專利名稱：制造相變存儲(chǔ)器的方法及形成相變層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的方法，更具體而言，涉及制造相變存儲(chǔ) 器的方法及形成相變存儲(chǔ)器中的相變層的方法。
背景技術(shù)：
相變材料的電阻根據(jù)該相變材料處于晶體狀態(tài)還是處于非晶狀態(tài)而改 變。即，相變材料具有由相變材料在晶體狀態(tài)和非晶狀態(tài)每個(gè)的電阻明顯區(qū) 別的兩個(gè)狀態(tài)。相變材料的兩種狀態(tài)根據(jù)溫度可逆地改變。相變存儲(chǔ)器例如PRAM (相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)包括作為用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 位的手段的由上述相變材料形成的相變層。公知的相變材料的例子是Ge2Sb2Te5 ( GST )。GST層可利用物理氣相沉積(PVD)方法形成。然而，當(dāng)GST層利用 PVD方法形成時(shí)，難以控制GST層的生長(zhǎng)并且沉積速度低，而且GST層的 致密度(densification)降低。因此，為了獲得高質(zhì)量的GST層，使用了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)方法或循環(huán)化學(xué)氣相沉積(cyclic-CVD)方法。下面，將簡(jiǎn)要描述利用傳統(tǒng)CVD方法形成GST層的傳統(tǒng)方法。首先，將包括底層的襯底裝載進(jìn)CVD腔中，該底層上將形成GST層。 襯底^C加熱至沉積所需的溫度。包括形成GST層的金屬元素的前體，即包 括鍺(Ge)的有機(jī)金屬化合物、包括銻(Sb)的有機(jī)金屬化合物、及包括碲 (Te )的有機(jī)金屬化合物通過噴頭(shower head)同時(shí)供應(yīng)到被加熱的襯底上。 因?yàn)橐r底被加熱到用于沉積的合適溫度，所以所提供的前體被吸收在底層上 并分解，因而僅包括在前體中的金屬元素與底層反應(yīng)，并且前體中的其余材 料被排放到CVD腔外部。然而，上述包括利用CVD方法形成GST層的制造PRAM的傳統(tǒng)方法 可具有下述問題。包括Ge的有機(jī)金屬化合物是四價(jià)化合物，并且具有其中四個(gè)有機(jī)配位 體連接到一個(gè)Ge的結(jié)構(gòu)而Ge位于四面體的中心的結(jié)構(gòu)。因此，包括Ge的 有機(jī)金屬化合物非常穩(wěn)定，并且為了熱分解該穩(wěn)定的有機(jī)金屬化合物，需要 高溫來加熱該有機(jī)金屬化合物。因此，當(dāng)利用傳統(tǒng)CVD方法形成GST層時(shí)襯底的溫度必須高以使得包 括Ge的有機(jī)金屬化合物可分解。襯底的溫度需要顯著高于300°C。同時(shí)，為了增加PRAM的集成度，應(yīng)當(dāng)減小重置(reset)電流。減小重置 電流的一種方法是在具有100nm或更小直徑的狹窄接觸孔中填充GST層。為此，在形成GST層的傳統(tǒng)方法中需要保證GST層的極好的階梯覆蓋 (step coverage)。當(dāng)使用傳統(tǒng)CVD方法時(shí)，GST層需要在低溫沉積從而提供 極好的階梯覆蓋。然而，當(dāng)利用傳統(tǒng)CVD方法形成GST層時(shí)，由于包括Ge的有機(jī)金屬 化合物是四價(jià)的穩(wěn)定化合物，所以GST層的沉積溫度增加。因此，難以形 成具有極好階梯覆蓋的GST層來填充具有l(wèi)OOnm或更小直徑的接觸孔。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種制造相變存儲(chǔ)器的方法，其能夠降低當(dāng)利用CVD方法 形成GST層時(shí)GST層的沉積溫度。