專利名稱：抗失真觸摸感應顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有觸摸感應顯示屏的顯示面板，更具體地講，涉及一 種抵抗被觸摸時的圖像失真的顯示面板。
背景技術：
當用外部筆觸摸具有觸摸感應顯示屏的平板顯示設備(例如液晶顯示器(LCD))時，其接收輸入信號。通常，LCD設備利用液晶的光學和電學特性顯 示圖像，并利用入射光和/或來自背光組件的光顯示圖《象。LCD面板包括陣列 基底、濾色器基底及置于陣列基底和濾色器基底之間的液晶層。陣列基底具 有薄膜晶體管。當通過外部筆向LCD設備施加壓力時，在LCD設備的液晶 層中的液晶分子的取向改變，并且會使由LCD設備顯示的圖像局部失真。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一方面， 一種陣列基底包括多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多 個薄膜晶體管、多個像素電極、多條共電壓線和多個共電極。柵極線在第一 方向上延伸，數(shù)據(jù)線在與第一方向基本垂直的第二方向上延伸。薄膜晶體管 電連接到柵極線和數(shù)據(jù)線。像素電極形成在由柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉方向限 定的各像素內(nèi)，并電連接到薄膜晶體管。共電壓線在與數(shù)據(jù)線基本平行的第 二方向上延伸。共電極形成在各像素中，與像素電極電絕緣，并電連接到共 電壓線。例如，像素電極和共電極可包含透明導電材料。像素電極可包括第 一主像素電極、第二主像素電極和多個子像素電極。 第一主像素電極在第一方向上延伸并與柵極線中的一條相鄰。第二主像素電 極也在第一方向上延伸，并與第一主像素電極隔開預定的距離，且與柵極線 中連續(xù)的一條相鄰。子像素電極設置在第一主像素電極和第二主像素電極之 間，以連接第一主像素電極和第二主像素電極，子像素電極布置在第一方向 上。共電才及可設置在像素電極的下方，絕緣層可形成在共電極和像素電極之 間。
可選擇地，像素電極可包括主像素電極和多個子像素電極。主像素電極 在第一方向上延伸，并與柵極線中的一條相鄰。子像素電極從主像素電極朝 著柵極線中連續(xù)的一條突出，并布置在第一方向上。共電極可包括主共電極 和多個子共電極。主共電極在第一方向上延伸，并與4冊極線中連續(xù)的一條相 鄰。子共電極從主共電極朝著主像素電極突出，并布置在第一方向上。在本發(fā)明的另一方面中， 一種顯示面板包括陣列基底；對向基底，面 對陣列基底；液晶層，置于陣列基底和對向基底之間，并具有液晶分子。陣列基底包括多條擴極線、多條數(shù)據(jù)線、多個薄膜晶體管、多個像素電 極、多條共電壓線和多個共電極。柵極線在第一方向上延伸。數(shù)據(jù)線在與第 一方向基本垂直的第二方向上延伸。薄膜晶體管電連接到柵極線和數(shù)據(jù)線。 像素電極形成在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的各個像素中，并電連接到各個薄膜 晶體管。共電壓線在與數(shù)據(jù)線基本平行的第二方向上延伸。共電極形成在各 像素中，與像素電極電絕緣，并電連接到共電壓線。例如，液晶層的液晶分子可基本平行于陣列基底的表面取向，并可通過 由像素電極和共電極形成的電場旋轉(zhuǎn)預定的角度，且基本平行于陣列基底的 表面。根據(jù)上文，液晶分子基本平行于陣列基底的表面。因而，液晶分子的取 向不會因觸摸顯示屏作用的外部壓力而改變。因此，可提高顯示品質(zhì)。


通過參照以下結(jié)合附圖時的詳細描述，本發(fā)明的上面和其它優(yōu)點將變得 更容易清楚，在附圖中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示面板的透視圖；圖2是示出了圖1中所示的顯示面板的陣列基底的示意性俯視圖；圖3是示出了圖2中的部分的放大的俯視圖；圖4是示出了圖3中的區(qū)域"R1"的放大的俯視圖；圖5是沿著圖4中的I-I'線截取的剖視圖；圖6是示出了圖3中的區(qū)域"R2"的放大的俯視圖；圖7是沿著圖6中的n-n'線截取的剖視圖；圖8是示出了圖3中的區(qū)域"R3"的放大的俯視圖； 圖9是沿著圖8中的III-in'線截取的剖視圖； 圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示面板的陣列基底的 部分的俯一見圖；圖ll是示出了圖IO中的區(qū)域"R4"的放大的俯視圖； 圖12是示出了圖IO中的區(qū)域"R5"的放大的俯視圖； 圖13是示出了圖IO中的區(qū)域"R6"的放大的俯S見圖； 圖14是沿著圖13中的IV-IV'線截取的剖視圖。
