專利名稱：基板處理室的洗凈方法、存儲(chǔ)介質(zhì)和基板處理室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理室的洗凈方法、存儲(chǔ)介質(zhì)和基板處理室，特別涉及具備由硅制成的電極的基板處理室的洗凈方法。
背景技術(shù)：
已知有具備基板處理室和下部電極的等離子體處理裝置，該基板處理室具有已搬入作為基板的半導(dǎo)體晶片的處理空間，該下部電極配置于處理空間并且與高頻電源連接。在該等離子體處理裝置中，將處理氣體導(dǎo)入處理空間，下部電極向處理空間施加高頻電力。而且，在將半導(dǎo)體晶片搬入處理空間并載置于下部電極時(shí)，通過高頻電力使導(dǎo)入的處理氣體成為等離子體，產(chǎn)生離子等，通過該離子等對(duì)半導(dǎo)體晶片實(shí)施等離子體處理，例如蝕刻處理。
在上述等離子體處理裝置中，在使用附著性反應(yīng)氣體例如、C4F8氣體和氬(Ar)氣的混合氣體作為處理氣體時(shí)，由該反應(yīng)氣體產(chǎn)生的反應(yīng)生成物附著于基板處理室的內(nèi)部表面例如、側(cè)部?jī)?nèi)壁(以下簡(jiǎn)記為“側(cè)壁”)。附著的反應(yīng)生成物從側(cè)壁剝離成為顆粒。顆粒附著于半導(dǎo)體晶片上，成為該半導(dǎo)體晶片制造的半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生缺陷的原因。因此，需要除去附著于基板處理室的內(nèi)部表面的反應(yīng)生成物。
目前，作為除去上述附著于內(nèi)部表面的反應(yīng)生成物的方法，已知的方法是將氧(O2)氣導(dǎo)入處理空間，通過高頻電力由氧氣產(chǎn)生氧離子或氧自由基，使反應(yīng)生成物與氧離子或氧自由基反應(yīng)除去(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1日本特開昭62-40728號(hào)公報(bào)但是，近年來(lái)，以提高等離子體處理性能為目的，正在開發(fā)一種等離子體處理裝置，其在處理空間中，與下部電極相對(duì)配置的作為處理室內(nèi)部件的上部電極由硅構(gòu)成，該上部電極連接直流電源。在該等離子體處理裝置中，若實(shí)施除去上述反應(yīng)物的方法，則雖然附著于基板處理室內(nèi)部表面的反應(yīng)生成物被確實(shí)地除去，但是氧離子或氧自由基與上部電極的硅發(fā)生反應(yīng)，形成氧化硅(SiO2)等氧化物。該氧化物有時(shí)附著于上述電極表面并形成氧化膜。該氧化膜剝離成為顆粒。此外，由于直流電源不能透過氧化膜，所以向處理空間施加直流電壓就變得困難。進(jìn)而，由于氧化膜有時(shí)因直流電流而絕緣破壞，所以難以在處理空間中使等離子體的狀態(tài)穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜的基板處理室的洗凈方法、存儲(chǔ)介質(zhì)和基板處理室。
為了達(dá)到上述目的，提供項(xiàng)1所述的基板處理室的洗凈方法，該基板處理室具有搬入基板的空間，并且在該空間中對(duì)上述基板實(shí)施等離子體處理，還具備至少一部分在上述空間中露出的并且至少含有硅的處理室內(nèi)部件，其特征在于，包括通過由導(dǎo)入上述空間的氧氣生成的第一等離子體對(duì)上述處理室內(nèi)部件實(shí)施附著物除去處理的第一等離子體處理步驟；和通過由導(dǎo)入上述空間的四氟化碳?xì)怏w生成的第二等離子體對(duì)上述處理室內(nèi)部件實(shí)施氧化物除去處理的第二等離子體處理步驟。
項(xiàng)2所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于在項(xiàng)1所述的基板處理室的洗凈方法中，上述處理室內(nèi)部件是與搬入上述空間的基板相對(duì)配置并且連接直流電源的電極。
項(xiàng)3所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于在項(xiàng)1或2所述的基板處理室的洗凈方法中，上述第一等離子體處理步驟中的上述空間的壓力設(shè)定為26.7Pa～80.0Pa。
項(xiàng)4所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于在項(xiàng)1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理室的洗凈方法中，在上述第一等離子體處理步驟中施加于上述空間的、上述第一等離子體中的離子能夠跟蹤的頻率的高頻電力所引起的在處理室內(nèi)部件的表面產(chǎn)生的電位、與上述空間的電位的差設(shè)定在150eV以上。
項(xiàng)5所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于在項(xiàng)1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理室的洗凈方法中，在上述第一等離子體處理步驟中施加于上述空間的、上述第一等離子體中的離子能夠跟蹤的頻率的高頻電力的大小設(shè)定為0W。
項(xiàng)6所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于，在項(xiàng)1～5中任一項(xiàng)所述的基板處理室的洗凈方法中，在上述第一等離子體處理步驟中施加于上述空間的、上述第一等離子體中的離子不能跟蹤的頻率的高頻電力的大小設(shè)定在500W以下。
