專利名稱：：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。
背景技術(shù)：
：集成電路制造工藝是一種平面制作工藝，其結(jié)合光刻、刻蝕、沉積、離子注入等多種工藝，在同一襯底上形成大量各種類型的復(fù)雜器件，并將其互相連接以具有完整的電子功能。其中，任何一步工藝出現(xiàn)偏差，都可能會(huì)導(dǎo)致電路的性能參數(shù)偏離設(shè)計(jì)值。然而，實(shí)際生產(chǎn)中，存在多種影響工藝結(jié)果的因素。以化學(xué)機(jī)械研磨工藝為例，主要可以將其分為兩類一類是在先工藝偏差對(duì)工藝結(jié)果的影響，如待研磨的材料層的沉積厚度的不同就會(huì)造成研磨結(jié)果的不同。另一類是研磨工藝本身對(duì)刻蝕結(jié)果的影響，如在相同工藝條件下，不同研磨設(shè)備或同一研磨設(shè)備的不同研磨頭的研磨結(jié)果也不會(huì)完全一致。圖1為利用現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備進(jìn)行研磨后得到的薄膜情形之一的器件剖面圖，如圖l所示，對(duì)襯底101上的介質(zhì)層102進(jìn)行研磨，因其所用的研磨頭自身的特點(diǎn)，其研磨速率為中央?yún)^(qū)域大于邊緣區(qū)域，研磨后出現(xiàn)了介質(zhì)層102中間薄、邊緣厚的研磨結(jié)果。圖2為利用現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備進(jìn)行研磨后得到的薄膜情形之二的器件剖面圖，如圖2所示，對(duì)襯底201上的介質(zhì)層202進(jìn)行研磨，因其所用的研磨頭自身的特點(diǎn)，其研磨速率為中央?yún)^(qū)域小于邊緣區(qū)域，研磨后出現(xiàn)了介質(zhì)層202中間厚、邊緣薄的研磨結(jié)果。實(shí)踐中，即使是使用同一臺(tái)研磨設(shè)備，采用相同的工藝條件，由于設(shè)備不同研磨頭間的差異，仍可能會(huì)出現(xiàn)圖1與圖2中所示的不同的研磨結(jié)果。隨著超大規(guī)模集成電路的器件特征尺寸不斷地等比例縮小，集成度不斷地提高，對(duì)半導(dǎo)體制作過程中各步工藝的控制力及其工藝結(jié)果的準(zhǔn)確度提出了更高的要求。上述因設(shè)備的差異^i起的產(chǎn)品間的不一致問題也必須予以足夠的重視。現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高對(duì)工藝的控制力，改善產(chǎn)品間的一致性，通常會(huì)利用反饋的方法。如，于2006年8月9日公開的公開號(hào)為CN1816905A的中國(guó)專利申請(qǐng)中提出了一種利用前一批的刻蝕結(jié)果對(duì)后一批的刻蝕條件進(jìn)行調(diào)整的刻蝕方法。該方法通過在刻蝕前進(jìn)行光學(xué)特征尺寸(OCD)的測(cè)量，避免了在先工藝對(duì)刻蝕結(jié)果的影響；通過利用前一批襯底的平均刻蝕結(jié)果對(duì)后一批襯底的刻蝕條件進(jìn)行調(diào)整，在一定程度上彌補(bǔ)了刻蝕工藝本身的不穩(wěn)定對(duì)刻蝕圖形的影響。該種利用批與批之間的反饋信息調(diào)整工藝條件的方法同樣可以適用于其它工藝中，如化學(xué)機(jī)械研磨工藝，其可以提高工藝的控制力及工藝結(jié)果的一致性。但是，該方法一方面需要增加對(duì)襯底的狀態(tài)進(jìn)行事先測(cè)量的步驟，延長(zhǎng)了工藝時(shí)間；另一方面只考慮了同一設(shè)備的前一批與后一批襯底的制作結(jié)果間的關(guān)系，對(duì)于不同工藝的不同設(shè)備所具有的不同的特點(diǎn)并未加以綜合考慮。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，以改善現(xiàn)有的半導(dǎo)體制作過程中各步工藝的控制力及工藝結(jié)果的一致性較差的現(xiàn)象。本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括步驟利用至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)各所述在先工藝中利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的結(jié)果；根據(jù)所述結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。其中，當(dāng)所述在先工藝為兩步及以上時(shí)，根據(jù)所述結(jié)果確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件,.包括步驟將至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行分別組合；得到不同生產(chǎn)裝置組合下的各種組合工藝結(jié)果；根據(jù)所述各種組合工藝結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置組合下后續(xù)工藝所適用的工藝條件?？蛇x地，所述在先工藝中利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的結(jié)果包括所述襯底表面的薄膜厚度的分布情況?？蛇x地，所述在先工藝包括化學(xué)氣相沉積工藝，所述后續(xù)工藝包括化學(xué)機(jī)械研磨工藝。此時(shí)，根據(jù)所述結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件，包括步驟根據(jù)所述結(jié)果分別確定所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝中的研磨頭下壓力參數(shù)?？