專利名稱：涂敷、顯影裝置及涂敷、顯影裝置的控制方法與存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對例如半導(dǎo)體晶片及LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板進(jìn)行基板的清洗處理、抗蝕劑液的涂敷處理、及曝光后的顯影處理的涂敷、顯影裝置及涂敷、顯影方法。
背景技術(shù)：
對半導(dǎo)體設(shè)備及LCD基板等基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷，使用光掩模曝光其抗蝕劑膜，通過進(jìn)行顯影而在基板上制作所希望的抗蝕劑圖形的一系列的處理，是使用將曝光裝置連接于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷及顯影的涂敷、顯影裝置上的系統(tǒng)而進(jìn)行的。
涂敷、顯影裝置構(gòu)成為將以下的部件配置為一列載置晶片盒、具有在該晶片盒之間進(jìn)行半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)交接的交接臂的盒站；對于晶片進(jìn)行抗蝕劑的涂敷及顯影處理的處理站；以及與曝光裝置相連接的接口站。
而且，對于形成了抗蝕劑圖形的基板，進(jìn)行規(guī)定的檢測，例如抗蝕劑圖形的線寬、抗蝕劑圖形與基底圖形的重合情況、以及顯影缺陷等的檢測，僅將判定為合格的基板送到下一個(gè)工序。這樣的檢測大多是由與涂敷、顯影裝置分別設(shè)置的獨(dú)立型的檢測裝置而進(jìn)行，但是，采用在涂敷、顯影裝置內(nèi)設(shè)置檢測裝置的成簇?cái)?shù)據(jù)處理系統(tǒng)(in linesystem)則更為便利。
因此，在專利文獻(xiàn)1中給出了以下的結(jié)構(gòu)，在盒站與處理站之間，設(shè)置有具備多個(gè)檢測裝置與搬送臂的檢測站。這里所記述的系統(tǒng)，將基板從盒站經(jīng)由檢測站而搬送到處理站，將結(jié)束處理后的基板暫時(shí)返回盒站的盒內(nèi)，之后再將基板搬送到檢測站，進(jìn)行檢測。
圖9是表示實(shí)際構(gòu)筑了這樣系統(tǒng)的情況下的結(jié)構(gòu)例。圖9是平面地觀察涂敷、顯影裝置的概略圖，11是盒站，12是檢測站，13是處理站，14是連接于曝光裝置的接口站。另外，C是晶片盒，15是盒站11內(nèi)的交接臂，16是檢測站內(nèi)的搬送臂。TRSa、TRSb、TRSc、及TRSd是交接模塊，E1、E2、及E3是檢測模塊，為了方便，這里將它們在平面上展開，但實(shí)際上，例如交接模塊是四層結(jié)構(gòu)，檢測模塊是三層結(jié)構(gòu)。
在圖9的涂敷、顯影裝置中，按照交接臂15→交接模塊TRSa→搬送臂16→處理站13的路徑搬送晶片盒C內(nèi)的晶片。而且，晶片在處理站13中由各模塊進(jìn)行抗蝕劑涂敷所必要的各種處理，從接口站14搬送到曝光裝置，再次回到處理站13，在模塊中進(jìn)行顯影處理所必要的各種處理。其后，按照搬送臂16→交接模塊TRSb→交接臂15→晶片盒C的順序?qū)⒕祷鼐蠧。
在這種情況下，對于晶片盒C內(nèi)的晶片，決定處理的順序，例如，如果是13枚收納用的晶片，則分別被分配為1號到13號。然后，從第一號開始將其順次地搬送到處理站13，順次移動到預(yù)先決定的模塊中。處理站13內(nèi)的搬送臂(主臂)，進(jìn)行順序循環(huán)地移動于預(yù)先設(shè)定的一系列模塊之間的循環(huán)搬送，由此晶片順次地移動。還有，主臂進(jìn)行由兩個(gè)臂交換模塊內(nèi)的晶片的動作。如果主臂的搬送路徑稱為循環(huán)路徑，則預(yù)先決定搬送臂繞循環(huán)路徑一周的周期時(shí)間(cycle time)，而且不進(jìn)行退回的動作、以及編號大的晶片(后來從晶片盒C取出的晶片)跳過編號小的晶片(首先從晶片盒C取出的晶片)進(jìn)行搬送的動作。禁止這樣的動作，是因?yàn)榘崴统绦蜃兊脴O為繁雜，是不現(xiàn)實(shí)的。
另一方面，回到晶片盒C的晶片，由交接臂15將全數(shù)或經(jīng)選擇的晶片送到交接模塊TRSc中，由搬送臂16搬送到檢測模塊。而且，在晶片中，例如有僅進(jìn)行了檢測模塊E1的檢測的晶片，有僅進(jìn)行了檢測模塊E2的檢測的晶片，有僅進(jìn)行了檢測模塊E3的檢測的晶片，有在檢測模塊E2的檢測之后又進(jìn)行了檢測模塊E3的檢測的晶片等。在檢測站12內(nèi)的晶片搬送中，也采用與處理站13內(nèi)的循環(huán)搬送同樣的方法，與所述循環(huán)搬送同步進(jìn)行。
然而，有必要將交接模塊TRSa的晶片放置到處理站13內(nèi)的主臂進(jìn)行接收的未圖示的交接模塊中，直到該主臂來接收為止。因?yàn)槿绻贿@樣，主臂就會取空而向前進(jìn)，該晶片的搬送會晚一個(gè)循環(huán)。
