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減少基板線路層的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體的制作方法

文檔序號(hào):7230813閱讀:181來源:國知局
專利名稱:減少基板線路層的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體,特別是涉及一種可減少基
板線路層的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體(CHIP PACKAGE REDUCING WIRING LAYERS ON SUBSTRATE AND ITS CARRIER)。
背景技術(shù)
在晶片封裝構(gòu)造中,可以使用多層線路的基板作為晶片載體與電性轉(zhuǎn) 接。基板占了整體封裝成本相當(dāng)大的比例,大約為百分之三十,特別是需要 的線路層越多,基板則變得更加昂貴。
請(qǐng)參閱圖1所示,是現(xiàn)有習(xí)知的晶片封裝構(gòu)造的截面示意圖。 一種現(xiàn)有 習(xí)知的晶片封裝構(gòu)造100,主要包含一基板IIO、 一粘晶層120、 一晶片130 以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件140。該基板IIO,具有一上表面111、 一下表面112 以及復(fù)數(shù)個(gè)設(shè)置于該上表面111上的導(dǎo)接指113。該粘晶層120,是將該晶 片130的背面132粘貼于該基板110的該上表面111。該晶片120在其主動(dòng) 面131上具有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊133,利用該些例如焊線的電連接元件140電性連 接該晶片130的該些焊墊133至該基板110的該些導(dǎo)接指113。一封膠體150 形成于該基板110的該上表面111,以密封該晶片130及該些電連接元件 140。該晶片封裝構(gòu)造100另還包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接端子160,其設(shè)置于該基 板110的該下表面111,以供對(duì)外連接?,F(xiàn)有習(xí)知的基板110在封裝前應(yīng)當(dāng) 具有完整的線路層與導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu),故基板的成本無法有效的降低。
由此可見,上述現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體在結(jié)構(gòu)與使用上,顯 然仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述所存在的問 題,相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道,但長久以來一直未見適用的設(shè) 計(jì)被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題,此顯然是 相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的減少基板線路層 的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體,實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng)前業(yè) 界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體存在的缺陷,本發(fā)明人基 于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí),并配合學(xué)理的運(yùn) 用,積極加以研究創(chuàng)新,以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的減少基板線路層的晶片封 裝構(gòu)造及其晶片載體,能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體,使 其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷研究、設(shè)計(jì),并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后,終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于,克服現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造存在的缺陷,而提供 一種新型結(jié)構(gòu)的晶片封裝構(gòu)造,所要解決的技術(shù)問題是使其能取代現(xiàn)有習(xí)知 基板的部分線路與導(dǎo)通孔,而可以在封裝制程另制作成基板的完整導(dǎo)接結(jié) 構(gòu),能夠有效的降低基板的線路層以降低基板成本,非常適于實(shí)用。
本發(fā)明的另 一 目的在于,克服現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造存在的缺陷,而提供 一種新型結(jié)構(gòu)的晶片封裝構(gòu)造,所要解決的技術(shù)問題是使其在封膠之前先行 固定在基板上形成的跳接焊線,從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的再一目的在于,克服現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造存在的缺陷,而提供 一種新型結(jié)構(gòu)的晶片封裝構(gòu)造,所要解決的技術(shù)問題是使其能夠避免晶片壓 觸至一被粘晶層至少局部密封的跳接焊線,從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的還一目的在于,克服現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體存在的 缺陷,而提供一種新型結(jié)構(gòu)的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,所要解決的技術(shù)問 題是使其能取代現(xiàn)有習(xí)知基板的部分線路與導(dǎo)通孔,而可以在封裝制程另 制作成基板的完整導(dǎo)接結(jié)構(gòu),能夠有效的降低基板的線路層以降低基板成 本