蛇x地，才艮據(jù)所述結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件，包括步驟利用后續(xù)工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)^f亍分別處理；分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的后續(xù)工藝的各結(jié)果；對(duì)所述在先工藝的結(jié)果與所述后續(xù)工藝的各結(jié)果進(jìn)行組合分析；確定所述在先工藝與后續(xù)工藝所適用的生產(chǎn)裝置組合。本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的另一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括步驟確定至少一步在先工藝所用的生產(chǎn)裝置；才艮據(jù)所述在先工藝所用的生產(chǎn)裝置確定后續(xù)工藝的工藝條件；按照確定的工藝條件完成所述后續(xù)工藝。其中，當(dāng)所述在先工藝為兩步及以上時(shí)，才艮據(jù)所述在先工藝所用的生產(chǎn)裝置確定后續(xù)工藝的工藝條件，包括步驟將至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行分別組合；分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置組合下后續(xù)工藝所適用的工藝條件?？蛇x地，所述在先工藝包括化學(xué)氣相沉積工藝，所述后續(xù)工藝包括化學(xué)機(jī)械研磨工藝。本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的再另一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括步驟利用第一工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第一工藝的各結(jié)果；利用第二工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第二工藝的各結(jié)果；將所述第一工藝與第二工藝中的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行各種組合；得到所述第一工藝的各結(jié)果及第二工藝的各結(jié)果的各種組合結(jié)果；根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在各組合下第三工藝所適用的工藝條件。可選地，所述第一工藝的各結(jié)果及第二工藝的各結(jié)果包括所述襯底表面的薄膜厚度的分布情況?？蛇x地，所述第一工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝，所述第二工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，所述第三工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。此時(shí)，根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在所述各種組合下第三工藝所適用的工藝條件，包括步驟根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在所述各種組合下所述第三工藝中的研磨頭下壓力參數(shù)?？蛇x地，根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在所述各種組合下第三工藝所適用的工藝條件，包括步驟利用第三工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第三工藝的各結(jié)果；對(duì)所述各種組合結(jié)果與第三工藝在不同生產(chǎn)裝置下得到的各結(jié)果進(jìn)行分析；確定與所述各種組合結(jié)果相適應(yīng)的第三工藝的生產(chǎn)裝置。本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的再另一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括步驟確定第一工藝所用的生產(chǎn)裝置；確定第二工藝所用的生產(chǎn)裝置；根據(jù)所述第一工藝及第二工藝所用的生產(chǎn)裝置確定第三工藝的工藝條件；按照確定的工藝條件完成所述第三工藝?？蛇x地，所述第一工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝，所述第二工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，所述第三工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法，分別分析了各步工藝中所用的不同生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)，將前步工藝所用的生產(chǎn)裝置與后續(xù)工藝中所用的生產(chǎn)裝置的不同特點(diǎn)結(jié)合起來考慮，提高了半導(dǎo)體制作過程中對(duì)各步工藝的總控制力，改善了對(duì)襯底進(jìn)行加工的準(zhǔn)確性，提高了工藝結(jié)果的均勻性及一致性。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法，不需要增加對(duì)襯底的狀態(tài)進(jìn)行事先測(cè)量的步驟，縮短了工藝周期，提高了生產(chǎn)效率。