所以，在檢測站12內(nèi)的搬送臂16中，必須使交接模塊TRSa及TRSb與處理站12之間的晶片的搬送最優(yōu)先，這樣，在搬送臂16中，在進(jìn)行循環(huán)搬送的情況下，由于是在結(jié)束對于交接模塊TRSa或TRSb的晶片搬送后，順序地進(jìn)行交接模塊TRSc、檢測模塊E1、E2、E3及TRSd的搬送，所以，例如在檢測模塊E1、E2中同時(shí)結(jié)束檢測時(shí)，其中一方的晶片會在檢測模塊E1(E2)中待機(jī)一個(gè)循環(huán)的時(shí)間。
這樣，檢測流程的生產(chǎn)率會下降，所以本發(fā)明者研究了使搬送臂16相對于主臂非同步動作的情形。在這種情況下，在從交接模塊TRSa輸出準(zhǔn)備完畢信號時(shí)，或?qū)⒔Y(jié)束處理的晶片放置到處理站13的交接模塊中，隨之輸出準(zhǔn)備完畢信號時(shí)，搬送臂16優(yōu)先地進(jìn)行向處理站的輸出搬送或從處理站的取入搬送，在除此之外的情況下，能夠只進(jìn)行對于檢測模塊E1(E2、E3)的交接，是有利的。
但是，在這種情況下會產(chǎn)生以下的問題?，F(xiàn)在，要求在涂敷、顯影裝置中1小時(shí)處理150枚。然而，交接臂15的一次搬送動作，例如為8秒，而搬送臂16的一次搬送動作的時(shí)間為5秒。為了1小時(shí)內(nèi)能夠進(jìn)行150枚的處理，上述循環(huán)搬送中的周期時(shí)間，就不能超過3600秒/150枚＝24秒。這樣，對于交接臂15來說，一個(gè)循環(huán)期間僅能夠進(jìn)行三次搬送動作(8秒×3＝24秒)，而對于搬送臂16來說，一個(gè)循環(huán)期間僅能夠進(jìn)行四次搬送動作(5秒×4＝20秒)。
這里，如已經(jīng)敘述的那樣，由于必須優(yōu)先地進(jìn)行對于交接模塊TRSa及TRSb的晶片的交接，所以在一個(gè)循環(huán)中，交接臂15對于交接模塊TRSc及TRSd所能夠進(jìn)行的搬送動作為一次，另外，在一個(gè)循環(huán)中搬送臂16對于檢測模塊E1(E2、E3)所能夠進(jìn)行的搬送動作為兩次。檢測模塊E1、E2、及E3是進(jìn)行相互不同的檢測，各檢測時(shí)間也不同。例如，在檢測模塊E1、E2、及E3的檢測時(shí)間分別為30秒、100秒、及140秒的情況下，例如11號晶片進(jìn)入檢測模塊E1，10號晶片進(jìn)入檢測模塊E2，9號晶片進(jìn)入檢測模塊E3，則在11號晶片的檢測結(jié)束的時(shí)刻，9號晶片的檢測尚未結(jié)束，就不能將11號晶片從檢測模塊E1中取出。
其理由在于，如果在檢測站中允許晶片的跳過，則會發(fā)生如下情況，例如，后一批次的起始晶片進(jìn)入檢測模塊E3中，接著，之前批次的最后收尾晶片進(jìn)入。這樣，就引起不得不變更檢測模塊E3的方案的問題，結(jié)果搬送延遲。
但是，如果產(chǎn)生在晶片的檢測結(jié)束后，不能從其檢測模塊搬出的情況，會產(chǎn)生檢測工序時(shí)間長的問題，這一點(diǎn)在后面實(shí)施方式中的比較例中有所說明。
專利文獻(xiàn)1日本特開2005-175052(第0042段、圖4)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而提出，其目的在于提供能夠減少基板在檢測模塊中無用的滯留時(shí)間，由此提高涂敷、顯影裝置的生產(chǎn)率的技術(shù)。
本發(fā)明提供一種涂敷、顯影裝置，其特征在于，包括盒站，載置收納有多枚基板的盒，具備在與盒之間進(jìn)行基板交接的交接單元；處理站，具備對從盒中取出的基板進(jìn)行抗蝕劑的涂敷、對涂敷有抗蝕劑且曝光后的基板進(jìn)行顯影、或進(jìn)行其前后處理的多個(gè)處理模塊；和相對于這些處理模塊沿著循環(huán)路徑順次搬送基板并且預(yù)先決定繞循環(huán)路徑一周的周期時(shí)間的第一基板搬送單元；檢測站，具備對結(jié)束處理的基板進(jìn)行檢測、并且檢測所需要的時(shí)間相互不同的多個(gè)檢測模塊；和在上述盒站與處理站之間交接基板、以及相對于檢測模塊進(jìn)行基板的交接的第二基板搬送單元；和控制上述第二基板搬送單元的控制部，其中，上述控制部具有對第二基板搬送單元進(jìn)行如下控制的功能a)使從上述盒站向處理站之間交接基板及從處理站接收基板優(yōu)先；b)從分配給基板的處理順序號小的基板開始相對于檢測模塊進(jìn)行搬入；c)不受分配給基板的處理順序號的影響，從檢測模塊搬出檢測結(jié)束的基板。
作為本發(fā)明的具體的形式，可以列舉出，包括為了進(jìn)行盒站內(nèi)的交接單元與第二基板搬送單元之間的基板的交接而設(shè)置的一方的交接模塊與另一方的交接模塊，
上述控制部控制盒站內(nèi)的交接單元，使得將在處理站中結(jié)束處理的基板交接到盒中，從盒中取出基板，交接到上述一方的交接模塊中，并且將檢測結(jié)束的基板從另一方的交接模塊交接到盒中。
作為更具體的形式，可以列舉出，上述控制部控制交接單元，使得從盒中取出在處理站中結(jié)束處理的基板，交接給上述一方的交接模塊的形式；和上述控制部控制盒站內(nèi)的交接單元，使得從為了進(jìn)行檢測從涂敷、顯影裝置的外部放入的盒中取出基板，交接給上述一方的交接模塊中的形式。
上述盒站內(nèi)的交接單元，例如能夠在上述周期時(shí)間內(nèi)，對上述一方或另一方的交接模塊中的任意一個(gè)進(jìn)行僅一次的基板交接。
