專利名稱：淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的 制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路制造工藝的日益進步，半導(dǎo)體集成電路中半導(dǎo)
體器件的線寬越來越小，集成度越來越高，傳統(tǒng)的用于半導(dǎo)體器件的隔 離工藝已經(jīng)不能滿足不斷發(fā)展的集成電路制造工藝的需要。
在0.35um及更小的技術(shù)節(jié)點，業(yè)界采用淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation)工藝來實現(xiàn)半導(dǎo)體器件之間的隔離。淺溝槽隔離工藝的主要步 驟如下首先在用于制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體襯底上形成溝槽，接著在 該溝槽中填充絕緣材料。
專利號為US 6828248 Bl的美國專利公開了一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的 制造工藝。圖1至圖5為所述的美國專利公開的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造工 藝各步驟相應(yīng)的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
如圖l所示，在半導(dǎo)體襯底300上依次形成有墊氧化硅層(Pad Oxide ) 310、硬掩膜層320和第二介質(zhì)層330。所述第二介質(zhì)層330可以是氮氧化 硅或氧化硅。
如圖2所示，通過光刻和刻蝕工藝，在所述第二介質(zhì)層330、硬掩膜 層320、墊氧化硅層310和半導(dǎo)體襯底300中形成溝槽340。
如圖3所示，通過干法刻蝕工藝350使靠近所述溝槽340邊緣的第二介 質(zhì)層330、硬掩膜層320、墊氧化硅層310向遠離溝槽340的方向收縮。
可選的，如圖4所示，對所述溝槽340頂部邊^(qū)彖圓弧化(Top Comer Rounding)處理。
如圖5所示，在所述溝槽340中填充氧化石圭380。
然而，所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造工藝中，在如圖3所示的干法刻 蝕工藝中，干法刻蝕的等離子體在對靠近溝槽340邊緣的第二介質(zhì)層330、硬掩膜層320、墊氧化硅層310進行回刻(Pull Back Etch)的同時，也會 對溝槽340的側(cè)壁和底部進行刻蝕，4吏得溝槽340的側(cè)壁和底部產(chǎn)生刻蝕 損傷，從而會影響后續(xù)工藝中在溝槽340中填充的介質(zhì)材料與溝槽340之 間的粘附性能，進而會影響形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的絕緣隔離性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，本發(fā)明在對硬掩膜層 進行回刻時不會損傷溝槽的側(cè)壁和底部。
本發(fā)明提供的 一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，包括
在半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一介質(zhì)層和硬掩膜層；
形成貫穿所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層的開口，并在所述開口底部的
半導(dǎo)體襯底中形成溝槽；
在所述溝槽內(nèi)壁形成氧化硅層；
刻蝕所述開口側(cè)壁的硬掩膜層，使所述硬掩膜層中開口的線寬大于 所述溝槽頂部的線寬；
在所述溝槽和開口中填充第二介質(zhì)層；
去除所述硬掩膜層和第 一介質(zhì)層。
可選的，在所述溝槽內(nèi)壁形成氧化硅層的方法為干氧氧化工藝。
可選的，所述千氧氧化工藝為爐管氧化硅法或快速熱退火氧化法。
可選的，所述氧化硅層為一層或多層。
可選的，所述氧化硅層的厚度為5至IOOA。
可選的，所述第一介質(zhì)層為氧化硅。
可選的，所述硬掩膜層為氮化硅。
可選的，所述刻蝕為濕法刻蝕，刻蝕溶液為磷酸溶液。
可選的，所述刻蝕為干法刻蝕，刻蝕氣體為CF3、 CHF3、 CH2F2或
NF3。
可選的，進一步包括在所述溝槽和開口中形成第二介質(zhì)層之前去 除部分或全部所述氧化硅層。可選的，進一步包括
形成貫穿所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層的開口前，在所述硬掩膜層上
形成第三介質(zhì)層；
并在形成第二介質(zhì)層之前先去除所述第三介質(zhì)層。 可選的，在所述溝槽和開口中填充第二介質(zhì)層的步驟如下 在所述溝槽中形成襯墊氧化硅層；
在所述襯墊氧化硅層上、開口中和硬掩層上沉積介質(zhì)材料；