具體實施方式
在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的大小和相對大小。應該明 白，當元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)由?、連接到另一元件或?qū)印⒒蛘呓Y(jié)合 到另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌芍苯釉谄渌驅(qū)由?、直接連接到其它 元件或?qū)印⒒蛘咧苯咏Y(jié)合到其它元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)印Ｏ喾矗?當元件被稱作直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到另一元件或?qū)?、或者直?結(jié)合到另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)?。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示面板的透視圖。參照圖1,顯示面板400包括陣列基底100、對向基底200和液晶層300， 用于利用光來顯示圖像。陣列基底100包括多個像素電極，布置成矩陣構造；多個薄膜晶體管， 用于向像素電極施加驅(qū)動電壓；多條信號線，用于驅(qū)動薄膜晶體管。陣列基 底IOO還包括施加有共電壓的共電極。對向基底200面對陣列基底100。對向基底200可包括面向像素電極的 多個濾色器。濾色器的示例可包括紅色濾色器、綠色濾色器、藍色濾色器等。液晶層300置于陣列基底100和對向基底200之間。通過改變在像素電 極和共電極之間施加的電場使液晶重新取向。重新取向后的液晶控制穿過濾 色器的光的透射率，以顯示圖像。圖2是示出了圖1中所示的顯示面板的陣列基底的示意性俯視圖。參照圖2，陣列基底100包括柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT 和像素電才及150。多條柵極線GL布置在第一方向上。多條數(shù)據(jù)線DL布置在基本垂直于 第一方向的第二方向上。例如，如圖2中所示，陣列基底100可包括9條柵 極線GL1、 GL2、 ...、 GL9和7條數(shù)據(jù)線DL1、 DL2.....DL7。柵極線GL1、 GL2、…、GL9中的每條電連接到柵極驅(qū)動器(未示出)，并被提供有柵極信號。數(shù)據(jù)線DL1、 DL2.....DL7中的每條電連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)，并被提供有數(shù)據(jù)信號。柵極驅(qū)動器包括第一柵極驅(qū)動器，電連接到各條奇數(shù)柵極線GL1、GL3.....GL9的第一端；第二柵極驅(qū)動器，電連接到各條偶數(shù)柵極線GL2、GL4..... GL8的第二端，第二端與第一端相對。可選擇地，4冊極驅(qū)動器可電連接到柵極線GL1、 GL2..... GL9中的每條的端部。柵極線GL1、 GL2..... GL9與數(shù)據(jù)線DL1、 DL2.....DL7以基本垂直的方向交叉，從而在陣列基底100上限定多個像素。像素電極150形成在 各個像素中。因此，多個像素電極150按矩陣構造布置在陣列基底100上。各個像素可具有矩形形狀。因此，形成在各像素中的像素電極150可具 有與各像素的形狀基本相同的形狀。薄膜晶體管TFT形成在各像素中，以與各像素電極150對應。薄膜晶體 管TFT電連接到柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和像素電極150。通過柵極線GL上 的柵極信號使薄膜晶體管TFT導通或截止，以將數(shù)據(jù)線DL上的數(shù)據(jù)信號施 加到像素電極150。當從俯視圖看時，電連接到數(shù)據(jù)線DL中的一條的薄膜晶 體管TFT可以可選擇地與數(shù)據(jù)線DL的第一側(cè)和數(shù)據(jù)線DL的第二側(cè)相鄰設 置，第二側(cè)與第一側(cè)相對。具體地講，柵極線GL1、 GL2、 ...、 GL9中的每 條電連接到按行布置的相鄰的薄膜晶體管TFT。連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的薄膜晶體管TFT連接到奇數(shù)柵極線GL1、GL3..... GL9。