專利名稱：晶體管的封裝方法和結(jié)構(gòu)、用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝技術(shù)，特別是涉及一種用于封裝級(jí)可靠性測(cè)試的晶體管的封裝方法和結(jié)構(gòu)、用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板。
背景技術(shù)：
可靠性測(cè)試(Reliability)可以簡(jiǎn)單描述為產(chǎn)品在正常使用條件下，能順利工作的使用壽命(Lifetime),對(duì)半導(dǎo)體器件(例如MOS器件)進(jìn)行可靠性測(cè)試是半導(dǎo)體集成電路的制造過程中的重要組成部分。為了在短時(shí)間內(nèi)測(cè)得半導(dǎo)體器件的可靠性，通常會(huì)使用加速測(cè)試實(shí)驗(yàn)，即對(duì)半導(dǎo)體器件施加加速其性能退化(degrade)的應(yīng)力條件(stress,是指比正常工作條件高的環(huán)境溫度、濕度、電壓、電流、壓力等)，測(cè)量其性能參數(shù)，進(jìn)而得到半導(dǎo)體器件在比正常工作條件更嚴(yán)格的工作環(huán)境下的使用壽命，再利用生命期模型(LifetimeModel)計(jì)算出產(chǎn)品在正常使用條件下的壽命。
金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的封裝級(jí)可靠性(PLR)測(cè)試是將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)從晶圓(Wafer )上切割下來，粘在例如為陶瓷硅管(Side Braze )的承載板，再進(jìn)行打線(Wire Bonding)封裝后插在插接板，然后放入測(cè)試機(jī)臺(tái)的烘箱(oven)進(jìn)行測(cè)試， 一塊插接板可以插接多個(gè)被測(cè)器件(封裝后的晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu))，測(cè)試機(jī)臺(tái)也可以容納多塊插接板，以同時(shí)對(duì)多個(gè)被測(cè)器件施加應(yīng)力(stress,例如溫度、電壓)和測(cè)量其性能參數(shù)。在申請(qǐng)?zhí)枮?7198612.6的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)可以找到更多有關(guān)測(cè)試機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)的信息。
如圖1A所示，晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)T10粘在陶t^圭管T20的中間，測(cè)試結(jié)構(gòu)T10包括有多個(gè)打線墊l 34,分別對(duì)應(yīng)測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的各個(gè)電極(柵極、源極、漏極、襯底)，例如，打線墊2對(duì)應(yīng)于襯底B0、打線墊3對(duì)應(yīng)于源極S0、打線墊4對(duì)應(yīng)于柵極G0、打線墊IO對(duì)應(yīng)于漏極DO,陶瓷硅管T20包括多個(gè)圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的引腳P1 ~P16。在進(jìn)行打線封裝時(shí)，是用金屬線LIO、 L20、 L30、L40分別連接測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的柵極、源極、漏極、襯底打線墊和陶瓷硅管T20的引腳；在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，是對(duì)陶瓷硅管T20的連接測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的打線墊的引腳施加應(yīng)力電壓并測(cè)量電壓和電流。
現(xiàn)有的測(cè)試機(jī)臺(tái)有下面兩種類型
一種測(cè)試機(jī)臺(tái)(以下簡(jiǎn)稱為機(jī)臺(tái)A)只能對(duì)固定的引腳施加應(yīng)力電壓，例如圖1A所示的引腳P3、 P5、 P7、 PIO、 P12、 P14 (以粗體表示)，其它引腳在測(cè)試時(shí)是接地的，也就是說，如果要使用機(jī)臺(tái)A進(jìn)行測(cè)試，晶體管需要施加應(yīng)力電壓的柵極、漏極和襯底必須連接在可以施加應(yīng)力電壓的引腳上。
另一種測(cè)試機(jī)臺(tái)(以下筒稱為機(jī)臺(tái)B)可以對(duì)任意引腳施加應(yīng)力電壓，另外，其還配備有跳線板，用于向機(jī)臺(tái)B提供陶瓷硅管T20的引腳與晶體管的柵極、源極、漏極、襯底是如何對(duì)應(yīng)連接的，如圖1B所示，跳線板包括多個(gè)以陣列方式排列的跳針，跳針分別表示晶體管的柵極、源極、漏極或襯底，或者陶瓷硅管T20的引腳，跳線IIO、 120、 130、 140表示陶瓷硅管T20的引腳如何與晶體管的柵極、源極、漏極、襯底連接，例如，對(duì)應(yīng)于圖1A，跳線I10表示引腳P4與晶體管的源極SO連接、跳線I20表示引腳P12與晶體管的漏極DO連接、跳線I30表示《1腳P7與晶體管的柵極GO連接、跳線I40表示引腳P 14與晶體管的襯底BO連接。
由于目前在對(duì)晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行打線封裝時(shí)，沒有固定的打線連接方式，通常只是就近將柵極、源極、漏極、襯底打線墊與陶瓷硅管的引腳進(jìn)行打線連接，即將柵極、源極、漏極、襯底打線墊與其最靠近的引腳連接，這樣就會(huì)得到不同類型的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，在測(cè)試前，測(cè)試人員首先需要針對(duì)不同的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)選擇可以對(duì)其測(cè)試的機(jī)臺(tái)類型；如果選擇機(jī)臺(tái)B,又需要針對(duì)不同的打線連接改變其跳線板的跳線連接。因此，對(duì)多種不同的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試前的準(zhǔn)備工作就會(huì)比較繁瑣，需要先選擇使用 的機(jī)臺(tái)，并且使用機(jī)臺(tái)B的測(cè)試前的準(zhǔn)備工作會(huì)因需要頻繁地更換跳線板的 跳線而更為繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是，提供一種通用的晶體管的封裝方法和結(jié)構(gòu)、用于 測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，以減少晶體管的封裝結(jié)構(gòu)的類型，筒化測(cè)試前的準(zhǔn)備工 作。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶體管的封裝方法，包括下列步驟