平坦化所述介質(zhì)材料，去除所述硬掩膜層上的介質(zhì)材料。
可選的，形成襯墊氧化層的方法為爐管氧化法、快速熱退火法或原 位水蒸氣氧化法。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點
在刻蝕所述硬掩膜層之前，先在所述溝槽內(nèi)壁形成氧化硅層作為保 護層，可保護所述溝槽內(nèi)壁在刻蝕硬掩膜層時，不受刻蝕的影響，不會 造成刻蝕損傷，不會導(dǎo)致內(nèi)壁粗糙，不會引起溝槽內(nèi)壁材料損失；從而 有利于增強在溝槽中填充的第二介質(zhì)層與溝槽內(nèi)壁之間的粘附性能，并 有助于減小漏電流的產(chǎn)生，提高形成的半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性能。


圖l至圖5為所述的美國專利公開的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造工藝各 步驟相應(yīng)的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖6為本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造工藝的實施例的流程圖7為具有第一介質(zhì)層和石更掩膜層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖8為在硬掩膜層上形成開口圖案后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖9為在硬掩膜層和第一介質(zhì)層中形成開口后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖IO為在半導(dǎo)體襯底中形成溝槽后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖11為在圖10所示的溝槽內(nèi)壁形成氧化硅層后的剖面結(jié)構(gòu)示意
圖12為圖11所示的硬掩膜層中的開口增大后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為對圖12所示的開口底部露出的第一介質(zhì)層刻蝕后的剖面結(jié) 構(gòu)示意圖14為溝槽中形成襯墊氧化硅層后的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖15為去除石更掩膜層和第一介質(zhì)層后的形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的 剖面示意圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。
淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于隔離半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體器件，通過在半導(dǎo) 體村底上形成溝槽，并在溝槽中填充介質(zhì)材料而形成。
請參照圖6所示，本發(fā)明的實施例中淺溝槽隔離的制造方法如下
執(zhí)行步驟S100,首先提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次 形成第 一介質(zhì)層和硬掩膜層；
執(zhí)行步驟S110,接著，在所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層中形成貫穿 該硬掩膜層和第一介質(zhì)層的開口 ，在該開口底部的半導(dǎo)體襯底中形成溝
槽；
執(zhí)行步驟S120,然后，在所述溝槽內(nèi)壁形成氧化硅層，作為保護
層；
執(zhí)行步驟S130,回刻所述開口側(cè)壁的硬掩膜層，使所述硬掩膜層 中的開口的線寬大于所述溝槽頂部的線寬，所述的氧化硅層在刻蝕時保
護所述溝槽的內(nèi)壁不受損傷；
執(zhí)行步驟S140，在所述溝槽和開口中填充第二介質(zhì)層；
執(zhí)行步驟S150,去除所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層，即形成淺溝槽 隔離結(jié)構(gòu)。
通過在回刻硬掩膜層之前，在所述溝槽的內(nèi)壁形成氧化硅層作為保 護層，可保護所述溝槽的內(nèi)壁不受刻蝕損傷，提高形成的半導(dǎo)體器件的 穩(wěn)定性能。
下面結(jié)合附圖對所述實施例的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法進行詳細描述。
結(jié)合圖6和圖7所示，其中，步驟SIOO，提供半導(dǎo)體襯底，在所 述半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一介質(zhì)層12和硬掩膜層14。
