專利名稱：動態(tài)隨機存取記憶體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種內(nèi)存(包括存儲介質(zhì)，存儲器等)的制作方法，特別是涉 及一種可以避免位于位線(位線即位元線，以下均稱為位線)下方的阻障層 材料穿過儲存節(jié)點接觸窗的間隙壁而導(dǎo)致位線與儲存節(jié)點接觸窗之間產(chǎn)生 短路的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)今電腦微處理器的功能愈來愈強，軟件所進行的程序與運算也
愈來愈龐大。因此，內(nèi)存(即記憶體，memory,包括存儲介質(zhì)，存儲器等，以下 均稱為內(nèi)存)的制作技術(shù)已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的技術(shù)之一。動態(tài)隨機存取 內(nèi)存(dynamic random access memory, DRAM,即動態(tài)隨才幾存取內(nèi)存，以下均
稱為動態(tài)隨機存取內(nèi)存)屬于一種揮發(fā)性內(nèi)存，其是由多個記憶單元(記憶 單元即記憶胞，以下均稱為記憶單元)構(gòu)成。每一個記憶單元主要是由一個 掩膜(掩膜即罩幕層，以下均稱為掩膜)與一個電容器所構(gòu)成，且每一個記 憶單元藉由字線(即字元線，word line，WL)與位線(即位元線，bit line,BL) 彼此電性連接。此外，上述的電容器一般也可以稱為儲存節(jié)點(storage node, SN)。
由于元件高度積集化的發(fā)展，動態(tài)隨機存取內(nèi)存元件的尺寸必須縮小 以符合需求。因此， 一種電容器在位線上(capacitor over bit line, COB) 的動態(tài)隨機存取內(nèi)存也被發(fā)展出來。 一般而言，該COB動態(tài)隨機存取內(nèi)存 的制作方法，是在基底中形成淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)定義出記憶單元的主動區(qū)之 后，在主動區(qū)中形成掩膜(即罩幕層)。然后，以介電層隔離此掩膜，之后再 在介電層中形成位線接觸窗(bit line contact, BLC)開口。接著，在位線 接觸窗開口中與介電層上形成連接于掩膜的位線接觸窗以及位線。隨后，在 位線(位元線)上形成另一介電層，接著在兩層介電層中形成儲存節(jié)點接觸 窗(storage node contact, SNC)開口，并在儲存節(jié)點接觸窗開口中與第二 層介電層上形成儲存節(jié)點接觸窗以及儲存節(jié)點。
然而，在形成上述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的過程中，位于位線下方的阻障 層材料往往會因為工藝溫度過高使得阻障層材料的晶格產(chǎn)生變化，因而穿 過儲存節(jié)點接觸窗的間隙壁而與儲存節(jié)點接觸窗連接，從而導(dǎo)致了位線與 儲存節(jié)點接觸窗之間產(chǎn)生短路的情形。
由此可見，上述現(xiàn)有的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法在制作方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為解決上述存在
^!^題，^f^nt^^^盡'^^來"i^t^f^之道，^S^:久以來一直未見適用 的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般制作方法又沒有適切方法能解決上述問題，此顯 然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何創(chuàng)設(shè)一種新的動態(tài)隨機存取內(nèi)存 的制作方法，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進目標。
人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學 理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制 作方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)過反復(fù)試作及改 進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法存在的 缺陷，而提供一種新的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，所要解決的技術(shù)問
壁而導(dǎo)致i線與儲存節(jié)點接觸窗之間產(chǎn)生短路,'從而非常適于實用。' 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依 據(jù)本發(fā)明提出的 一種動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其包括以下步驟提供 一基底；在該基底上形成多個掩膜；在該些掩膜之間形成一第一著陸墊接觸 窗與一第二著陸墊接觸窗；在該基底上形成一第一介電層；在該第一介電層
