專利名稱：在E²PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)，尤其是一種在 E2PR0M中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法。
背景技術(shù)：
E2PR0M是常用的一種存儲(chǔ)器，在E卞ROM中既存在高壓區(qū)，又存在低壓 區(qū)。電荷泵電路通常需要一些高壓器件，這些高壓器件，除了要滿足一定 的漏電和耐壓，還希望尺寸越小越好，通常希望做非自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝； 而對(duì)于低壓器件， 一般是有速度和功耗的要求，通常希望做自對(duì)準(zhǔn)硅化物 工藝來降低串聯(lián)電阻，從而實(shí)現(xiàn)速度和功耗的要求。
已有技術(shù)中在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法一般不采用自對(duì)準(zhǔn) 硅化物工藝。如圖1所示，已有技術(shù)包括以下步驟第一步，形成隔離區(qū) 和有源區(qū)；第二步，高低壓阱注入；第三步，浮柵淀積和刻蝕；第四步， 氧化硅—氮化硅一氧化硅層的生長(zhǎng)和刻蝕；第五步，高壓柵氧化層形成； 第六步，低壓區(qū)高壓氧化層去除；第七步，低壓柵氧化層形成；第八步， 第二層多晶硅即控制柵的淀積；第九步，自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕；第十 步，控制柵刻蝕；第十一步，側(cè)墻的形成和刻蝕。
在已有技術(shù)中第九步自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕一般要控制最終高壓區(qū) 氧化層的余量小于100埃，第十步的控制柵刻蝕要控制最終低壓區(qū)氧化層 的小于20埃。已有技術(shù)中不分高壓區(qū)和低壓區(qū)一律采用非對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝使得低壓管的速度較慢，并且和現(xiàn)有的低壓邏輯工藝不兼容。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器 件的方法，可以高壓器件采用非自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝，而低壓器件采用自對(duì) 準(zhǔn)硅化物工藝，兼顧了高壓器件的漏電性能和低壓器件的速度性能。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明在E2PR0M中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法 的技術(shù)方案是，包括以下步驟第一步，形成隔離區(qū)和有源區(qū)；第二步， 高低壓阱注入；第三步，浮柵淀積和刻蝕；第四步，氧化硅一氮化硅一氧 化硅層的生長(zhǎng)和刻蝕；第五步，高壓柵氧化層形成；第六步，低壓區(qū)高壓 氧化層去除；第七步，低壓柵氧化層形成；第八步，第二層多晶硅即控制 柵的淀積；第九步，自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕；第十步，控制柵刻蝕；第 十一步，側(cè)墻的形成和刻蝕；其特征在于，還包括第十二步，自對(duì)準(zhǔn)硅化 物阻擋層的形成和刻蝕；第十三步，自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形成；且第九步中， 自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕的余量在100埃以上300埃以下，第十步中控制 柵刻蝕的余量在0至20埃之間。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)是，第九步中，自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕的 高壓源漏區(qū)氧化層余量在250埃至300埃之間；第十步中，控制柵刻蝕的 低壓源漏區(qū)氧化層余量在5埃至20埃之間。
作為本發(fā)明另一種進(jìn)一步改進(jìn)是，第十一步中，側(cè)墻形成時(shí)首先采用 化學(xué)汽向淀積的方式生長(zhǎng)90至110埃的氧化硅，然后再生長(zhǎng)1985埃至1015 埃的氮化硅，使得低壓源漏區(qū)氧化層厚度為90至130埃，高壓源漏區(qū)氧化側(cè)墻刻蝕之后使得低壓源漏區(qū)氧化層剩余為 50埃至90埃，高壓源漏區(qū)氧化層剩余為320埃至360埃。
本發(fā)明利用在E2PR0M中高壓器件是采用兩重柵而低壓器件是單層?xùn)诺?特性，在高壓區(qū)的柵刻蝕和低壓區(qū)的柵刻蝕時(shí)形成不同的氧化層余量，最 后加入自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的形成和刻蝕、以及自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形成兩個(gè) 步驟，實(shí)現(xiàn)在高壓器件采用非自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝，而低壓器件采用自對(duì)準(zhǔn) 硅化物工藝。大大降低了高壓器件的面積，提高高壓器件的性能。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明
圖1為已有的在E2PR0M中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法流程示意圖2為本發(fā)明在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法流程示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖2所示，本發(fā)明在E2PR0M中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法包括以下 步驟首先，形成隔離區(qū)和有源區(qū)。第二步，進(jìn)行高壓和低壓的阱注入。 第三步，浮柵淀積和刻蝕。第四步，氧化硅一氮化硅一氧化硅層的生長(zhǎng)和 刻蝕。第五步，高壓柵氧化層形成。第六步，低壓區(qū)高壓氧化層去除。第 七步，低壓柵氧化層形成。第八步，第二層多晶硅即控制柵的淀積。第九 步，自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕，使得高壓源漏區(qū)氧化層的余量在300埃以 下100埃以上，例如為280埃。