而且，在從盒站向處理站中交接基板時(shí)的交接目的地是處理模塊的情況下，例如是冷卻模塊的情況下，優(yōu)選上述控制部控制第二基板搬送單元，使得在從上述周期時(shí)間減去將基板從盒站搬送到處理站的搬送時(shí)間及從處理站取出基板進(jìn)行搬送的搬送時(shí)間后所殘留的時(shí)間中，對于檢測站進(jìn)行基板的交接。在這種情況下，假設(shè)從盒站將基板搬入到處理模塊的時(shí)刻開始經(jīng)過周期時(shí)間的時(shí)刻為T0，則即使是在第二搬送裝置可能對于檢測模塊進(jìn)行交接的情況下，在判斷通過該交接，從盒站將下一個(gè)基板搬入處理模塊的時(shí)刻超過T0的情況下，能夠暫停該交接。
本發(fā)明的另一內(nèi)容是一種控制涂敷、顯影裝置的控制方法，其特征在于上述涂敷、顯影裝置包括盒站，載置收納有多枚基板的盒，具備在與盒之間進(jìn)行基板交接的交接單元；處理站，具備對從盒中取出的基板進(jìn)行抗蝕劑的涂敷、顯影、或其前后處理的多個(gè)處理模塊；和相對這些處理模塊沿著循環(huán)路徑順次搬送基板并且預(yù)先決定繞循環(huán)路徑一周的周期時(shí)間的第一基板搬送單元；和檢測站，具備對在該處理站中結(jié)束處理的基板進(jìn)行檢測、并且檢測所需要的時(shí)間相互不同的多個(gè)檢測模塊；和在上述盒站與處理站之間交接基板、以及相對于檢測模塊進(jìn)行基板的交接的第二基板搬送單元，
所述方法包括在輸出通知準(zhǔn)備從上述盒站向上述處理站搬送基板的準(zhǔn)備就緒信號時(shí)，或者在輸出通知準(zhǔn)備從處理站向搬送目的地搬送基板的準(zhǔn)備就緒信號時(shí)，第二基板搬送裝置優(yōu)先進(jìn)行該基板的搬送的工序；從分配給基板的處理順序號小的基板開始相對于檢測模塊進(jìn)行搬入的工序；以及不受分配給基板的處理順序號的影響，從檢測模塊搬出檢測結(jié)束的基板的工序。
進(jìn)而，本發(fā)明的另一內(nèi)容涉及一種存儲介質(zhì)，其特征在于存儲有用于實(shí)施本發(fā)明的方法的計(jì)算機(jī)程序。
在本發(fā)明中，由于相比于分配給基板的處理序號大的基板，能夠先從檢測模塊中搬出處理編號小的基板，就是說，關(guān)于從檢測模塊的基板搬出，可以發(fā)生基板的跳過，所以能夠縮短處理結(jié)束的基板在檢測模塊中的等待時(shí)間，能夠提高生產(chǎn)率(生產(chǎn)性)。而且，關(guān)于向檢測模塊的基板搬入，由于禁止了基板的跳過，所以不會發(fā)生由于在某個(gè)檢測模塊中隨后批次的前頭基板進(jìn)入、接著前面批次的最后尾基板進(jìn)入而引起的方案變更問題。


圖1是表示本發(fā)明的涂敷、顯影裝置的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖。
圖2是表示上述涂敷、顯影裝置的外觀立體圖。
圖3是表示上述涂敷、顯影裝置的布局概略的側(cè)面圖。
圖4是表示上述涂敷、顯影裝置的基板的流動情況的說明圖。
圖5是表示本發(fā)明中檢測站內(nèi)的基板動作用的搬送進(jìn)程(schedule)模擬的說明圖。
圖6是表示比較例中檢測站內(nèi)的基板動作用的搬送進(jìn)程模擬的說明圖。
圖7是表示在所述搬送進(jìn)程的一個(gè)周期中，使檢測模塊及交接模塊的準(zhǔn)備完畢信號與基板的動作相對應(yīng)的說明圖。
圖8是表示在所述搬送進(jìn)程的一個(gè)周期中，使檢測模塊及交接模塊的準(zhǔn)備完畢信號與基板的動作相對應(yīng)的說明圖。
圖9是表示現(xiàn)有技術(shù)的涂敷、顯影裝置中基板的流動情況的平面圖。
符號說明W晶片C盒21盒站24交接臂26A、26B主臂40檢測站4搬送臂TRSa～TRSd交接模塊TRS1～TRS4交接模塊E1～E3檢測模塊200控制部S1處理站具體實(shí)施方式
首先，參照圖1的平面圖及圖2的立體圖，對本發(fā)明涂敷、顯影裝置的一個(gè)實(shí)施方式的例子的概略結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在圖1及圖2中，21是盒站，用于搬出搬入密閉地收納有例如13枚作為基板的例如12英寸的晶片W的盒C，在該盒站21中設(shè)置有載置所述盒C的載置部22，從該載置部22看設(shè)置于前方壁面上的開閉部23，以及作為經(jīng)由開閉部23而從盒C取出晶片W用的交接單元的交接臂24。該交接臂24構(gòu)成為，臂能夠升降自由，前后、左右自由移動且圍繞鉛直的軸自由旋轉(zhuǎn)，基于來自后述控制部200的指令而被控制。
在所述盒站21的深處側(cè)順次連接有由各框體圍繞周圍的檢測站40及處理站S1。
檢測站40具有四個(gè)交接模塊TRSa～TRSd，檢測模塊E1～E3，成為在這些交接模塊TRSa～TRSd、檢測模塊E1～E3與后述的交接模塊TRS1、TRS4之間進(jìn)行晶片的交接的第二基板搬送單元的搬送臂4。如圖3所示，交接模塊TRSa～TRSd是上下層積，而且，檢測模塊E1～E3也是上下層積。關(guān)于檢測站40，后面會進(jìn)行詳細(xì)的說明，這里先對處理站S1進(jìn)行說明。