將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)放置在承載板上，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括多個(gè)打線墊， 所述承載板包括多個(gè)圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的接地引腳和加壓引腳；
用第 一金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的第 一 引 腳，所述第一引腳位于二個(gè)加壓引腳之間；
用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一 打線墊和所述承載板的第二引 腳，所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳 位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；
用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三引 腳，所述第三引腳為加壓引腳且與所述第一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述 第三金屬線與第一金屬線不相交；
用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四引 腳，所述第四引腳為加壓引腳且與所述第二引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述 第四金屬線與第二金屬線不相交。
對(duì)應(yīng)于上述晶體管的封裝方法，本發(fā)明還提供一種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)， 包括
晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)，放置在承載板上，包括多個(gè)打線墊；
多個(gè)接地引腳和加壓引腳，設(shè)置在所述承載板上且圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)；第 一金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的第 一引腳， 所述第 一引腳位于二個(gè)加壓引腳之間；
第二金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二引腳， 所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳位于
測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；
第三金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三引腳， 所述第三引腳為加壓引腳且與所述第一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第三 金屬線與第 一金屬線不相交；
第四金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四引腳， 所述第四引腳為加壓引腳且與所述第二引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第四 金屬線與第二金屬線不相交。
對(duì)應(yīng)于上述晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供一種用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的用于 測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，包括
源極跳線，連接表示第一引腳的跳針和表示晶體管的源極的跳針，所述 第 一 引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊連接的承載板的第 一 引腳，所
述第一引腳位于二個(gè)加壓引腳之間；
第 一跳線，連接表示第二引腳的跳針和表示晶體管的第 一 電極的跳針， 所述第二引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一打線墊連接的承載板的第二引 腳，所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳 位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；
第 一跳線組合，連接表示第三引腳的跳針和表示晶體管的第二電極的跳 針，所述第三引腳為所述第一引腳兩側(cè)的加壓引腳；
第二跳線組合，連接表示第四引腳的跳針和表示晶體管的第三電極的跳 針，所述第四引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的第四打線墊連接的承載板的第四 引腳，所述第四引腳為所述第二引腳兩側(cè)的加壓引腳。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案有相對(duì)固定的打線連接方式，即在對(duì)晶 體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行打線封裝時(shí)就考慮測(cè)試機(jī)臺(tái)的類型，將源極打線墊固定 連接于承載板的接地引腳或加壓引腳，將柵極、漏極、襯底打線墊按照就近 打線和金屬線不相交的原則固定連接于承載板的加壓引腳，由此得到四種可 能的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，因此上述技術(shù)方案減少了晶體管的封裝結(jié)構(gòu)的類型。 由于晶體管的柵極、漏極、襯底是與承載板的可施加應(yīng)力電壓的引腳連接， 因此，測(cè)試前就不再需要考慮選擇哪種類型的測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，這樣 省去了測(cè)試前選擇機(jī)臺(tái)的步驟，簡(jiǎn)化了測(cè)試前的準(zhǔn)備工作。