圖1為利用現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備進(jìn)行研磨后得到的薄膜情形之一的器件剖面圖2為利用現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備進(jìn)行研磨后得到的薄膜情形之二的器件剖面圖3表示了本發(fā)明中利用化學(xué)機(jī)械研磨及化學(xué)氣相沉積處理后得到的薄膜情形之一的器件剖面圖4表示了本發(fā)明中利用化學(xué)機(jī)械研磨及化學(xué)氣相沉積處理后得到的薄膜情形之二的器件剖面圖5為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法的第一實(shí)施例的流程圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第一沉積室進(jìn)行薄膜沉積后的器件剖面圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第二沉積室進(jìn)行薄膜沉積后的器件剖面圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第一組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖9為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第四組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖10為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第二組合或第三組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖11為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法的第二實(shí)施例的流程圖12為本發(fā)明第二實(shí)施例中采用第一工藝中的第一研磨頭平坦化后的器件剖面圖13為本發(fā)明第二實(shí)施例中采用第一工藝中的第二研磨頭平坦化后的器件剖面圖14為本發(fā)明第二實(shí)施例中利用第一組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖；圖15為本發(fā)明第二實(shí)施例中利用第四組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖；.圖16為本發(fā)明第二實(shí)施例中在第一組合情況下完成三步工藝處理后的器件剖面圖17為本發(fā)明第二實(shí)施例中在第四組合情況下完成三步處理后的器件剖面圖。具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式^f故詳細(xì)的說明。多適當(dāng)?shù)牟牧现谱鳎旅媸峭ㄟ^具體的實(shí)施例來加以說明，當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑地涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定，此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。實(shí)際工藝中，在用于完成同一種工藝的不同設(shè)備之間或同一設(shè)備的不同裝置之間(后文中將不同設(shè)備或同一設(shè)備的不同裝置統(tǒng)稱為不同的生產(chǎn)裝置)，即使是采用了相同的工藝條件，其工藝結(jié)果也可能會(huì)略有不同。以化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備為例，不同的研磨設(shè)備，甚至同一研磨設(shè)備的不同研磨頭(本發(fā)明中將其認(rèn)定為屬于同一設(shè)備的不同裝置，為不同生產(chǎn)裝置中的一種情況)所得到的研磨結(jié)果也會(huì)有所不同有的研磨頭的研磨結(jié)果可能會(huì)令晶片的中心略厚，有的則可能相反。再例如，對(duì)于化學(xué)氣相沉積設(shè)備，不同的沉積設(shè)備，甚至同一沉積設(shè)備的不同沉積室(本發(fā)明中同樣將其認(rèn)定為屬于同一設(shè)備的不同裝置)所得到的薄膜沉積結(jié)果也會(huì)有所不同有的沉積室的沉積結(jié)果可能會(huì)令襯底的中心略厚，有的則可能相反。如果某一襯底的在先工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝，其所用的研磨頭令其出現(xiàn)前面圖1中所示的中間薄、邊緣厚的情形，而其后續(xù)工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，其所用的設(shè)備的沉積室同樣會(huì)生長(zhǎng)出中間薄、邊緣厚的沉積結(jié)果，則這一襯底上最終形成的薄膜的均勻性更差，其與其它襯底的薄膜間的不一致性更加嚴(yán)重。圖3表示了本發(fā)明中利用化學(xué)機(jī)械研磨及化學(xué)氣相沉積處理后得到的薄膜情形之一的器件剖面圖，如圖3所示，在利用化學(xué)機(jī)械研磨方法進(jìn)行平坦化處理后，由于其所用的研磨頭本身的特點(diǎn)，襯底301上的第一介質(zhì)層302出現(xiàn)了中間薄、邊緣厚的情形；而在隨后進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積工藝中，由于所用的沉積室的特點(diǎn)，其所形成的第二介質(zhì)層303同樣具有中間薄、邊緣厚的情形。這樣，在經(jīng)過這兩步工藝后，加重了襯底表面薄膜的不均勻性，及不同襯底間的不一致性。另夕卜，如果前一步的化學(xué)機(jī)械研磨工藝所用的研磨頭令襯底表面薄膜出現(xiàn)前面圖2中所示的中間厚、邊緣薄的情形，而其后續(xù)的化學(xué)氣相沉積工藝所用的沉積室同樣會(huì)生長(zhǎng)出中間厚、邊緣薄的沉積結(jié)果，則這一襯底上最終形成的薄膜的均勻性也會(huì)更差，其與其它襯底的薄膜間的不一致性也更重。圖4表示了本發(fā)明中利用化學(xué)機(jī)械研磨及化學(xué)氣相沉積處理后得到的薄膜情形之二的器件剖面圖，如圖4所示，在利用化學(xué)機(jī)械研磨方法進(jìn)行平坦化處理后，由于所用的研磨頭本身的特點(diǎn)，襯底401上的第一介質(zhì)層402出現(xiàn)了中間厚、邊緣薄的情形；而在隨后進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積工藝中，由于所用的沉積室的特點(diǎn)，其所形成的第二介質(zhì)層403同樣具有中間厚、邊緣薄的情形，這樣，在經(jīng)過這兩步工藝后加重了襯底表面的不均勻性，及不同襯底間的不一致性?？