為了達(dá)到上述目的，項(xiàng)7所述的存儲(chǔ)介質(zhì)是一種存儲(chǔ)有使基板處理室的洗凈方法在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的程序的計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)，該基板處理室具有搬入基板的空間，并且在該空間中對(duì)上述基板實(shí)施等離子體處理，還具備至少一部分在上述空間中露出的并且至少含有硅的處理室內(nèi)部件，其特征在于，上述程序具有通過由導(dǎo)入上述空間的氧氣生成的第一等離子體對(duì)上述處理室內(nèi)部件實(shí)施附著物除去處理的第一等離子體處理模塊；和通過由導(dǎo)入上述空間的四氟化碳?xì)怏w生成的第二等離子體對(duì)上述處理室內(nèi)部件實(shí)施氧化物除去處理的第二等離子體處理模塊。
為了達(dá)到上述目的，項(xiàng)8所述的基板處理室，具有搬入基板的空間，并且在該空間中對(duì)上述基板實(shí)施等離子體處理，還具備至少一部分在上述空間中露出的并且至少含有硅的處理室內(nèi)部件，其特征在于，包括向上述空間導(dǎo)入規(guī)定氣體的氣體導(dǎo)入裝置；和向?qū)肷鲜鰵怏w后的空間施加高頻電力生成等離子體的電極，其中，在向上述空間導(dǎo)入氧氣后，上述電極向上述空間施加高頻電力，生成第一等離子體，在將第一等離子體從上述空間除去并向上述空間導(dǎo)入四氟化碳?xì)怏w后，上述電極向上述空間施加高頻電力，生成第二等離子體。
發(fā)明的效果采用項(xiàng)1所述的基板處理室的洗凈方法和項(xiàng)7所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，由導(dǎo)入露出有至少含有硅的處理室內(nèi)部件的至少一部分的空間中的氧氣生成第一等離子體，通過該第一等離子體對(duì)處理室內(nèi)部件實(shí)施附著物除去處理，接下來(lái)，由導(dǎo)入上述空間中的四氟化碳?xì)怏w生成第二等離子體，通過該第二等離子體對(duì)處理室內(nèi)部件實(shí)施氧化物除去處理。在附著物除去處理中，由第一等離子體和硅生成并且附著于處理室內(nèi)部件表面的氧化物，通過第二等離子體除去。這樣，就能夠防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜。其結(jié)果為，能夠防止產(chǎn)生顆粒。
采用項(xiàng)2所述的基板處理室的洗凈方法，由于處理室內(nèi)部件是與搬入空間的基板相對(duì)配置并且連接直流電源的電極，所以，通過防止在電極的表面形成氧化膜，能夠防止該氧化膜發(fā)生絕緣破壞，在上述空間中，使等離子體的狀態(tài)穩(wěn)定。
采用項(xiàng)3所述的基板處理室的洗凈方法，將第一等離子體處理步驟中的空間壓力設(shè)定在26.7Pa～80.0Pa。產(chǎn)生附著于處理室內(nèi)部件表面的氧化物的主要原因是硅和氧離子的反應(yīng)，若提高空間的壓力，則到達(dá)處理室內(nèi)部件表面的氧離子的數(shù)量減少。因此，能夠抑制硅和氧離子的反應(yīng)，因而能夠確實(shí)地防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜。
采用項(xiàng)4所述的基板處理室的洗凈方法，在上述第一等離子體處理步驟中施加于空間的、并且第一等離子體中的離子能夠跟蹤的頻率的高頻電力所引起的在處理室內(nèi)部件的表面產(chǎn)生的電位、與空間的電位的差設(shè)定在150eV以上，若在處理室內(nèi)部件的表面產(chǎn)生的電位與空間的電位的差增大，則氧離子在處理室內(nèi)部件表面的濺射率升高。因此，能夠通過氧離子的濺射除去附著于處理室內(nèi)部件表面的氧化物，因而能夠更確實(shí)地防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜。
采用項(xiàng)5所述的基板處理室的洗凈方法，由于在第一等離子體處理步驟中施加于空間的、并且第一等離子體中的離子能夠跟蹤的頻率的高頻電力的大小設(shè)定為0W，所以在處理室內(nèi)部件的表面發(fā)生的電位與空間的電位的差能夠變小，能夠更加減少到達(dá)處理室內(nèi)部件表面的氧離子的數(shù)量。因此，能夠更確實(shí)地防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜。
采用項(xiàng)6所述的基板處理室的洗凈方法，由于在第一等離子體處理步驟中施加于空間的、并且第一等離子體中的離子不能跟蹤的頻率的高頻電力的大小設(shè)定在500W以下，所以能夠減小在空間中發(fā)生的陽(yáng)離子的密度，能夠進(jìn)一步減少到達(dá)處理室內(nèi)部件表面的氧離子的數(shù)量，因而能夠更確實(shí)地防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜。
采用項(xiàng)8所述的基板處理室，向露出有至少含有硅的處理室內(nèi)部件的至少一部分的空間導(dǎo)入氧氣，由導(dǎo)入的氧氣生成第一等離子體。向除去第一等離子體后的空間導(dǎo)入四氟化碳?xì)怏w，在向空間導(dǎo)入四氟化碳?xì)怏w后，向該空間施加高頻電力，生成第二等離子體。第一等離子體除去附著于處理室內(nèi)部件表面的附著物，第二等離子體除去由第一等離子體和硅生成并附著于處理室內(nèi)部件表面的氧化物。這樣，就能夠防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜。其結(jié)果為，能夠防止產(chǎn)生顆粒。


圖1是表示適用本發(fā)明各實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法的等離子體處理裝置概略構(gòu)成的截面圖。
圖2是表示使處理空間的壓力變化時(shí)，等離子體中的氧自由基與氬自由基的比的變化的圖表。
圖3是表示使處理空間的壓力變化時(shí)，單位時(shí)間到達(dá)側(cè)壁部件的氧離子數(shù)量的圖表。
圖4表示使電位差變化時(shí)，氬自由基的濺射率的變化。
圖5是表示氧離子與上部電極板沖撞的圖，圖5(A)表示電極板表面-空間電位差為0的情況；圖5(B)表示電極板表面-空間電位差為約100eV的情況；圖5(C)表示電極板表面-空間電位差為150eV以上的情況。