連接到第七數(shù)據(jù)線DL7的薄膜晶體管TFT連接到偶數(shù)柵極線GL2、 GL4..... GL8。與其余的數(shù)據(jù)線DL2、 DL3、 DL4、 DL5和DL6的第一側(cè)相鄰的薄膜晶體管TFT連接到奇數(shù)柵極線GL1、 GL3.....GL9。與其余的數(shù)據(jù)線DL2、 DL3、 DL4、 DL5和DL6的第二側(cè)相鄰的薄膜晶體管 TFT連接到偶數(shù)斥冊才及線GL2、 GL4..... GL8。例如，數(shù)據(jù)線DL1、 DL2.....DL7中的每條可被提供有用于垂直反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)信號。例如，當?shù)谝粩?shù)據(jù)線DL1在一幀內(nèi)^皮提供有具有正電壓的數(shù)據(jù) 信號時，相鄰的數(shù)據(jù)線即第二數(shù)據(jù)線DL2在該幀內(nèi)被提供有具有負電壓的數(shù) 據(jù)信號。相反，第一數(shù)據(jù)線DL1在下一幀內(nèi)被提供有具有負電壓的數(shù)據(jù)信號， 而第二數(shù)據(jù)線DL2在下一幀內(nèi)被提供有具有正電壓的數(shù)據(jù)信號。因此，可以 按點反轉(zhuǎn)方法來驅(qū)動像素電極150。圖3是示出了圖2中的部分的放大的俯視圖。圖4是示出了圖3中的區(qū) 域"R1"的放大的俯視圖。圖5是沿著圖4中的I-I'線截取的剖視圖。圖6 是示出了圖3中的區(qū)域"R2"的放大的俯視圖。圖7是沿著圖6中的II-II'線 截取的剖視圖。圖8是示出了圖3中的區(qū)域"R3"的放大的俯視圖。圖9是沿著圖8中的nwn，線截取的剖視圖。參照圖1、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8和圖9，顯示面板400包 括陣列基底100、對向基底200和液晶層300。陣列基底100包括第一透明基底110、柵極線GL、共電極CE、水平連 接電極HE、第一絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、共電壓線130、 第二絕緣層140、像素電極150和垂直連接電極135。第一透明基底IIO呈板形，并包含諸如玻璃、石莢、透明合成樹脂等的 透明材料。參照圖3,柵極線GL在第一透明基底IIO上沿第一方向延伸，多條柵極 線GL布置在與第一方向基本垂直的第二方向上。第一絕緣層120形成在第一透明基底110上，以覆蓋柵極線GL。可用于 第一絕緣層120的材料的示例可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO》等。參照圖3，數(shù)據(jù)線DL形成在第一絕緣層120上，并在第二方向上延伸， 從而與柵極線GL交叉。多條數(shù)據(jù)線DL布置在第一方向上。數(shù)據(jù)線DL可在 第二方向上具有線性形狀?？蛇x擇地，數(shù)據(jù)線DL可具有彎曲部分，例如鋸 齒形形狀。數(shù)據(jù)線DL與柵極線GL交叉，從而限定多個像素。共電極CE在第一透明基底IIO上形成在各像素中，并被第一絕緣層120 覆蓋。共電極CE可具有矩形形狀，并可包含透明導電材料。水平連接電極HE設置在相鄰的共電極CE之間，以使共電極CE相互電 連接。水平連接電極HE由與共電極CE基本相同的層形成。具體地講，水平 連接電極HE形成在第一透明基底110上，并被第一絕緣層120覆蓋。水平 連接電極HE可包含透明導電材料。參照圖3、圖4和圖5，薄膜晶體管TFT形成在各像素中，并電連接到 柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和像素電極150。具體地講，薄膜晶體管TFT包括4冊電極G、有源層A、源電極S、漏電 極D和歐姆4妻觸層O。柵電極G/人柵極線GL突出預定的長度。例如，柵電極G可在與數(shù)據(jù)線
