專利名稱：改善絕緣介電層缺陷及形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作方法，尤其涉及在銅互連工藝中改善絕緣 介電層缺陷及形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)的發(fā)展，集成電路中所含器件的 數(shù)量不斷增加，器件的尺寸也因集成度的提升而不斷地縮小，線的寬度也越 來越窄，因此對于良好線路連接的需求也越來越大。
半導(dǎo)體技術(shù)向小線寬技術(shù)節(jié)點邁進的同時，后段的互連技術(shù)選用銅和低
介電常數(shù)(Low k)材料作為減小0.13pm及其以下技術(shù)節(jié)點的互連電阻電容 (RC)延遲的關(guān)鍵解決方法，由于銅具有易擴散、難刻蝕等特點，引入了雙 鑲嵌工藝(Dual Damascene )。因此，相應(yīng)的開發(fā)與雙鑲嵌工藝兼容的介質(zhì)材 料，如絕緣介電層材料就成為迫切需要。
現(xiàn)有銅互連雙鑲嵌工藝 一般用低介電常數(shù)的氟硅玻璃(FSG)作為絕緣介 電層材料。如圖1所示，首先，在半導(dǎo)體襯底100上形成金屬互連層102,金屬 互連層102的材料為銅；在金屬互連層102上形成蝕刻停止層104,材料為氮化 硅；接著，用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積法在蝕刻停止層104上形成絕緣介 電層106,所述絕緣介電層106的材料為氟硅玻璃等低介電常數(shù)材料；在絕緣 介電層106形成防反射層108,所述防反射層108的材料為氮氧化硅等；用旋涂 法在防反射層108上形成第一光阻層110,經(jīng)過曝光顯影工藝，在第一光阻層 llO上形成接觸孔圖案lll。
如圖2所示，將第一光阻層110作為蝕刻掩^f莫，沿接觸孔圖案lll蝕刻防反
射層108和絕緣介電層106至露出蝕刻停止層104，形成接觸孔112;灰化法去 除第一光阻層110及防反射層108。
如圖3所示，在絕緣介電層106上沉積犧牲層114，并將犧牲層114填滿接 觸孔112;使犧牲層114表面變平坦之后，用旋涂法在犧牲層114上形成第二光 阻層116，經(jīng)過曝光顯影工藝，在第二光阻層116上形成溝槽圖案117。
如圖4所示，將第二光阻層116作為蝕刻掩才莫，沿溝槽圖案117蝕刻犧牲層 114和絕緣介電層106,形成溝槽118,與接觸孔112連通；用有#幾剝離液去除 第二光阻層116和犧牲層114。
如圖5所示，然后，在溝槽118與接觸孔112內(nèi)填充滿導(dǎo)電物質(zhì)，形成雙鑲 嵌導(dǎo)電插塞120，通過蝕刻停止層104與金屬互連層102導(dǎo)通。
在如下中國專利02106882.8還可以發(fā)現(xiàn)更多與上述技術(shù)方案相關(guān)的信息， 在銅互連雙鑲嵌工藝一般用低介電常數(shù)的氟硅玻璃(FSG)作為絕緣介電層材料。
在現(xiàn)有銅互連雙鑲嵌工藝的制作絕緣介電層過程中，由于人為或機臺失 控原因會造成絕緣介電層表面產(chǎn)生缺陷，即絕緣介電層表面產(chǎn)生顆?；蚪^緣 介電層厚度超出客戶給定的目標值范圍，進而導(dǎo)致晶圓報廢的后果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種改善絕緣介電層缺陷及形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的 方法，減少絕緣介電層表面產(chǎn)生缺陷而造成晶圓報廢。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種改善絕緣介電層缺陷的方法，包括下 列步驟提供帶有缺陷的第一絕緣介電層的半導(dǎo)體襯底；通過去除部分厚度 或全部厚度的第一絕緣介電層去除缺陷，使第一絕緣介電層的剩余厚度小于
目標厚度；研磨第一絕緣介電層；沉積第二絕緣介電層，使第二絕緣介電層 與研磨后的第一絕緣介電層的厚度之和達到目標厚度。
可選的，去除第一絕緣介電層的缺陷的方法為過蝕刻。所述過蝕刻包括 在控片上沉積一層控片絕緣介電層，材料與第一絕緣介電層一致；對控片絕 緣介電層進行蝕刻至露出控片；將控片絕緣介電層的厚度除以蝕刻時間，得 出蝕刻速率；釆用相同蝕刻方法蝕刻第一絕緣介電層，其中，蝕刻第一絕緣 介電層時間大于第一絕緣介電層初始厚度與目標厚度的厚度差除以蝕刻速 率，小于等于第一絕緣介電層初始厚度除以蝕刻速率。所述過蝕刻是干法蝕 刻法。