本發(fā)明還提供一種形成相變層的方法，其應(yīng)用于制造相變存儲(chǔ)器的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種制造相變存^f諸器的方法，該相變存儲(chǔ) 器包括具有相變層的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，其中該方法包括供應(yīng)包括Ge的二價(jià)第一前 體到其上將形成該相變層的底層上。根據(jù)本發(fā)明，該相變層是GST層且利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)、循環(huán)CVD和原子層沉積(ALD)方法中的一種形成。該相變層的成分通過沉積壓力、沉積溫度和反應(yīng)氣體的供應(yīng)速率之一來 控制。該二價(jià)第 一前體的供應(yīng)可包括同時(shí)供應(yīng)包括Sb的第二前體和包括Te的 第三前體中的至少一種。根據(jù)一方面，該方法還可包括清洗所述底層上未被吸收的第一前體；及供應(yīng)包括Sb的第二前體和包括Te的第三前體中的至少 一種。 第一前體可以是選自包括GeCl2 、 Ge(N(SiMe3)2)2 、 Ge(N(Me3)2)2, Ge(CH(SiMe3)2)2、 Ge(CH(Me3)2)2、 Ge(Cp)2、及Ge(EtCp)2的組中的 一種，其 中Me、 Et、 Cp、和iPr分別表示曱基、乙基、環(huán)戊二烯基和異丙基。沉積壓力范圍可以為0.001托-10托，沉積溫度范圍可以為150 - 350 °C,反應(yīng)氣體的供應(yīng)速率范圍可以為0-1 slm?？梢栽谛纬筛采w底層的絕緣層間層并且在絕緣層間層中形成暴露底層 的通路孔之后，進(jìn)行該二價(jià)第一前體的供應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供一種形成相變層的方法，該方法包括供應(yīng)包 括Ge的二價(jià)第一前體到其上將形成該相變層的底層上。第一前體可以是選自包括GeCl2 、 Ge(N(SiMe3)2)2 、 Ge(N(Me3)2)2, Ge(CH(SiMe3)2)2、 Ge(CH(Me3)2)2 、 Ge(Cp)2、及Ge(EtCp)2的組中的 一種。Ge(N(SiMe3)2)2可以通過如下形成第一操作，制備GeCl2.二氧六環(huán)；第二操作，將相對(duì)于在無(wú)水THF (四氫呋喃)中溶解的雙(三曱硅基) 胺的當(dāng)量數(shù)的曱基鋰放入到包括雙(三曱硅基)胺和無(wú)水THF的溶液中從 而形成化合物；第三操作，將相對(duì)于雙(三曱硅基)胺一半的當(dāng)量數(shù)的GeCl2.二氧六環(huán) 放入到第二操作的所述化合物中從而形成Ge[N(SiMe3)2]2并且過濾并除去滲 入所述化合物中的鋰氯化物；第四操作，通過利用減壓蒸發(fā)THF來去除THF。#^居本發(fā)明，CVD方法中的GST層的沉積溫度可以減小到30(TC或以 下，由此提供了優(yōu)異階梯覆蓋的GST層。因此，具有l(wèi)OOnm和更小直徑的 接觸孔可以由GST層填充，并且PRAM的重置電流減小了。因此，晶體管 的尺寸得以減小，由此增加了 PRAM的集成度。


通過參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中圖l至4是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造相變存儲(chǔ)器的方法； 圖5是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的其中相變層圍繞通孔延伸的相變存儲(chǔ)器；
圖6至8是曲線圖，分別示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在第一至第三實(shí)驗(yàn)中 形成的GST層的成分根據(jù)沉積壓力、沉積溫度及氫氣供應(yīng)速率的變化；及圖9是照片圖像，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在最優(yōu)條件下實(shí)驗(yàn)上形成的 GST層的微觀結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖更完整地說明本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施 例。