DL基本平行的方向上從柵極線GL突出。有源層A形成在第一絕緣層120上，并與柵電極G疊置。例如，有源層 A可具有矩形形狀，并可包含非晶硅(a-Si)。源電極S從數(shù)據(jù)線DL突出預定的長度，并與有源層A的部分疊置。例 如，源電極S可在與柵極線GL基本平行的方向上從數(shù)據(jù)線DL突出。漏電極D與源電極S隔開預定的距離，并由與源電極S基本相同的層形 成。漏電極D與有源層A的部分疊置。此外，漏電極D與像素電極150的部 分疊置，以電連接到像素電極150。歐姆接觸層O形成在源電極S和有源層A之間及漏電極D和有源層A 之間。歐姆接觸層0可包含在其內(nèi)以高濃度注入n+雜質(zhì)的非晶砝(a-Si)。第二絕緣層140形成在第一絕緣層120上，以覆蓋薄膜晶體管TFT和數(shù) 據(jù)線DL?？捎糜诘诙^緣層140的材料的示例可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅 (SiOx)等。參照圖3、圖6和圖7，共電壓線130在第二方向上延伸以與像素交叉。 多條共電壓線130布置在第一方向上。具體地講，共電壓線130可與像素的 中心部分交叉。共電壓線130由與數(shù)據(jù)線DL基本相同的層形成。具體地講， 共電壓線130形成在第一絕緣層120上，并被第二絕緣層140覆蓋。共電壓 線130具有共電壓連接部分132，以電連接共電壓線130和共電極CE。例如， 可穿過共電壓連接部分132的中心部分形成開口，共電壓連接部分132可關 于像素的中心線基本對稱，像素的中心線基本平行于第二方向。垂直連接電極135形成在第二絕緣層140上，以電連接共電壓線130和 共電極CE。具體地講，去除第一絕緣層120和第二絕緣層140中的各層的部分，以 形成第一共接觸孔CH1。第一共接觸孔CH1可形成在共電壓連接部分132的 開口內(nèi)。此外，去除第二絕緣層140的與共電壓連接部分132疊置的部分， 以形成第二共接觸孔CH2。垂直連接電極135形成在第二絕緣層140上，并通過第一共接觸孔CH1 電連接到共電極CE，通過第二共接觸孔CH2電連接到共電壓連接部分132。 因此，垂直連接電極135將共電壓線130電連接到共電極CE。參照圖3和圖4，像素電極150在各j象素中形成在第二絕緣層140上。 像素電極150通過穿過第二絕緣層140形成的像素接觸孔142電連接到薄膜 晶體管TFT的漏電極D。像素電極150包含透明導電材料。當從俯視圖看時， 設置在像素電極150下方的共電極CE可比像素電極150大，以覆蓋像素電 極150。像素電極150包括第一主像素電極152、第二主^f象素電極154和子像素電極156。像素電極150可關于像素的中心線基本對稱。第一主像素電極152與柵極線GL中的一條相鄰，并在第一方向上延伸。 第二主像素電極154與第一主像素電極152隔開預定的距離，并在第一方向上延伸。具體地講，第二主像素電極154與柵極線GL中的連續(xù)的一條相鄰。子像素電極156設置在第一主像素電極152和第二主像素電極154之間， 并連接到第一主像素電極152和第二主像素電極154。多個子像素電極156 可布置在第一方向上。子像素電極156可關于像素的中心線基本對稱。例如，子像素電極156 可包括關于像素的中心線基本對稱的第一子像素電極156a和第二子像素電極 156b。第一子像素電極156a與像素中心線的第一側(cè)相鄰，并可關于第二方向傾 斜預定的角度。例如，第一子像素電極1563可關于第二方向傾斜大約0.5度 至大約5度。第二子像素電極156b與像素中心線的第二側(cè)(與第一側(cè)相對)相鄰，并可 傾斜，使得第一子像素電極156a和第二子像素電極156b關于像素的中心線 基本對稱。第二子像素電極156b在與第一子像素電極156a相反的方向上傾 斜大約0.5度至大約5度。陣列基底100還可包括第一取向?qū)?未示出)，以^使液晶層300的液晶分 子在預定的方向上取向。第一取向?qū)有纬稍诘诙^緣140上，以覆蓋像素電 極150和垂直連接電才及135。在下文中，參照圖8和圖9來更充分地描述對向基底200和液晶層300。對向基底200面對陣列基底100。對向基底200包括第二透明基底210 和光阻擋層(未示出)。對向基底200還可包括濾色器220。第二透明基底210可包含透明材料，并可呈板形。光阻擋層形成在第二透明基底210上，以面對陣列基底100。光阻擋層 可以足夠大以覆蓋柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT。
濾色器220形成在第二透明基底210上，并與像素電極150疊置。可選 擇地，濾色器220可形成在陣列基底100上。對向基底200還可包括第二取向?qū)?未示出)，以使液晶層300的液晶分 子310在預定的方向上取向。第二取向?qū)痈采w濾色器220。液晶層300置于陣列基底100和對向基底200之間。通過第一取向?qū)雍?第二取向?qū)邮挂壕?00的液晶分子310在預定的方向上取向。具體地講， 液晶分子310可以在第二方向上與陣列基底100的表面基本平行地取向。當向共電極CE施加第一電壓，向像素電極150施加具有與第一電壓不 同的電壓電平的第二電壓時，在共電極CE和像素電極150之間形成電場。 電場使液晶分子310旋轉(zhuǎn)預定的角度，并保持液晶分子310基本平行于陣列 基底IOO的表面。