第十步，控制柵刻蝕，使得低壓源漏區(qū)氧 化層的余量在20埃以下，5埃以上，例如為15埃。第十一步，側(cè)墻的形成 和刻蝕，其中，側(cè)墻形成時(shí)首先采用化學(xué)汽向淀積的方式生長(zhǎng)90至110埃的氧化硅，然后再生長(zhǎng)1985埃至1015埃的氮化硅，使得低壓源漏區(qū)氧化 層厚度為90至130埃，高壓源漏區(qū)氧化層厚度為360埃至400埃，在側(cè)墻 刻蝕之后使得低壓源漏區(qū)氧化層剩余為50埃至90埃，高壓源漏區(qū)氧化層 剩余為320埃至360埃。第十二步，自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的形成和刻蝕， 自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的形成采用干法刻蝕加濕法刻蝕，具體采用兩步法刻 蝕，先干法刻蝕，使剩余氧化層的厚度在80埃至120埃之間，再濕法刻蝕 氧化層到0埃。此時(shí)使得低壓源漏區(qū)氧化層剩余0埃，高壓源漏區(qū)氧化層 剩余180埃至220埃。第十三步，自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形成。
上述實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的大小為10K).5(請(qǐng)補(bǔ)充單位)18V的高壓器件的漏電 從le-IO降為le-11。
本發(fā)明在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法，在高壓區(qū)的柵刻蝕和 低壓區(qū)的柵刻蝕時(shí)形成不同的氧化層余量，實(shí)現(xiàn)在高壓器件采用非自對(duì)準(zhǔn) 硅化物工藝，而低壓器件采用自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝。大大降低了高壓器件的 面積，提高高壓器件的性能。
權(quán)利要求
1. 一種在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法，包括以下步驟第一步，形成隔離區(qū)和有源區(qū)；第二步，高低壓阱注入；第三步，浮柵淀積和刻蝕；第四步，氧化硅—氮化硅—氧化硅層的生長(zhǎng)和刻蝕；第五步，高壓柵氧化層形成；第六步，低壓區(qū)高壓氧化層去除；第七步，低壓柵氧化層形成；第八步，第二層多晶硅即控制柵的淀積；第九步，自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕；第十步，控制柵刻蝕；第十一步，側(cè)墻的形成和刻蝕；其特征在于，還包括第十二步，自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的形成和刻蝕；第十三步，自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形成；且第九步中，自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕的余量在100埃以上300埃以下，第十步中控制柵刻蝕的余量在0至20埃之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的在E2PR0M中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法，其 特征在于，第九步中，自對(duì)準(zhǔn)雙層多晶硅柵刻蝕的高壓源漏區(qū)氧化層余量 在250埃至300埃之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法，其 特征在于，第十步中，控制柵刻蝕的低壓源漏區(qū)氧化層余量在5埃至20埃 之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法，其 特征在于，第十一步中，側(cè)墻形成時(shí)首先采用化學(xué)汽向淀積的方式生長(zhǎng)90 至110埃的氧化硅，然后再生長(zhǎng)1985埃至1015埃的氮化硅，使得低壓源 漏區(qū)氧化層厚度為90至130埃，高壓源漏區(qū)氧化層厚度為360埃至400埃， 在側(cè)墻刻蝕之后使得低壓源漏區(qū)氧化層剩余為50埃至90埃，高壓源漏區(qū) 氧化層剩余為320埃至360埃。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的在E2PR0M中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法，其 特征在于，在第十二步的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的形成和刻蝕中，采用兩步 法刻蝕，先干法刻蝕，使剩余氧化層的厚度在80埃至120埃之間，再濕法 刻蝕氧化層到O埃。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的在E2PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法， 其特征在于，第十二步中使得低壓源漏區(qū)氧化層剩余0埃，高壓源漏區(qū)氧 化層的剩余厚度在180埃至220埃之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了E²PROM中生長(zhǎng)高壓和低壓器件的方法，利用在E²PROM中高壓器件采用兩重柵而低壓器件是單層?xùn)诺奶匦裕诟邏簠^(qū)的柵刻蝕和低壓區(qū)的柵刻蝕時(shí)形成不同的氧化層余量，最后加入自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的形成和刻蝕、以及自對(duì)準(zhǔn)硅化物的形成兩個(gè)步驟，實(shí)現(xiàn)在高壓器件采用非自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝，而低壓器件采用自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝。大大降低了高壓器件的面積，提高高壓器件的性能。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK101459142SQ20071009442
公開日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2007年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月11日
發(fā)明者張可鋼 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司