專利名稱：遠(yuǎn)傳水表用低功耗磁敏元件及制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種遠(yuǎn)傳水表用低功耗》茲敏元件及制作工藝。
背景技術(shù)：
用于遠(yuǎn)傳水表的磁敏元件要求產(chǎn)品具有低功耗的性能，但由于目 前市場(chǎng)上的-茲敏元件電阻小，工作電流大，無(wú)法解決低功耗的難題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述的缺陷，提供一種遠(yuǎn)傳水表用低功耗 ;茲，敏元件及制作工藝。
本發(fā)明的技術(shù)方案是 一種遠(yuǎn)傳水表用低功耗磁敏元件及，其特 征在于有相互垂直布置的兩組合金絲，每組合金絲平行排列，合金 絲蒸鍍于非導(dǎo)電體材料襯底上，磷硅玻璃通過(guò)沉積將合金絲固定于襯 底上。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)提高阻值，降低工作電流和功耗，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn) 傳水表磁敏元件低功耗要求，延長(zhǎng)遠(yuǎn)傳水表使用壽命。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例 一種遠(yuǎn)傳水表用低功耗磁敏元件，以二氧化硅片為襯底 1，合金絲2通過(guò)真空鍍膜法蒸鍍?cè)谝r底1上，合金絲2兩組組成， 兩組相互垂直布置在襯底上，每組合金絲相互平行排列，磷硅玻璃3 通過(guò)沉積法將合金絲2包裹于襯底1上，制造工藝是合金絲材料為 Fe 5%、 Ni 75%、 Co 20%;將配制好的鐵鎳鈷合金和襯底片進(jìn)行化 學(xué)處理后，用高純水沖洗后烘干待用，將清洗烘干后的合金在H2中， 600°C ~ 70(TC下恒溫30-40分鐘處理后待用，將合金通高真鍍蒸鍍?cè)?絕緣襯底上，形成合金薄膜，將蒸鍍合金薄膜的片子，在真空中680 。C下升溫10分鐘，恒溫10分鐘，降溫10分鐘，將合金薄膜用正性 光刻膠刻蝕，，沉積磷硅玻璃，用正性光刻膠刻性引線孔，用高真空 鍍膜蒸锃，將蒸完輕的片子在真空中，在580。C下升溫10分鐘，恒 溫10分鐘，降溫10分鐘，刻蝕鋁電極，劃小片，粘片，超聲鍵合內(nèi) 引線，涂硅橡膠純化保護(hù)，封裝，鍍錫，切管腳，熱老化120。C24小 時(shí)，初測(cè)，功率老化24小時(shí)。
權(quán)利要求
1、一種遠(yuǎn)傳水表用低功耗磁敏元件，其特征在于以二氧化硅片為襯底，合金絲通過(guò)真空鍍膜法蒸鍍?cè)谝r底上，合金絲兩組組成，兩組相互垂直布置在襯底上，每組合金絲相互平行排列，磷硅玻璃通過(guò)沉積法將合金絲包裹于襯底上。
2、 一種遠(yuǎn)傳水表用低功耗石茲敏元件制造工藝，其特征在于合 金絲材料為Fe 5%、 Ni 75%、 Co 20%;將配制好的鐵鎳鈷合金 和襯底片進(jìn)行化學(xué)處理后，用高純水沖洗后烘干待用，將清洗烘干后 的合金在H2中，600°C ~ 700匸下恒溫30-40分鐘處理后待用，將合金 通高真鍍蒸鍍?cè)诮^緣襯底上，形成合金薄膜，將蒸鍍合金薄膜的片子， 在真空中68(TC下升溫10分鐘，恒溫10分鐘，降溫10分鐘，將合 金薄膜用正性光刻膠刻蝕，沉積磷硅玻璃，用正性光刻膠刻性《1線 孔，用高真空鍍膜蒸锃，將蒸完輕的片子在真空中，在580。C下升溫 IO分鐘，恒溫10分鐘，降溫10分鐘，刻蝕鋁電極，劃小片，粘片， 超聲鍵合內(nèi)引線，涂硅橡膠純化保護(hù)，封裝，鍍錫，切管腳，熱老化 120。C24小時(shí)，初測(cè)，功率老化24小時(shí)。
全文摘要
一種遠(yuǎn)傳水表用低功耗磁敏元件，以二氧化硅片為襯底，合金絲通過(guò)真空鍍膜法蒸鍍?cè)谝r底上，合金絲兩組組成，兩組相互垂直布置在襯底上，每組合金絲相互平行排列，磷硅玻璃通過(guò)沉積法將合金絲包裹于襯底上。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)提高阻值，降低工作電流和功耗，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)傳水表磁敏元件低功耗要求，延長(zhǎng)遠(yuǎn)傳水表使用壽命。
文檔編號(hào)H01L43/00GK101345285SQ20071005808
公開(kāi)日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2007年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月12日
發(fā)明者崔連凱 申請(qǐng)人:天津市津南區(qū)凱達(dá)電子有限公司