將對(duì)應(yīng)于上述四種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)的跳線連接方式進(jìn)行組合，由此得 到一種通用的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，這樣無論是哪種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)， 都可以直接使用所述的跳線板，而無需再根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)改變跳線連接方式， 因此，使用上述通用的跳線板也簡(jiǎn)化了測(cè)試前的準(zhǔn)備工作。


圖1A是現(xiàn)有的一種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖1B是對(duì)應(yīng)于圖1A所示的打線連接的跳線板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明實(shí)施方式的晶體管的封裝方法的流程圖； 圖3A至3D是本發(fā)明第 一 實(shí)施例的晶體管的封裝方法的步驟示意圖； 圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6是本發(fā)明第四實(shí)施例的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7A至7D是分別對(duì)應(yīng)于圖3D、圖4、圖5和圖6的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳 線板的結(jié)構(gòu)示意具體實(shí)施方式
本發(fā)明實(shí)施方式是將在晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊固定連接于承載 板的接地引腳或加壓引腳，將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極、漏極、襯底打線墊 按照就近打線和金屬線不相交的原則固定連接于承載板的加壓引腳，由于晶 體管的柵極、漏極、襯底是與承載板的可施加應(yīng)力電壓的引腳連接，因此， 測(cè)試時(shí)就不再需要考慮選擇哪種類型的測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。請(qǐng)參考圖2，
其為本發(fā)明實(shí)施方式的晶體管的封裝方法的流程圖，所述的封裝方法包括
步驟S21，將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)放置在承載板上，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括多個(gè) 打線墊，所述承載板包括多個(gè)圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的接地？ 1腳和加壓引腳。
步驟S22,用第一金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的 第一引腳，所述第一引腳位于二個(gè)加壓引腳之間。
步驟S23，用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一打線墊和所述承載板的 第二引腳，所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第 一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)。
步驟S24,用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的 第三引腳，所述第三引腳為加壓引腳且與所述第一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)， 所述第三金屬線與第一金屬線不相交。
步驟S25,用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的 第四引腳，所述第四引腳為加壓引腳且與所述第二引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)， 所述第四金屬線與第二金屬線不相交。
對(duì)應(yīng)于上述晶體管的封裝方法，本發(fā)明還提供一種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)， 包括
晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)，放置在承載板上，包括多個(gè)打線墊； 多個(gè)接地引腳和加壓引腳，設(shè)置在所述承載板上且圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)； 第一金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的第一引腳， 所述第 一引腳位于二個(gè)加壓引腳之間；第二金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二引腳， 所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳位于 測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；
第三金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三引腳， 所述第三引腳為加壓引腳且與所述第一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第三
金屬線與第一金屬線不相交；
第四金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四引腳， 所述第四引腳為加壓引腳且與所述第二引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第四 金屬線與第二金屬線不相交。
其中，所述承載板為陶瓷硅管。所述第一引腳為最靠近源極打線墊的接 地引腳或加壓引腳。
所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊，所述第二打線墊為所述 測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊。
或者，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊，所述第二打線墊 為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線 墊。