中形成一第一開口，該第一開口暴露出該第一著陸墊接觸窗；共形地在該第 一介電層上形成一阻障層；在該第一開口中形成一位線接觸窗，以及在該第 一介電層上形成一位線，其中該位線與該位線接觸窗電性連接；在該位線的 側(cè)壁上形成一襯層；在該基底上形成一第二介電層，該第二介電層的干式蝕 刻速率實質(zhì)上等于該襯層的干式獨刻速率，且該第二介電層的濕式蝕刻速 率大于該襯層的濕式蝕刻速率；以及在該第二介電層與該第一介電層中形 成一儲存節(jié)點接觸窗，該儲存節(jié)點接觸窗與該第二著陸墊接觸窗電性連接。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。 前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的襯層的材料包括富 含硅氧化物。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的襯層的形成方法包 括化學氣相沉積法。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的阻障層的材料包括 鈦/氮化鈦。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的第一介電層的材料 包括硼磷硅玻璃。前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的第二介電層的材料 包括高密度電漿氧化物。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中在形成該位線之后以及在 形成該襯層之前，更包括在該位線的側(cè)壁上形成一間隙壁。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的間隙壁的材料包括 氮化硅。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的儲存節(jié)點接觸窗的
形成方法包括在該第二介電層與該第一介電層中形成一第二開口；以及在 該第二開口中形成一導(dǎo)體層。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中在形成該第二開口之后以 及在形成該導(dǎo)體層之前，更包括進行一濕式蝕刻工藝。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中在進行該濕式蝕刻工藝之 后以及在形成該導(dǎo)體層之前，更包括在該第二開口的側(cè)壁上形成一間隙壁。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的間隙壁的材料包括 氮化硅。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的儲存節(jié)點接觸窗的 材料包括多晶硅。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的位線接觸窗與該位 線的材料包括鎢。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的第 一著陸墊接觸窗 的材料包括多晶硅。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中所述的第二著陸墊接觸窗 的材料包括多晶硅。
前述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中在形成該儲存節(jié)點接觸窗 之后，更包括在該儲存節(jié)點接觸窗上形成一儲存節(jié)點。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為達 到上述目的，本發(fā)明提出一種動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，該方法是先 提供基底。接著，在基底上形成多個掩膜。然后，在掩膜之間形成第一著陸 墊接觸窗(landing pad contact, LPC)與第二著陸墊接觸窗。繼之，在基底 上形成第一介電層。而后，在第一介電層中形成第一開口，該第一開口暴 露出第一著陸墊接觸窗。隨后，共形地(conformally)在第一介電層上形成 阻障層。之后，在第一開口中形成位線接觸窗，以及在第一介電層上形成位 線，其中位線與位線接觸窗電性連接。然后，在位線的側(cè)壁上形成襯層。接 著，在基底上形成第二介電層，此第二介電層的干式蝕刻速率實質(zhì)上等于襯 層的干式蝕刻速率，且第二介電層的濕式蝕刻速率大于襯層的濕式蝕刻速 率。之后，在第二介電層與第一介電層中形成儲存節(jié)點接觸窗，此儲存節(jié)點接觸窗與第二著陸墊接觸窗電性連接。
依照本發(fā)明實施例所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其中 上述的村層的材料例如為富含硅氧化物(silicon rich oxide, SR0)。
上述的村層的形成方法例如為化學氣相沉積法。 上述的阻障層的材料例如為鈦/氮化鈦。
上述的第一介電層的材料例如為硼磷硅玻璃(borophosphosi 1 icate glass, BPSG)。