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本
發(fā)明提出的一種晶片封裝構(gòu)造,其包含 一基板,其具有一上表面與一下表 面,其中該上表面設(shè)有至少一第一接指與至少一第二接指并定義有一粘晶 區(qū); 一粘晶層,其形成于該基板的該上表面的粘晶區(qū)內(nèi); 一晶片,粘接于該粘 晶層,以設(shè)置于該基板的該上表面;至少一跳接焊線,其連接該第一接指與該 第二接指;以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件,其電性連接該晶片至該基板;其中,該跳 接焊線的至少一部位是密封于該粘晶層內(nèi)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可釆用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其中所述的第一接指是位于該粘晶區(qū)之外,該第 二接指是位于該粘晶區(qū)之內(nèi),并且該跳接焊線具有一結(jié)球端與一線尾端,該 結(jié)球端焊設(shè)于該第 一接指,該線尾端焊設(shè)于該第二接指。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其中所述的基板更具有一接地環(huán),其形成設(shè)置在 該上表面且在該第 一接指與該第二接指之間。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其中所述的基板更具有至少一電路走線,其形成 設(shè)置在該上表面且在該第一接指與該第二接指之間。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其另包含一封膠體,形成于該基板的上表面,以密 封該晶片與該些電連接元件及該跳接焊線在該粘晶層之外的其余部位。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其中所述的粘晶層為內(nèi)含有等球徑間隔球的樹脂材料。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其另包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接端子,其設(shè)置于該基板的 該下表面。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其中所述的該些電連接元件是為打線形成的復(fù)數(shù) 個(gè)焊線。
前述的晶片封裝構(gòu)造,其中所述的基板為多層印刷電路板。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)
明提出的一種晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其包含 一基板,其具有一上表面 與一下表面,其中該上表面設(shè)有至少一第一接指與至少一第二接指并定義有 一粘晶區(qū); 一粘晶層,形成于該基板的上表面的粘晶區(qū)內(nèi);以及至少一跳接 焊線,其連接該第一接指與該第二接指;其中,該跳接焊線的至少一部位是 密封于該粘晶層內(nèi)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其中所述的第 一接指是位于該粘晶區(qū) 之外,該第二接指是位于該粘晶區(qū)之內(nèi),并且該跳接焊線具有一結(jié)球端與一 線尾端,該結(jié)球端焊設(shè)于該第一接指,該線尾端焊設(shè)于該第二接指。
前述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其中所述的基板更具有一接地環(huán),其 形成在該上表面且位在該第 一接指與該第二接指之間。
前述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其中所述的基板更具有至少一電路走
線,其形成設(shè)置在該上表面且在該第一接指與該第二接指之間。
前述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其中所述的粘晶層為內(nèi)含有等球徑間 隔球的樹脂材料。
前述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其中所述的基板為多層印刷電路板。 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上的技術(shù)方案 可知,本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下依據(jù)本發(fā)明一種晶片封裝構(gòu)造,主要包 含一基板、 一粘晶層、 一晶片、至少一跳接焊線以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件。該 基板具有一上表面與一下表面,其中該上表面設(shè)有至少一第一接指與至少一 第二接指并定義有一粘晶區(qū)。該粘晶層形成設(shè)置于該基板的該上表面的粘晶
