專利名稱：形成接觸孔的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成接觸孔的方法，尤指一種利用兩次以上曝光、兩次 以上蝕刻的方式形成接觸孔的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)越來越精密，集成電路也發(fā)生重大的變革，使得計(jì) 算機(jī)的運(yùn)算性能和存儲(chǔ)容量突飛猛進(jìn)，并帶動(dòng)周邊產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。而半導(dǎo)體
產(chǎn)業(yè)也如同摩爾定律所預(yù)測(cè)的，以每18個(gè)月增加一倍晶體管數(shù)目在集成電 路上的速度發(fā)展著，同時(shí)半導(dǎo)體工藝也已經(jīng)從1999年的0.18微米、2001年 的0.13微米、2003年的90納米(nm)(0.09微米)，進(jìn)入到2005年65納米(0.065 微米工藝)并朝向45納米邁進(jìn)。因此，伴隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步和微電子 元件的微小化，單一芯片上的半導(dǎo)體元件的密度越來越大，相對(duì)地元件之間 的間隔也越來越小。這使得接觸洞(contact hole)蝕刻(etch)工藝的制作困難度 越來越高。
先前技術(shù)中制作接觸洞的作法，利用光刻膠層作為蝕刻下方介電層的蝕 刻掩模，而在45納米(nm)的工藝下，接觸孔蝕刻的間距(pitch，即兩鄰近接 觸孔中心點(diǎn)間的距離)必須小于155納米，而且顯影后關(guān)鍵尺寸(after development inspect critical dimension, ADICD)則必須大約70至80纟內(nèi)米。就 現(xiàn)行的黃光機(jī)臺(tái)技術(shù)而言，其無法在一次曝光工藝中完成間距小于155納米 的接觸孔，所以目前業(yè)界常見的作法是利用兩個(gè)掩模對(duì)光刻膠層進(jìn)行兩次曝 光后，再進(jìn)行一次蝕刻，以圖案化接觸孔。
但是，當(dāng)接觸孔蝕刻的間距小于140納米時(shí)，即使是利用上述兩次曝光、 一次蝕刻的工藝，也會(huì)因?yàn)檫M(jìn)行第二次曝光顯影時(shí)，黃光機(jī)臺(tái)無法定義出過 小的接觸孔圖案(pattem),而無法制作出接觸孔間距小于140納米的接觸孔。 所以，如何制作出接觸孔蝕刻的間距小于140納米的接觸孔為該領(lǐng)域的重要 課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種形成接觸孔的方法，以解決上述問題。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供一種形成接觸孔的方法，包含提供半導(dǎo)體 基材，其上依序覆蓋蝕刻停止層、層間介電層、第一含硅光刻膠層。在第一 含硅光刻膠層上方形成第一光刻膠圖案，接著，利用第一光刻膠圖案作為蝕 刻掩模，進(jìn)行第一蝕刻工藝在含硅光刻膠層形成多個(gè)第一開口。去除第一光 刻膠圖案。然后，在含硅光刻膠層上方形成第二光刻膠圖案，利用第二光刻 膠圖案作為蝕刻掩模，進(jìn)行第二蝕刻工藝在含硅光刻膠層形成多個(gè)第二開 口，以及利用具有第一、第二開口的含硅光刻膠層作為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻 工藝，在層間介電層、蝕刻停止層中形成接觸孔。
本發(fā)明的另 一優(yōu)選實(shí)施例提供一種形成接觸孔的方法，包含提供半導(dǎo)體 基材，其上依序覆蓋層間介電層、第一含硅光刻膠層。在第一含硅光刻膠層 上方形成第一光刻膠圖案，再利用第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模，進(jìn)行第一 蝕刻工藝在第一含硅光刻膠層形成多個(gè)第一開口，去除第一光刻膠圖案。然 后，利用第一開口作為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝在層間介電層中形成多個(gè)第 一接觸孔并除去第一含硅光刻膠層，在層間介電層上方形成第二含硅光刻膠 層，在第二含硅光刻膠層上方形成第二光刻膠圖案，以及利用第二光刻膠圖 案作為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝在層間介電層中形成多個(gè)第二接觸孔。