上述的第二介電層的材料，例如是為高密度電漿(high density plasma,證)氧化物。
上述在形成位線之后以及在形成村層之前，更包括在位線的側(cè)壁上形 成間隙壁。
上述的間隙壁的材料例如為氮化硅。
上述的儲存節(jié)點接觸窗的形成方法例如是先在第二介電層與第一介電 層中形成第二開口。之后，在第二開口中形成導(dǎo)體層。
上述在形成第二開口之后以及在形成導(dǎo)體層之前，更包括進行濕式蝕 刻工藝。
上述在進行濕式蝕刻工藝之后以及在形成導(dǎo)體層之前，更包括在第二 開口的側(cè)壁上形成間隙壁。
上述的間隙壁的材料例如為氮化硅。 上述的儲存節(jié)點接觸窗的材料例如為多晶硅。 上述的位線接觸窗與位線的材料例如為鵠。 上述的第一著陸墊接觸窗的材料例如為多晶硅。 上述的第二著陸墊接觸窗的材料例如為多晶硅。
上述的在形成該儲存節(jié)點接觸窗之后，更包括在儲存節(jié)點接觸窗上形 成儲存節(jié)點。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法至少具有下 列優(yōu)點及有益效果本發(fā)明在位線及阻障層的側(cè)壁上形成了村層，因此可 以避免在動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作過程中，由于工藝溫度過高而使阻障層 中的鈦的晶格產(chǎn)生變化以及儲存節(jié)點接觸窗的間隙壁受到應(yīng)力影響而產(chǎn)生 縫隙，導(dǎo)致阻障層中的鈦穿過間隙壁的縫隙而與儲存節(jié)點接觸窗相接觸，進 而可以防止位線與儲存節(jié)點接觸窗之間產(chǎn)生短路，非常適于實用。
綜上所述，本發(fā)明動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，可避免位于位線下方 的阻障層材料穿過儲存節(jié)點接觸窗的間隙壁而導(dǎo)致位線與儲存節(jié)點接觸窗 之間產(chǎn)生短路，非常實用。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，不論在方 法或功能上皆有較大改進，在技術(shù)上有顯著進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效 果，且較現(xiàn)有動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法具有增進的突出功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè)廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細說明如下。
圖1A至圖1D是依照本發(fā)明實施例所繪示的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作 流程及結(jié)構(gòu)的上視圖。
圖2A與圖2B分別是沿著圖1A與圖1B中的1-1，剖面所繪示的剖面
示意圖。
圖2C與圖2D分別是沿著圖1C與圖1D中的I I-I I，剖面所繪示的
剖面示意圖。
100基底102隔離結(jié)構(gòu)
104主動區(qū)106掩膜
107源極/漏極區(qū)108著陸麥接觸窗
110著陸墊接觸窗112介電層
114開口116鈦層
118氮化鈦層120圖案化硬掩膜
122位線124位線接觸窗
126間隙壁128襯層
130介電層132開口
134間隙壁136導(dǎo)體層
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的 制作方法其具體實施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱附圖所示，圖1A至圖1D是依照本發(fā)明實施例所繪示的動態(tài)隨 機存取內(nèi)存的制作流程及結(jié)構(gòu)的上視圖。圖2A與圖2B分別是沿著圖1A與 圖1B中的I-I，剖面所繪示的剖面示意圖。圖2C與圖2D分別是沿著圖 1C與圖1D中的I I-I I，剖面所繪示的剖面示意圖。
首先，請參閱圖1A與圖2A所示，首先提供基底100。接著，在該基底 100中形成隔離結(jié)構(gòu)102，以在基底100上定義出主動區(qū)104。該隔離結(jié)構(gòu) 102例如是淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)，其形成方法例如是先在基底100中形成溝渠(圖 中未繪示)，之后，再將絕緣材料填入溝渠中。然后，在基底100上形成掩膜(即罩幕層)106。該掩膜106的形成方法，例如是先在基底100上依序形成 氧化層(圖中未繪示)、多晶硅層(圖中未繪示)與氮化硅層，隨后定義氮化 硅層、多晶硅層與氧化層，以形成掩膜106的頂蓋層、柵極(柵極即為閘 極，以下均稱為柵極)與柵介電層(即閘介電層)，接著再進一步形成掩膜106 的間隙壁與源極/漏極(漏極即為汲極，以下均稱為漏極)區(qū)107,而完成掩 膜106的制作。
然后，請繼續(xù)參閱圖1A與圖2A所示，在掩膜106之間形成著陸墊接 觸窗108與著陸墊接觸窗110。著陸墊接觸窗108、 110的形成方法，例如是 先在基底100上形成一層多晶硅層(圖中未繪示)，然后進行化學機械研磨 工藝，直到暴露出掩膜106的頂蓋層。