設置在第一子像素電極156a上的液晶分子310在與設置在 第二子像素電極156b上的液晶分子310的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向上旋轉(zhuǎn)。由于 第一子像素電極156a和第二子像素電極156b在相反的方向上傾斜，所以防 止了設置在第一子像素電極156a上的液晶分子310和設置在第二子像素電極 156b上的液晶分子310相互碰撞。在該實施例中，通過在像素電極150和共電極CE之間形成的電場使液 晶層300的水平取向的液晶分子310旋轉(zhuǎn)預定的角度。因此，液晶分子310 并不是與陣列基底100的表面垂直，而是與陣列基底100的表面平行。由于 液晶分子310基本平行于陣列基底100的表面，所以通過由筆觸摸顯示屏產(chǎn) 生的外部施加的垂直方向上的壓力不會改變液晶分子310的取向。因而，顯 示的圖像不會由于用筆觸摸顯示屏而失真，因此，提高了圖像品質(zhì)。此外，當像素具有矩形形狀(像素的第一方向上的第一長度大于第二方向 上的第二長度)時，可減少數(shù)據(jù)線DL的數(shù)量。因而，可減少數(shù)據(jù)驅(qū)動器芯片 的數(shù)量，從而既降低了顯示面板的制造成本，又降低了顯示面板的功耗。圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示面板的陣列基底的 部分的俯^見圖。圖ll是示出了圖IO中的區(qū)域"R4"的放大的俯4見圖。圖12 是示出了圖10中的區(qū)域"R5"的放大的俯視圖。圖13是示出了圖IO中的區(qū) 域"R6"的放大的俯視圖。圖14是沿著圖13中的IV-IV'線截取的剖視圖。參照圖1和圖2，顯示面板400包括陣列基底100、對向基底200和液晶 層300。參照圖10、圖11、圖12、圖13和圖14，陣列基底100包括第一透明基
底110、柵極線gl、第一絕緣層120、數(shù)據(jù)線dl、薄膜晶體管tft、共電壓 線130、第二絕緣層140、像素電極150、共電極160和水平連接電極he。第一透明基底110可呈板形，并可包含透明材料。柵極線gl形成在第 一透明基底110上，并在第一方向上延伸。多條柵極線gl布置在與第一方 向基本垂直的第二方向上。第一絕緣層120形成在第一透明基底iio上，以 覆蓋柵極線gl。數(shù)據(jù)線dl形成在第一絕緣層120上，并在第二方向上延伸， 以與柵極線gl交叉。多條數(shù)據(jù)線dl布置在第一方向上。數(shù)據(jù)線dl與柵極 線gl交叉，從而限定多個像素。各個像素可具有矩形形狀，像素的第一方 向上的第一長度長于第二方向上的第二長度。薄膜晶體管tft形成在各像素中，并電連接到柵極線gl、數(shù)據(jù)線dl 和像素電極150。例如，當從俯視圖看時，電連接到數(shù)據(jù)線dl中的一條的薄 膜晶體管tft可以可選擇地與數(shù)據(jù)線dl的第一側(cè)和數(shù)據(jù)線dl的第二側(cè)相 鄰，第二側(cè)與第一側(cè)相對。參照圖10和圖11，薄膜晶體管tft包括柵電極 g、有源層a、源電極s、漏電極d和歐姆接觸層(未示出)。柵電極g從柵極線gl突出預定的長度。例如，柵電極g可在與數(shù)據(jù)線 dl基本平行的方向上從柵極線gl突出。有源層a形成在第一絕緣層120上，并與柵電極g疊置。例如，有源層 A可具有矩形形狀，并可包含非晶硅(a-Si)。源電極s從數(shù)據(jù)線dl突出預定的長度，并與有源層a的部分疊置。例漏電極d與源電極s隔開預定的距離，并由與源電極s基本相同的層形 成。漏電極d與有源層a的部分疊置。此外，漏電極d與像素電極150的部 分疊置，以電連接到像素電極150。歐姆接觸層形成在源電極s和有源層a之間及漏電極d和有源層a之 間。歐姆接觸層可包含在其內(nèi)以高濃度注入n+雜質(zhì)的非晶硅(a-Si)。參照圖10,共電壓線130在第二方向上延伸以與像素交叉。多條共電壓 線130布置在第一方向上。具體地講，共電壓線130可與像素的中心部分交 叉。共電壓線130由與數(shù)據(jù)線dl基本相同的層形成。具體地講，共電壓線 130形成在第一絕^^層120上。第二絕緣層140形成在第一絕緣層120上，以覆蓋薄膜晶體管tft、數(shù) 據(jù)線dl和共電壓線130。 像素電極150在各像素中形成在第二絕緣層140上。像素電極150通過 像素接觸孔142電連接到薄膜晶體管TFT的漏電極D,像素接觸孔142穿過 第二絕緣層140形成。像素電極150包含透明導電材料。參照圖10,像素電極150包括主像素電極152和子像素電極154。