專利名稱：半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制備中的源漏注入的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制備工藝中，通常需要四個(gè)光刻層來(lái)完成N 型源漏區(qū)、N型輕摻雜漏區(qū)、P型源漏區(qū)和P型輕摻雜漏區(qū)這四個(gè)區(qū)域的 離子注入，故光刻成本比較高。而在用多晶硅制作多晶硅側(cè)墻，用來(lái)作淺 摻雜區(qū)的阻擋層時(shí)，多晶硅側(cè)墻的制作工藝難度較大，且多晶刻蝕成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的 方法，其能減少在源漏注入過(guò)程中的光刻掩膜版數(shù)量，有效減低器件制備 成本。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法， 先在襯底上定義出N區(qū)和P區(qū)，形成隔離氧化區(qū)和多晶硅柵之后，其特征在
于，包括如下步驟
(1) 在所述襯底表面淀積氮化硅阻擋層；
(2) 淀積氧化硅至覆蓋多晶硅柵形成的臺(tái)階，后刻蝕所述氧化硅形成 所述氧化硅側(cè)墻；
(3) 用光刻膠和N區(qū)光刻掩膜版光刻曝出所述N區(qū)，后進(jìn)行N源漏重?fù)?雜離子注入；(4) 去除N區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行N源漏輕摻雜注入；
(5) 去除步驟(3)所述的光刻膠；
(6) 用光刻膠和P區(qū)光刻掩膜版光刻曝出所述P區(qū)，后進(jìn)行P源漏重?fù)?雜離子注入；
(7) 去除P區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行P源漏輕摻雜注入；
(8) 去除步驟(6)所述的光刻膠。 本發(fā)明的方法也可以先用P區(qū)光刻掩膜版光刻曝出P區(qū)，進(jìn)行P源漏
重?fù)诫s和輕摻雜離子注入，后用N區(qū)光刻掩膜版光刻曝出N區(qū)，進(jìn)行N
源漏重?fù)诫s和輕摻雜離子注入。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，用氧化硅作為多晶硅柵
的側(cè)墻，避免了原有技術(shù)中用多晶硅作側(cè)墻工藝中刻蝕難度較大的問(wèn)題。
最重要的是，采用本發(fā)明的方法進(jìn)行源漏注入，只需用兩塊光刻掩膜板，
而常用的工藝中需要用到四塊光刻掩膜板，因光刻掩膜版的制造成本在半 導(dǎo)體器件制備中占有很大的比重且制作要求很精密，故本發(fā)明的方法能極
大的降低半導(dǎo)體器件制備的成本。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明 圖l是本發(fā)明的方法流程圖2是本發(fā)明的實(shí)施例形成多晶硅柵后的截面結(jié)構(gòu)圖； 圖3是本發(fā)明的實(shí)施例淀積氮化硅后的截面結(jié)構(gòu)圖； 圖4是本發(fā)明的實(shí)施例淀積氧化硅后的截面結(jié)構(gòu)圖； 圖5是本發(fā)明的實(shí)施例形成氧化硅側(cè)墻后的截面結(jié)構(gòu)圖；圖6是本發(fā)明的實(shí)施例N區(qū)光刻和N源漏重?fù)诫s注入的截面示意圖7是本發(fā)明的實(shí)施例去除步驟(4)中氧化硅側(cè)墻后的截面結(jié)構(gòu)圖; 圖8是本發(fā)明的實(shí)施例N源漏輕摻雜注入的截面示意圖； 圖9是本發(fā)明的步驟(5)去除光刻膠后的截面結(jié)構(gòu)圖； 圖10是本發(fā)明的實(shí)施例P區(qū)光刻和P源漏重?fù)诫s注入的截面示意圖； 圖ll是本發(fā)明一去除步驟(7)中的氧化硅側(cè)墻后的截面結(jié)構(gòu)圖； 圖12是本發(fā)明一實(shí)施例P源漏輕摻雜注入的截面示意圖13是本發(fā)明一實(shí)施例步驟(8)去除光刻膠后的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的方法中，襯底可為目前本行業(yè)內(nèi)通用的半導(dǎo)體硅片，先在襯