區(qū)內(nèi)。該晶片粘接于該粘晶層,以設(shè)置于該基板的該上表面。該跳接焊線連 接該第一接指與該第二接指。該些電連接元件電性連接該晶片至該基板。其 中,該跳接焊線的至少一部位是密封于該粘晶層內(nèi)。此外,本發(fā)明另揭示了 一種由上述基板、粘晶層與跳接焊線所組成的晶片載體。
在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該第一接指可位于該粘晶區(qū)之外,該第二接 指是位于該粘晶區(qū)之內(nèi),并且該跳接焊線具有一結(jié)球端與一線尾端,該結(jié)球 端焊設(shè)于該第一接指,該線尾端焊設(shè)于該第二接指。在前述的晶片封裝構(gòu)造 中,該基板更可具有一接地環(huán),其形成在該上表面且在該第一接指與該第二接指之間。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該第一接指與第二接指可皆位于該粘 晶區(qū)之內(nèi)。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該基板更可具有至少一電路走線,其形 成在該上表面且在該第一接指與該第二接指之間。在前述的晶片封裝構(gòu)造 中,可另包含有一封膠體,其形成于該基板的上表面,以密封該晶片與該些電 連接元件。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該封膠體可更密封該跳接焊線在該粘 晶層之外的其余部位。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該粘晶層是可為內(nèi)含有等 球徑間隔球的樹脂材料。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,可另包含復(fù)數(shù)個(gè)外接端 子,其是設(shè)置于該基板的該下表面。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該些電連接 元件是可為打線形成的復(fù)數(shù)個(gè)焊線。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該基板是可 為多層印刷電路板。在前述的晶片封裝構(gòu)造中,該跳接焊線的弧高是可不超 過該晶片。
借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明減少基板線路層的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載
體至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果
1、 本發(fā)明的晶片封裝構(gòu)造,利用跳接焊線兩端連接在基板上,能夠取 代現(xiàn)有習(xí)知基板的部分線路與導(dǎo)通孔,而可在封裝制程另制作成基板的完 整導(dǎo)接結(jié)構(gòu),可以選用不具有完整線路導(dǎo)通的基板,能夠有效的降低基板 的線路層以降低基板成本,非常適于實(shí)用。
2、 本發(fā)明的晶片封裝構(gòu)造,其在封膠之前先行固定在基板上形成的跳接 悍線,更加適于實(shí)用。
3、 本發(fā)明的晶片封裝構(gòu)造,能夠避免晶片壓觸至一被粘晶層至少局部 密封的跳接焊線,從而更加適于實(shí)用。
.4、本發(fā)明的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,利用跳接焊線兩端連接在基板 上,能夠取代現(xiàn)有習(xí)知基板的部分線路與導(dǎo)通孔
綜上所述,本發(fā)明是有關(guān)一種減少基板線路層的晶片封裝構(gòu)造及其晶片 載體。該晶片封裝構(gòu)造,主要包含一基板、 一粘晶層、 一晶片、至少一跳接 焊線以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件。該基板具有一上表面與一下表面,其中該上表 面定義有一粘晶區(qū),以供該粘晶層的形成。該晶片粘接于該粘晶層。例如焊 線的電連接元件電性連接該晶片至該基板。該跳接焊線的兩端皆連接在該基 板的復(fù)數(shù)個(gè)接指。其中,該跳接焊線的至少一部位是密封于該粘晶層內(nèi)。因 此,該跳接焊線可以取代基板內(nèi)的線路與導(dǎo)通孔,藉此可以減少基板的線路 層,并在封膠時(shí)固定該跳接焊線。另外本發(fā)明還揭示了該晶片封裝構(gòu)造的晶 片載體。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值,其不論在產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)或功能 上皆有較大改進(jìn),在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步,并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果,且 較現(xiàn)有的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體具有增進(jìn)的突出功效,從而更加適于實(shí) 用,并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值,誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他 目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)
iJt明如下。


圖l是現(xiàn)有習(xí)知的晶片封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例, 一種晶片封裝構(gòu)造的截面示意
圖3是依據(jù)本發(fā)明的第 一具體實(shí)施例,該晶片封裝構(gòu)造在設(shè)置晶片前其 基板的上表面示意圖。