處理站S1中，從面前側(cè)起順序、交互排列設(shè)置有將加熱、冷卻系統(tǒng)的模塊多層化的三個(gè)架式模塊25(25A、25B、25C)；與作為進(jìn)行后述的液處理模塊之間的晶片W的交接用的兩個(gè)第一基板搬送單元的主臂26A、26B。所述主臂26(26A、26B)，都設(shè)置有兩個(gè)臂，所述臂27，是能夠自由升降、前后、左右自由移動且圍繞鉛直的軸自由轉(zhuǎn)動的結(jié)構(gòu)，基于后述的控制部200的指令而被控制。
所述架式模塊25(25A、25B、25C)及主臂26A、26B，從盒站21一側(cè)看是配置為前后一列，由于在各個(gè)連接部位G處形成了未圖示的晶片搬送用開口部，所以在該處理站S1內(nèi)，晶片W能夠從一端側(cè)的架式模塊25A到另一端側(cè)的架式模塊25C自由地移動。而且，主臂26A、26B被置于由間隔壁所包圍的空間內(nèi)，該間隔壁由從盒站21看配置在前后方向上的架式模塊25(25A、25B、25C)側(cè)的一個(gè)面部；例如右側(cè)的液處理裝置側(cè)的一個(gè)面部；以及成為左側(cè)的一個(gè)面的背面部所構(gòu)成。
在由主臂26(26A、26B)進(jìn)行基板的交接的位置上，進(jìn)而設(shè)置有使涂敷裝置及顯影裝置等液處理裝置多層化的液體處理模塊28(28A、28B)。該液體處理模塊28(28A、28B)，如圖2所示，是層積多層、例如5層收存有涂敷裝置等的處理容器29的結(jié)構(gòu)。
而且，對于架式模塊25(25A、25B、25C)，例如如圖3所示，成為進(jìn)行晶片交接用的交接部的交接模塊(TRS1～TRS4)，成為抗蝕劑液的涂敷后及顯影液的涂敷后對晶片進(jìn)行加熱處理用的加熱裝置的加熱模塊(LHP1、LHP2)，成為在抗蝕劑液的涂敷前后及顯影處理前對晶片進(jìn)行冷卻處理用的冷卻裝置的冷卻模塊(CPL1、CPL2、CPL3)，此外還有成為對曝光處理后的晶片進(jìn)行加熱處理的加熱裝置的加熱模塊(PEB)等，例如分配為上下10層。這里，所述TRS1、TRS4在盒站21與處理站S1之間，TRS2、TRS3在兩個(gè)主臂26A、26B之間，分別是用于進(jìn)行晶片的交接。
在該例中，加熱模塊(LHP1、LHP2)，冷卻模塊(CPL1、CPL2、CPL3)，加熱模塊(PEB)相當(dāng)于處理模塊。
在這樣的處理站S1中的架式模塊25C的深處側(cè)，經(jīng)由第一接口部S2及第二接口部S3連接有曝光裝置S4。第一接口部S2包括構(gòu)成為可以自由升降及圍繞垂直的軸自由轉(zhuǎn)動，如后面所述，對于處理站S1的架式模塊25C的CPL2及PEB進(jìn)行晶片交接的交接臂31；將用于臨時(shí)收存搬入周邊曝光裝置與曝光裝置S4的晶片的進(jìn)入用緩沖盒與用于臨時(shí)收存從曝光裝置S4搬出的晶片的外出用緩沖盒配置在多層的架式模塊32A；與將晶片的交接模塊與高精度溫度調(diào)節(jié)模塊配置在多層的架式模塊32B。
在所述第二接口部S3中，設(shè)置有交接臂33，由此，對于第一接口部S2的交接模塊與高精度溫度調(diào)節(jié)模塊、曝光裝置S4的進(jìn)入臺及外出臺進(jìn)行晶片的交接。
對該處理站S1內(nèi)部的主臂26A、26B的動作加以說明，則兩個(gè)主臂26A、26B，例如如圖4所示移動，按照TRS1→CPL1→涂敷裝置(COT)→TRS2→LHP1→CPL2的路徑順序，從盒站21向第一接口部S2搬送晶片，其后按照PEB→CPL3→顯影裝置(DEV)→LHP2→TRS3→TRS4的路徑順序，從第一接口部S2向盒站21搬送晶片。還有，在處理站S1與第一接口部S2之間，經(jīng)由CPL2與PEB進(jìn)行晶片的交接。
在此時(shí)的實(shí)施方式中，在圖4中，由虛線表示主臂26A、26B各自的路徑，例如主臂26A按照TRS1→CPL1→COT→TRS2→TRS3→TRS4→TRS1的循環(huán)路徑循環(huán)搬送晶片；主臂26B按照TRS2→LHP1→CPL2→PEB→CPL3→DEV→LHP2→TRS3→TRS2的路徑搬送晶片。因此，如圖3所示架式模塊25A～25C的布局的一個(gè)例子，TRS1、TRS4配置于架式模塊25A，TRS2、TRS3配置于架式模塊25B，CPL2及PEB配置于架式模塊25C，CPL1配置于架式模塊25A或架式模塊25B，LHP1、LHP2配置于架式模塊25B或架式模塊25C。而且，主臂26A、26B各自具有兩個(gè)臂體，將交接對象的處理模塊中放置的晶片W取出，接著將保持著的下一個(gè)晶片W交接到該模塊中。于是，主臂26A、26B按照預(yù)先制作的搬送進(jìn)程(搬送晶片W的模塊的順序)，每次1枚地將各模塊中放置的晶片W交替移動到下一個(gè)模塊，但是在此時(shí)的搬送路徑中，不會發(fā)生所分配的處理序號小的晶片W超越序號大的晶片W的現(xiàn)象。例如在按照加熱模塊→冷卻模塊的順序搬送晶片W時(shí)，處理序號大的晶片W不會比處理序號小的晶片W先進(jìn)入加熱模塊。
接著，對于在處理站S1中處理基板的情況下基板的流動加以說明。首先，如果從外部將收存有晶片W的盒C搬入上述盒站21，則與開閉部23一起打開盒C的蓋子，由交接臂24將晶片W取出。然后，將晶片W從交接臂24交接到交接模塊TRSa中，如圖3及圖4所示，由檢測模塊40的搬送臂4從這里開始將晶片搬送到交接模塊TRS1。接著主臂26A接受晶片W，其后由主臂26A、26B，按照已經(jīng)敘述的TRS1→CPL1→COT→TRS2→LHP1→CPL2的路徑進(jìn)行搬送，經(jīng)由CPL2將進(jìn)行過抗蝕劑液涂敷的晶片送到第一接口部S2。