底上定義出N區(qū)和P區(qū)，形成隔離氧化區(qū)和多晶硅柵(見(jiàn)圖2)之后，通
過(guò)八大步驟完成，圖1是本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施流程圖
(1) 首先在N區(qū)和P區(qū)的襯底表面淀積氮化硅(見(jiàn)圖3)，用作阻 擋層。這一層氮化硅的厚度約為80 200埃，優(yōu)選為100埃；
(2) 后在整個(gè)襯底上淀積氧化硅，該氧化硅可為低壓化學(xué)氣相沉積 工藝制備的，所淀積的氧化硅應(yīng)覆蓋整個(gè)多晶硅柵所形成的臺(tái)階(見(jiàn)圖 4)，而后用各向同性的刻蝕工藝(如濕法刻蝕工藝)刻蝕氧化硅，形成
氧化硅側(cè)墻(見(jiàn)圖5)，用以保護(hù)輕摻雜離子注入?yún)^(qū)域；
(3) 涂光刻膠，并用N區(qū)光刻掩膜版光刻，曝出N區(qū)，后進(jìn)行N源 漏重?fù)诫s離子注入(見(jiàn)圖6)，形成N+源漏區(qū)(即源區(qū)和漏區(qū))(見(jiàn)圖7)， 注入工藝中的離子種類和劑量與通常應(yīng)用的相同；
(4) 將N區(qū)中由氧化硅形成的氧化硅側(cè)墻去除，可用濕法腐蝕工藝，后進(jìn)行N源漏輕摻雜離子注入，形成N輕摻雜區(qū)(見(jiàn)圖8)，該離子注入 的種類和劑量與現(xiàn)有工藝相同；
(5) 去除步驟(3)中光刻后的光刻膠(見(jiàn)圖9)，成該去除工藝與 現(xiàn)有技術(shù)相同，至此N區(qū)的源漏重?fù)诫s離子注入和輕摻雜離子注入已經(jīng) 兀；
(6) 涂光刻膠，并用P區(qū)光刻掩膜版光刻曝出P區(qū)，后進(jìn)行P源漏重?fù)?雜離子注入(見(jiàn)圖IO)，形成P+源漏區(qū)(即源區(qū)和漏區(qū))(見(jiàn)圖ll)，離 子注入工藝中的離子種類和劑量與通常應(yīng)用的相同；
(7) 去除P區(qū)中由氧化硅形成的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行P源漏輕摻雜注入， 在多晶硅柵兩側(cè)形成P輕摻雜區(qū)域(見(jiàn)圖12),離子注入工藝中的離子種類 和劑量與通常應(yīng)用的相同；
(8) 去除步驟(6)中光刻后剩下的光刻膠(見(jiàn)圖13)，完成整個(gè) 源漏注入工藝流程。
本發(fā)明的方法還可以先對(duì)P區(qū)進(jìn)行離子注入，后進(jìn)行N區(qū)離子注入， 只需將上述步驟轉(zhuǎn)換一下順序即可。采用本發(fā)明的方法進(jìn)行半導(dǎo)體器件制 備中的源漏注入工藝，只需用兩塊光刻掩膜板，而常用的工藝中需要用到 四塊光刻掩膜板，光刻掩膜版的制造成本在半導(dǎo)體器件制備中占有很大的 比重且制作要求很精密，故本發(fā)明的方法能極大的降低半導(dǎo)體器件制備的 成本。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，先在襯底上定義出N區(qū)和P區(qū)，形成隔離氧化區(qū)和多晶硅柵之后，其特征在于，包括如下步驟(1)在所述襯底表面淀積氮化硅；(2)淀積氧化硅至覆蓋多晶硅柵形成的臺(tái)階，后刻蝕所述氧化硅形成所述氧化硅側(cè)墻；(3)用光刻膠和N區(qū)光刻掩膜版光刻曝出所述N區(qū)，后進(jìn)行N源漏重?fù)诫s離子注入；(4)去除N區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行N源漏輕摻雜注入；(5)去除步驟(3)中光刻后剩下的光刻膠；(6)用光刻膠和P區(qū)光刻掩膜版光刻曝出所述P區(qū)，后進(jìn)行P源漏重?fù)诫s離子注入；(7)去除P區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行P源漏輕摻雜注入；(8)去除步驟(6)中光刻后剩下的光刻膠。
2、 按照權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特征 在于所述步驟(1)中氮化硅的厚度為80 200埃。