圖6是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法的流程圖。
圖7是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法的流程圖。符號(hào)說明S處理空間W晶片10等離子體處理裝置11基板處理室12基座20高頻電源34氣體導(dǎo)入噴頭38上部電極板
46其它的高頻電源49直流電源具體實(shí)施方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
首先，對(duì)適用于后述本發(fā)明各實(shí)施方式中的基板處理室的洗凈方法的等離子體處理裝置進(jìn)行說明。
圖1是表示適用于本發(fā)明各實(shí)施方式中的基板處理室的洗凈方法的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的截面圖。該等離子體處理裝置構(gòu)成為能夠?qū)ψ鳛榛宓陌雽?dǎo)體晶片W進(jìn)行RIE(Reactive Ion Etching)處理或者灰化處理。
在圖1中，等離子體處理裝置10具有圓筒形狀的基板處理室11，該基板處理室11在內(nèi)部具有處理空間S。此外，在基板處理室11內(nèi)，例如，配置有直徑300mm的圓柱狀基座12，作為載置半導(dǎo)體晶片W(以下簡(jiǎn)稱為“晶片W”)的載置臺(tái)?；逄幚硎?1的內(nèi)壁面由側(cè)壁部件45覆蓋。該側(cè)壁部件45由鋁制成，面向該處理空間S的面以三氧化二釔(Y2O3)涂覆。該基板處理室11的壁部電接地，基座12通過絕緣性部件29設(shè)置于基板處理室11的底部?；?2的側(cè)面用基座側(cè)面覆蓋部件60覆蓋。
在等離子體處理裝置10中，由基板處理室11的內(nèi)側(cè)壁和基座12的側(cè)面，形成排氣通路13，該排氣通路作為將基座12上方的氣體分子向基板處理室11的外部排出的流路起作用。在該排氣通路的途中，配置有防止等離子體滲漏的環(huán)狀擋板14。在排氣通路13中的擋板14的下游空間向基座12的下方蔓延，與作為可變式蝶閥的自動(dòng)壓力控制閥(Adaptive Pressure Control Valve)(以下稱為“APC閥”)15連通。APC閥15通過隔離器(Isolator)16與作為抽真空用的排氣泵的渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump)(以下稱為“TMP”)17連接，TMP17通過閥V1與作為排氣泵的干式泵(以下稱為“DP”)18連接。由APC閥15、隔離器16、TMP17、閥V1和DP18構(gòu)成排氣流路，該排氣流路通過APC閥15對(duì)基板處理室11內(nèi)、更具體來(lái)說、對(duì)處理空間S的壓力進(jìn)行控制，進(jìn)而通過TMP17和DP18將基板處理室11內(nèi)減壓至幾乎真空的狀態(tài)。
配管19從隔離器16和APC閥15之間開始，通過閥V2與DP18連接。配管19和閥V2，與TMP17分路，通過DP18對(duì)基板處理室11內(nèi)大致地抽真空。
高頻電源20通過供電棒21和匹配器(Matcher)22與基座12連接，該高頻電源20向基座12供給較高頻率、例如40MHz的高頻電力。這樣，基座12就能夠發(fā)揮下部電極的作用。此外，匹配器22降低來(lái)自基座12的高頻電力的反射，使得向基座12供給高頻電力的供給效率最大?；?2將高頻電源20所供給的40MHz的高頻電力施加給處理空間S。
其它的高頻電源46通過供電棒35和匹配器36與基座12連接，該其它的高頻電源46向基座12供給較低頻率、例如2MHz的高頻電力。匹配器36具有與匹配器22相同的功能?；?2將其它的高頻電源46所供給的2MHz的高頻電力施加給處理空間S。此時(shí)，在面向處理空間S的側(cè)壁部件45、基座側(cè)面覆蓋部件60和后述的上部電極板38的表面，由于施加在處理空間S的2MHz的高頻電力，產(chǎn)生電勢(shì)電位(potential電位)。該電勢(shì)電位的頻率為2MHz。因此，在上部電極38等的表面所產(chǎn)生的電勢(shì)電位與處理空間S的電位的差(以下簡(jiǎn)稱為“電極板表面-空間電位差”)也以2MHz變動(dòng)。已知陽(yáng)離子、例如電子密度(Ne)為1010cm-3的氬離子(Ar+)能夠跟蹤達(dá)到約3.3MHz的電位差的變動(dòng)。即，由于陽(yáng)離子能夠跟蹤電極板表面-空間電位差的變動(dòng)，所以電極板表面-空間電位差所對(duì)應(yīng)的數(shù)量的陽(yáng)離子沖撞上部電極38等的表面。具體來(lái)說，當(dāng)電極板表面-空間電位差大時(shí)，較多的陽(yáng)離子沖撞上部電極38等的表面，當(dāng)電極板表面-空間電位差為0eV時(shí)，陽(yáng)離子幾乎不沖撞上部電極38等的表面。由高頻電源20向基座12供給的高頻電力為40MHz，因此若由該高頻電力引起在上部電極38的表面產(chǎn)生電勢(shì)電位，則該電勢(shì)電位與處理空間S的電位的差以40MHz變動(dòng)。但是，由于陽(yáng)離子不能追蹤以40MHz變動(dòng)的電位差，所以，實(shí)質(zhì)上變?yōu)殛?yáng)離子追蹤以40MHz變動(dòng)的高頻電力的直流成分，以40MHz變動(dòng)的高頻電力所引起的作用于陽(yáng)離子的電極板表面-空間電位差，成為以2MHz變動(dòng)的高頻電力所引起的作用于陽(yáng)離子的電極板表面-空間電位差的大約一半左右。因此，通過以40MHz變動(dòng)的高頻電力來(lái)控制沖撞上部電極38等的表面的陽(yáng)離子數(shù)量是無(wú)效的。