像素 電極150可關于像素的中心線基本對稱，像素的中心線基本平行于第二方向。主像素電極152與柵極線GL中的一條相鄰，并在第一方向上延伸。子像素電極154在與柵極線GL中的那條相對的方向上從主像素電極152 突出。多個子像素電極154可布置在第一方向上。子像素電極154可關于像素的中心線基本對稱。例如，子像素電極154 可包括關于像素的中心線基本對稱的第一子像素電極154a和第二子像素電極 154b。第一子像素電極154a與像素中心線的第一側(cè)相鄰，并可相對于第二方向 傾斜預定的角度。例如，第一子像素電極154a可相對于第二方向傾斜大約0.5 度至大約5度。第二子像素電極154b與像素中心線的第二側(cè)(與第一側(cè)相對)相鄰，并可 傾斜，使得第一子像素電極154a和第二子像素電極154b關于像素的中心線 基本對稱。具體地講，第二子像素電極154b在與第一子像素電極154a相反 的方向上關于第二方向傾斜大約0.5度至大約5度。參照圖IO和圖12,共電極160由與像素電極150基本相同的層形成。 具體地講，共電極160在各像素中形成在第二絕緣層140上，并與像素電極 150電絕緣。共電極160通過共接觸孔144電連接到共電壓線130，共接觸孔 144穿過第二絕緣層140形成。共電極160可包含與像素電極150基W目同 的透明導電材料。具體地講，共電極160包括主共電極162和子共電極164。共電極160 可關于像素的中心線基本對稱。主共電極162在第一方向上延伸，以面對主像素電極152。具體地講， 主共電極162與柵極線GL中的連續(xù)的一條相鄰。子共電極164義人主共電極162朝著主像素電極152突出，而不與子像素 電極154疊置。多個子共電極164布置在第一方向上。子共電極164可關于像素的中心線基本對稱。具體地講，子共電極164 包括關于像素的中心線對稱的第一子共電極164a和第二子共電極164b。
第一子共電極164a與像素中心線的第一側(cè)相鄰，并可在與第一子像素電 極154a基本相同的方向上傾斜。例如，第一子共電極164a可關于第二方向 傾斜大約0.5度至大約5度。第一子共電極164a的數(shù)量可以與第一子像素電 極154a的數(shù)量相同。第一子共電極164a可設置在彼此相鄰的第一子像素電 極154a之間。第二子共電極164b與像素中心線的第二側(cè)相鄰，并在與第二子像素電極 154b基本相同的方向上傾斜，第二側(cè)與第一側(cè)相對。具體地講，第二子共電 極164b在與第一子共電極164a相反的方向上關于第二方向傾斜大約0.5度至 大約5度。第二子共電極164b的數(shù)量可以與第二子像素電極154b的數(shù)量相 同。第二子共電極164b可設置在彼此相鄰的第二子像素電極154b之間。參照圖12,共電極160還可包括電連接到共電壓線130的垂直連接電極 162a。此外，共電壓線130具有電連接到共電極160的共電壓連接部分132。 共接觸孔144穿過第二絕緣層140形成，以暴露共電壓連接部分132的一部 分。具體地講，垂直連接電極162a從主共電極162沿著共電壓線130突出預 定的長度。因而，垂直連接電極162a與共電壓連接部分132疊置，并通過共 接觸孔144電連接到共電壓連接部分132。水平連接電極HE設置在彼此相鄰的共電極160之間，以使共電極160 相互電連接。水平連接電極HE由與共電極160基本相同的層形成。具體地 講，水平連接電極HE形成在第二絕緣層140上，并可包含透明導電材料。陣列基底100還包括第一取向?qū)?未示出)，以使液晶層300的液晶分子 310在預定的方向上取向。第一取向?qū)有纬稍诘诙^緣層140上，以覆蓋像 素電極150和共電極160。在該實施例中，當從俯視圖看時，像素電極150設置在共電極160上。 可選擇地，當從俯視圖看時，共電極160可設置在像素電極150上。在下文中，將參照圖1、圖2、圖10、圖13和圖14來更充分地描述對 向基底200和液晶層300。對向基底200面對陣列基底100。對向基底200包括第二透明基底210 和光阻擋層(未示出)。對向基底200還可包括濾色器220。第二透明基底210可包含與第一透明基底140基本相同的透明材料，并 可呈板形。光阻擋層形成在第二透明基底210上，以面對陣列基底100。光阻擋層 可以足夠大以覆蓋柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT。濾色器220形成在第二透明基底210上，并與像素電極150疊置?？蛇x 擇地，濾色器220可形成在陣列基底100上。對向基底200還可包括第二取向?qū)?未示出)，以使液晶層300的液晶分 子310在預定的方向上取向。第二取向?qū)痈采w濾色器220。