可選的，所述研磨第一絕緣介電層的方法為化學(xué)機械研磨法。沉積第二 絕緣介電層的方法為化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積。
可選的，所述第一絕緣介電層和第二絕緣介電層的材料為氟硅玻璃。 本發(fā)明提供一種形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，包括下列步驟在半導(dǎo)體襯底 上依次形成金屬互連層、蝕刻停止層和第一絕緣介電層，所述第一絕緣介電 層帶有缺陷；通過去除部分厚度或全部厚度的第一絕緣介電層去除缺陷，使 第一絕緣介電層的剩余厚度小于目標厚度；研磨第一絕緣介電層；沉積第二 絕緣介電層，使第二絕緣介電層與研磨后的第 一絕緣介電層的厚度之和達到 目標厚度；在第一絕緣介電層和第二絕緣介電層中形成接觸孔和溝槽，所述 接觸孔與蝕刻停止層連通，溝槽與接觸孔連通；在溝槽與接觸孔內(nèi)填充滿導(dǎo) 電物質(zhì)。
可選的，去除第一絕緣介電層的缺陷的方法為過蝕刻。所述過蝕刻包括 在控片上沉積一層控片絕緣介電層，材料與第一絕緣介電層一致；對控片絕 緣介電層進行蝕刻至露出控片；將控片絕緣介電層的厚度除以蝕刻時間，得 出蝕刻速率；采用相同蝕刻方法蝕刻第一絕緣介電層，其中，蝕刻第一絕緣 介電層時間大于第一絕緣介電層初始厚度與目標厚度的厚度差除以蝕刻速 率，小于等于第一絕緣介電層初始厚度除以蝕刻速率。所述過蝕刻是干法蝕 刻法。
可選的，所述研磨第一絕緣介電層的方法為化學(xué)機械研磨法。沉積第二 絕緣介電層的方法為化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積。
可選的，所述第 一絕緣介電層和第二絕緣介電層的材料為氟硅玻璃。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，以上方案具有以下優(yōu)點去除第一絕緣介電層的缺陷， 第一絕緣介電層的厚度大于等于零小于目標厚度；研磨第一絕緣介電層；沉 積第二絕緣介電層，與研磨后的第一絕緣介電層組合達到目標厚度。使最終 形成的絕緣介電層表面平整度好且表面缺陷少，厚度保證在目標厚度范圍內(nèi)， 使晶圓的成品率提高。


圖1至圖5是現(xiàn)有形成銅互連雙鑲嵌結(jié)構(gòu)工藝的示意圖； 圖6是本發(fā)明改善絕緣介電層缺陷工藝的實施方式流程圖； 圖7是本發(fā)明形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)工藝的實施方式流程圖； 圖8至圖ll是本發(fā)明改善絕緣介電層缺陷工藝的第一實施方式示意圖； 圖12至圖14是本發(fā)明改善絕緣介電層缺陷工藝的第二實施方式示意圖； 圖15至圖20本發(fā)明形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)工藝的實施方式示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明去除第一絕緣介電層的缺陷，第一絕緣介電層的厚度大于等于零
小于目標厚度；研磨第一絕緣介電層；沉積第二絕緣介電層，與研磨后的第
一絕緣介電層組合達到目標厚度。使最終形成的絕緣介電層表面平整度好且 表面缺陷少，厚度保證在目標厚度范圍內(nèi)，使晶圓的成品率提高。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。
圖6是本發(fā)明改善絕緣介電層缺陷工藝的實施方式流程圖。如圖6所示， 執(zhí)行步驟S101,提供帶有缺陷的第一絕緣介電層的半導(dǎo)體襯底；執(zhí)行步驟S102，通過去除部分厚度或全部厚度的第一絕緣介電層去除缺陷，使第一絕 緣介電層的剩余厚度小于目標厚度；執(zhí)行步驟S103，研磨第一絕緣介電層； 執(zhí)行步驟S104，沉積第二絕緣介電層，使第二絕緣介電層與研磨后的第一絕 緣介電層的厚度之和達到目標厚度。
圖7是本發(fā)明形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)工藝的實施方式流程圖。如圖7所示，執(zhí) 行步驟S201,在半導(dǎo)體襯底上依次形成金屬互連層、蝕刻停止層和第一絕緣 介電層，所述第一絕緣介電層帶有缺陷；執(zhí)行步驟S202,通過去除部分厚度 或全部厚度的第一絕緣介電層去除缺陷，使第一絕緣介電層的剩余厚度小于 目標厚度；執(zhí)行步驟S203，研磨第一絕緣介電層；執(zhí)行步驟S204，沉積第二 絕緣介電層，使第二絕緣介電層與研磨后的第 一絕緣介電層的厚度之和達到 目標厚度；執(zhí)行步驟S205,在第一絕緣介電層和第二絕緣介電層中形成接觸 孔和溝槽，所述接觸孔與蝕刻停止層連通，溝槽與接觸孔連通；執(zhí)行步驟S206, 在溝槽與接觸孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電物質(zhì)。