圖4是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例, 一種晶片封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖5是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例,該晶片封裝構(gòu)造在設(shè)置晶片前其 基板的局部上表面示意圖。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例,另 一種晶片封裝構(gòu)造在設(shè)置晶片 前其基板的局部上表面示意圖。
100 111 113 130 132 140 160
240 242 260 300 311 313、
晶片封裝構(gòu)造
上表面
導(dǎo)接指
晶片
背面
電連接元件 外接端子 板 表面 二接指 接指
日曰層
片 面
跳接焊線
線尾端
封膠體
晶片封裝構(gòu)造
上表面
313,第一接指
110:基板
112:下表面
120:粘晶層
131:主動(dòng)面
133:焊墊
150:封膠體
200:晶片封裝構(gòu)造
211:上表面
213:第一接指
215:粘晶區(qū)
217:接地環(huán)
221:間隔球
231:主動(dòng)面
233:焊墊
241:結(jié)球端
250:電連4妄元件
270:外接端子
310:基板
312:下表面
314、 314,第二接指
基下第導(dǎo)粘晶背
o 2 4 6 o o 2
11111-233
2 2 2 2 2 2 2
8315粘晶區(qū)316導(dǎo)接指
318電路走線320粘晶層
321間隔球330晶片
331主動(dòng)面332背面
333焊墊340跳接焊線
350電連接元件360封膠體
370外接端子
具體實(shí)施例方式
下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例,對(duì)依據(jù)本發(fā);提出的減;基板線路層的晶片封裝 構(gòu)造及其晶片載體其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。 有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效,在以下配合參考圖式 的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說明,在以下實(shí)施例 中,相同的元件以相同的編號(hào)表示。
請(qǐng)參閱圖2、圖3所示,圖2是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例,一種晶 片封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖3該晶片封裝構(gòu)造在設(shè)置晶片前其基板的上表 面示意圖。本發(fā)明的第一具體實(shí)施例,揭示了一種晶片封裝構(gòu)造。該晶片封 裝構(gòu)造200,主要包含一基板210、 一粘晶層220、 一晶片230、至少一跳接 焊線240以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件250。
上述的基板210,具有一上表面211與一下表面212,其中
該上表面211,如圖3所示,設(shè)有至少一第一接指213、至少一第二接 指214與復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)接指216并定義有一粘晶區(qū)215。在本實(shí)施例中,該第一 接指213與該些導(dǎo)接指216可位于該粘晶區(qū)215之外,該第二接指214是位 于該粘晶區(qū)215之內(nèi),并且該跳接焊線240具有一結(jié)球端241與一線尾端 242,該結(jié)球端241焊設(shè)于該第一接指213,該線尾端242焊設(shè)于該第二接指 214,以使該跳接焊線240的最大弧高位于該粘晶區(qū)215之外。
上述的基板210,更可具有一接地環(huán)217,其形成在該上表面211且在 該第一接指213與該第二接指214之間,可圍繞該粘晶區(qū)215,該跳接焊線 240是跨過該接地環(huán)217的一部位,以連接該第一接指213與該第二接指 214,故該跳接焊線240可作為該基板210內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)的補(bǔ)充。在本實(shí)施例 中,該基板210可為多層印刷電路板。
上述的粘晶層220,是形成設(shè)置于該基板210的該上表面211的粘晶區(qū) 215內(nèi)。該粘晶層220可為內(nèi)含有等球徑間隔球221的樹脂、半固化黏著膠 (B階膠體,英文B-stage adhesive)、粘性膠片(Film)、環(huán)luf'占膠(Epoxy)、非 導(dǎo)電膠或液態(tài)膠體,用以粘接該晶片230。上述的晶片230,如圖2所示,其具有一主動(dòng)面231以及一相對(duì)的背面 232,該主動(dòng)面231上形成設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊233。該晶片230的該背面232是 粘接于該粘晶層220,以設(shè)置于該基板210的該上表面211。
上述的跳接焊線240,是連接該第一接指213與該第二接指214。在本 實(shí)施例中,該第一接指213可位于該粘晶區(qū)215之外,該第二接指214是位 于該粘晶區(qū)215之內(nèi),并且該跳接焊線240具有一結(jié)球端241與一線尾端 242,該結(jié)球端241悍設(shè)于該第一接指213,該線尾端242焊設(shè)于該第二接指 214。其中,該跳接焊線240的一部位是密封于該粘晶層220內(nèi)。在本實(shí)施例 中,該跳接焊線240的弧高是可不超過該晶片230。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2所示,較佳地,該粘晶層220可以為內(nèi)含有等球徑間隔球 221的樹脂,藉由該粘晶層220內(nèi)的間隔球221,可以避免該晶片230的背 面232壓觸該跳接焊線240。