或者，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第二打線墊 為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線 塾。
或者，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的^^及打線墊，所述第二打線墊 為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線 塾。
或者，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第二打線墊 為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線 塾?；蛘撸龅谝淮蚓€墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第二打線墊 為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線 塾。 '
對(duì)應(yīng)于上述晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供一種用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線
板，包括
源極跳線，連接表示第一引腳的跳針和表示晶體管的源極的跳針，所述 第一引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊連接的承載板的第一引腳，所
述第 一 引腳位于二個(gè)加壓？ 1腳之間；
第 一跳線，連接表示第二引腳的跳針和表示晶體管的第 一 電極的跳針， 所述第二引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一打線墊連接的承載板的第二引
腳，所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳 位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；
第一跳線組合，連接表示第三引腳的跳針和表示晶體管的第二電極的跳 針，所述第三引腳為所述第一引腳兩側(cè)的加壓引腳；
第二跳線組合，連接表示第四引腳的跳針和表示晶體管的第三電極的跳 針，所述第四引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的第四打線墊連接的承載板的第四 引腳，所述第四引腳為所述第二引腳兩側(cè)的加壓引腳。
其中，所述第一跳線為漏極跳線，所述第一跳線組合為柵極跳線組合， 所述第二跳線組合為村底跳線組合。
或者，所述第一跳線為漏極跳線，所述第一跳線組合為襯底跳線組合， 所述第二跳線組合為柵極跳線組合。
或者，所述第一跳線為4冊(cè)極跳線，所述第一跳線組合為漏極跳線組合， 所述第二跳線組合為襯底跳線組合。
或者，所述第一跳線為柵極跳線，所述第一跳線組合為襯底跳線組合， 所述第二跳線組合為漏極跳線組合?；蛘?，所述第一跳線為襯底跳線，所述第一跳線組合為柵極跳線組合， 所述第二跳線組合為漏極跳線組合。
或者，所述第一跳線為襯底跳線，所述第一跳線組合為漏極跳線組合， 所述第二跳線組合為柵極跳線組合。
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。
請(qǐng)結(jié)合圖2和圖3A,將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)T10粘在陶瓷硅管T20的中間， 測(cè)試結(jié)構(gòu)T10包括有多個(gè)打線塾1 34，分別對(duì)應(yīng)測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的各個(gè)電極(柵 極、源極、漏極、襯底)，陶瓷硅管T20包括多個(gè)圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的接 引腳和加壓引腳P1 ~P16,接地引腳是在測(cè)試中接地的引腳，加壓引腳是在測(cè) 試中，測(cè)試機(jī)臺(tái)可以對(duì)其施加應(yīng)力電壓的引腳。本實(shí)施例中，打線墊4對(duì)應(yīng) 為襯底打線墊B、打線墊5對(duì)應(yīng)為柵極打線墊G、打線墊6對(duì)應(yīng)為源極打線墊 S、打線墊7對(duì)應(yīng)為漏才及打線墊D;引腳P1、 P2、 P4、 P6、 P8、 Pll、 P13、 P15、 P16為4妻;也引腳，引扭l7 P3、 P5、 P7、 PIO、 P12、 P14為力口壓引扭F。
請(qǐng)結(jié)合參考圖2和圖3B,用第一金屬線Ll將源極打線墊S與接地引腳 P4(第一引腳)連接。由于在測(cè)試時(shí)晶體管的源極是接地的，即不需要對(duì)其 施加應(yīng)力電壓，因此源極打線墊可以接在接地引腳，也可以接在加壓引腳， 本實(shí)施例中，為了避免第一金屬線L1過長(zhǎng)而產(chǎn)生寄生電阻，源極打線墊S是 與最靠近它的接地引腳P4連接，接地引腳P4是位于加壓引腳P3、 P5之間， 也可以說是位于加壓引腳P3、 P7之間，這樣位于源才及打線墊S上面的打線墊 可以與位于接地引腳P4上面的加壓引腳P3連接，位于源極打線塾S下面的 打線墊可以與位于接地引腳P4下面的加壓引腳P5或P7連接。
請(qǐng)結(jié)合參考圖2和圖3C,用第二金屬線L2將漏極打線墊D (第一打線 墊)和加壓引腳P12(第二引腳)連接，加壓引腳P12位于加壓引腳P10、 P14 之間，其與接地引腳P4位于測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的不同側(cè)。第一打線墊也可以是4冊(cè) 極打線墊G或襯底打線墊B,本實(shí)施例中，由于漏極打線墊D是最靠近加壓引腳P12的打線墊，因此，第二金屬線L2是將漏極打線墊D與加壓引腳P12 連接，這樣可以避免第二金屬線L2過長(zhǎng)而產(chǎn)生寄生電阻，并且位于漏極打線 墊D上面的打線墊可以與位于加壓引腳P12上面的加壓引腳P14連接，位于 漏才及打線墊D下面的打線墊可以與位于加壓引腳P12下面的加壓引腳P10連 接。