所述半導(dǎo)體襯底IO可以是單晶硅、多晶硅、非晶硅中的一種，所 述半導(dǎo)體襯底IO也可以是硅鍺化合物、硅鎵化合物中的一種，所述半 導(dǎo)體襯底10還可以包括外延層或絕緣層上石圭(Silicon On Insulator, SOI)結(jié)構(gòu)。
所述第一介質(zhì)層12為氧化硅，也稱為墊氧化層(Pad Oxide )。形成 所述墊氧化層的工藝如下
對所述半導(dǎo)體襯底10表面進行清洗，可去除所述半導(dǎo)體襯底10表 面的雜質(zhì)顆?；蚱渌廴疚?。
通過氧化工藝在所述半導(dǎo)體襯底10上形成墊氧化層，形成所述墊 氧化層的方法可以是爐管氧化、快速熱退火氧化、原位水蒸氣產(chǎn)生氧化 法中的一種。
所述第一介質(zhì)層12的厚度約為5至40nm。
所述第一介質(zhì)層12作為后續(xù)工藝中形成的硬掩膜層14和半導(dǎo)體襯 底10表面之間的粘和層，用于增大所述硬掩膜層14和半導(dǎo)體襯底10 表面之間的粘結(jié)性，并平衡硬掩膜層14和半導(dǎo)體襯底10表面之間的應(yīng) 力。
在另外的實施例中，所述墊氧化層也可以通過化學(xué)氣相沉積的方法 形成。
所述硬掩膜層14為氮化硅，其厚度為50至300nm。
形成所述硬掩膜層14的方法可以是化學(xué)氣相沉積。
所述硬掩膜層14一方面作為在所述半導(dǎo)體襯底10中刻蝕溝槽的硬
掩膜；另一方面作為在溝槽中填充的介質(zhì)材料的化學(xué)機械研磨平坦化的
研磨終點;險測層。
在其它的實施例中，所述石更掩膜層可以是多層。 在其它的實施例中，在所述硬掩膜層14上還具有第三介質(zhì)層(圖未示)，所述第三介質(zhì)層為氧化硅或氮氧化硅。
結(jié)合圖6、圖8、圖9和圖IO所示，所述步驟SllO，形成貫穿所 述硬掩膜層14和第一介質(zhì)層12的開口 20，在所述開口 20底部的半導(dǎo) 體襯底中形成溝槽22。
如圖8所示，在所述硬掩膜層14上旋涂光刻膠層16,并通過曝光 顯影工藝形成開口 18,所述開口 18的底部露出所述硬掩膜層14的表面。
在其它的實施例中，在旋涂所述光刻膠層16之前，可在所述硬掩 膜層14上形成抗反射層(未示出)，所述抗反射層可以是無機材料，例 如氮氧化硅，或有機材料；然后再在所述抗反射層上形成光刻膠層16, 并曝光顯影形成開口 18。
圖9為在硬掩膜層和第 一介質(zhì)層中形成開口后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖9所示，刻蝕所述開口 18底部的^更掩膜層14和第一介質(zhì)層12, 形成開口 20,所述開口 20的底部露出所述半導(dǎo)體襯底10的表面。
所述刻蝕為非等向性刻蝕，例如為等離子體干法刻蝕，該等離子體 干法刻蝕的刻蝕氣體可以是CF4。
圖IO為在半導(dǎo)體襯底中形成溝槽后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖10所示，刻蝕所述開口 20底部的半導(dǎo)體襯底10，在所述半導(dǎo) 體襯底10中形成溝槽22。
所述刻蝕的方法為等離子體干法刻蝕，所述等離子體干法刻蝕選用 的刻蝕氣體要使所述溝槽22的側(cè)壁較為光滑，具有較少的硅晶格缺陷， 且使所述溝槽22的底部邊角較為平滑，所述刻蝕氣體還要使所述溝槽 22側(cè)壁具有較為傾斜的輪廓，例如可以是70至90度。
本實施例中所述刻蝕的刻蝕氣體可以是Cl2或HBr,或HBr與其它 氣體的混合氣體，例如可以是HBr與02和Cl2的混合氣體，或HBr與 NF3和He的混合氣體。
形成的溝槽22的深度通過刻蝕的時間控制。
刻蝕形成所述溝槽22的工藝與刻蝕形成所述開口 20的工藝可以在 不同的刻蝕設(shè)備中分別進行，也可以在同一刻蝕設(shè)備中原位進行；原位進行可以提高產(chǎn)率。
若刻蝕形成所述溝槽22的工藝與刻蝕形成所述開口 20的工藝在不同的刻蝕設(shè)備中分別進行，可以在刻蝕形成所述溝槽22之前通過氧氣等離子體灰化去除所述光刻膠層16,也可以在完成所述溝槽22的刻蝕之后去除所述光刻膠層16;若是原位進行，在完成所述溝槽22的刻蝕之后去除所述光刻膠層16。
結(jié)合圖6和圖11所示，步驟S120,在所述溝槽22的內(nèi)壁(也即溝槽22的側(cè)壁和底部)形成氧化石圭層24。
所述氧化硅層24用于保護所述溝槽22內(nèi)壁在后續(xù)的工藝中不受損傷(damage),不會導(dǎo)致內(nèi)壁粗糙(roughness )、不會引起溝槽22內(nèi)壁材料損失(film lost )。
所述氧化硅層24的厚度為5至IOOA。
形成所述氧化硅層24的方法為爐管氧化硅法或快速熱退火氧化法等干氧氧化工藝。
在其中的一個實施例中，形成所述氧化硅層24的方法為爐管氧化，氧化的溫度為600至850°C。
在其它的實施例中，所述氧化硅層24也可以是多層。