上述的該些電連接元件250,是電性連接該晶片230的該些焊墊233至 該基板210的該些導(dǎo)接指216。在本實(shí)施例中,該些電連接元件250可為打
線形成的復(fù)數(shù)個(gè)焊線。
本發(fā)明的晶片封裝構(gòu)造200,可以另還包含有一封膠體260,其形成設(shè) 置于該基板210的上表面211,以密封該晶片230與該些電連接元件250。在 本實(shí)施例中,該封膠體260可更密封該跳接焊線240于該粘晶層220之外的 其余部位。具體而言,該晶片封裝構(gòu)造200可以另包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接端子 270,其設(shè)置于該基板210的該下表面212,以供對(duì)外電性連接。該些外接端 子270可以包含焊球、錫膏、接觸墊或接觸針。在本實(shí)施例中,該些外接端 子27 0為焊球,該晶片封裝構(gòu)造200是為球格陣列封裝。
因此,在上述的晶片封裝構(gòu)造中,利用沿用封裝制程的打線機(jī)所形成的 跳接焊線240,可以取代現(xiàn)有習(xí)知基板的部分線路與導(dǎo)通孔,所提供的基板 210可不具有完整電性傳遞的線路結(jié)構(gòu),故可以降低基板的線路層層數(shù),即 能夠降低基板成本與厚度。此外,本發(fā)明另外還揭示了由該基板210、該粘 晶層220與該跳接焊線240所組成的晶片載體,該粘晶層220可以為B階膠 體,在常溫下如膠片般不具有粘性,以供搬運(yùn)與儲(chǔ)放。
請(qǐng)參閱圖4、圖5所示,圖4是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例, 一種晶 片封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖5是該晶片封裝構(gòu)造在設(shè)置晶片前其基板的局 部上表面示意圖。本發(fā)明的第二具體實(shí)施例揭示了另 一種晶片封裝構(gòu)造。
請(qǐng)參閱圖4所示,該晶片封裝構(gòu)造300,主要包含一基板310、 一粘晶 層320、 一晶片330、至少一跳接焊線340以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件350。
上述的基板310,具有一上表面311與一下表面312,其中,該上表面311 設(shè)有至少一第一接指313與至少一第二接指314并定義有一粘晶區(qū)315。在 本實(shí)施例中,該第一接指313與該第二接指314可以皆位于該粘晶區(qū)315之內(nèi)。請(qǐng)參閱圖5所示,該基板310更可具有至少一電路走線318,其形成 設(shè)置在該上表面311且在該第一接指313與該第二接指314之間。
上述的粘晶層320,形成設(shè)置于該基板310的該上表面311的粘晶區(qū)315 內(nèi)。該粘晶層320可為內(nèi)含有等球徑間隔球321的樹脂。該晶片330的一背 面332是粘接于該粘晶層320,以設(shè)置于該基板310的該上表面311。在本 實(shí)施例中,該晶片330具有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊333,該些焊墊333是形成設(shè)置于該 晶片330的一主動(dòng)面331上。
上述的跳接焊線340,請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D4所示,是連接該第一接指313與該 第二接指314,以跨越過該電路走線318。該些電連接元件350是電性連接 該晶片330的該些焊墊333至該基板310的復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)接指316。其中,該跳 接焊線340是密封于該粘晶層320內(nèi)。
本發(fā)明的該晶片封裝構(gòu)造300可另還包含一封膠體360,其形成設(shè)置于 該基板310的上表面311,以密封該晶片330與該些電連接元件350。復(fù)數(shù) 個(gè)例如焊球的外接端子370可設(shè)置于該多層基板310的該下表面312,以供 對(duì)外接合。
因此,該跳接焊線340的兩端是連接在該基板310上,能夠取代現(xiàn)有習(xí) 知基板的部分線路與導(dǎo)通孔,故可以在封裝制程另外制作成基板的完整導(dǎo)接 結(jié)構(gòu),而可有效的降低該基板310的線路層數(shù)量以降低基板成本。
請(qǐng)參閱圖6所示,是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例,另一種晶片封裝構(gòu) 造在設(shè)置晶片前其基板的局部上表面示意圖。在本發(fā)明的第三具體實(shí)施例 中,不局限基板的接指位置。本發(fā)明揭示了另 一種晶片封裝構(gòu)造的基板局部 上表面,其中主要元件是與第二具體實(shí)施例大致相同,故以相同的標(biāo)號(hào)來表 示。該基板的上表面設(shè)有至少一第一接指313,與至少一第二接指314,并 定義有一粘晶區(qū)315,用以粘貼一晶片。在本實(shí)施例中,該第一接指313,與 該第二接指314,,是可皆位于該粘晶區(qū)315之外,該基板310更可設(shè)有至 少一電路走線318,其形成設(shè)置在該基板的上表面,且連接在該第一接指 313,與該第二接指314'之間。