請(qǐng)結(jié)合參考圖2和圖3D,用第三金屬線L3將柵極打線墊G (第二打線 墊)和加壓引腳P3 (第三引腳)，第二打線墊也可以是襯底打線墊B。加壓引 腳P3與接地引腳P4位于測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的同側(cè)，第三金屬線L3與第一金屬線 Ll位于測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的同側(cè)但不相交，因此，在測(cè)試時(shí)，第一金屬線L1和 第三金屬線L3不會(huì)因碰觸而產(chǎn)生短路，進(jìn)而影響測(cè)試。本實(shí)施例中，4冊(cè)極打 線墊G是位于源極打線墊S的上面，柵極打線墊G是與加壓引腳P3連接； 如果斥冊(cè)^L打線墊G是位于源才及打線墊S的下面，如圖4和圖6所示的4冊(cè)才及打 線墊G，，則用第三金屬線L3，將柵極打線墊G，是與加壓引腳P7連接。也就是 說，為了使位于測(cè)試結(jié)構(gòu)T10同側(cè)的第三金屬線與第一金屬線不相交，第三 金屬線連接的是位于第 一金屬線同側(cè)的柵極打線墊和加壓引腳。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖2和圖3D,用第四金屬線L4將襯底打線墊B (第三打線 墊)和加壓引腳P14 (第四引腳)，對(duì)應(yīng)于步驟S24,第三打線墊也可以是沖冊(cè) 極打線墊G。加壓引腳P14與加壓引腳P12位于測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的同側(cè)，第四 金屬線L4與第二金屬線L2位于測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的同側(cè)但不相交，因此，在測(cè) 試時(shí)，第二金屬線L2和第四金屬線L4不會(huì)因碰觸而產(chǎn)生短路，進(jìn)而影響測(cè) 試。本實(shí)施例中，襯底打線墊B是位于漏極打線墊D的上面，襯底打線墊B 是與加壓引腳P14連接；如果襯底打線墊B是位于漏極打線墊D的下面，如 圖5和圖6所示的襯底打線墊B，，則用第四金屬線L4，將襯底打線墊B，與加 壓引腳P10連接。也就是說，為了使位于測(cè)試結(jié)構(gòu)T10同側(cè)的第四金屬線與 第二金屬線不相交，第四金屬線連接的是位于第二金屬線同側(cè)的襯底打線墊和加壓引腳。
根據(jù)上述晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)T10的打線墊的位置排列，可以得到四種晶 體管的封裝結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)地，也會(huì)有四種用于測(cè)試機(jī)臺(tái)(如機(jī)臺(tái)B)的跳線板
的跳線連接方式
圖3D所示的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，第一金屬線Ll連接源極打線墊S和接 地引腳P4，第二金屬線連接漏極打線墊D和加壓引腳12，第三金屬線L3連
P3,第四金屬線L4連接位于漏;f及打線墊D上面的襯底打線墊B和位于加壓 引腳P12上面的加壓引腳P14。對(duì)應(yīng)地，圖7A所示的跳線板的跳線II表示 引腳P4與晶體管的源極S連接、跳線12表示引腳P12與晶體管的漏極D連 接、跳線I3表示引腳P3與晶體管的柵極G連接、跳線I4表示引腳P14與晶 體管的襯底B連接。
圖4所示的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其不同于圖3D所示封裝結(jié)構(gòu)的是，笫三 金屬線L3，連接位于源極打線墊S下面的柵極打線墊G，和位于接地引腳P4下 面的加壓引腳P7。對(duì)應(yīng)地，圖7B所示的跳線纟反的跳線不同于圖7A所示跳線 的是，跳線13，表示引腳P7與晶體管的柵極G，連接。
圖5所示的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其不同于圖3D所示封裝結(jié)構(gòu)的是，第四 金屬線L4，連接位于漏極打線墊D下面的襯底打線墊B，和位于加壓引腳P12 下面的加壓引腳PIO。對(duì)應(yīng)地，圖7C所示的跳線板的跳線不同于圖7A所示 跳線的是，跳線14，表示引腳P10與晶體管的襯底B，連接。
圖6所示的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其不同于圖3D所示封裝結(jié)構(gòu)的是，第三 金屬線L3，連接位于源極打線墊S下面的柵極打線墊G，和位于接地引腳P4下 面的加壓引腳P7,第四金屬線L4，連接位于漏極打線墊D下面的襯底打線墊 B，和位于加壓引腳P12下面的加壓引腳PIO。對(duì)應(yīng)地，圖7D所示的跳線板的 跳線不同于圖7A所示跳線的是，跳線13，表示引腳P7與晶體管的柵極G，連接，跳線I4，表示引腳P10與晶體管的襯底B，連接。
由于多余連接的跳線不會(huì)影響測(cè)試，因此可以將上述圖7A至圖7D所示 的四種跳線連接方式組合，構(gòu)成如圖8所示的跳線板，所述的跳線板包括 源極跳線111，連接表示引腳P4 (第一引腳)的跳針和表示晶體管的源極的跳 針；漏極跳線I21 (第一跳線)，連接表示引腳P12 (第二引腳)的跳針和表示 晶體管的漏極的跳針；柵極跳線組合(第一跳線組合)131、 131，，連接表示引腳 P3、 P7 (第三引腳)的跳針和表示晶體管的柵極的跳針；襯底跳線組合(第 二跳線組合)141、 141，，連接表示引腳P14、 P10 (第四引腳)和表示晶體管 的襯底的跳針。這樣，無論晶體管的封裝結(jié)構(gòu)是圖3D、圖4、圖5和圖6中 的哪一種，都可以直接使用圖8所示的跳線板，而無需改變其跳線連接方式。
綜上所述，上述技術(shù)方案在對(duì)晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行打線封裝時(shí)就考慮 了測(cè)試機(jī)臺(tái)的類型，將源極打線墊固定連接于承載板的接地引腳或加壓引腳， 將柵極、漏極、襯底打線墊按照就近打線和金屬線不相交的原則固定連接于 承載板的加壓引腳，由此得到四種可能的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，即晶體管的封 裝結(jié)構(gòu)的類型減少了。相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述晶體管的封裝結(jié)構(gòu)有相對(duì)固定 的打線連接方式，晶體管的柵極、漏極、襯底是與承載板的可施加應(yīng)力電壓 的引腳連接，因此，測(cè)試時(shí)既可以使用機(jī)臺(tái)A,也可以使用機(jī)臺(tái)B，就不再需 要考慮選擇哪種類型的測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，這樣也就省去了測(cè)試前選擇 機(jī)臺(tái)的步驟，簡(jiǎn)化了測(cè)試前的準(zhǔn)備工作。