這里，為清晰起見，圖中所示的層的厚度和區(qū)域凈皮放大。首先，將描述制造相變存儲(chǔ)器的方法。另外，將同時(shí)描述制造相變存儲(chǔ) 器中的相變層的方法。圖1至4是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造相變存儲(chǔ)器的方法。 參照?qǐng)D1，柵極疊層46形成在p型或n型襯底40上通過器件隔離層(未示 出)定義的有源區(qū)的預(yù)定區(qū)域中。柵極疊層46包括柵極絕緣層和柵極電極。 第一雜質(zhì)區(qū)42和第二雜質(zhì)區(qū)44形成在襯底40中器件隔離層和4冊(cè)極疊層46 之間。第一和第二雜質(zhì)區(qū)42和44通過離子注入導(dǎo)電性與襯底40的摻雜材 料的導(dǎo)電性相反的摻雜材料形成。第一雜質(zhì)區(qū)42可用作源極，且第二雜質(zhì) 區(qū)44可用作漏極，或相反。第一和第二雜質(zhì)區(qū)42和44能夠以各種形狀形 成。第一和第二雜質(zhì)區(qū)42和44及柵極疊層46構(gòu)成半導(dǎo)體晶體管。覆蓋半導(dǎo)體晶體管的第一絕緣層間層48形成在襯底40上。暴露第一雜 質(zhì)區(qū)42的接觸孔50形成在第一絕緣層間層48中。接觸孔50可形成在第一 絕緣層間層48中來暴露第二雜質(zhì)區(qū)44而不是第一雜質(zhì)區(qū)42。接觸孔50填 充以導(dǎo)電插塞(conductive plug)52。參照?qǐng)D2，覆蓋導(dǎo)電插塞52的暴露的上表面的底電極層54形成在第一 絕緣層48上，并且底電極接觸層60形成在底電極層54上。底電極層54和 底電極接觸層60可通過順序堆疊底電極層54和底電極4妄觸層60并同時(shí)蝕 刻底電極層54和底電極接觸層60兩者而形成。覆蓋底電極層54和底電極 接觸層60的第二絕緣層間層56形成在第一絕緣層間層48上。第二絕緣層 間層56可由與第一絕緣層間層48相同的材料形成。第一絕緣層間層48和 第二絕緣層間層56可由硅氧化物形成。第二絕緣層間層56形成之后，暴露 底電極接觸層60的上表面的通路孔58形成在第二絕緣層間層56中。然后 將包括二價(jià)前體的源材料氣體供應(yīng)到第二絕緣層間層56(61)上。這樣，如
圖3所示，相變層62填充在通路孔58中。相變層62可利用CVD方法或原子層沉積(ALD)方法形成。CVD方 法的例子包括MOCVD方法和循環(huán)CVD方法。具體地，襯底40布置在沉積腔中之后，相變層62的源材料氣體、輸運(yùn) 氣體和反應(yīng)氣體的H2氣體供應(yīng)到其中形成有通路孔58的第二絕緣層間層56 上。當(dāng)相變層62利用ALD方法形成時(shí)，H2氣體可以省略。這樣，在第二絕 緣層間層56中形成了填充通路孔58的相變層62。相變層62利用諸如化學(xué) 機(jī)械拋光(CMP)方法的平坦化方法來平坦化直到暴露第二絕緣層間層56。 這樣，相變層62僅留在通路孔58中。相變層62可以是GST層。在這種情況下，源材料氣體可以是包括Ge 的二價(jià)前體(下面稱為"第一前體")、包括Sb的前體(下面稱為"第二前 體，，)、及包括Te的前體(下面稱為"第三前體，，)。第一至第三前體是有機(jī) 金屬化合物，并且第一前體特別地可以是包括Ge的二^T有沖幾金屬化合物。在形成相變層62時(shí)，第一至第三前體可以同時(shí)^皮供應(yīng)(MOCVD方法)，方法)。在任何情況中，在供應(yīng)前體之后對(duì)通路孔58上未被吸收的進(jìn)行清洗。 當(dāng)使用ALD方法時(shí)，反應(yīng)氣體在清洗之后供應(yīng)。當(dāng)供應(yīng)第一至第三前體時(shí)，沉積腔中的沉積壓力維持在0.001-10托 (torr)，并且沉積溫度維持在150 - 350°C。 H2氣體的供應(yīng)速率維持在0-1000sccm ( lslm)。第一前體可以是GeCl2、 Ge(N(SiMe3)2)2、 Ge(N(Me3)2)2， Ge(CH(SiMe3)2)2、 Ge(CH(Me3)2)2、 Ge(Cp)2、及Ge(EtCp)2之一。