在基座12的內(nèi)部上方，配置有由導(dǎo)電膜制成的圓板狀的ESC電極板23。ESC直流電源24與ESC電極板23電連接。由ESC直流電源24向ESC電極板23施加直流電壓，由該直流電壓產(chǎn)生庫(kù)侖力或者約翰遜-拉貝克(Johnsen-Rahbek)力，通過所產(chǎn)生庫(kù)侖力或者約翰遜-拉貝克(Johnsen-Rahbek)力將晶片W吸附并保持于基座12的上面。此外，在基座12的上方，以圍繞著吸附并保持在基座12上面的晶片W的周圍的方式，設(shè)有圓環(huán)狀的聚焦環(huán)25。該聚焦環(huán)25在處理空間S中露出，在該處理空間S中，將等離子體面向晶片W的表面聚焦，提高RIE處理和灰化處理的效率。
在基座12的內(nèi)部，例如設(shè)有在圓周方向延伸的環(huán)狀致冷劑室26。在該致冷劑室26中，通過致冷劑用配管27從冷卻單元(未圖示)循環(huán)供給規(guī)定溫度的致冷劑例如冷卻水或ガルデン(注冊(cè)商標(biāo))液，通過該致冷劑的溫度控制被吸附保持在基座12上面的晶片W的處理溫度。
多個(gè)傳熱氣體供給孔28開口于基座12的上面的晶片W所吸附保持的部分(以下稱為“吸附面”)。這些多個(gè)周緣傳熱氣體供給孔28通過配置于基座12內(nèi)部的傳熱氣體供給線路30與傳熱氣體供給部32連接，該傳熱氣體供給部32通過傳熱氣體供給孔28將傳熱氣體氦氣供給吸附面和晶片W背面的間隙。
在基座12的吸附面配置有從基座12的上面自由突出的作為升降銷的多個(gè)襯套銷(pusher pin)33。這些襯套銷33通過滾珠螺桿(未圖示)與電動(dòng)機(jī)(未圖示)連接，通過滾珠螺桿將電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換為直線運(yùn)動(dòng)，使這些襯套銷33從吸附面自由突出。為了對(duì)晶片W實(shí)施RIE處理或者灰化處理將晶片W吸附保持于吸附面時(shí)，襯套銷33收納于基座12上，當(dāng)將實(shí)施RIE處理或者灰化處理后的晶片W從基板處理室11搬出時(shí)，襯套銷33從基座12的上面突出，使晶片W離開基座12，向上方舉起。
在基板處理室11的頂棚部配置有與基座12相對(duì)的氣體導(dǎo)入噴頭34(氣體導(dǎo)入裝置)。氣體導(dǎo)入噴頭34具備在內(nèi)部形成有緩沖室40的由絕緣材料制成的電極板支撐體39和被該電極板支撐體39支撐的上部電極板38(處理室內(nèi)部件)。上部電極板38在處理空間S中露出其下面(表面)。而且，上部電極板38是由導(dǎo)電性材料例如硅制成的圓板狀的部件。上部電極板38的周緣部被由絕緣性材料制成的環(huán)狀絕緣性部件47覆蓋。即，上部電極38，從接地電位的基板處理室11的壁部，通過電極支撐體39和絕緣性部件47電絕緣。
來(lái)自處理氣體供給部(未圖示)的處理氣體導(dǎo)入管41與電極板支撐體39的緩沖室40連接。在該處理氣體導(dǎo)入管41的途中配置有配管絕緣體42。此外，氣體導(dǎo)入噴頭34具有使緩沖室40與處理空間S導(dǎo)通的多個(gè)氣孔37。氣體導(dǎo)入噴頭34將從處理氣體導(dǎo)入管41供給緩沖室40的處理氣體，經(jīng)由氣孔37供給處理空間S。
上部電極板38與直流電源49電連接，向上部電極板38施加負(fù)的直流電壓。此時(shí)，由于在上部電極板38和直流電源49之間不需要配置匹配器，所以與通過匹配器將高頻電源連接在上部電極板的情況相比，能夠?qū)⒌入x子體處理裝置10的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。而且，由于上部電極板38保持負(fù)電位而不變動(dòng)，所以就能夠維持只吸引陽(yáng)離子的狀態(tài)，電子不會(huì)從處理空間S消失。因此，在處理空間S內(nèi)，電子不會(huì)減少，其結(jié)果為，能夠提高RIE處理或者灰化處理等的等離子體處理的效率。
此外，在基板處理室11的側(cè)壁，在對(duì)應(yīng)于通過襯套銷33從基座12向上方舉起的晶片W的高度的位置，設(shè)有晶片W的搬入搬出口43，在搬入搬出口43安裝有開關(guān)該搬入搬出口43的閘閥44。
在該等離子體處理裝置10的基板處理室11中，如上所述，基座12通過向作為基座12和上部電極板38之間的空間的處理空間S施加高頻電力，在該處理空間S中，使從氣體導(dǎo)入噴頭34供給的處理氣體成為高密度等離子體，產(chǎn)生陽(yáng)離子或自由基，通過該陽(yáng)離子或自由基對(duì)晶片W進(jìn)行RIE處理或者灰化處理。
等離子體處理裝置10所具備的控制部(未圖示)的CPU根據(jù)RIE處理或者灰化處理所對(duì)應(yīng)的程序，控制上述等離子體處理裝置10的各構(gòu)成部件的運(yùn)轉(zhuǎn)。
在上述等離子體處理裝置10中，對(duì)晶片W實(shí)施RIE處理，此時(shí)若使用附著性的反應(yīng)氣體、例如C4F8氣體和氬氣的混合氣體，則由該反應(yīng)氣體產(chǎn)生的反應(yīng)生成物附著于上部電極38的表面、側(cè)壁部件45的表面、和基座側(cè)面覆蓋部件60的表面。為了除去附著于各部件的表面的反應(yīng)生成物，實(shí)施以下所詳述的干洗處理。
在干洗處理中，從氣體導(dǎo)入噴頭34向處理空間S導(dǎo)入氧氣，通過基座12向該導(dǎo)入氧氣后的處理空間S施加40MHz和2MHz的高頻電力。在處理空間S中，主要通過40MHz的高頻電力由氧氣生成氧離子或氧自由基。通過該氧離子或氧自由基與反應(yīng)生成物的反應(yīng)，除去該反應(yīng)生成物。
若在等離子體處理裝置10中實(shí)施干洗處理，則在由硅制成的上部電極板38的表面形成如上所述由氧化硅構(gòu)成的氧化膜。形成有該氧化膜的上部電極板38的表面發(fā)生白濁。本發(fā)明者對(duì)于本發(fā)明應(yīng)該事先研究能夠抑制在干洗處理中形成氧化膜的條件，在改變干洗處理的實(shí)施條件例如處理空間S的壓力、向處理空間S施加的40MHz的高頻電力的大小(功率)和電極板表面-空間電位差(在表3中表示為“處理空間-上部電極板間電位差”)時(shí)，觀察上部電極板38表面上的氧化膜的形成狀況，得到以下表1～表3所表示的觀察結(jié)果。