將對(duì)應(yīng)于上述四種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)的跳線連接方式進(jìn)行組合，由此得 到一種通用的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，這樣在使用機(jī)臺(tái)B進(jìn)行測(cè)試時(shí)，無論 是哪種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，都可以直接使用所述的跳線板，而無需再根據(jù)封 裝結(jié)構(gòu)改變跳線連接方式，因此，使用上述通用的跳線板也簡(jiǎn)化了測(cè)試前的 準(zhǔn)備工作。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和 修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種晶體管的封裝方法，其特征在于，包括下列步驟將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)放置在承載板上，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括多個(gè)打線墊，所述承載板包括多個(gè)圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的接地引腳和加壓引腳；用第一金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的第一引腳，所述第一引腳位于二個(gè)加壓引腳之間；用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一打線墊和所述承載板的第二引腳，所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三引腳，所述第三引腳為加壓引腳且與所述第一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第三金屬線與第一金屬線不相交；用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四引腳，所述第四引腳為加壓引腳且與所述第二引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第四金屬線與第二金屬線不相交。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的封裝方法，其特征在于，所述將晶體管 的測(cè)試結(jié)構(gòu)放置在承載板上是指將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)粘在陶瓷硅管上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的封裝方法，其特征在于，所述用第一金 屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的第 一 引腳是指用第 一金 屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的最靠近所述源極打線墊 的接地引腳或加壓引腳。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體管的封裝方法，其特征在于，所述用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二 引腳是指用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊和所述承載板的第二 引腳；所述用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三引腳是指用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊和所述承載板的第三 引腳；所述用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四 引腳是指用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊和所述承載板的第四 引腳。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的封裝方法，其特征在于，所述用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二 引腳是指用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊和所述承載板的第二引腳；所述用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三 引腳是指用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊和所述承載板的第三 引腳；所述用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四 引腳是指用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊和所述承載板的第四 引腳。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的封裝方法，其特征在于，所述用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二 引腳是指用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊和所述承載板的第二 引腳；所述用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三 引腳是指用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊和所述承載板的第三 引腳；所述用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四 引腳是指用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊和所述承載板的第四 引腳。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的封裝方法，其特征在于， 所述用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一打線墊和所述承載板的第二引腳是指用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊和所述承載板的第二引腳；所述用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三 引腳是指用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊和所述承載板的第三引腳；所述用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四 引腳是指用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊和所述承載板的第四 引腳。