結(jié)合參照圖6、圖12和圖13所示，其中圖12為圖11所示的硬掩膜層中的開口增大后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述步驟S130,刻蝕所述開口 20側(cè)壁的硬掩膜層14，使所述硬掩膜層14中的開口 20的線寬增大，大于所述溝槽22頂部的線寬。
在其中的一個實施例中，所述刻蝕為濕法刻蝕，刻蝕溶液為磷酸溶液。由于濕法刻蝕為等向性刻蝕，在刻蝕所述石更掩膜層14中的開口側(cè)壁26的同時，也使的該硬掩膜層14的厚度減小。可選的，在用磷酸溶液刻蝕之前，可先用稀氳氟酸溶液清洗所述硬掩膜層14的表面，去除所述硬掩膜層14表面的污染物顆?；蜓趸铩?br> 在其中的一個實施例中，所述硬掩膜層14中開口側(cè)壁26向遠離溝槽方向收縮20至300A，所述硬掩膜層14厚度損失約為50至300A。進一步的，可繼續(xù)通過刻蝕去除所述硬掩膜層14中開口底部露出
的第一介質(zhì)層12，使所述開口 20側(cè)壁的第一介質(zhì)層12的邊緣28回縮，進而使得靠近溝槽22頂部邊緣的部分半導(dǎo)體襯底表面被露出，如圖13所示。刻蝕第一介質(zhì)層12的方法也可以是濕法刻蝕，刻蝕溶液為氫氟酸溶液。
通過增大所述硬掩膜層14和第一介質(zhì)層12中的開口的線寬， 一方面更有利于后續(xù)向溝槽22中填充第二介質(zhì)層材料；另一方面，使所述溝槽22頂部邊緣的邊角露出，有利于在后續(xù)的工藝中使所述邊角圓弧化，可以減少應(yīng)力聚集，并減少在器件工作時載流子積聚對開啟特性的影響。
此外，通過氫氟酸溶液刻蝕所述第一介質(zhì)層12的同時，還可以去除溝槽22內(nèi)壁的部分或全部的氧化硅層24，更有利于后續(xù)在溝槽22內(nèi)壁形成致密均勻的襯墊氧化硅層，增加半導(dǎo)體襯底IO和在所述溝槽22中填充的第二介質(zhì)層材料之間的粘附性，減小形成的器件在工作時半導(dǎo)體村底10中的漏電流。
若在所述硬掩膜層上形成有第三介質(zhì)層，則在用氫氟酸溶液刻蝕所述第一介質(zhì)層12的同時，還可以去除所述第三介質(zhì)層。
在其它的實施例中，所述刻蝕可以為千法刻蝕，刻蝕氮化硅材質(zhì)的石更掩膜層14的刻蝕氣體為CF3、 CHF3、 CH2F2或NF3。
請結(jié)合參照圖6和圖14所示，其中圖14為在溝槽中形成襯墊氧化硅層30后的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。所述步驟S140，在所述溝槽22和開口 20中填充第二介質(zhì)層。
繼續(xù)參照圖14所示，通過氧化工藝形成襯墊氧化硅層30。若所述溝槽22內(nèi)壁具有部分或全部的氧化硅層24，則襯墊氧化硅層30形成于所述氧化硅層24上；若溝槽22內(nèi)壁的氧化硅層24已經(jīng)被去除(可以采用氫氟酸腐蝕法去除所述氧化硅層24 )，則所述襯墊氧化硅層30形成于所述溝槽22的內(nèi)壁。圖14為去除氧化硅層24再后形成襯墊氧化硅層30的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。所述的氧化工藝可以干氧氧化工藝，也可以使?jié)裱跹趸に嚕黄渲?br> 干氧氧化工藝可以是是爐管氧化法、快速熱退火氧化硅法，濕氧氧化工藝可以是原位水蒸氣產(chǎn)生氧化法。
在其中的一個實施例中，所述氧化為快速熱退火氧化硅，氧化的溫
度為900至1200°C。
在其中的一個實施例中，形成的襯墊氧化硅層30的厚度約為5至60nm。
形成襯墊氧化硅層30后，在所述襯墊氧化硅層30上，開口20中以及硬掩膜層14上沉積介質(zhì)材料，所述介質(zhì)材料可以是氧化石圭或氮氧化硅。本實施例中所述介質(zhì)層為氧化硅材料。沉積所述介質(zhì)材料的方法可以是低壓化學(xué)氣相沉積、常壓化學(xué)氣相沉積、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積中的一種。
接著，平坦化所述介質(zhì)材料，去除所述硬掩膜層14上的介質(zhì)材料。所述平坦化工藝為化學(xué)機械研磨，通過化學(xué)機械研磨工藝去除所述硬掩膜層14表面上多余的介質(zhì)材料,保留所述溝槽和開口中的介質(zhì)材料32,形成包含襯墊氧化硅層30和介質(zhì)材料32的第二介質(zhì)層。
結(jié)合參照圖6和圖15,其中圖15為去除硬掩膜層和第一介質(zhì)層后的形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。所述步驟S150,去除所述石更掩膜層14和第一介質(zhì)層12。
繼續(xù)參照圖15所示，通過濕法刻蝕依次去除所述硬掩膜層14和第一介質(zhì)層12。
去除所述硬掩膜層14的刻蝕溶液為熱磷酸溶液。去除所述硬掩膜層14的刻蝕工藝可分為兩個步驟
一、先用氫氟酸溶液清洗所述;更掩膜層14的表面；這是由于在化學(xué)機械研磨后，可能會在所述硬掩膜層14表面有氧化硅殘留物，磷酸溶液對該氧化硅殘留物刻蝕速率很慢，即該氧化層會阻止磷酸溶液對氮化硅材質(zhì)的硬掩膜層刻蝕的進行。用氫氟酸溶液可以去除該氧化層；此外，氫氟酸溶液清洗也可以去除所述硬掩膜層14表面的顆粒污染物；氫氟酸溶液清洗也可以改善溝槽中的第二介質(zhì)層表面與硬掩膜層14表