梢姡绻豢紤]在先工藝中所用的生產(chǎn)裝置是圖1還是圖2中結(jié)果，也不考慮后續(xù)工藝中所用生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)，而直接采用相同的后續(xù)工藝條件，或隨機(jī)確定后續(xù)工藝的工藝條件，如隨機(jī)選擇后續(xù)工藝所用的生產(chǎn)裝置進(jìn)行后續(xù)工藝，則可能會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)出的產(chǎn)品間的不一致性較為嚴(yán)重。為此，本發(fā)明的制作方法釆用了在設(shè)備與設(shè)備(或裝置與裝置)之間進(jìn)行信息結(jié)合的方法先利用至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；然后，分別才企測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的各所述在先工藝的結(jié)果；再將各所述在先工藝的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行分別組合，得到不同生產(chǎn)裝置組合下的各種組合工藝結(jié)果；根據(jù)所述各種組合工藝結(jié)果分別確定在不同生產(chǎn)裝置組合下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。本發(fā)明的方法，對(duì)于完成同一工藝的不同的生產(chǎn)裝置，根據(jù)其所具有的自身特點(diǎn)(其會(huì)反映于利用其完成的襯底上)，將制作同一襯底的不同工藝時(shí)所用的各生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)結(jié)合起來，確定后續(xù)工藝的工藝條件(包括選擇后續(xù)工藝中所用的生產(chǎn)裝置)?？梢栽诓辉黾宇~外的工藝步驟的情況下，提高對(duì)各步工藝的總控制力，進(jìn)一步改善襯底加工的準(zhǔn)確性，提高工藝結(jié)果的均勻性及一致性。第一實(shí)施例本發(fā)明的第一實(shí)施例是對(duì)兩步工藝之間的生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)進(jìn)行綜合考慮，以好地控制工藝的進(jìn)行。本實(shí)施例中，在先工藝是在表面有溝槽的襯底上沉積薄膜，后續(xù)工藝是利用化學(xué)機(jī)械研磨方法對(duì)薄膜進(jìn)行平坦化處理。圖5為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法的第一實(shí)施例的流程圖，下面結(jié)合圖5詳細(xì)說明本發(fā)明第一實(shí)施例的具體實(shí)施步驟步驟501:利用在先工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)村底進(jìn)行分別處理。本實(shí)施例中，在先工藝沉積薄膜所用的設(shè)備可以為多臺(tái)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的任一臺(tái)。為簡(jiǎn)便起見，本實(shí)施例中僅選擇其中固定的一臺(tái)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，該設(shè)備具有兩個(gè)沉積室——第一沉積室與第二沉積室(其屬于同一"i更備的兩個(gè)不同的裝置)。步驟502:分別^r測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的在先工藝的各結(jié)果。圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第一沉積室進(jìn)行薄膜沉積后的器件剖面圖，如圖6所示，利用化學(xué)氣相沉積設(shè)備的第一沉積室在表面具有溝槽602的襯底601上進(jìn)行薄膜610的沉積，由于第一沉積室的自身特點(diǎn)，其生長(zhǎng)得到的薄膜厚度分布情況為中間薄、邊緣厚。圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第二沉積室進(jìn)行薄膜沉積后的器件剖面圖，如圖7所示，利用化學(xué)氣相沉積設(shè)備的第二沉積室在表面具有溝槽602的襯底601上進(jìn)行薄膜620的沉積，由于第二沉積室的自身特點(diǎn)，其得到的薄膜厚度分布情況為中間厚、邊緣薄。步驟503:根據(jù)所述結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。本實(shí)施例中，后續(xù)工藝所用的設(shè)備可以為多臺(tái)化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備中的任一臺(tái)。為簡(jiǎn)便起見，本實(shí)施例中僅選擇其中固定的一臺(tái)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其具有兩個(gè)研磨頭(即，屬于同一設(shè)備的兩個(gè)不同的裝置)。本實(shí)施例中，所確定的后續(xù)工藝所適用的工藝條件是指確定后續(xù)工藝所適用的生產(chǎn)裝置，其具體步驟為A、利用后續(xù)工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；本實(shí)施例中，可以先利用表面已沉積薄膜的襯底(可以具有溝槽，也可以不具有溝槽)作為實(shí)驗(yàn)片，對(duì)后續(xù)工藝中的兩個(gè)研磨頭的研磨特點(diǎn)進(jìn)行摸索。B、分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的后續(xù)工藝的各結(jié)果；本實(shí)施例中，利用第一研磨頭平坦化后的薄膜為中間薄、邊緣厚，情況如圖l所示；利用第二研磨頭平坦化后的薄膜為中間厚—、邊緣薄，情況如圖2所示。