表1

表2

表3

即，得到以下見解處理空間S的壓力越高越難以形成氧化膜；施加于處理空間S的40MHz的高頻電力的大小越小越難以形成氧化膜；電極板表面-空間電位差越小越難以形成氧化膜。具體來(lái)說，若處理空間S的壓力在26.7Pa(200mTorr)以上，則在上部電極板38的表面不形成氧化膜；若施加于處理空間S的40MHz的高頻電力的大小在500W以下，則在相同表面不形成氧化膜；若電極板表面-空間電位差為0eV，則在相同表面不形成氧化膜。
接著，本發(fā)明者對(duì)在上部電極板38的表面形成的氧化膜的產(chǎn)生機(jī)制進(jìn)行了研究。具體來(lái)說，研究了形成氧化膜的主要原因是氧自由基還是氧離子。
首先，在等離子體處理裝置10中，向處理空間S導(dǎo)入規(guī)定量的氧氣和微量氬氣，向處理空間S施加40MHz和2MHz的高頻電力，生成等離子體。此時(shí)，一邊改變處理空間S的壓力，一邊測(cè)定在等離子體中的氧自由基與氬自由基的比。其結(jié)果為，如圖2的圖表所示，可知氧自由基與氬自由基的比隨著處理空間S壓力的升高而變大。即，可知處理空間S的壓力越高，氧自由基就越多。
另一方面，在等離子體處理裝置10中，向處理空間S導(dǎo)入規(guī)定量的氧氣和微量氬氣，向處理空間S施加40MHz和2MHz的高頻電力，生成等離子體。此時(shí)，一邊改變處理空間S的壓力(6.7Pa(50mTorr)、13.3Pa(100mTorr)、26.7Pa(200mTorr)的三個(gè)壓力)，計(jì)測(cè)每單位時(shí)間到達(dá)側(cè)壁部件45的氧離子數(shù)。此時(shí)，也同時(shí)計(jì)測(cè)了氧離子的能量分布。其結(jié)果為，如圖3的圖表所示，可知每單位時(shí)間到達(dá)側(cè)壁部件45的氧離子數(shù)隨著處理空間S壓力的升高而減少。即，可知處理空間S的壓力越高，氧離子數(shù)越少。
關(guān)于到達(dá)側(cè)壁部件45的氧離子數(shù)隨著處理空間S的壓力的升高而減少的機(jī)制，雖然難以明確說明，但是本發(fā)明者基于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)常識(shí)，推論出以下所說明的2個(gè)假說(1)已知當(dāng)提高產(chǎn)生等離子體的處理空間的壓力時(shí)，等離子體偏置于向處理空間施加高頻電力的電極附近。在處理空間S中，由氧氣生成的等離子體也偏置于基座12的附近，其結(jié)果為，在側(cè)壁部件45附近的等離子體變得稀疏，在側(cè)壁部件45附近的氧離子數(shù)變少。因此，到達(dá)側(cè)壁部件45的氧離子數(shù)就減少。
(2)流入處理室的壁面的離子流量(離子通量)γi用下式表示。
γi＝0.61×Ni×(e×Te/M)1/2Ni表示在側(cè)壁部件45附近產(chǎn)生的覆層(sheath)中的離子密度，Te表示電子溫度，M表示離子質(zhì)量。
這里已知，當(dāng)處理空間的壓力升高時(shí)，電子溫度降低。因此，根據(jù)上式，當(dāng)處理空間的壓力升高時(shí)，流入處理室的壁面的離子流量減小。即，當(dāng)處理空間S的壓力升高時(shí)，到達(dá)側(cè)壁部件45的氧離子數(shù)減少。
如上述所說明的，得到如下見解當(dāng)處理空間S的壓力降低時(shí)，易于形成氧化膜(參照表1)，并且氧離子的數(shù)量增多，所以，氧化膜的形成與氧離子的數(shù)量有著密切關(guān)系，即，氧離子是形成氧化膜的主要原因。
此外，根據(jù)上述見解可知，為了抑制在上部電極板38的表面形成氧化膜，只要減少到達(dá)上部電極板38表面的氧離子數(shù)，進(jìn)而，只要減少處理空間S中的氧離子密度即可。
作為減少到達(dá)上部電極板38表面的氧離子數(shù)量的方法，除了提高上述處理空間S的壓力的方法以外，還可以考慮將電極板表面-空間電位差設(shè)為0的方法，和減小40MHz的高頻電力的大小的方法。以下對(duì)這些方法進(jìn)行說明。
(1)將電極板表面-空間電位差設(shè)為0eV的方法當(dāng)電極板表面-空間電位差為0eV時(shí)，由于存在于處理空間S的氧離子不會(huì)被吸引到上部電極板38上，所以幾乎不會(huì)到達(dá)上部電極板38的表面，其結(jié)果為，能夠減少到達(dá)上部電極板38表面的氧離子的數(shù)量。而且，如上述表3所示，可以確認(rèn)由于當(dāng)電極板表面-空間電位差為0eV時(shí)，在上部電極板38的表面不形成氧化膜，所以本方法對(duì)于防止在上部電極板38表面形成氧化膜是有效的。
(2)減小40MHz的高頻電力的大小當(dāng)減小40MHz的高頻電力的大小時(shí)，在處理空間S中生成的等離子體的量、甚至氧離子的量減少。其結(jié)果為，能夠減少?gòu)奶幚砜臻gS到達(dá)上部電極板38表面的氧離子的數(shù)量。而且，如上述表2所示，可以確認(rèn)由于當(dāng)將40MHz的高頻電力的大小減小到500W以下時(shí)，在上部電極板38的表面不形成氧化膜，所以本方法對(duì)于防止在上部電極板38表面形成氧化膜也是有效的。
另一方面，如表3所示，得到如下見解即使電極板表面-空間電位差為150eV以上，在上部電極板38表面也不形成氧化膜。本見解與上述將電極板表面-空間電位差設(shè)為0eV的方法是矛盾的，因此本發(fā)明者著眼于氧離子引起的在上部電極板38表面的濺射，使用由分子量與氧分子接近的氬分子生成的氬自由基的計(jì)算模型，對(duì)變化電位差時(shí)的濺射率(Sputtering yield)的變化進(jìn)行了模擬。其結(jié)果為，如圖4的圖表所示，可知從0eV開始到規(guī)定的電位差為止，不發(fā)生濺射，若超過規(guī)定的電位差，則濺射率隨著電位差的增大而增大。
根據(jù)以上所述，本發(fā)明者推論出以下假說。即，當(dāng)電極板表面-空間電位差為0eV時(shí)，如上所述，由于氧離子幾乎不會(huì)到達(dá)上部電極板38的表面，所以不形成氧化膜(圖5(A))。