繼之，請參閱圖1B與圖2B所示，在基底100上形成介電層112。該介 電層112的材料例如是為硼磷硅玻璃，形成方法例如為化學氣相沉積法。而 后，進行微影工藝與蝕刻工藝，以在介電層112中形成開口 114,暴露出著 陸墊接觸窗108。隨后，共形地在介電層112上依序形成設(shè)有鈦層116與氮 化鈦層118,以作為阻障層之用。之后， 一般還會進行快速熱退火(rapid thermal annealing, RTA)工藝，以使阻障層中的鈥與周圍的硅形成硅化鈦 (TiSi)。此外，在進行快速熱退火工藝之后，還可選#^生地在氮化鈦層118 上形成另一層氮化鈦層(圖中未繪示)，以作為粘著層(glue layer)之用。
之后，請繼續(xù)參閱圖1B與圖2B所示，在基底上形成一層金屬層(圖中 未繪示)，并填滿開口 114。該金屬層的材料例如為鎢。然后，在金屬層上形 成圖案化硬掩膜120。該圖案化硬掩膜120的材料例如為氮化硅。接著，以 該圖案化硬掩膜120為罩幕，進行蝕刻工藝，移除被圖案化硬掩膜120暴 露的金屬層及其下方的阻障層，以在介電層112上定義出位線122，并在開 口 114中形成與位線122電性連接的位線接觸窗124。
然后，請同時參閱圖1C與圖2C所示，在位線122的側(cè)壁上形成間隙壁 126。該間隙壁126的材料例如是為氮化硅，形成方法例如是先在介電層112 上共形地形成一層氮化硅層，然后再進行非等向性蝕刻工藝。接著，在介電 層112上共形地形成襯層128,以作為位線122與阻障層的保護層之用。該 村層128的材料例如是為富含硅氧化物，形成方法例如為同步化學氣相沉 積法(in-situ CVD)或非同步化學氣相沉積法(ex-situ CVD)。
而后，請參閱圖1D與圖2D所示，在基底IOO上形成介電層130。該介 電層130的干式蝕刻速率實質(zhì)上等于襯層128的干式蝕刻速率，且介電層 130的濕式蝕刻速率大于襯層128的濕式蝕刻速率。在本實施例中，介電層 130的材料例如是為高密度電漿氧化物。隨后，進行化學機械研磨工藝，以將 介電層130平坦化。
繼之，請繼續(xù)參閱圖1D與圖2D所示，進行微影工藝與干式蝕刻工藝，以在介電層130中形成開口 132，暴露出著陸墊接觸窗110。 一般來說，在進行 干式蝕刻工藝時，除了移除介電層130之外，通常由于工藝對準度的關(guān)系，也 會同時移除一小部分的襯層128。由于在進行干式蝕刻工藝時，介電層130 的蝕刻速率實質(zhì)上等f村層128的蝕刻速率，因此在蝕刻的過程中，可以順 利地移除介電層130以及一小部分的襯層128來形成開口 132，而不會受到 襯層128的阻礙。
特別需要一提的是，在形成開口 132之后，往往會發(fā)現(xiàn)開口 132的寬 度過窄而不利于后續(xù)工藝的進行，因此會選擇性地進行濕式蝕刻工藝，以移 除部分的介電層130而增加開口 132的寬度。上述的濕式蝕刻工藝一般稱 為緩沖氧化物蝕刻(buffer oxide etch， BOE)工藝，其進行時間大約為40 秒。此外，由于介電層130在進行濕式蝕刻工藝時蝕刻速率大于襯層128 的蝕刻速率，因此在蝕刻的過程中，襯層128仍然可以保留在位線122與 阻障層的側(cè)壁上。
然后，請繼續(xù)參閱圖1D與圖2D所示，在開口 132的側(cè)壁上形成間隙 壁134。該間隙壁134的材料例如是為氮化硅，形成方法例如是先在介電層 130上共形地形成一層氮化硅層，然后再進行非等向性蝕刻工藝。接著，在 開口 132中形成導(dǎo)體層136,以形成與著陸墊接觸窗110電性連接的儲存節(jié) 點接觸窗。導(dǎo)體層136的材料例如是為多晶硅，形成方法例如是先在介電 層130上形成一層導(dǎo)體材料層(圖中未繪示)，然后再進行化學機械研磨工 藝，將開口 132以外的導(dǎo)體材料層移除。
之后，進行儲存節(jié)點的制作，以在儲存節(jié)點接觸窗上形成儲存節(jié)點(圖 中未繪示)。儲存節(jié)點的制作過程為本領(lǐng)域中具有通常知識的技術(shù)人員所熟 知，故在此不再贅述。
綜上所述，本發(fā)明在形成位線之后，在位線及阻障層的側(cè)壁上形成作 為保護層的襯層，因此可避免在動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作過程中，阻障層中 的鈦會因為工藝溫度過高而使晶格產(chǎn)生變化，以及利用襯層作為阻障層中 的鈦與儲存節(jié)點接觸窗的間隙壁之間的緩沖層，可以降低間隙壁所受到的 應(yīng)力而避免間隙壁產(chǎn)生縫隙，進而能夠避免阻障層中的鈦穿過儲存節(jié)點接 觸窗的間隙壁的縫隙而與儲存節(jié)點接觸窗接觸，有效地防止了位線與儲存 節(jié)點接觸窗之間產(chǎn)生短路的情形，非常適于實用。