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上 的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任 何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi),當(dāng)可利用上 述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未 脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何 簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其包含一基板,其具有一上表面與一下表面,其中該上表面設(shè)有至少一第一接指與至少一第二接指并定義有一粘晶區(qū);一粘晶層,其形成于該基板的該上表面的粘晶區(qū)內(nèi);一晶片,其粘接于該粘晶層,以設(shè)置于該基板的該上表面;至少一跳接焊線,其連接該第一接指與該第二接指;以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件,其電性連接該晶片至該基板;其中,該跳接焊線的至少一部位是密封于該粘晶層內(nèi)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其中所述的第一 接指是位于該粘晶區(qū)之外,該第二接指是位于該粘晶區(qū)之內(nèi),并且該跳接焊 線具有一結(jié)球端與一線尾端,該結(jié)球端焊設(shè)于該第一接指,該線尾端焊設(shè)于 該第二接指。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其中所述的 基板更具有一接地環(huán),其形成設(shè)置在該上表面且在該第一接指與該第二接指 之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其中所述的基板 更具有至少一電路走線,其形成設(shè)置在該上表面且在該第一接指與該第二接 指之間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其另包含有一封 膠體,其形成于該基板的上表面,以密封該晶片與該些電連接元件及該跳接 焊線在該粘晶層之外的其余部位。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其中所述的粘晶層 為內(nèi)含有等球徑間隔球的樹脂材料。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其另包含有復(fù)數(shù)個(gè) 外接端子,其設(shè)置于該基板的該下表面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其中所述的該些電 連接元件是為打線形成的復(fù)數(shù)個(gè)焊線。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝構(gòu)造,其特征在于其中所述的基板為 多層印刷電路板。
10、 一種晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其特征在于其包含一基板,其具有一上表面與一下表面,其中該上表面設(shè)有至少一第一接 指與至少 一第二接指并定義有一粘晶區(qū);一粘晶層,其形成于該基板的該上表面的粘晶區(qū)內(nèi);以及 至少一跳接焊線,其連接該第一接指與該第二接指;其中,該跳接焊線的至少一部位是密封于該粘晶層內(nèi)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其特征在于其中所述的第一接指位于該粘晶區(qū)之外,該第二接指位于該粘晶區(qū)之內(nèi),并且 該跳接焊線具有一結(jié)球端與一線尾端,該結(jié)球端焊設(shè)于該第一接指,該線尾 端焊設(shè)于該第二接指。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其特征在 于其中所述的基板更具有一接地環(huán),其形成在該上表面且位在該笫一接指與 該第二接指之間。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其特征在 于其中所述的基板更具有至少一電路走線,其形成設(shè)置在該上表面且在該第 一接指與該第二接指之間。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其特征在于其中 所述的粘晶層為內(nèi)含有等球徑間隔球的樹脂材料。
15、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝構(gòu)造的晶片載體,其特征在于其中 所述的基板為多層印刷電路板。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種減少基板線路層的晶片封裝構(gòu)造及其晶片載體。該晶片封裝構(gòu)造,主要包含一基板、一粘晶層、一晶片、至少一跳接焊線以及復(fù)數(shù)個(gè)電連接元件。該基板具有一上表面與一下表面,其中該上表面定義有一粘晶區(qū),以供該粘晶層的形成。該晶片粘接于該粘晶層。例如焊線的電連接元件電性連接該晶片至該基板。該跳接焊線的兩端皆連接在該基板的復(fù)數(shù)個(gè)接指。其中,該跳接焊線的至少一部位是密封于該粘晶層內(nèi)。因此,該跳接焊線可取代基板內(nèi)的線路與導(dǎo)通孔,藉此可以減少基板的線路層,并在封膠時(shí)固定該跳接焊線。另外本發(fā)明還揭示了該晶片封裝構(gòu)造的晶片載體。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101295690SQ200710096969
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月23日
發(fā)明者吳政庭, 杜武昌, 林鴻村 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司
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