C、對(duì)所述在先工藝與后續(xù)工藝在不同生產(chǎn)裝置下得到的結(jié)果進(jìn)行分析；在得到了在先工藝與后續(xù)工藝在不同生產(chǎn)裝置下得到的結(jié)果后，對(duì)各種組合結(jié)果進(jìn)行分析。表l為在先工藝與后續(xù)工藝的組合情況表，如表l所示，不同組合下的工藝結(jié)果會(huì)有所不同。表i在先工藝與后續(xù)工藝的組合情況表<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第一組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖，如圖8所示，由于在第一組合下在先工藝與后續(xù)工藝所用的裝置的特點(diǎn)均為中間薄、邊緣厚，最終得到的平坦化后的薄膜810的中間區(qū)域與邊緣區(qū)域間的厚度差更為明顯，襯底上薄膜的均勻性及器件的一致性也更差。圖9為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第四組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖，如圖9所示，由于在第四組合下在先工藝與后續(xù)工藝所用的裝置的特點(diǎn)均為中間厚、邊緣薄，最終得到的平坦化后的薄膜820的中間區(qū)域與邊緣區(qū)域間的厚度差更大，襯底上薄膜的均勻性及器件的一致性也更差。圖10為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用第二組合或第三組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖，如圖IO所示，由于在第二或第三組合下在先工藝與后續(xù)工藝所用的裝置的特點(diǎn)正好相反一個(gè)為中間薄、邊緣厚，另一個(gè)為中間厚、邊緣薄。這樣，最終得到的平坦化后的薄膜830的中間區(qū)域與邊緣區(qū)域間的厚度差可以明顯縮小，襯底上薄膜的均勻性及器件的一致性均較好。D、確定所述在先工藝與后續(xù)工藝所適用的生產(chǎn)裝置組合。本實(shí)施例中，通過對(duì)在先工藝與后續(xù)工藝的各種組合結(jié)果的比較，確定在工藝制作過程中選擇第二組合或第三組合。本實(shí)施例中，結(jié)合在先工藝與后續(xù)工藝所用的不同生產(chǎn)裝置的不同特點(diǎn)，采取適當(dāng)?shù)难b置組合，在不需要進(jìn)行事先檢測(cè)的情況下(即在不影響生產(chǎn)效率的情況下)，提高了半導(dǎo)體制作過程中對(duì)各步工藝的控制力及工藝結(jié)果的均勻性、一致性。綜合考慮了前、后工藝的生產(chǎn)裝置特點(diǎn)后可以有效提高工藝結(jié)果的均勻性、一致性，但為了達(dá)到更為理想的工藝結(jié)果，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，也可以根據(jù)在先工藝所用生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)，對(duì)后續(xù)工藝的其它工藝條件進(jìn)行調(diào)整，如可以通過調(diào)整研磨頭的中間區(qū)域與邊緣區(qū)域的下壓力的大小來彌補(bǔ)在先工藝薄膜中間區(qū)域與邊緣區(qū)域厚度不等的情況。實(shí)際生產(chǎn)中，各工藝中所用的不同生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)通常已事先檢測(cè)，故而，可以直接按下述步驟進(jìn)行操作a、確定在先工藝所用的生產(chǎn)裝置；b、根據(jù)所述在先工藝所用的生產(chǎn)裝置確定后續(xù)工藝的工藝條件；c、按照確定的工藝條件完成所述后續(xù)工藝。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，當(dāng)所述在先工藝為兩步及以上時(shí)，根據(jù)所述在先工藝所用的生產(chǎn)裝置確定后續(xù)工藝的工藝條件，具體還可以包括步驟將至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行分別組合；分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置組合下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。本實(shí)施例中，在先工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，后續(xù)工藝為化學(xué)才幾械研磨工藝，其關(guān)注的工藝結(jié)果主要是襯底表面薄膜的厚度分布情況。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，還可以為多種其它工藝的結(jié)合，如在先工藝為淺摻雜處理，后續(xù)工藝為重?fù)诫s處理，其關(guān)注的工藝結(jié)果是襯底內(nèi)的雜質(zhì)分布情況。此時(shí)，其的具體實(shí)施步驟與思路均和本實(shí)施例相似，在本發(fā)明實(shí)施例的啟示下，這一應(yīng)用的延伸對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是易于理解和實(shí)現(xiàn)的，在此不再贅述。第二實(shí)施例:本發(fā)明的第二實(shí)施例是對(duì)多步工藝之間的生產(chǎn)裝置特點(diǎn)進(jìn)行綜合考慮，以好地控制工藝的進(jìn)行。本實(shí)施例中，第一工藝是利用化學(xué)機(jī)械研磨方法對(duì)薄膜進(jìn)行平坦化處理；第二工藝是利用化學(xué)氣相沉積方法沉積薄膜，第三工藝是利用化學(xué)機(jī)械研磨方法對(duì)薄膜進(jìn)行平坦化處理。圖11為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制作方法的第二實(shí)施例的流程圖，下面結(jié)合圖11詳細(xì)說明本發(fā)明第二實(shí)施例的具體實(shí)施步驟步驟1101:利用第一工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理。