圖8至圖ll是本發(fā)明改善絕緣介電層缺陷工藝的第一實施方法示意圖。 如圖8所示，用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底200上形成 金屬互連層202，金屬互連層202的材料為銅或鋁等；用化學(xué)氣相沉積法在金 屬互連層202上形成蝕刻停止層204，材料為氮化硅；接著，用物理氣相沉積 或化學(xué)氣相沉積法在蝕刻停止層204上形成第一絕緣介電層206,所述第一絕 緣介電層206的材料為氟硅玻璃等低介電常數(shù)材料，第一絕緣介電層206的 實際厚度H超過目標厚度h;用測厚儀測量第 一絕緣介電層206的實際厚度H， 將第一絕緣介電層206的實際厚度H減去第一絕緣介電層的目標厚度h，得 到第 一絕緣介電層206的多余厚度H-h。
如圖9所示，用干法蝕刻法對第一絕緣介電層206進行蝕刻至目標厚度 范圍內(nèi)。
本實施例中，干法蝕刻第一絕緣介電層206的步驟包括在控片上沉積一層控片絕緣介電層，材料與半導(dǎo)體襯底200上的第一絕緣介電層206 —致。 然后，將帶有控片絕緣介電層的控片放入蝕刻機臺內(nèi)，用干法蝕刻法對控片 絕緣介電層進行蝕刻至露出控片，將控片絕緣介電層的厚度除以蝕刻時間， 得出蝕刻機臺的蝕刻速率。接著，將控片從蝕刻機臺中取出，將帶有第一絕 緣介電層206的半導(dǎo)體襯底200放入蝕刻機臺內(nèi)，將第一絕緣介電層206的 多余厚度H-h除以蝕刻機臺的蝕刻速率，得出蝕刻第一絕緣介電層206的多 余厚度H-h所需蝕刻時間，在蝕刻時間內(nèi)對第一絕緣介電層206進行蝕刻至 目標厚度h。
干法蝕刻采用的氣體為氧氣。
如圖10所示，對第一絕緣介電層206進行過蝕刻，為后續(xù)沉積第二絕緣 介電層作準備，使第二絕緣介電層的表面缺陷少；然后，再對第一絕緣介電 層206進行化學(xué)機械研磨，使第一絕緣介電層206邊緣與中間厚度一致，平 整度好。對第一絕緣介電層206進行過蝕刻及化學(xué)機械研磨后，第一絕緣介 電層206的厚度大于等于零小于目標厚度h。
本實施例中，過蝕刻的方法為干法蝕刻法，所用氣體是氧氣。
所述過蝕刻第一絕緣介電層206與圖9所述用干法蝕刻法對第一絕緣介 電層206進行蝕刻在同一機臺中進行，同屬一個工藝步驟。
如圖11所示，用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積方法在第一絕緣介電層206 上沉積第二絕緣介電層207，使第一絕緣介電層206與第二絕緣介電層207的 共同厚度達到目標厚度h。
所述第一絕緣介電層206與第二絕緣介電層207的材料一樣，本實施例 中為氟硅玻璃等低介電常數(shù)材料。
圖12至圖14是本發(fā)明改善絕緣介電層缺陷工藝的第二實施方式示意圖。
金屬互連層302，金屬互連層302的材料為銅；用化學(xué)氣相沉積法在金屬互連
層302上形成蝕刻停止層304，材料為氮化硅；接著，用物理氣相沉積或化學(xué) 氣相沉積法在蝕刻停止層304上形成目標厚度的第一絕緣介電層306,所述第 一絕緣介電層306的材料為氟硅玻璃等低介電常數(shù)材料，所述第一絕緣介電 層306上帶有缺陷顆粒307。
如圖13所示，用干法蝕刻法對第一絕緣介電層306進行蝕刻，去除第一 絕緣介電層306上的缺陷顆粒307;對第一絕緣介電層306進行過蝕刻，為后 續(xù)沉積第二絕緣介電層作準備，使第二絕緣介電層的表面缺陷少；然后，再 對第一絕緣介電層306進行化學(xué)機械研磨，使第一絕緣介電層306邊緣與中 間厚度一致，平整度好。對第一絕緣介電層306進行蝕刻、過蝕刻及化學(xué)機 械研磨后，第一絕緣介電層306的厚度大于等于零小于目標厚度h。
所述過蝕刻第一絕緣介電層306與所述用干法蝕刻法對第一絕緣介電層 306進行蝕刻在同一機臺中進行，同屬一個工藝步驟。
如圖14所示，用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積方法在第一絕緣介電層306 上沉積第二絕緣介電層308，使第一絕緣介電層306與第二絕緣介電層308的 共同厚度達到目標厚度h。