在第一接口部S2內(nèi)，由交接臂31按照進(jìn)入用緩沖盒→周邊曝光裝置→高精度溫度調(diào)節(jié)模塊的順序進(jìn)行搬送，經(jīng)由架式模塊32B的交接模塊，搬送到第二接口部S3，第二接口部S3的晶片由搬送裝置33經(jīng)由曝光裝置S4的進(jìn)入臺而搬送到曝光裝置S4，進(jìn)行曝光。
曝光后的晶片通過第二接口部S3→第一接口部S2，經(jīng)由處理站S1的PEB搬送到處理站S1，按照已經(jīng)敘述的PEB→CPL3→DEV→LHP2→TRS3→TRS4的路徑進(jìn)行搬送，這樣在顯影裝置中進(jìn)行規(guī)定的顯影處理，形成規(guī)定的抗蝕劑圖形。
此時(shí)主臂26A將批次中第n個(gè)晶片Wn經(jīng)由TRS1搬送到下一工序的CPL1，接著按照COT→TRS2→TRS3→TRS4→TRS1的路徑進(jìn)行一個(gè)循環(huán)再次回到TRS1，將下一個(gè)(第n+1個(gè))晶片Wn+1經(jīng)由TRS1搬送到CPL1。另外，主臂26B將TRS2的晶片搬送到下一工序的LHP1，接著按照CPL2→PEB→CPL3→DEV→LHP2→TRS3→TRS2的路徑，經(jīng)一個(gè)循環(huán)，再次回到TRS2，通過TRS2將下一個(gè)晶片搬送到LHP1。在背景技術(shù)的項(xiàng)目中已經(jīng)敘述，如果由本裝置在1小時(shí)內(nèi)處理150枚晶片W，則一個(gè)循環(huán)的時(shí)間設(shè)定為24秒。
接著參照圖4對檢測站40進(jìn)行詳細(xì)說明。交接模塊TRSa用于載置從盒C取出，并送到處理站S1中的晶片W，交接模塊TRSb用于載置從處理站S1返回的已經(jīng)結(jié)束處理的晶片W。而且，在該例子中，交接模塊TRSc是從自處理站S1返回的結(jié)束處理后的晶片W所進(jìn)入的盒C中接受處理過的晶片W，待機(jī)至輸送到檢測模塊E1(E2、E3)用的載置臺，交接模塊TRSd是搬入由檢測模塊E1(E2、E3)所檢測過的晶片W用的載置臺。還有，交接模塊TRSa～TRSd及檢測模塊E1、E2、E3分別層積，但在圖4中為了方便進(jìn)行了平面排列表示。
所述搬送臂4被控制為，(a)使所述盒站21與處理站S1之間的晶片W的交接優(yōu)先。
所以，在已述的周期時(shí)間(cycle time)為24秒的情況下，如果搬送臂4的一次的搬送動作需要5秒，則由于從交接模塊TRSa向TRS1的搬送，及從交接模塊TRS4向TRSb的搬送必須優(yōu)先，所以交接模塊TRSc、TRSd及檢測模塊E1(E2、E3)之間的搬送，在計(jì)算上，一個(gè)周期中(一個(gè)周期時(shí)間內(nèi))僅能夠進(jìn)行兩次。但是，交接模塊TRSc、TRSd及檢測模塊E1(E2、E3)之間的搬送，實(shí)際上在各循環(huán)中也有能夠進(jìn)行兩次以上的情況。例如，現(xiàn)在由主臂26A取出交接模塊TRS1上的晶片W，接著由搬送臂4將后續(xù)的晶片W從交接模塊TRSa搬送到TRS1。在經(jīng)過周期時(shí)間后，主臂26A從交接模塊TRS1取出后續(xù)的晶片W，但是再次將后續(xù)的晶片W搬入該空閑了的交接模塊TRS1中的時(shí)刻，也可以是隨后的周期時(shí)間經(jīng)過的時(shí)刻，或者說是至隨后主臂26A探訪交接模塊TRS1為止的時(shí)刻。因此，在某個(gè)循環(huán)中，也有能夠進(jìn)行三次交接模塊TRSc、TRSd與檢測模塊E1(E2、E3)之間的搬送的情況。作為該例，可以列舉出如下的情況，一個(gè)周期時(shí)間將要結(jié)束之前開始對于檢測模塊的基板的交接，進(jìn)而在其后能夠從交接模塊TRSa向TRS1搬送基板。
還有，在交接模塊TRS1兼作處理模塊用的情況下，由于處理模塊內(nèi)晶片W的滯留時(shí)間已經(jīng)決定，所以不允許這樣的搬送，所述搬送在一個(gè)循環(huán)中必須是兩次。關(guān)于這一點(diǎn)后面敘述。
進(jìn)而，搬送臂4被控制為，(b)從分配給晶片W的處理順序號小的晶片W開始相對于檢測模塊E1(E2、E3)進(jìn)行搬入，(c)不受分配給晶片W的處理順序的影響，將結(jié)束檢測的晶片W從檢測模塊E1(E2、E3)搬出。
所以，例如按照順序從交接模塊TRSc向檢測模塊E1(E2、E3)搬送從1號到13號的晶片W，但是，在某一周期時(shí)間中，例如在雖然第11號晶片W的處理結(jié)束，而第9號晶片W的處理未結(jié)束的情況下，會跳過第9號晶片W，從檢測模塊E1(E2、E3)搬出第11號晶片W。
這里，關(guān)于檢測模塊進(jìn)行敘述，在該例中，檢測模塊E1是檢測晶片W上的宏觀缺陷的宏觀檢測模塊，檢測模塊E2是測定晶片W上形成的膜的厚度及圖形的線寬的厚度、線寬檢測模塊，檢測模塊E3是檢測曝光的重合偏差、即本次形成的圖形與基底圖形的位置偏差的重合檢測模塊。在這種情況下，檢測模塊E1、E2、E3的檢測所需要的時(shí)間，例如分別是30秒、100秒及140秒。這樣，由于檢測模塊E1、E2、E3的檢測時(shí)間不同，所以會產(chǎn)生后搬入的順序號大的(晚)晶片W的檢測比先搬入的順序號小的(早)晶片W早結(jié)束的情況。