第二和第三 前體可以分別是Sb(iPr)3和Te(iPr)2。這里，Me、 Et、 Cp、和iPr分別表示 甲基(methyl)、乙基(ethyl)、環(huán)戊二烯基(cyclopentadienyl)和異丙基(isopropy 1)。 當(dāng)使用二價(jià)有機(jī)金屬化合物作為第 一前體時(shí)，GST層可以在顯著低的溫度下 形成，并且這將參考發(fā)明人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)來描述。發(fā)明人使用Ge(N(SiMe3)2)"t為第 一前體以及Sb(iPr)3和Te(iPr)2每個(gè)作 為第二和第三前體來形成GST層。在本發(fā)明中作為第 一前體的Ge(N(SiMe3)2)2按下面的順序合成。1. 制備GeCl2.二氧六環(huán)(GeCl2.dioxane)。2. 相對(duì)于在無(wú)水THF (tetrahydrofora:四氫呋喃)中溶解的雙(三甲 硅基)胺(bis(trimethylsilyl)amine)的當(dāng)量數(shù)的甲基鋰(methyl lithium)被放入到 包括雙(三曱硅基)胺和無(wú)水THF的溶液中從而形成化合物，并且胺的氫 被去除從而形成鋰氯化物。3. GeCl2.二氧六環(huán)溶液以相對(duì)于雙(三曱硅基)胺一半的當(dāng)量數(shù)被放入 到步驟2所得到的化合物中從而形成Ge(N(SiMe3)2)2，并且滲入的鋰氯化物 4皮過濾并去除。4. THF被減壓蒸發(fā)。 上述合成可以通過下面的化學(xué)方程表示。 [方程式]<formula>formula see original document page 9</formula>本發(fā)明人檢驗(yàn)了利用通過上述方法合成的第一前體形成的GST層的成 分如何改變，并進(jìn)行了其中通過改變沉積壓力來形成GST層的第一實(shí)驗(yàn)、 其中通過改變沉積溫度來形成GST層的第二實(shí)驗(yàn)、其中通過改變沉積氫氣 體的供應(yīng)速率來形成GST層的第三實(shí)驗(yàn)，從而確定GST層的最優(yōu)形成條件。 第一至第三實(shí)驗(yàn)獨(dú)立進(jìn)行。在第一實(shí)驗(yàn)中，沉積溫度和氫氣的供應(yīng)速率分別維持在28(TC和400 sccm。在第二實(shí)驗(yàn)中，沉積壓力和氫氣的供應(yīng)速率分別維持在5托和400 sccm。在第三實(shí)驗(yàn)中，沉積溫度和沉積壓力分別維持在280。C和5托。圖6至8是曲線圖，分別示出了在第一至第三實(shí)驗(yàn)中形成的GST層的 成分根據(jù)沉積壓力、沉積溫度及氫氣供應(yīng)速率的變化。參照?qǐng)D6至8,第一 曲線G1、 G21和G31示出了 Ge含量的變化，第二曲線G2、 G22和G32示 出了Sb含量的變化，第一曲線G3、 G23和G33示出了 Te含量的變化。參照?qǐng)D6，當(dāng)沉積溫度和氫氣供應(yīng)速率分別維持在280。C和400 sccm, 且沉積壓力從1到5托變化時(shí)，Te含量在60 wt%幾乎不變，但Ge含量增 加到20 wt%并且Sb含量減少到20 - 30 wt% 。參照?qǐng)D7，當(dāng)沉積壓力和氫氣的供應(yīng)速率分別維持在5托和400 sccm, 且沉積溫度從260變化到360°C時(shí)，Ge含量從稍4斂高于30 wt%減少到低于 10 wt % ， Sb含量從20 - 30 wt %增加到30 _ 40 wt % ， Te含量從約40 wt %增 加到幾乎60wt%。參照?qǐng)D8，當(dāng)沉積溫度和沉積壓力分別維持在280。C和5托，且氫氣供 應(yīng)速率從0變化到500 sccm時(shí)，Ge含量增加到20 wt % , Sb含量從30 - 40 wt %減少到20 wt % ， Te含量減少為低于60 wt % 。比較圖6至8,所有三個(gè)實(shí)驗(yàn)中的GST層都具有包括Ge、 Sb和Te的 成分。