液晶層300置于陣列基底100和對向基底200之間。通過第一取向?qū)雍?第二取向?qū)邮挂壕?00的液晶分子310在預定的方向上取向。具體地講， 液晶分子310可以在第二方向上與陣列基底100的表面基本平行地取向。當向共電極160施加第一電壓，向像素電極150施加具有與第一電壓不 同的電壓電平的第二電壓時，在共電極160和像素電極150之間形成電場。 電場在保持液晶分子310基本平行于陣列基底100的表面的同時，使液晶分 子310旋轉(zhuǎn)預定的角度。設置在第一子像素電極154a上的液晶分子310在與 設置在第二子像素電極154b上的液晶分子310的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向上旋 轉(zhuǎn)。由于第一子像素電極154a和第二子像素電極156b在相反的方向上傾斜， 所以防止了設置在第一子像素電極154a上的液晶分子310和設置在第二子像 素電才及154b上的液晶分子310相互碰撞。根據(jù)上文，陣列基底包括像素電極和共電極，從而通過像素電極和共電 極之間形成的電場使液晶層的水平取向的液晶分子旋轉(zhuǎn)預定的角度。因而， 液晶分子并不是與陣列基底的表面垂直，而是與陣列基底的表面平行。因此， 液晶分子的取向不因由筆觸摸顯示屏施加的外部壓力而改變，從而提高了顯 示品質(zhì)。此外，^^素具有矩形形狀，其中，^像素在行方向上的第一長度長于在列 方向上的第二長度。因而，可減少數(shù)據(jù)線DL的數(shù)量。因此，可減少數(shù)據(jù)驅(qū) 動器芯片的數(shù)量，從而降低了顯示面板的制造成本和功耗。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但是要明白，本發(fā)明不應局限 于這些示例性實施例，而是可由本領域普通技術人員在權利要求所保護的本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進行各種改變和修改。
權利要求
1、一種陣列基底，包括多條柵極線，在第一方向上延伸；多條數(shù)據(jù)線，在與所述第一方向基本垂直的第二方向上延伸，所述數(shù)據(jù)線和所述柵極線的交叉方向限定多個像素；多個薄膜晶體管，電連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；像素電極，電連接到所述薄膜晶體管中的每個；共電壓線，在與所述數(shù)據(jù)線基本平行的所述第二方向上延伸；共電極，形成在各像素中，與所述像素電極電絕緣，并電連接到所述共電壓線。
2、 如權利要求1所述的陣列基底，其中，所述像素電極和所述共電極包 含透明導電材料。
3、 如權利要求2所述的陣列基底，其中，所述〗象素電極包括第 一主像素電極，在所述第 一方向上延伸并與所述柵極線中的 一條相鄰； 第二主像素電極，在所述第一方向上延伸，并與所述第一主像素電極隔開且與所述柵極線中連續(xù)的一條相鄰；多個子像素電極，設置在所述第一主像素電極和所述第二主像素電極之間，以連接所述第一主像素電極和所述第二主像素電極，所述子像素電極布置在所述第一方向上。
4、 如權利要求3所述的陣列基底，還包括形成在所述共電極和所述像素 電極之間的絕緣層，其中，所述共電極設置在所述像素電極的下方。
5、 如權利要求4所述的陣列基底，其中，當從俯視圖看時，所述共電極 比所述像素電極大，以覆蓋所述像素電極。
6、 如權利要求3所述的陣列基底，其中，所述子像素電極關于所述像素 的中心線對稱，所述像素的中心線基本平行于所述第二方向。
7、 如權利要求6所述的陣列基底，其中，所述子像素電極包括 第一子像素電極，與所述中心線的第一側(cè)相鄰，并向所述第二方向傾斜預定的角度；第二子像素電極，與所述中心線的第二側(cè)相鄰，并向所述第二方向傾斜 預定的角度，從而所述第一子像素電極和所述第二子像素電極關于所迷中心 線對稱，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。
8、 如權利要求3所述的陣列基底，還包括 第一絕緣層，形成在所述共電極和所述共電壓線之間； 第二絕緣層，形成在所述共電壓線和所述像素電極之間； 垂直連接電極，形成在所述第二絕緣層上，并與所述像素電極電絕緣； 接觸孔，穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層形成，其中，所述共電壓線設置在所述共電極上，所述像素電極設置在所述共 電壓線上，所述共電壓線具有電連接到所述共電極的共電壓連接部分，所述 垂直連接電極通過所述接觸孔將所述共電壓連接部分電連接到所述共電極。