當(dāng)電極板表面-空間電位差為約100eV時(shí)，只有低能量的氧離子能夠被吸引到上部電極板38的表面。此時(shí)，由于氧離子和上部電極板38表面的沖撞能量小，所以氧離子附著于上部電極板38的表面，與上部電極板38的硅反應(yīng)生成氧化物。其結(jié)果為，在上部電極板38的表面形成氧化膜(圖5(B))。
當(dāng)電極板表面-空間電位差為150eV以上時(shí)，不但低能量的氧離子，而且高能量的氧離子也能夠吸引到上部電極板38的表面。雖然到達(dá)上部電極板38表面的低能量的氧離子附著于上部電極板38的表面，與上部電極板38的硅反應(yīng)生成氧化物，但是由于高能量的氧離子與上部電極板38表面的沖撞能量大，所以氧化物通過高能量氧離子引起的濺射而被除去。其結(jié)果為，在上部電極板38的表面不形成氧化膜(圖5(C))。
本發(fā)明是基于以上所獲得的多個(gè)見解而進(jìn)行的發(fā)明。
下面，對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法進(jìn)行說明。
圖6是本實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法的流程圖。
在圖6中，首先，在上部電極板38的表面附著有反應(yīng)生成物的等離子體處理裝置10中，將實(shí)施RIE處理后的晶片W從基板處理室11中搬出(步驟S61)。接著，從氣體導(dǎo)入噴頭34向處理空間S導(dǎo)入氧氣(步驟S62)，然后，向處理空間S施加40MHz的高頻電力，生成等離子體，由此實(shí)施干洗處理(附著物除去處理)(步驟S63)(第一等離子體處理步驟)。
在步驟S63中，通過APC閥15將處理空間S的壓力設(shè)定在26.7Pa～80.0Pa。壓力的上限之所以設(shè)定在80.0Pa是由于若超過80.0Pa，則由氧氣產(chǎn)生的氧自由基的密度過高，基板處理室11的蓋子(腔室蓋)和用于配管密閉的O型環(huán)等密封部件受到的損傷過大。此外，將從其它的高頻電源46供給基座12的2MHz的高頻電力的大小設(shè)為0W。即，不向基座12供給2MHz的高頻電力。此時(shí)，由于在上部電極板38的表面沒有2MHz的高頻電力所引起的電勢(shì)電位產(chǎn)生，所以電極板表面-空間電位差為0eV。進(jìn)而，將從高頻電源20供給基座12的40MHz的高頻電力的大小設(shè)定在500W以下。
在步驟S63中，在處理空間S中，通過40MHz的高頻電力由氧氣生成氧離子或氧自由基。其中的氧自由基(第一步驟)通過與附著于上部電極板38表面的反應(yīng)生成物反應(yīng)，將該反應(yīng)生成物分解除去。另一方面，由于處理空間S的壓力設(shè)定在26.7Pa～80.0Pa，電極板表面-空間電位差為0eV，40MHz的高頻電力的大小設(shè)定在500W以下，所以到達(dá)上部電極板38表面的氧離子的數(shù)量減少，抑制了在上部電極板38表面形成氧化膜。但是，在步驟S63中，若干量的高能量氧離子到達(dá)上部電極板38的表面，其結(jié)果為，通過氧離子和上部電極板38的硅的反應(yīng)，生成微量的氧化物，并且可能附著于上部電極板38的表面。
接著，通過等離子體處理裝置10的排氣流路，將由處理空間S的氧離子、氧自由基和反應(yīng)生成物的分解所產(chǎn)生的氣體等排出(步驟S64)，從氣體導(dǎo)入噴頭34向處理空間S導(dǎo)入四氟化碳(CF4)氣體(步驟S65)，然后通過向處理空間S施加40MHz和2MHz的高頻電力，生成等離子體，進(jìn)行后述的氧化物除去處理(步驟S66)(第二等離子體處理步驟)。
在步驟S66中，在處理空間S中，通過40MHz和2MHz的高頻電力，由四氟化碳?xì)怏w生成氟離子或氟自由基。氟離子或氟自由基(第二等離子體)通過與附著于上部電極板38表面的氧化物反應(yīng)，將該氧化物分解除去。
接著，通過等離子體處理裝置10的排氣流路，將由處理空間S的氟離子、氟自由基和氧化物的分解所產(chǎn)生的氣體等排出(步驟S67)，結(jié)束本處理。
采用上述圖6的處理，向露出有由硅制成的上部電極板38表面的處理空間S導(dǎo)入氧氣，由該氧氣生成氧自由基，通過該氧自由基對(duì)上部電極板38實(shí)施干洗處理，接下來(lái)，向處理空間S導(dǎo)入四氟化碳，由四氟化碳生成氟離子或氟自由基，通過氟離子或氟自由基對(duì)上部電極板38實(shí)施氧化物除去處理。在干洗處理中由氧自由基和硅所生成并附著于上部電極板38表面的氧化物，通過氟離子或氟自由基分解除去。這樣，就能夠防止在上部電極板38表面形成氧化膜。其結(jié)果為，能夠在防止顆粒產(chǎn)生的同時(shí)，防止氧化膜絕緣破壞的發(fā)生，在處理空間S中，使RIE處理等中的等離子體的狀態(tài)穩(wěn)定。
在上述圖6的處理中，在干洗處理(步驟S63)中，處理空間S的壓力設(shè)定在26.7Pa～80.0Pa，2MHz的高頻電力的大小設(shè)定為0W，電極板表面-空間電位差設(shè)定為0eV，并且40MHz的高頻電力的大小設(shè)定在500W以下，因此，到達(dá)上部電極板38表面的氧離子的數(shù)量減少。所以，能夠抑制硅和氧離子的反應(yīng)，因而能夠確實(shí)防止在上部電極板38的表面形成氧化膜。
在上述圖6的處理中，雖然在氧化物除去處理(步驟S65)中，由氣體導(dǎo)入噴頭34向處理空間S導(dǎo)入四氟化碳?xì)怏w，但是導(dǎo)入的氣體并不限于該氣體，只要是以CxF2x+2表示的碳氟直鏈飽和型氣體例如、C2F6或C3F8即可。
接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法進(jìn)行說明。
本實(shí)施方式的構(gòu)成和作用與上述第一實(shí)施方式基本相同，僅在干洗處理時(shí)的處理空間S的壓力、電極板表面-空間電位差的值、和40MHz與2MHz的高頻電力的大小方面不同于上述第一實(shí)施方式。因此，省略了對(duì)相同構(gòu)成的說明，以下僅對(duì)不同于第一實(shí)施方式的作用進(jìn)行說明。