而且，盒站21的交接臂24具有以下作用，(a)從盒C取出處理前的晶片W，交接到交接模塊TRSa，(b)從交接模塊TRSb取出處理過后的晶片W，送回至盒C，(c)從盒C取出處理結(jié)束的晶片W，交接到交接模塊TRSc，(d)交接檢測后的晶片W，從交接模塊TRSd送回至盒C。
另外，由于在所述周期時(shí)間中必須進(jìn)行(a)、(b)的搬送，所以在周期時(shí)間為24秒的情況下，如果一次搬送的時(shí)間是8秒，則在一個(gè)循環(huán)中只能進(jìn)行(c)與(d)的搬送中的任何一個(gè)。
本裝置設(shè)置有包括計(jì)算機(jī)的控制部200，也包括交接臂24、搬送臂4的搬送動作的一系列的工序，是由該控制部200的存儲部中所存儲的計(jì)算機(jī)程序控制的。而且，對于交接模塊來說，在載置有或輸出晶片W的時(shí)候，輸出有關(guān)該模塊的準(zhǔn)備完畢信號，另外，對于檢測模塊來說，在晶片W的檢測結(jié)束時(shí)或輸出晶片時(shí)，輸出有關(guān)該模塊的準(zhǔn)備完畢的信號。更具體，例如在交接模塊TRSa上載置有晶片W的時(shí)候輸出的信號，從搬送臂4看是交接準(zhǔn)備就緒信號，已從交接模塊TRSa輸出晶片W的時(shí)候輸出的信號，從交接臂24看是交接準(zhǔn)備就緒信號。所以，兩臂24、4能夠基于這些準(zhǔn)備就緒信號判斷現(xiàn)在可以從哪個(gè)模塊向哪個(gè)模塊進(jìn)行搬送，基于該判斷與之前的規(guī)則決定搬送動作。
接著對本實(shí)施方式中關(guān)于檢測站40的作用加以說明。圖5表示每個(gè)循環(huán)中，放置于交接模塊TRSc、TRSd及檢測模塊E1、E2、E3各自中的晶片W，數(shù)字是在處理的管理中所分配給晶片的順序號。就是說，盒C內(nèi)的晶片W，按照該順序從處理站S1返回，按照該順序被送到檢測站40。即，最上層的編號的排列，意味著與排列在這里的編號相當(dāng)?shù)木琖位于盒C內(nèi)?；蛘呤?，換言之，縱向看該表，則是所謂的搬送進(jìn)程表，最上層的編號可讀作循環(huán)的編號。
在以后的說明中，如果將最上層的編號作為循環(huán)的編號，則在循環(huán)1中，在各模塊TRSc、TRSd、E1、E2及E3中都沒有放入晶片W。
接著在循環(huán)2中，在TRSc上載置晶片“1”。這是如已述的那樣，依靠交接臂24在一個(gè)循環(huán)中進(jìn)行的檢測相關(guān)的一次搬送動作。
在循環(huán)3中，由搬送臂4將TRSc的晶片“1”搬送到檢測模塊E1，其后由交接臂24將晶片“2”放置于TRSc。
在循環(huán)4中，由搬送臂4將TRSc的晶片“2”搬送到檢測模塊E2，接著由交接臂24將晶片“3”放置于TRSc。此時(shí)檢測模塊E1中晶片“1”的檢測尚未結(jié)束，所以維持原來的狀態(tài)。
在循環(huán)5中，搬送臂4將晶片“3”從TRSc搬送到檢測模塊E3，接著將在檢測模塊E1中結(jié)束檢測的晶片“1”搬送到TRSd。而且，由交接臂24將下一個(gè)晶片“4”放置于TRSc。
這樣，進(jìn)行循環(huán)，當(dāng)?shù)搅搜h(huán)27時(shí)，雖然前面的晶片“9”與晶片“10”分別在檢測模塊E3、E2中為檢測中，但是后面的晶片“11”在檢測模塊E1中的處理已經(jīng)結(jié)束。因此，在這種情況下，不用等待前面的晶片“9”與晶片“10”的檢測結(jié)束，就能夠首先將后面的晶片“11”從檢測模塊E1中搬出，交接到TRSd。接著，將晶片“12”從TRSc交接到檢測模塊E1，并且將晶片“13”放置在TRSc中。
圖7(a)、(b)分別表示在該循環(huán)27中準(zhǔn)備完畢信號的輸出與搬送路徑，搬送臂4的控制動作變得十分清楚。首先從檢測模塊E1輸出檢測結(jié)束的信號(作為搬出準(zhǔn)備就緒信號的準(zhǔn)備完畢信號)，則搬送臂4將晶片“11”搬送到TRSd。然后如果在該搬送的中途從TRSc輸出表示準(zhǔn)備就緒的準(zhǔn)備完畢信號，接著從TRS1輸出表示準(zhǔn)備就緒的準(zhǔn)備完畢信號，則由于從盒站21向處理站S1的搬送優(yōu)先進(jìn)行，所以，晶片“n”從TRSa向TRS1的搬送優(yōu)先進(jìn)行，其后將晶片“12”從TRSc搬送到檢測模塊E1。
另一方面，如本發(fā)明，在沒有晶片的跳過搬送，對于檢測模塊E1、E2、E3的搬入與搬出都是按照晶片的編號順序而進(jìn)行的情況下，搬送的進(jìn)度表如圖6所示。例如，如果關(guān)注循環(huán)31，則盡管晶片“11”的檢測已經(jīng)結(jié)束，但是要在檢測模塊E1中等待至循環(huán)39，浪費(fèi)的時(shí)間多。所以，到晶片“22”回到盒C為止所必要的循環(huán)數(shù)，在本發(fā)明中為46循環(huán)，與此相比，在沒有跳過搬送的情況下為61循環(huán)。
