間介電層為低介電常數(shù)材料。
全文摘要
一種介質(zhì)層的形成方法，包括提供具有金屬層的半導(dǎo)體基底；用無氮的還原性氣體的等離子體對所述金屬層進(jìn)行表面預(yù)處理；在所述半導(dǎo)體基底上沉積介質(zhì)層。本發(fā)明還提供一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明在形成介質(zhì)層時不會產(chǎn)生突起的缺陷，形成的介質(zhì)層表面較為平坦。
文檔編號H01L21/70GK101355033SQ20071004435
公開日2009年1月28日 申請日期2007年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月27日
發(fā)明者聶佳相 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司