圖7是本實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法的流程圖。
在圖7中，首先，進(jìn)行上述步驟S61、S62，接著，通過向處理空間S施加40MHz和2MHz的高頻電力，生成等離子體，進(jìn)行干洗處理(附著物除去處理)(步驟S71)(第一等離子體處理步驟)。
在步驟S71中，通過APC閥15將處理空間S的壓力設(shè)定為小于26.7Pa。此外，調(diào)整從其它的高頻電源46供給基座12的2MHz的高頻電力的大小，將電極板表面-空間電位差設(shè)定在150eV以上。進(jìn)而，將由高頻電源20供給基座12的40MHz的高頻電力的大小設(shè)定大于500W。
在步驟S71中，在處理空間S中，通過40MHz和2MHz的高頻電力，由氧氣生成氧離子或氧自由基。此時(shí)，由于處理空間S的壓力設(shè)定為小于26.7Pa，電極板表面-空間電位差設(shè)定為150eV以上，40MHz的高頻電力的大小設(shè)定大于500W，所以到達(dá)上部電極板38表面的氧離子的數(shù)量不減少，不但低能量的氧離子，而且高能量的氧離子也能夠被吸引到上部電極板38的表面上。雖然在被吸引到上部電極板38表面的氧離子中的低能量的氧離子與上部電極板38的硅反應(yīng)，生成氧化物，但是高能量的氧離子與上部電極板38的表面沖撞，通過濺射將由低能量的氧離子生成的氧化物除去。但是，在步驟S71中，有可能氧化物未完全除去，若干量的氧化物殘留在上部電極板38的表面。
接下來(lái)，進(jìn)行上述步驟S64至S67。在步驟S66中，殘留在上部電極板38的表面的若干量的氧化物通過氟離子或氟自由基被分解除去。然后結(jié)束本處理。
采用上述圖7的處理，由于在干洗處理(步驟S71)中，電極板表面-空間電位差設(shè)定為150eV以上，所以在吸引到上部電極板38的表面的氧離子中的高能量的氧離子與上部電極板38的表面沖撞，通過濺射能夠?qū)⒏街谏喜侩姌O板38表面的氧化物除去。因此能夠確實(shí)防止在上部電極板38的表面形成氧化膜。
上述各實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法是未將晶片W收容在基板處理室11內(nèi)而實(shí)施的，但是也可以一邊將晶片W收容在基板處理室11內(nèi)一邊實(shí)施。
例如，在等離子體處理裝置10中，將表面形成有反射防止膜(BARC膜)和絕緣層的晶片W收容在基板處理室11內(nèi)，向處理空間S導(dǎo)入四氟化碳，由該四氟化碳生成氟離子或氟自由基，通過該氟離子或氟自由基除去反射防止膜，進(jìn)而對(duì)除去反射防止膜而露出的絕緣層實(shí)施RIE處理。此時(shí)，由于在上部電極板38的表面附著有反應(yīng)生成物，所以向處理空間S導(dǎo)入氧氣，由該氧氣生成氧離子或氧自由基，通過氧離子或氧自由基除去反應(yīng)生成物。在除去該反應(yīng)生成物時(shí)，在上部電極板38的表面因氧離子而形成氧化膜。將表面形成有反射防止膜和絕緣層的新的晶片W收容到基板處理室11內(nèi)之后進(jìn)行除去反射防止膜，通過此時(shí)所生成的氟離子或氟自由基將該氧化膜除去。這樣，就能夠同時(shí)進(jìn)行由晶片W制造半導(dǎo)體裝置和基板處理室11的洗凈，能夠提高生產(chǎn)性。
另外，在上述等離子體處理裝置10中，上部電極板38雖然僅由純粹的硅構(gòu)成，但是上部電極板38也可以由含硅的材料構(gòu)成。
此外，在上述各實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法中，防止在上部電極板38的表面形成氧化膜，但通過上述各實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法防止形成氧化膜的部件不限于此，例如，也可以是側(cè)壁部件45或基座側(cè)面覆蓋部件60。
此外，在上述各實(shí)施方式的基板處理室的洗凈方法中，雖然被除去的膜是氧化膜，但是被除去的膜并不限于此，也可以是氮化膜。
在上述等離子體處理裝置10中實(shí)施RIE處理等的基板不限于半導(dǎo)體裝置用的半導(dǎo)體晶片，也可以是用于LCD(Liquid Crystal Display)或FPD(Flat Panel Display)等的各種基板、光掩模、CD基板、印刷基板等。
此外，也可以通過以下方式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的將實(shí)現(xiàn)上述各實(shí)施方式功能的軟件的程序代碼存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中，再將該存儲(chǔ)介質(zhì)供給系統(tǒng)或者裝置，該系統(tǒng)或者裝置的計(jì)算機(jī)(或者CPU、MPU等)讀取存儲(chǔ)于存儲(chǔ)介質(zhì)的程序代碼而進(jìn)行操作。
此時(shí)，從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的程序代碼本身可以實(shí)現(xiàn)上述各實(shí)施方式的功能，該程序代碼和存儲(chǔ)有該程序代碼的存儲(chǔ)介質(zhì)就構(gòu)成本發(fā)明。
作為用于供給程序代碼的存儲(chǔ)介質(zhì)，例如，可以使用軟盤(Floppy(注冊(cè)商標(biāo))Disk)、硬盤、光磁盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等光盤、磁帶、非易失性存儲(chǔ)卡、ROM等。另外，也可以通過網(wǎng)絡(luò)下載程序代碼。