面的高度差(Step Height )。
二、接著用熱磷酸溶液對所述氧化層下的硬掩膜層材料進行刻蝕。
去除所述第一介質(zhì)層12的刻蝕溶液為氫氟酸溶液。去除所述第一介質(zhì)層12后即形成如圖15所示的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一介質(zhì)層和硬掩膜層；形成貫穿所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層的開口，并在所述開口底部的半導(dǎo)體襯底中形成溝槽；在所述溝槽內(nèi)壁形成氧化硅層；刻蝕所述開口側(cè)壁的硬掩膜層，使所述硬掩膜層中開口的線寬大于所述溝槽頂部的線寬；在所述溝槽和開口中填充第二介質(zhì)層；去除所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層。
2、 如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 在所述溝槽內(nèi)壁形成氧化硅層的方法為干氧氧化工藝。
3、 如權(quán)利要求2所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述干氧氧化工藝為爐管氧化^^圭法或快速熱退火氧化法。
4、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其 特征在于所述氧化硅層為一層或多層。
5、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其 特征在于所述氧化硅層的厚度為5至100A。
6、 如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 所述第一介質(zhì)層為氧化硅。
7、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其 特征在于所述硬掩膜層為氮化硅。
8、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其 特征在于所述刻蝕為濕法刻蝕，刻蝕溶液為磷酸溶液。
9、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其 特征在于所述刻蝕為干法刻蝕，刻蝕氣體為CF3、 CHF3、 CH2F2或 NF3。
10、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包括在所述溝槽和開口中形成第二介質(zhì)層之前去除 部分或全部所述氧化v 圭層。
11、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其 特征在于，進一步包括形成貫穿所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層的開口前，在所述硬掩膜層上 形成第三介質(zhì)層；并在形成第二介質(zhì)層之前先去除所述第三介質(zhì)層。
12、 如權(quán)利要求1或2或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其 特征在于在所述溝槽和開口中填充第二介質(zhì)層的步驟如下在所述溝槽中形成襯墊氧化硅層；在所述襯墊氧化硅層上、開口中和硬掩層上沉積介質(zhì)材料； 平坦化所述介質(zhì)材料，去除所述硬掩膜層上的介質(zhì)材料。
13、 如權(quán)要求12所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于 形成襯墊氧化層的方法為爐管氧化法、快速熱退火法或原位水蒸氣氧化 法。
全文摘要
一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一介質(zhì)層和硬掩膜層；形成貫穿所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層的開口，并在所述開口底部的半導(dǎo)體襯底中形成溝槽；在所述溝槽的內(nèi)壁形成氧化硅層；刻蝕所述開口側(cè)壁的硬掩膜層，使所述硬掩膜層中的開口的線寬大于所述溝槽頂部的線寬；在所述溝槽和開口中填充第二介質(zhì)層；去除所述硬掩膜層和第一介質(zhì)層。本發(fā)明在對硬掩膜層進行回刻時不會損傷溝槽的側(cè)壁和底部。
文檔編號H01L21/762GK101459115SQ200710094560
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者何學(xué)緬, 丹 王, 榮 王 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司