本實(shí)施例中，第一工藝是化學(xué)機(jī)械研磨工藝，其所用的設(shè)備可以為多臺(tái)化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備中的任一臺(tái)。為簡(jiǎn)便起見，本實(shí)施例中僅選擇其中固定的一臺(tái)化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，該設(shè)備具有兩個(gè)研磨頭__第一研磨頭與第二研磨頭(其屬于同一設(shè)備的兩個(gè)不同的裝置)。步驟1102:分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第一工藝的各結(jié)果。本實(shí)施例中，利用第一研磨頭平坦化后的薄膜為中間薄、邊緣厚。圖12為本發(fā)明第二實(shí)施例中采用第一工藝中的第一研磨頭平坦化后的器件剖面圖，如圖12所示，襯底1201內(nèi)具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)，如溝槽1202,其上沉積的薄膜必然也會(huì)凹凸不平，為使其平坦化，本實(shí)施例中釆用了第一工藝一一化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)其進(jìn)行了處理。因第一研磨頭自身的特點(diǎn)，處理后的薄膜1210為中間薄、邊緣厚。利用第二研磨頭平坦化后的薄膜為中間厚、邊緣薄。圖13為本發(fā)明第二實(shí)施例中采用第一工藝中的第二研磨頭平坦化后的器件剖面圖，如圖13所示，襯底1301內(nèi)具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)，如溝槽1302,其上沉積的薄膜必然也會(huì)凹凸不平，為使其平坦化，本實(shí)施例中采用了第一工藝一一化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)其進(jìn)行了處理。因第二研磨頭自身的特點(diǎn)，其處理后的薄膜1310為中間厚、邊緣薄。步驟1103:利用第二工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理。本實(shí)施例中，第二工藝是化學(xué)氣相沉積工藝，其所用的設(shè)備可以為多臺(tái)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中的任一臺(tái)。為簡(jiǎn)便起見，本實(shí)施例中僅選擇其中固定的一臺(tái)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，該設(shè)備具有兩個(gè)沉積室一一第一沉積室與第二沉積室(其屬于同一設(shè)備的兩個(gè)不同的裝置)。本實(shí)施例中，可以先利用襯底(可以具有溝槽，也可以不具有溝槽)作為實(shí)驗(yàn)片，對(duì)第二工藝中不同的化學(xué)氣相沉積設(shè)備或同一化學(xué)氣相沉積設(shè)備具有的不同沉積室的沉積特點(diǎn)進(jìn)行摸索。步驟1104:分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第二工藝的各結(jié)果。本實(shí)施例中，利用第一沉積室沉積后的薄膜為中間薄、邊緣厚的情形；利用第二沉積室沉積后的薄膜為中間厚、邊緣薄的情形。步驟1105:將所述第一工藝與第二工藝中的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行各種組合。本實(shí)施例中的各種組合包括第一工藝中的第一研磨頭分別與第二工藝中的第一沉積室或第二沉積室組合，以及第一工藝中的第二研磨頭分別與第二工藝中的第一沉積室或第二沉積室組合。.步驟1106:得到所述第一工藝的各結(jié)果及第二工藝的各結(jié)果的各種組合結(jié)果。表2為第一工藝與第二工藝的組合情況表，如表2所示，不同組合下的工藝結(jié)果會(huì)有所不同。表2第一工藝與第二工藝的組合情況表<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>圖14為本發(fā)明第二實(shí)施例中利用第一組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖，圖15為本發(fā)明第二實(shí)施例中利用第四組合進(jìn)行處理后的器件剖面圖，如圖14和15所示，此時(shí)得到的兩個(gè)襯底間的表面情況相差較遠(yuǎn)利用第一組合處理后得到的表面薄膜1220的中間薄、邊緣厚的情況更為突出，利用第四組合處理后得到的表面薄膜1320的中間厚、邊緣薄的情況也更為明顯。步驟1107:根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在所述各組合下第三工藝所適用的工藝條件。本實(shí)施例中，具體地，是根據(jù)所述各種組合下的工藝結(jié)果分別確定在所述各種組合下所述第三工藝中的研磨頭下壓力參數(shù)。如，在第一組合下，可以減小第三工藝中研磨頭的中間區(qū)域與邊》彖區(qū)域間的下壓力差；在第四組合下，可以加大第三工藝中研磨頭的中間區(qū)域與邊緣區(qū)域間的下壓力差；在第二、第三組合下可以根據(jù)其第一工藝與第二工藝的互補(bǔ)情況對(duì)第.三工藝中研磨頭的中間區(qū)域與邊緣區(qū)域間的下壓力差進(jìn)行一定的微調(diào)。本實(shí)施例中，可以按四種組合情況分別設(shè)定四種第三工藝所適用的工藝條件，在生產(chǎn)時(shí)直接根據(jù)待加工襯底在前兩步工藝中所用的生產(chǎn)裝置的組合情況調(diào)用四種工藝條件中對(duì)應(yīng)的一種即可。圖16為本發(fā)明第二實(shí)施例中在第一組合情況下完成三步工藝處理后的器件剖面圖，圖17為本發(fā)明第二實(shí)施例中在第四組合情況下完成三步處理后的器件剖面圖，如圖16和17所示，經(jīng)過對(duì)第三工藝中工藝條件的調(diào)整，無論是利用第一組合與第三工藝處理后得到的表面薄膜1230,還是利用第四組合與第三工藝處理后得到的表面薄膜1330都可以得到較為平坦的表面?？