此外，也包括如下情況通過執(zhí)行計(jì)算機(jī)讀取的程序代碼，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)上述各實(shí)施方式的功能，而且也包括在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的OS(操作系統(tǒng))等基于該程序代碼的指示，進(jìn)行實(shí)際處理的一部分或者全部，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述各實(shí)施方式的功能。
進(jìn)而，也包括如下情況將從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取的程序代碼寫入具有計(jì)算機(jī)插入功能擴(kuò)充插件或者計(jì)算機(jī)連接功能擴(kuò)充單元的存儲(chǔ)器之后，具有該擴(kuò)充功能的擴(kuò)充插件或者擴(kuò)充單元的CPU等基于該程序代碼的指示，進(jìn)行實(shí)際處理的一部分或者全部，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述各實(shí)施方式的功能。
權(quán)利要求
1.一種基板處理室的洗凈方法，該基板處理室具有搬入基板的空間，并且在該空間中對(duì)所述基板實(shí)施等離子體處理，還具備至少一部分在所述空間中露出的并且至少含有硅的處理室內(nèi)部件，其特征在于，包括通過由導(dǎo)入所述空間的氧氣生成的第一等離子體對(duì)所述處理室內(nèi)部件實(shí)施附著物除去處理的第一等離子體處理步驟；和通過由導(dǎo)入所述空間的四氟化碳?xì)怏w生成的第二等離子體對(duì)所述處理室內(nèi)部件實(shí)施氧化物除去處理的第二等離子體處理步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于所述處理室內(nèi)部件是與搬入所述空間的基板相對(duì)配置并且連接直流電源的電極。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于所述第一等離子體處理步驟中的所述空間的壓力設(shè)定為26.7Pa～80.0Pa。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于在所述第一等離子體處理步驟中施加于所述空間的、所述第一等離子體中的離子能夠跟蹤的頻率的高頻電力所引起的在處理室內(nèi)部件的表面產(chǎn)生的電位、與所述空間的電位的差設(shè)定為150eV以上。
5.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于在所述第一等離子體處理步驟中施加于所述空間的、所述第一等離子體中的離子能夠跟蹤的頻率的高頻電力的大小設(shè)定為0W。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的基板處理室的洗凈方法，其特征在于在所述第一等離子體處理步驟中施加于所述空間的、所述第一等離子體中的離子不能跟蹤的頻率的高頻電力的大小設(shè)定為500W以下。
7.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其是存儲(chǔ)有使基板處理室的洗凈方法在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的程序的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，該基板處理室具有搬入基板的空間，并且在該空間中對(duì)所述基板實(shí)施等離子體處理，還具備至少一部分在所述空間中露出的并且至少含有硅的處理室內(nèi)部件，其特征在于，所述程序具有通過由導(dǎo)入所述空間的氧氣生成的第一等離子體對(duì)所述處理室內(nèi)部件實(shí)施附著物除去處理的第一等離子體處理模塊；和通過由導(dǎo)入所述空間的四氟化碳?xì)怏w生成的第二等離子體對(duì)所述處理室內(nèi)部件實(shí)施氧化物除去處理的第二等離子體處理模塊。
8.一種基板處理室，具有搬入基板的空間，并且在該空間中對(duì)所述基板實(shí)施等離子體處理，還具備至少一部分在所述空間中露出的并且至少含有硅的處理室內(nèi)部件，其特征在于，包括向所述空間導(dǎo)入規(guī)定氣體的氣體導(dǎo)入裝置；和向?qū)胨鰵怏w后的空間施加高頻電力生成等離子體的電極，其中，在向所述空間導(dǎo)入氧氣后，所述電極向所述空間施加高頻電力，生成第一等離子體，在從所述空間除去第一等離子體并向所述空間導(dǎo)入四氟化碳?xì)怏w后，所述電極向所述空間施加高頻電力，生成第二等離子體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止在處理室內(nèi)部件的表面形成氧化膜的基板處理室的洗凈方法。在上部電極板(38)的表面附著有反應(yīng)生成物的等離子體處理裝置(10)中，將晶片(W)從基板處理室(11)搬出后，向處理空間(S)導(dǎo)入氧氣，將處理空間(S)的壓力設(shè)定為26.7Pa～80.0Pa，將電極板表面－空間電位差設(shè)定為0eV，將40MHz的高頻電力的大小設(shè)定為500W以下，通過40MHz的高頻電力生成等離子體而實(shí)施干洗處理，進(jìn)一步向處理空間(S)導(dǎo)入四氟化碳?xì)怏w，通過40MHz和2MHz的高頻電力生成等離子體而實(shí)施氧化物除去處理。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101022693SQ20071007910
公開日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2007年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月13日
發(fā)明者本田昌伸, 松井裕 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社