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的封裝方法，其特征在于，所述用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二 引腳是指用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊和所述承載板的第二 引腳；所述用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三 引腳是指用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊和所述承載板的第三 引腳；所述用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四 引腳是指用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊和所述承載板的第四 引腳。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的晶體管的封裝方法，其特征在于，所述用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二 引腳是指用第二金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊和所述承載板的第二 引腳；所述用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三引腳是指用第三金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊和所述承載板的第三引腳；所述用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四 引腳是指用第四金屬線連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊和所述承載板的第四 引腳。
10. —種晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)，放置在承載板上，包括多個(gè)打線墊；多個(gè)接地引腳和加壓引腳，設(shè)置在所述承載板上且圍繞所述測(cè)試結(jié)構(gòu)；第一金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和所述承載板的第一引腳， 所述第 一 引腳位于二個(gè)加壓引腳之間；第二金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第 一打線墊和所述承載板的第二引腳， 所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳位于 測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；第三金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和所述承載板的第三引腳， 所述第三引腳為加壓引腳且與所述第一引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第三 金屬線與第一金屬線不相交；第四金屬線，連接所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和所述承載板的第四引腳， 所述第四引腳為加壓引腳且與所述第二引腳位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)，所述第四 金屬線與第二金屬線不相交。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載板為 陶瓷硅管。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一引腳 為最靠近源極打線墊的接地引腳或加壓引腳。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一打線 墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏^L打線墊，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打 線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的斥冊(cè)才及打線墊。
15. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一打線 墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打 線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊。
16. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一打線 墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打 線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊。
17. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一打線 墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的4冊(cè)極打 線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一打線 墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打 線墊，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的4冊(cè);敗打線墊。