圖15至圖20本發(fā)明形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的實施例示意圖。首先如圖15所示， 用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底400上形成的金屬互連層 402,金屬互連層402的材料為銅；用化學(xué)氣相沉積法在金屬互連層402上形 成蝕刻停止層404,材料為氮化硅；接著，用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積法 在蝕刻停止層404上形成第一絕緣介電層406,所述第一絕緣介電層406的材 料為氟硅玻璃等低介電常數(shù)材料。
其中，如果第一絕緣介電層406的實際厚度比目標厚度厚，先用干法蝕 刻法對第 一絕緣介電層406進行蝕刻至目標厚度范圍內(nèi)；然后，對第 一絕緣 介電層406進行過蝕刻，為后續(xù)沉積第二絕緣介電層作準備，使第二絕緣介 電層的表面缺陷少；然后，再對第一絕緣介電層406進行化學(xué)機械研磨，使
第一絕緣介電層406邊緣與中間厚度一致，平整度好。對第一絕緣介電層406 進行過蝕刻及化學(xué)機械研磨后，第一絕緣介電層406的厚度小于目標厚度； 用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積方法在第一絕緣介電層406上沉積第二絕緣 介電層408,使第一絕緣介電層406與第二絕緣介電層408的共同厚度達到目 標厚度h。
如果第一絕緣介電層406的實際厚度等于目標厚度，但是第一絕緣介電 層406上帶有缺陷顆粒；先用干法蝕刻法對第一絕緣介電層406進行蝕刻， 去除缺陷顆粒；對第一絕緣介電層406進行過蝕刻，為后續(xù)沉積第二絕緣介 電層作準備，使第二絕緣介電層的表面缺陷少；然后，再對第一絕緣介電層 406進行化學(xué)機械研磨，使第一絕緣介電層406邊緣與中間厚度一致，平整度 好；對第一絕緣介電層406進行蝕刻、過蝕刻及化學(xué)機械研磨后，第一絕緣 介電層406的厚度大于等于零小于目標厚度；用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉 積方法在第一絕緣介電層406上沉積第二絕緣介電層408,使第一絕緣介電層 406與第二絕緣介電層408的共同厚度達到目標厚度h。
如圖16所示，用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法在第二絕緣介電層408 形成防反射層409,所述防反射層409的材料氮氧化硅等；用旋涂法在防反射 層409上形成第一光阻層410，經(jīng)過曝光顯影工藝，在第一光阻層410上形成 接觸孔圖案411。
如圖17所示，將第一光阻層410作為蝕刻掩模，沿接觸孔圖案411用干法 蝕刻法蝕刻方法蝕刻防反射層409、第二絕緣介電層408和第一絕緣介電層406 至露出蝕刻停止層404,形成接觸孔412;灰化法去除第一光阻層410及防反射 層409。
如圖18所示，在第二絕緣介電層408上沉積犧牲層414，并將犧牲層414填 滿接觸孔412,所述犧牲層414的材料為底部防反射涂層材料；使犧牲層414表 面變平坦之后，用4t涂法在犧牲層414上形成第二光阻層416,經(jīng)過曝光顯影工藝，在第二光阻層416上形成溝槽圖案417。
如圖19所示，將第二光阻層416作為蝕刻掩^t,沿溝槽圖案417用干法蝕 刻法蝕刻方法蝕刻犧牲層414、第二絕緣介電層408和第一絕緣介電層406，形 成溝槽418，與接觸孔412連通；用有機剝離液去除第二光阻層416和犧牲層 414。
所述有機剝離液可以是CLK888等。
如圖20所示，然后，在溝槽418與接觸孔412內(nèi)填充滿導(dǎo)電物質(zhì)，形成雙 鑲嵌導(dǎo)電插塞420,通過蝕刻停止層404與金屬互連層402導(dǎo)通。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和 修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種改善絕緣介電層缺陷的方法，其特征在于，包括下列步驟提供帶有缺陷的第一絕緣介電層的半導(dǎo)體襯底；通過去除部分厚度或全部厚度的第一絕緣介電層去除缺陷，使第一絕緣介電層的剩余厚度小于目標厚度；研磨第一絕緣介電層；沉積第二絕緣介電層，使第二絕緣介電層與研磨后的第一絕緣介電層的厚度之和達到目標厚度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述改善絕緣介電層缺陷的方法，其特征在于去除第一 絕緣介電層的缺陷的方法為過蝕刻。