根據(jù)上述的實(shí)施方式，由于與分配給晶片的處理順序號大的晶片相比，能夠先從檢測模塊E1(E2、E3)搬出處理順序號小的晶片，即對于從檢測模塊E1(E2、E3)的晶片的搬出，可以進(jìn)行晶片的跳過，所以能夠減少處理結(jié)束的晶片在檢測模塊E1(E2、E3)中等待所浪費(fèi)的時(shí)間，能夠提高生產(chǎn)能力(生產(chǎn)性)。而且，對于晶片向檢測模塊E1(E2、E3)的搬入來說，由于禁止了晶片的跳過，所以不會發(fā)生在某一檢測模塊中，隨后批次的前頭的晶片進(jìn)入，接著前面批次的最后尾的晶片進(jìn)入而引起的方案變更的問題。
而且，根據(jù)晶片的搬送路徑來說，除了僅進(jìn)行基板交接的交接模塊之外，還是進(jìn)行基板冷卻的冷卻模塊及進(jìn)行基板加熱的加熱模塊，在從基板盒向處理站進(jìn)行的晶片交接中，也可以使用能夠?qū)M(jìn)行基板冷卻或加熱及基板交接的雙方的模塊，在這種情況下，該處理模塊兼用作交接模塊TRS1。這種情況下，在關(guān)于搬送臂4的控制的說明中已經(jīng)做了敘述，由于晶片W的處理時(shí)間，即TRS1中的滯留時(shí)間已經(jīng)決定，所以在從所述周期時(shí)間減去從盒站21將晶片W搬送到處理站S1的時(shí)間、和從處理站S1接受晶片W的搬送時(shí)間所得到的殘留時(shí)間中，必須對于檢測模塊E1(E2、E3)進(jìn)行晶片W的交接。
就是說，即使可能對于檢測模塊E1(E2、E3)進(jìn)行晶片W的交接，在實(shí)施其動作之前，也必須判斷通過實(shí)施該動作，隨后從交接模塊TRSa向TRS1交接晶片W的結(jié)束時(shí)刻，是否超過周期時(shí)間的結(jié)束時(shí)刻。在超過了周期時(shí)間的結(jié)束時(shí)刻的情況下，必須進(jìn)行控制，不對檢測模塊E1(E2、E3)實(shí)行晶片W的交接。這是由于若實(shí)行這樣的交接，則下一個(gè)晶片W在交接模塊TRS1內(nèi)的滯留時(shí)間(處理時(shí)間)會變短。
圖8是表示這種狀態(tài)的說明圖。T0是一個(gè)循環(huán)中周期時(shí)間結(jié)束時(shí)刻，控制部200在可能從檢測模塊E1搬出晶片“11”的情況下，判斷從該時(shí)刻到T0為止的時(shí)間是否為搬送臂4的搬送動作時(shí)間5秒的兩倍以上，如果是兩倍以上，則將晶片W從檢測模塊E1搬送到交接模塊TRSd，如果不到兩倍，就保留該搬送。因此，其后當(dāng)由主臂26A從交接模塊(例如冷卻模塊)TRS1將前面的晶片搬出時(shí)，就會立刻將后續(xù)的晶片“n”從交接模塊TRSa搬入TRS1。之后，搬送臂4將晶片“11”從檢測模塊E1搬送到交接模塊TRSd。
而且，在本發(fā)明中，對于盒C內(nèi)的晶片，可以進(jìn)行全數(shù)檢測，或者也可以對所選擇的晶片進(jìn)行檢測。而且，取代檢測在處理站S1中進(jìn)行處理、返回盒C中的晶片，也可以對為了進(jìn)行檢測從涂敷、顯影裝置的外部放入載置部22的盒內(nèi)的晶片，使用交接臂24及搬送臂4，同樣地由檢測模塊E1(E2、E3)進(jìn)行檢測。
權(quán)利要求
1.一種涂敷、顯影裝置，其特征在于，包括盒站，載置收納有多枚基板的盒，具備在與盒之間進(jìn)行基板交接的交接單元；處理站，具備對從盒中取出的基板進(jìn)行抗蝕劑的涂敷、對涂敷有抗蝕劑且曝光后的基板進(jìn)行顯影、或進(jìn)行其前后處理的多個(gè)處理模塊；和相對于這些處理模塊沿著循環(huán)路徑順次搬送基板并且預(yù)先決定繞循環(huán)路徑一周的周期時(shí)間的第一基板搬送單元；檢測站，具備對結(jié)束處理的基板進(jìn)行檢測、并且檢測所需要的時(shí)間相互不同的多個(gè)檢測模塊；和在所述盒站與處理站之間交接基板、以及相對于檢測模塊進(jìn)行基板的交接的第二基板搬送單元；和控制所述第二基板搬送單元的控制部，其中，所述控制部具有對第二基板搬送單元進(jìn)行如下控制的功能a)使從所述盒站向處理站之間交接基板及從處理站接收基板優(yōu)先；b)從分配給基板的處理順序號小的基板開始相對于檢測模塊進(jìn)行搬入；c)不受分配給基板的處理順序號的影響，從檢測模塊搬出檢測結(jié)束的基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于包括為了進(jìn)行盒站內(nèi)的交接單元與第二基板搬送單元之間的基板的交接而設(shè)置的一方的交接模塊與另一方的交接模塊，所述控制部控制盒站內(nèi)的交接單元，使得將在處理站中結(jié)束處理的基板交接到盒中，從盒中取出基板，交接到所述一方的交接模塊中，并且將檢測結(jié)束的基板從另一方的交接模塊交接到盒中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于所述控制部控制交接單元，使得從盒中取出在處理站中結(jié)束處理的基板，并交接給所述一方的交接模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于所述控制部控制盒站內(nèi)的交接單元，使得從為了進(jìn)行檢測而從涂敷、顯影裝置的外部放入的盒中取出基板，并交接給所述一方的交接模塊中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于所述盒站內(nèi)的交接單元，能夠在所述周期時(shí)間內(nèi)，對所述一方或另一方的交接模塊中的任意一個(gè)進(jìn)行僅一次的基板交接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于由第二基板搬送單元將來自盒站的基板交接到處理站的處理模塊中，所述控制部控制第二基板搬送單元，使得在從所述周期時(shí)間減去將基板從盒站搬送到處理站的搬送時(shí)間及從處理站取出基板進(jìn)行搬送的搬送時(shí)間后所殘留的時(shí)間中，相對于檢測站進(jìn)行基板的交接。