梢钥吹?，三步工藝后得到的工藝結(jié)果的均勻性、一致性得到了明顯的改善。本實(shí)施例的方法可以在不需要進(jìn)行事先檢測(cè)的情況下(即在不影響生產(chǎn)效率的情況下)，提高半導(dǎo)體制作過程中對(duì)各步工藝的總控制力，改善工藝結(jié)果的均勻性、一致性。另外，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，也可以結(jié)合前兩步工藝的各種組合與第三工藝的不同生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)，來提高工藝結(jié)果的均勻性及一致性。具體步驟可以包括A、利用第三工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；B、分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第三工藝的結(jié)果；C、對(duì)所述各種組合結(jié)果與第三工藝在不同生產(chǎn)裝置下得到的結(jié)果進(jìn)行分析；D、確定與所述各種組合結(jié)果相適應(yīng)的第三工藝的生產(chǎn)裝置。同樣地，實(shí)際生產(chǎn)中，各工藝中所用的不同生產(chǎn)裝置的特點(diǎn)通常已事先檢測(cè)，故而，也可以直接按下述步驟進(jìn)行才乘作a、確定第一工藝所用的生產(chǎn)裝置；b、確定第二工藝所用的生產(chǎn)裝置；c、根據(jù)所述第一工藝及第二工藝所用的生產(chǎn)裝置確定第三工藝的工藝條件；d、按照確定的工藝條件完成所述第三工藝。本實(shí)施例中，第一工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝，第二工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，第三工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝；其關(guān)注的工藝結(jié)果主要是襯底表面薄膜的厚度分布情況。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，還可以為多種其它工藝的結(jié)合，如第一工藝為淺摻雜處理，第二工藝為化學(xué)氣相沉積工藝(其形成的薄膜厚度會(huì)對(duì)后續(xù)的摻雜效果有影響)，第三工藝為重?fù)诫s處理，其關(guān)注的工藝結(jié)果是襯底內(nèi)的雜質(zhì)分布情況，其具體實(shí)施步驟與思路均和本實(shí)施例相似，在本發(fā)明實(shí)施例的啟示下，這一應(yīng)用的延伸對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是易于理解和實(shí)現(xiàn)的，在此不再贅述。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求1、一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括步驟利用至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)各所述在先工藝中利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的結(jié)果；根據(jù)所述結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。2、如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于當(dāng)所述在先工藝為兩步及以上時(shí)，根據(jù)所述結(jié)果確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件，包括步驟將至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行分別組合；得到不同生產(chǎn)裝置組合下的各種組合工藝結(jié)果；根據(jù)所述各種組合工藝結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置組合下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。3、如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于所述在先工藝中利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的結(jié)果包括所述襯底表面的薄膜厚度的分布情況。4、如權(quán)利要求1或3所述的制作方法，其特征在于所述在先工藝包括化學(xué)氣相沉積工藝，所述后續(xù)工藝包括化學(xué)機(jī)械研磨工藝。5、如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于根據(jù)所述結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件，包括步驟根據(jù)所述結(jié)果分別確定所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝中的研磨頭下壓力參數(shù)。6、如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于根據(jù)所述結(jié)果分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置下后續(xù)工藝所適用的工藝條件，包括步利用后續(xù)工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的后續(xù)工藝的各結(jié)果；對(duì)所述在先工藝的結(jié)果與所述后續(xù)工藝的各結(jié)果進(jìn)行組合分析；確定所述在先工藝與后續(xù)工藝所適用的生產(chǎn)裝置組合。