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述改善絕緣介電層缺陷的方法，其特征在于所述過蝕 刻包括在控片上沉積一層控片絕緣介電層，材料與第一絕緣介電層一致； 對控片絕緣介電層進行蝕刻至露出控片； 將控片絕緣介電層的厚度除以蝕刻時間，得出蝕刻速率； 采用相同蝕刻方法蝕刻第一絕緣介電層，其中，蝕刻第一絕緣介電層時間大于第一絕緣介電層初始厚度與目標厚度的厚度差除以蝕刻速率，小于等于第一絕緣介電層初始厚度除以蝕刻速率。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述改善絕緣介電層缺陷的方法，其特征在于所述過蝕 刻是干法蝕刻法。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述改善絕緣介電層缺陷的方法，其特征在于所述研磨 第 一 絕緣介電層的方法為化學(xué)機械研磨法。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述改善絕緣介電層缺陷的方法，其特征在于沉積第二 絕緣介電層的方法為化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述改善絕緣介電層缺陷的方法，其特征在于 所述第一絕緣介電層和第二絕緣介電層的材料為氟硅玻璃。
8. —種形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括下列步驟 在半導(dǎo)體村底上依次形成金屬互連層、蝕刻停止層和第一絕緣介電層，所述第一絕緣介電層帶有缺陷；通過去除部分厚度或全部厚度的第一絕緣介電層去除缺陷，使第一絕緣介電層的剩余厚度小于目標厚度；研磨第一絕緣介電層；沉積第二絕緣介電層，使第二絕緣介電層與研磨后的第一絕緣介電層的厚 度之和達到目標厚度。在第一絕緣介電層和第二絕緣介電層中形成接觸孔和溝槽，所述接觸孔與 蝕刻停止層連通，溝槽與接觸孔連通； 在溝槽與接觸孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電物質(zhì)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于去除第一絕緣 介電層的缺陷的方法為過蝕刻。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述過蝕刻包 括在控片上沉積一層控片絕緣介電層，材料與第一絕緣介電層一致；對控片絕緣介電層進行蝕刻至露出控片；將控片絕緣介電層的厚度除以蝕刻時間，得出蝕刻速率；采用相同蝕刻方法蝕刻第一絕緣介電層，其中，蝕刻第一絕緣介電層時間大于第一絕緣介電層初始厚度與目標厚度的厚度差除以蝕刻速率，小于等于第一絕緣介電層初始厚度除以蝕刻速率。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述過蝕刻是 干法蝕刻法。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述研磨第一絕緣介電層的方法為化學(xué)機械研磨法。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于沉積第二絕緣 介電層的方法為化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8至13任一項所述形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所 述第一緣介電層和第二絕緣介電層的材料為氟硅玻璃。
全文摘要
一種改善絕緣介電層缺陷的方法，包括下列步驟提供帶有缺陷的第一絕緣介電層的半導(dǎo)體襯底；通過去除部分厚度或全部厚度的第一絕緣介電層去除缺陷，使第一絕緣介電層的剩余厚度小于目標厚度；研磨第一絕緣介電層；沉積第二絕緣介電層，使第二絕緣介電層與研磨后的第一絕緣介電層的厚度之和達到目標厚度。本發(fā)明還提供一種形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法。使最終形成的絕緣介電層表面平整度好且表面缺陷少，厚度保證是目標厚度，使晶圓的成品率提高。
文檔編號H01L21/768GK101369535SQ20071004501
公開日2009年2月18日 申請日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日
發(fā)明者張文鋒, 亮 徐, 曹涯路, 李芬芳, 闕鳳森 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司