7.一種涂敷、顯影裝置的控制方法，控制所述涂敷、顯影裝置，其特征在于所述涂敷、顯影裝置包括盒站，載置收納有多枚基板的盒，具備在與盒之間進(jìn)行基板交接的交接單元；處理站，具備對從盒中取出的基板進(jìn)行抗蝕劑的涂敷、顯影、或其前后處理的多個(gè)處理模塊；和相對這些處理模塊沿著循環(huán)路徑順次搬送基板并且預(yù)先決定繞循環(huán)路徑一周的周期時(shí)間的第一基板搬送單元；和檢測站，具備對在該處理站中結(jié)束處理的基板進(jìn)行檢測、并且檢測所需要的時(shí)間相互不同的多個(gè)檢測模塊；和在所述盒站與處理站之間交接基板、以及相對于檢測模塊進(jìn)行基板的交接的第二基板搬送單元，所述方法包括在輸出通知準(zhǔn)備從所述盒站向所述處理站搬送基板的準(zhǔn)備就緒信號時(shí)，或者在輸出通知準(zhǔn)備從處理站向搬送目的地搬送基板的準(zhǔn)備就緒信號時(shí)，第二基板搬送裝置優(yōu)先進(jìn)行該基板的搬送的工序；從分配給基板的處理順序號小的基板開始相對于檢測模塊進(jìn)行搬入的工序；以及不受分配給基板的處理順序號的影響，從檢測模塊搬出檢測結(jié)束的基板的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的涂敷、顯影裝置的控制方法，其特征在于設(shè)置為了進(jìn)行盒站內(nèi)的交接單元與第二基板搬送單元之間的基板的交接而設(shè)置的一方的交接模塊與另一方的交接模塊，包括由交接單元將在處理站中結(jié)束處理的基板交接到盒中的交接工序；從盒中取出基板，交接到所述一方的交接模塊中的工序；和由交接單元將結(jié)束檢測的基板從另一方的交接模塊交接到盒中的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的涂敷、顯影裝置的控制方法，其特征在于交接到所述一方的交接模塊中的基板，是從為了進(jìn)行檢測而從涂敷、顯影裝置的外部放入的盒中取出的基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的涂敷、顯影裝置的控制方法，其特征在于交接到所述一方的交接模塊中的基板，是在處理站中處理過的基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求8～10中任一項(xiàng)所述的涂敷、顯影裝置的控制方法，其特征在于所述盒站內(nèi)的交接單元，能夠在所述周期時(shí)間內(nèi)，對所述一方或另一方的交接模塊中的任意一個(gè)進(jìn)行僅一次的基板交接。
12.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任一項(xiàng)所述的涂敷、顯影裝置的控制方法，其特征在于由第二基板搬送單元將來自盒站的基板交接到處理站的處理模塊中，對于檢測模塊進(jìn)行基板交接的工序，是在從所述周期時(shí)間減去將基板從盒站搬送到處理站的搬送時(shí)間及從處理站取出基板進(jìn)行搬送的搬送時(shí)間后所殘留的時(shí)間中進(jìn)行的。
13.一種存儲介質(zhì)，其特征在于存儲有在對基板進(jìn)行抗蝕劑的涂敷、對涂敷有抗蝕劑且曝光后的基板進(jìn)行顯影的涂敷、顯影裝置中使用的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序用于實(shí)施權(quán)利要求8～10中任一項(xiàng)所述的涂敷、顯影裝置的控制方法。
全文摘要
在本發(fā)明的涂敷、顯影裝置中，將檢測站設(shè)置在盒站與處理站之間，減少基板在檢測模塊中浪費(fèi)的滯留時(shí)間。檢測站內(nèi)的基板搬送單元，使盒站與處理站之間的基板交接優(yōu)先，在處理站內(nèi)的基板搬送裝置的周期時(shí)間內(nèi)的殘留時(shí)間內(nèi)，對于檢測模塊進(jìn)行基板的交接，對于從檢測模塊的基板搬出，可以進(jìn)行基板的跳過(與處理順序號大的基板相比，能夠搬出處理順序號小的基板)，對于向檢測模塊的基板搬入，禁止基板的跳過。
文檔編號H01L21/027GK101060072SQ20071009644
公開日2007年10月24日 申請日期2007年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月17日
發(fā)明者金子知廣, 宮田亮 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社