19. 一種用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，其特征在于，包括源極跳線，連接表示第一引腳的跳針和表示晶體管的源極的跳針，所述 第一引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊連接的承載板的第一引腳，所 述第 一 引腳位于二個(gè)加壓^ 1腳之間；第一跳線，連接表示第二引腳的跳針和表示晶體管的第一電極的跳針， 所述第二引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一打線墊連接的承載板的第二引 腳，所述第二引腳為加壓引腳，其位于二個(gè)加壓引腳之間且與所述第一引腳 位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同側(cè)；第一跳線組合，連接表示第三引腳的跳針和表示晶體管的第二電極的跳針，所述第三引腳為所述第一引腳兩側(cè)的加壓引腳；第二跳線組合，連接表示第四引腳的跳針和表示晶體管的第三電極的跳 針，所述第四引腳為與晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)的第四打線墊連接的承載板的第四 引腳，所述第四引腳為所述第二引腳兩側(cè)的加壓引腳。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，其特征在于， 所述第一跳線為漏極跳線，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線墊，所述第一電極為晶體管的漏極；所述第一跳線組合為柵極跳線組合，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 柵極打線墊，所述第二電極為晶體管的柵極；所述第二跳線組合為襯底跳線組合，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第三電極為晶體管的襯底。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，其特征在于，所述第一跳線為漏極跳線，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的漏極打線 墊，所述第一電極為晶體管的漏極；所述第一跳線組合為襯底跳線組合，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 襯底打線墊，所述第二電極為晶體管的襯底；所述第二跳線組合為柵極跳線組合，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第三電極為晶體管的柵極。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，其特征在于，所述第一跳線為柵極跳線，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線 墊，所述第一電極為晶體管的柵極；所述第一跳線組合為漏極跳線組合，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 漏極打線墊，所述第二電極為晶體管的漏極；所述第二跳線組合為襯底跳線組合，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第三電極為晶體管的襯底。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，其特征在于，所述第一跳線為柵極跳線，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極打線墊，所述第一電極為晶體管的柵極；所述第一跳線組合為襯底跳線組合，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 襯底打線墊，所述第二電極為晶體管的襯底；所述第二跳線組合為漏極跳線組合，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 漏極打線墊，所述第三電極為晶體管的漏極。
24. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，其特征在于， 所述第一跳線為襯底跳線，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線墊，所述第一電極為晶體管的襯底；所述第一跳線組合為柵極跳線組合，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 柵極打線墊，所述第二電極為晶體管的柵極；所述第二跳線組合為漏極跳線組合，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 漏極打線墊，所述第三電極為晶體管的漏極。
25. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于測(cè)試機(jī)臺(tái)的跳線板，其特征在于，所述第一跳線為襯底跳線，所述第一打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的襯底打線 墊，所述第一電極為晶體管的襯底；所述第一跳線組合為漏極跳線組合，所述第二打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 漏極打線墊，所述第二電極為晶體管的漏極；所述第二跳線組合為柵極跳線組合，所述第三打線墊為所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的 柵極打線墊，所述第三電極為晶體管的柵極。
全文摘要
一種晶體管的封裝方法，包括將晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)放置在承載板上；用第一金屬線連接測(cè)試結(jié)構(gòu)的源極打線墊和承載板的第一引腳，第一引腳位于二個(gè)加壓引腳之間；用第二金屬線連接測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一打線墊和承載板的第二引腳，第二引腳為位于二個(gè)加壓引腳之間的加壓引腳；用第三金屬線連接測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二打線墊和承載板的第三引腳，第三引腳為加壓引腳，第三金屬線與第一金屬線位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)且不相交；用第四金屬線連接測(cè)試結(jié)構(gòu)的第三打線墊和承載板的第四引腳，第四引腳為加壓引腳，第四金屬線與第二金屬線位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的同側(cè)且不相交。應(yīng)用上述封裝方法可以減少晶體管的封裝結(jié)構(gòu)的類型，簡(jiǎn)化測(cè)試前的準(zhǔn)備工作。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101459089SQ20071009452
公開日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者柯 周, 楊莉娟, 炯 王 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司