特別地，圖8顯示出當(dāng)氫氣的供應(yīng)速率為500 sccm時(shí)形成了具有所 需成分的GST層(Ge2Sb2Te5 )。因此，圖8的條件(沉積溫度280°C，沉積壓力5托，氫氣供應(yīng)速率 500 sccm)可以是獲得具有所需成分的GST層的最優(yōu)條件。圖9是照片圖像，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例利用參照?qǐng)D8所述的最優(yōu)條 件形成的GST層的微觀結(jié)構(gòu)。圖9中，黑的部分9B表示具有均勻厚度的平 坦部分，白的部分9W表示比黑的部分9B相對(duì)高的部分。參照?qǐng)D9， GST層具有均勻厚度且形成得平坦。再參照?qǐng)D3和4,相變層62形成在通路孔58中，然后覆蓋相變層62 的頂電極接觸層64形成在第二絕緣層間層56上。頂電極層66形成在頂電 才t接觸層64上。參照?qǐng)D5，相變層62不僅填充通路孔58,而且還可能延伸到第二絕緣 層間層56上圍繞通路孔58。上述結(jié)構(gòu)可以按下述方式形成。具體地，如上所述，當(dāng)相變層62填充在通路孔58中時(shí)，填充通路孔58 的相變層62在第二絕緣層間層56上形成至預(yù)定厚度，然后不是平坦化相變 層62直到第二絕緣層間層露出，而是在相變層62上形成覆蓋通路孔58和 圍繞通路孔58的部分的掩模。然后，圍繞掩模的相變層62被去除。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于使用二價(jià)有機(jī)金屬化合物作為包括Ge的 前體，在利用MOCVD方法或循環(huán)CVD方法形成GST層時(shí)，沉積溫度可以 減少到30(TC或更低，優(yōu)選地至220-280°C。因此，根據(jù)本發(fā)明的GST層 可以得到極好的階梯覆蓋。因而，可以形成其中GST層填充在具有100 nm 或更小直徑的通孔中的相變存儲(chǔ)器。這樣，相變存儲(chǔ)器中的重置電流減小， 并且由于晶體管必須接受的最大電流減小，因此減小了晶體管的尺寸并增加 了相變存儲(chǔ)器的集成度。盡管本發(fā)明參照其示例性實(shí)施例進(jìn)行了特定示出和描述，但所述示例性 實(shí)施例僅用于說明目的而不是意圖限制本發(fā)明的范圍。例如，本發(fā)明的方法
可以應(yīng)用于具有與圖4和5所示的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的相變存儲(chǔ)器中 的相變層的形成。因此，本發(fā)明的范圍不受示例性實(shí)施例的限制，而是通過 權(quán)利要求的技術(shù)范圍定義。
權(quán)利要求
1.一種制造相變存儲(chǔ)器的方法，所述相變存儲(chǔ)器包括具有相變層的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，其中所述方法包括供應(yīng)包括Ge的二價(jià)第一前體到其上將形成所述相變層的底層上。
2. 如權(quán)利要求l的方法，其中所述相變層是GST層且利用金屬有機(jī)化 學(xué)氣相沉積、循環(huán)化學(xué)氣相沉積和原子層沉積方法中的一種形成。
3. 如權(quán)利要求l的方法，其中所述相變層的成分通過沉積壓力控制。
4. 如權(quán)利要求l的方法，其中所述相變層的成分通過沉積溫度控制。
5. 如權(quán)利要求1的方法，其中所述相變層的成分通過反應(yīng)氣體的供應(yīng) 速率控制。
6. 如權(quán)利要求1的方法，其中所述二價(jià)第一前體的供應(yīng)包括同時(shí)供應(yīng) 包括Sb的第二前體和包括Te的第三前體中的至少一種。
7. 如權(quán)利要求1的方法，還包括 清洗所述底層上未被吸收的第一前體；及供應(yīng)包括Sb的第二前體和包括Te的第三前體中的至少 一種。
8. 如權(quán)利要求1的方法，其中所述第一前體是選自包括GeCl2、 Ge(N(SiMe3)2)2、 Ge(N(Me3)2)2, Ge(CH(SiMe3)2)2、 Ge(CH(Me3)2)2 、 Ge(Cp)2、 及Ge(EtCp)2的組中的一種，其中Me、 Et、 Cp、和iPr分別表示曱基、乙基、 環(huán)戊二烯基和異丙基。