9、 如權利要求8所述的陣列基底，其中，所述共電壓連接部分關于所述 像素的中心線對稱，所述像素的中心線基本平行于所述第二方向。
10、 如權利要求2所述的陣列基底，其中，所述像素電極包括 主像素電極，在所述第一方向上延伸，并與所述柵極線中的一條相鄰； 多個子像素電極，從所述主像素電極朝著所述柵極線中連續(xù)的一條突出，所述子像素電極布置在所述第一方向上。
11、 如權利要求IO所述的陣列基底，其中，所述共電極包括 主共電極，在所述第一方向上延伸，并與所述柵極線中連續(xù)的一條相鄰； 多個子共電極，從所述主共電極朝著所述主像素電極突出，所述子共電極布置在所述第一方向上。
12、 如權利要求11所述的陣列基底，其中，所述共電極由與所述像素電 極基本相同的層形成。
13、 如權利要求11所述的陣列基底，其中，所述子像素電極關于所述像 素的中心線對稱，所述像素的中心線基本平行于所述第二方向，所述子共電 極關于所述中心線對稱。
14、 如權利要求13所述的陣列基底，其中，所述子像素電極包括 第一子像素電極，與所述中心線的第一側(cè)相鄰，并向所述第二方向傾斜預定的角度；第二子像素電極，與所述中心線的第二側(cè)相鄰，并向所述第二方向傾在牛 預定的角度，從而所述第一子像素電極和所述第二子像素電極關于所述中心 線對稱，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對，所述子共電極包括第一子共電極，與所述中心線的第一側(cè)相鄰，并基本平行于所述第一子像素電極；第二子共電極，與所述中心線的第二側(cè)相鄰，并基本平行于所述第二子 像素電極，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。
15、 如權利要求11所述的陣列基底，還包括絕緣層，所述絕緣層形成在 所述共電極和所述像素電極之間，并具有接觸孔，其中，所述共電極設置在 所述像素電極的下方，并通過所述接觸孔電連接到所述共電壓線。
16、 如權利要求2所述的陣列基底，還包括使相鄰的共電極相互電連接 的水平連接電極。
17、 如權利要求2所述的陣列基底，其中，所述像素中的每個具有矩形 形狀，所述像素在所述第一方向上的第一長度長于在所述第二方向上的第二 長度。
18、 如權利要求17所述的陣列基底，其中，電連接到凄t據(jù)線中的一條的 薄膜晶體管可選擇地與所述數(shù)據(jù)線的第一側(cè)或所述數(shù)據(jù)線的第二側(cè)相鄰，所 述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。
19、 一種顯示面板，包括 陣列基底；對向基底，面對所述陣列基底；液晶層，置于所述陣列基底和所述對向基底之間，并具有液晶分子， 所述陣列基底包括多條^^極線，在第一方向上延伸；多條數(shù)據(jù)線，在與所述第一方向基本垂直的第二方向上延伸； 多個薄膜晶體管，電連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線； 像素電極，形成在由所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線限定的各個像素中，并電連接到所述薄膜晶體管中的每個；共電壓線，在與所述數(shù)據(jù)線基本平行的所述第二方向上延伸； 共電極，形成在各像素中，與所述像素電極電絕緣，并電連接到所述共電壓線。
20、 如權利要求19所述的顯示面板，其中，所述液晶層的液晶分子基本 平行于所述陣列基底的表面取向，并通過由所述像素電極和所述共電極形成 的電場旋轉(zhuǎn)預定的角度，且基本平行于所述陣列基底的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種陣列基底。該陣列基底包括多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多個薄膜晶體管、多個像素電極、多條共電壓線和多個共電極。柵極線在第一方向上延伸。數(shù)據(jù)線在與第一方向基本垂直的第二方向上延伸。薄膜晶體管電連接到柵極線和數(shù)據(jù)線。像素電極形成在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的各像素內(nèi)。共電極電連接到共電壓線。液晶分子的水平取向不因外部施加的垂直觸摸壓力而改變，從而提高了顯示品質(zhì)。
文檔編號H01L23/522GK101114656SQ200710091519
公開日2008年1月30日 申請日期2007年3月27日 優(yōu)先權日2006年7月25日
發(fā)明者金東奎 申請人:三星電子株式會社