以上所述，僅是本發(fā)明較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的 限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任 何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述 揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未 脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任 何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、 一種動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基底；在該基底上形成多個掩膜；在該些掩膜之間形成一第一著陸墊接觸窗與一第二著陸墊接觸窗；在該基底上形成一第一介電層；在該第一介電層中形成一第一開口，該第一開口暴露出該第一著陸墊接觸窗；共形地在該第一介電層上形成一阻障層；在該第一開口中形成一位線接觸窗，以及在該第一介電層上形成一位線，其中該位線與該位線接觸窗電性連接；在該位線的側(cè)壁上形成一襯層；在該基底上形成一第二介電層，該第二介電層的干式蝕刻速率實質(zhì)上等于該襯層的干式蝕刻速率，且該第二介電層的濕式蝕刻速率大于該襯層的濕式蝕刻速率；以及在該第二介電層與該第一介電層中形成一儲存節(jié)點接觸窗，該儲存節(jié)點接觸窗與該第二著陸墊接觸窗電性連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的襯層的材料包括富含硅氧化物。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的襯層的形成方法包括化學氣相沉積法。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的阻障層的材料包括鈦/氮化鈦。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的第 一介電層的材料包括硼磷硅玻璃。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的第二介電層的材料包括高密度電漿氧化物。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中在形成該位線之后以及在形成該村層之前，更包括在該位線的側(cè)壁上 形成一間隙壁。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的間隙壁的材料包括氮化硅。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的儲存節(jié)點接觸窗的形成方法包括在該第二介電層與該第一介電層中形成一第二開口；以及在該第二開口中形成一導(dǎo)體層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中在形成該第二開口之后以及在形成該導(dǎo)體層之前，更包括進行一濕式 蝕刻工藝。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在 于其中在進行該濕式蝕刻工藝之后以及在形成該導(dǎo)體層之前，更包括在該 第二開口的側(cè)壁上形成一間隙壁。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在 于其中所述的間隙壁的材料包括氮化硅。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的儲存節(jié)點接觸窗的材料包括多晶硅。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的位線接觸窗與該位線的材料包括鴒。
15、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的第一著陸墊接觸窗的材料包括多晶硅。
16、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其特征在于 其中所述的第二著陸墊接觸窗的材料包括多晶硅。
17、 根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一權(quán)利要求所述的動態(tài)隨機存取內(nèi)存的 制作方法，其特征在于其中在形成該儲存節(jié)點接觸窗之后，更包括在該儲存 節(jié)點接觸窗上形成一儲存節(jié)點。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種動態(tài)隨機存取內(nèi)存的制作方法，其首先是提供基底。接著，在基底上形成多個晶體管。然后，在晶體管之間形成第一與第二著陸墊接觸窗。繼之，在基底上形成第一介電層，并在第一介電層中形成暴露出第一著陸墊接觸窗的第一開口。隨后，在第一介電層上形成阻障層。之后，在第一開口中形成位線接觸窗，以及在第一介電層上形成位線。然后，在位線的側(cè)壁上形成襯層。接著，在基底上形成干式蝕刻速率實質(zhì)上等于襯層的干式蝕刻速率且濕式蝕刻速率大于襯層的濕式蝕刻速率的第二介電層。之后，在第二與第一介電層中形成儲存節(jié)點接觸窗。本發(fā)明可避免位于位線下方阻障層材料穿過儲存節(jié)點接觸窗的間隙壁導(dǎo)致位線與儲存節(jié)點接觸窗間產(chǎn)生短路，非常適于實用。
文檔編號H01L21/70GK101286479SQ200710090480
公開日2008年10月15日 申請日期2007年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月12日
發(fā)明者張道宜, 李政哲, 林宗德 申請人:茂德科技股份有限公司