3、 按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特 征在于所述步驟(2)中氧化硅的淀積工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，所述氮 化硅的刻蝕工藝為各向同性刻蝕。
4、 按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特 征在于所述步驟(4)中N區(qū)的氧化硅側(cè)墻和步驟(7)中P區(qū)的氧化硅側(cè) 墻的去除工藝為濕法去除工藝。
5、 按照權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特征 在于所述步驟(4)中N區(qū)的氧化硅側(cè)墻和步驟(7)中P區(qū)的氧化硅側(cè)墻 的去除工藝為濕法去除工藝。
6、 按照權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特征 在于所述步驟(4)中N區(qū)的氧化硅側(cè)墻和步驟(7)中P區(qū)的氧化硅側(cè)墻 的去除工藝為濕法去除工藝。
7、 一種半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，先在襯底上定義出N區(qū)和P 區(qū)，形成隔離氧化區(qū)和多晶硅柵之后，其特征在于，包括如下步驟(1) 在所述襯底表面淀積氮化硅阻擋層；(2) 淀積氧化硅至覆蓋多晶硅柵形成的臺(tái)階，后刻蝕所述氧化硅形成 所述氧化硅側(cè)墻；(3) 用光刻膠和P區(qū)光刻掩膜版光刻曝出所述P區(qū)，后進(jìn)行P源漏重?fù)?雜離子注入；(4) 去除P區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行P源漏輕摻雜注入；(5) 去除步驟(3)所述的光刻膠；(6) 用光刻膠和N區(qū)光刻掩膜版光刻曝出所述N區(qū)，后進(jìn)行N源漏重?fù)?雜離子注入；(7) 去除N區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行N源漏輕摻雜注入；(8) 去除步驟(6)所述的光刻膠。
8、 按照權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特征 在于所述步驟(1)中氮化硅的厚度為80 200埃。
9、 按照權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特征在于所述步驟(2)中氧化硅的淀積工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，所述氮 化硅的刻蝕工藝為各向同性刻蝕。
10、按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其特征在于所述步驟(4)中P區(qū)的氧化硅側(cè)墻和步驟(7)中N區(qū)的氧化硅側(cè)墻的去除工藝為濕法去除工藝。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于半導(dǎo)體器件制備中源漏注入的方法，其包括如下步驟淀積氮化硅；淀積氧化硅，后刻蝕氧化硅形成氧化硅側(cè)墻；用N區(qū)光刻掩膜版光刻曝出N區(qū)，后進(jìn)行N源漏重?fù)诫s離子注入；去除N區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行N源漏輕摻雜注入；去除光刻膠；用P區(qū)光刻掩膜版光刻曝出P區(qū)，后進(jìn)行P源漏重?fù)诫s離子注入；去除P區(qū)的氧化硅側(cè)墻，后進(jìn)行P源漏輕摻雜注入；去除光刻膠完成源漏注入工藝。本發(fā)明的方法僅用兩塊光刻掩膜板完成源漏離子注入，比現(xiàn)有技術(shù)降低了制備成本，其可廣泛用于半導(dǎo)體器件制備中。
文檔編號(hào)H01L21/266GK101431056SQ20071009420
公開(kāi)日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2007年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月7日
發(fā)明者曾金川 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司