9. 如權(quán)利要求3的方法，其中所述沉積壓力范圍為0.001托-10托。
10. 如權(quán)利要求4的方法，其中所述沉積溫度范圍為150- 350°C。
11. 如權(quán)利要求5的方法，其中所述反應(yīng)氣體的供應(yīng)速率范圍為0-1slm。
12. 如權(quán)利要求1的方法，其中在形成覆蓋所述底層的絕緣層間層并且 在所述絕緣層間層中形成暴露所述底層的通路孔之后，進(jìn)行所述二價(jià)第一前 體的供應(yīng)。
13. —種形成相變層的方法，所述方法包括供應(yīng)包括Ge的二價(jià)第一前 體到其上將形成所述相變層的底層上。
14. 如權(quán)利要求13的方法，其中所述二價(jià)第一前體的供應(yīng)包括同時(shí)供 應(yīng)包括Sb的第二前體和包括Te的第三前體中的至少 一種。
15. 如權(quán)利要求13的方法，還包括 清洗所述底層上未被吸收的第一前體；及供應(yīng)包括Sb的第二前體和包括Te的第三前體中的至少 一種。
16. 如權(quán)利要求13的方法，其中所述第一前體是選自包括GeCl2、 Ge(N(SiMe3)2)2、 Ge(N(Me3)2)2, Ge(CH(SiMe3)2)2、 Ge(CH(Me3)2)2、 Ge(Cp)2、 及Ge(EtCp)2的組中的 一種。
17. 如權(quán)利要求13的方法，其中所述相變層是GST層且利用金屬有機(jī) 化學(xué)氣相沉積、循環(huán)化學(xué)氣相沉積和原子層沉積方法中的一種形成。
18. 如權(quán)利要求13的方法，其中所述相變層的成分通過沉積壓力控制。
19. 如權(quán)利要求13的方法，其中所述相變層的成分通過沉積溫度控制。
20. 如權(quán)利要求13的方法，其中所述相變層的成分通過反應(yīng)氣體的供 應(yīng)速率控制。
21. 如權(quán)利要求18的方法，其中所述沉積壓力范圍為0.001托_ 10托。
22. 如權(quán)利要求19的方法，其中所述沉積溫度范圍為150 - 350°C。
23. 如權(quán)利要求20的方法，其中所述反應(yīng)氣體的供應(yīng)速率范圍為0-1slm。
24. 如權(quán)利要求16的方法，其中所述Ge(N(SiMe3)2)2通過如下形成 第一操作，制備GeCl2.二氧六環(huán)；第二操作，將相對(duì)于在無(wú)水四氫呋喃中溶解的雙(三曱硅基)胺的當(dāng)量 數(shù)的曱基鋰放入到包括雙(三甲硅基)胺和無(wú)水四氫呋喃的溶液中從而形成 化合物；第三操作，將相對(duì)于雙(三甲硅基)胺一半的當(dāng)量數(shù)的GeCb.二氧六環(huán) 放入到第二操作的所述化合物中從而形成Ge[N(SiMe3)2]2并且過濾并除去滲 入所述化合物中的鋰氯化物；第四操作，通過利用減壓蒸發(fā)四氬呋喃來去除四氫呋喃。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造相變存儲(chǔ)器的方法和形成該相變存儲(chǔ)器中的相變層的方法。制造相變存儲(chǔ)器的方法包括供應(yīng)包括Ge的二價(jià)第一前體到其上將形成所述相變層的底層上。所述相變層利用MOCVD、循環(huán)CVD和ALD方法中的一種形成，并且所述相變層的成分通過沉積壓力、沉積溫度或反應(yīng)氣體的供應(yīng)速率控制。所述沉積壓力范圍為0.001托-10托，所述沉積溫度范圍為150-350℃，并且所述反應(yīng)氣體的供應(yīng)速率范圍為0-1slm。
文檔編號(hào)H01L45/00GK101165934SQ20071010084
公開日2008年4月23日 申請(qǐng)日期2007年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月20日
發(fā)明者姜允善, 李在昊, 申雄澈 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社