7、一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括步驟確定至少一步在先工藝所用的生產(chǎn)裝置；才艮據(jù)所述在先工藝所用的生產(chǎn)裝置確定后續(xù)工藝的工藝條件；按照確定的工藝條件完成所述后續(xù)工藝。8、如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于當(dāng)所述在先工藝為兩步及以上時(shí)，根據(jù)所述在先工藝所用的生產(chǎn)裝置確定后續(xù)工藝的工藝條件，包括步驟將至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行分別組合；分別確定在先工藝的不同生產(chǎn)裝置組合下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。9、如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于所述在先工藝包括化學(xué)氣相沉積工藝，所述后續(xù)工藝包括化學(xué)機(jī)械研磨工藝。10、一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括步驟利用第一工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第一工藝的各結(jié)果；利用第二工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第二工藝的各結(jié)果；將所述第一工藝與第二工藝中的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行各種組合；得到所述第一工藝的各結(jié)果及第二工藝的各結(jié)果的各種組合結(jié)果；根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在各組合下第三工藝所適用的工藝條件。11、如權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于所述第一工藝的各結(jié)果及第二工藝的各結(jié)果包括所述襯底表面的薄膜厚度的分布情況。12、如權(quán)利要求10或11所述的制作方法，其特征在于所述第一工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝，所述第二工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，所述第三工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。13、如權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在所述各種組合下第三工藝所適用的工藝條件，包括步驟根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在所述各種組合下所述第三工藝中的研磨頭下壓力參數(shù)。14、如權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于根據(jù)所述各種組合結(jié)果分別確定在所述各種組合下第三工藝所適用的工藝條件，包括步驟利用第三工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別斥企測(cè)利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的第三工藝的各結(jié)果；對(duì)所述各種組合結(jié)果與第三工藝在不同生產(chǎn)裝置下得到的各結(jié)果進(jìn)行分析；確定與所述各種組合結(jié)果相適應(yīng)的第三工藝的生產(chǎn)裝置。15、一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括步驟確定第一工藝所用的生產(chǎn)裝置；確定第二工藝所用的生產(chǎn)裝置；根據(jù)所述第一工藝及第二工藝所用的生產(chǎn)裝置確定第三工藝的工藝條件；按照確定的工藝條件完成所述第三工藝。16、.如權(quán)利要求15所述的制作方法，其特征在于所述第一工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝，所述第二工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，所述第三工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。全文摘要本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括步驟利用至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置對(duì)襯底進(jìn)行分別處理；分別檢測(cè)各所述在先工藝中利用所述不同生產(chǎn)裝置得到的結(jié)果；將至少一步在先工藝的不同生產(chǎn)裝置進(jìn)行分別組合；得到不同生產(chǎn)裝置組合下的各種組合工藝結(jié)果；根據(jù)所述各種組合工藝結(jié)果分別確定在不同生產(chǎn)裝置組合下后續(xù)工藝所適用的工藝條件。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法，將在先工藝所用的生產(chǎn)裝置與后續(xù)工藝中所用的生產(chǎn)裝置的不同特點(diǎn)結(jié)合起來進(jìn)行綜合考慮，提高了半導(dǎo)體制作過程中對(duì)各步工藝的控制力及工藝結(jié)果的準(zhǔn)確性。文檔編號(hào)H01L21/00GK101459043SQ20071009454公開日2009年6月17日申請(qǐng)日期2007年12月13日優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日發(fā)明者宇姚,江思明,王亦磊申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司