專利名稱：一種可提高良品率的閃存制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及閃存制作技術，尤其涉及一種可提高良品率的閃存制作方法。
背景技術：
在硅襯底上制作閃存通常包括以下步驟(a )在硅襯底上制作溝槽隔離結 構以定義出有源區(qū)；(b)在該有源區(qū)上制作隧道氧化層；(c)在該隧道氧化 層上制作浮柵；(d )進行離子注入以形成源極和漏極；(e )在該浮柵上制作 層間絕緣層；(f )在該層間絕緣層上制作控制柵；其中步驟(a)又詳細包括 以下步驟(al)制作淺溝槽隔離溝槽；(a2 )進行溝槽頂角圓滑；(a3)進 行溝槽填充；(a4)進行溫度為1100攝氏度，時間為120分鐘的熱處理；(a5 ) 進行化學機械拋光。
但是在對通過上述工藝步驟加工完成的閃存器件進行檢測時，發(fā)現一些閃 存特別是晶圓邊緣的閃存因漏電流過大而不合格，再通過物理失效分析 (physical failure analysis;簡稱PFA )發(fā)現該不合格的閃存的有源區(qū)存在 大量位錯，位錯通常是因為晶格滑移釋放出應力而形成的，晶格滑移易在上述 步驟(a4)的高溫長時熱處理時發(fā)生。
因此，如何提供一種可提高良品率的閃存制作方法以提高閃存的良品率， 已成為業(yè)界亟待解決的技術問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種可提高良品率的閃存制作方法，通過所述閃存 制作方法可大大提高閃存的良品率。
本發(fā)明的目的是這樣實現的 一種可提高良品率的閃存制作方法，該閃存 制作在硅襯底上，該方法包括以下步驟(1)在硅襯底上制作溝槽隔離結構以 定義出有源區(qū)；(2)在該有源區(qū)上制作隧道氧化層；(2)在該隧道氧化層上 制作浮柵；(3 )進行離子注入以形成源極和漏極；(4 )在該浮柵上制作層間 絕緣層；(5)在該層間絕緣層上制作控制柵；其中，該步驟(l)包括以下步 驟(10)制作隔離溝槽；(11)進行溝槽頂角圓滑；(12)進行溝槽填充； (13)進行化學機械拋光。
在上述的可提高良品率的閃存制作方法中，在步驟(l)中，該溝槽隔離結 構為淺溝槽隔離結構。
在上述的可提高良品率的閃存制作方法中，在步驟(IO)中，該隔離溝槽 為淺溝槽隔離溝槽。 .
在上述的可提高良品率的閃存制作方法中，該步驟(IO)包括光刻和刻蝕 步驟。
在上述的可提高良品率的閃存制作方法中，在步驟(12)中通過高密度等 離子體化學氣相沉積來進行溝道填充。
在上述的可提高良品率的閃存制作方法中，該浮柵和該控制柵均為多晶硅。
在上述的可提高良品率的閃存制作方法中，該層間絕緣層從下至上依次包 括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。
與現有技術中完成溝槽填充后還進行高溫長時熱處理相比，本發(fā)明的可提 高良品率的閃存制作方法將該高溫熱處理步驟去除，從而可避免有源區(qū).因高溫 熱處理而產生位錯，如此可大大提高閃存的良品率。


本發(fā)明的可提高良品率的閃存制作方法由以下的實施例及附圖給出。 圖1為本發(fā)明的可提高良品率的閃存制作方法的流程圖。
具體實施例方式
以下將對本發(fā)明的可提高良品率的閃存制作方法作進一步的詳細描述。 本發(fā)明的可提高良品率的閃存制作在硅襯底上，參見圖1,本發(fā)明的可提高 良品率的閃存制作方法首先進行步驟SIO,制作隔離溝槽以定義出有源區(qū)。在本 實施例中，所述溝槽隔離結構為淺溝槽隔離結構，所述隔離溝槽為淺溝槽隔離 溝槽，其制作過程包括光刻和刻蝕兩步驟。
接著進行步驟Sll,進行溝槽頂角圓滑。 接著進行步驟S12，進行溝槽填充。在本實施例中，通過高密度等離子體
(HDP )化學氣相淀積來進行溝道填充。
接著進行步驟S13，進行化學機械拋光。在本實施例中，通過化學機械拋光 以形成淺溝槽隔離結構。
接著進行步驟S14,在所述有源區(qū)上制作隧道氧化層。
接著進行步驟S15，在所述隧道氧化層上制作浮柵。在本實施例中，所述浮 柵為多晶硅。
接著進行步驟S16，進行離子注入以形成源極和漏極。
接著進行步驟S17,在所述浮柵上制作層間絕緣層。在本實施例中，所述層 間絕緣層從下至上依次包括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。
接著進行步驟S18,在所述層間絕緣層上制作控制柵。在本實施例中，所述 控制柵為多晶硅。
試驗數據證明，采用本發(fā)明的閃存制作方法可將閃存的良品率比現有技術 提高到4至8個百分點。
綜上所述，本發(fā)明的可提高良品率的閃存制作方法將所述高溫熱處理步驟 去除，從而可避免有源區(qū)因高溫熱處理而產生位錯，如此可大大提高閃存的良
品率o
權利要求
1、一種可提高良品率的閃存制作方法，該閃存制作在硅襯底上，該方法包括以下步驟:(1)在硅襯底上制作溝槽隔離結構以定義出有源區(qū)；(2)在該有源區(qū)上制作隧道氧化層；(2)在該隧道氧化層上制作浮柵；(3)進行離子注入以形成源極和漏極；(4)在該浮柵上制作層間絕緣層；(5)在該層間絕緣層上制作控制柵；其特征在于，該步驟(1)包括以下步驟:(10)制作隔離溝槽；(11)進行溝槽頂角圓滑；(12)進行溝槽填充；(13)進行化學機械拋光。
2、 如權利要求1所述的可提高良品率的閃存制作方法，其特征在于，在步 驟(1)中，該溝槽隔離結構為淺溝槽隔離結構。 -
3、 如權利要求1所述的可提高良品率的閃存制作方法，其特征在于，在步 驟(IO)中，該隔離溝槽為淺溝槽隔離溝槽。
4、 如權利要求1所述的可提高良品率的閃存制作方法，其特征在于，該步 驟(10)包括光刻和刻蝕步驟。
5、 如權利要求1所述的可提高良品率的閃存制作方法，其特征在于，在步 驟(12)中通過高密度等離子體化學氣相沉積來進行溝道填充。
6、 如權利要求1所述的可提高良品率的閃存制作方法，其特征在于，該浮 柵和該控制柵均為多晶硅。
7、 如權利要求1所述的可提高良品率的閃存制作方法，其特征在于，該層 間絕緣層從下至上依次包括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可提高良品率的閃存制作方法，其制作在硅襯底上。現有技術中在制作溝槽隔離結構時具有高溫熱處理步驟而在有源區(qū)產生大量位錯致使閃存良品率較低。本發(fā)明的可提高良品率的閃存制作方法首先在硅襯底上制作隔離溝槽以定義出有源區(qū)；然后進行溝槽頂角圓滑；之后進行溝槽填充并進行化學機械拋光；接著在該有源區(qū)上制作隧道氧化層和浮柵；然后進行離子注入以形成源極和漏極；最后在該浮柵上制作層間絕緣層和控制柵。采用本發(fā)明的閃存制作方法可大大提高閃存產品的良品率。
文檔編號H01L21/762GK101378038SQ20071004548
公開日2009年3月4日 申請日期2007年8月31日 優(yōu)先權日2007年8月31日
發(fā)明者張艷紅, 芳 王 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司