和先前技術(shù)相較，先前技術(shù)是利用兩次曝光工藝，曝光在同一層光刻膠 層上，所以會(huì)因?yàn)槟壳捌毓鈾C(jī)臺(tái)無法定義出過小的接觸孔圖案，造成曝光失 敗。但是，就本發(fā)明而言，本發(fā)明先進(jìn)行一次曝光后，就直接進(jìn)行蝕刻工藝， 將第一次曝光所產(chǎn)生的圖案轉(zhuǎn)移至含硅光刻膠層或者是層間介電層中。接 著，重新形成一光刻膠層，在不同位置再進(jìn)行一次曝光，再將新的圖案轉(zhuǎn)移 至含硅光刻膠層或者是層間介電層中。這種兩次曝光、兩次蝕刻的方式即可
以形成觸孔蝕刻的間距小于140納米的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然本發(fā)明在曝光機(jī)臺(tái)允許的 情況下，也可以應(yīng)用于兩次以上曝光、兩次以上蝕刻，以形成間距更小的接 觸孔。


圖1至7為本發(fā)明第一實(shí)施例的蝕刻接觸洞蝕刻停止層的工藝示意圖。 圖8至5為本發(fā)明第二實(shí)施例的蝕刻接觸洞蝕刻停止層的工藝示意圖。圖16至23為本發(fā)明第三實(shí)施例的蝕刻接觸洞蝕刻停止層的工藝示意
附圖標(biāo)記說明
102 基底
106 層間介電層
110、 1204 含硅光刻膠層
114 三層堆疊層
204 斜角
1602金屬化合物掩模層
104 接觸洞蝕刻停止層
108、 1202 抗反射底層
112、 312、 1206、 1802 193nm光刻月交層
202、 402開口
702接觸孔
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參考圖1至7，圖1至7為本發(fā)明第一實(shí)施例的蝕刻接觸洞蝕刻停止 層(contact etch stop layer, CESL)的工藝示意圖。如圖1所示，首先提供基底 102,例如晶片(wafer)或絕緣體上硅(SOI)等的半導(dǎo)體基底，且基底102 表面已形成有金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)體晶體管等各式元件，接著在基底102上 方依序形成接觸洞蝕刻停止層104、層間介電層(interlayer dielectric, ILD)106、 三層堆疊層114。三層堆疊層114包含有抗反射底層(bottom anti-reflective coating, BARC)108、含硅光刻膠層110以及193(nm)納米光刻膠層112。其 中，抗反射底層108可利用365納米光刻膠層，即屬于I-line曝光范圍的光 刻膠層來形成。而193nm光刻膠層112則為深紫外光曝光范圍。另外，層間 介電層106可以包含有未摻雜硅氧層、摻雜硅氧層，如四乙氧基硅烷 (tetetra-ethyl-ortho-silicate,TEOS)硅氧層、或硼磷硅玻璃、氟硅氧層、磷硅氧 層或硼硅氧層等。而且可利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝等薄膜沉積技 術(shù)來形成層間介電層106。另外，在第一實(shí)施例中，接觸洞蝕刻停止層104 的厚度為850埃(A)、層間介電層106的厚度為3000埃、抗反射底層108的 厚度為1800埃、含硅光刻膠層110的厚度為800埃以及193nm光刻膠層112 的厚度為2200埃。然后進(jìn)行曝光工藝和顯影工藝，以圖案化193nm光刻膠 層112。
接著，請(qǐng)參考圖2，利用圖案化的193nm光刻膠層112作掩模，進(jìn)行蝕 刻工藝，并調(diào)整蝕刻氣體比例或壓力，功率等參數(shù)以圖案化含硅光刻膠層110 以得到具有數(shù)個(gè)梯型的開口 202。每個(gè)開口 202的側(cè)邊都具有斜角(taper)204,通過調(diào)整蝕刻參數(shù)來改變斜角程度，開口 202的底部的寬度較頂口處小。而 且開口 202的深度僅500A，所以開口 202的底部并未露出抗反射底層108， 這樣可以保護(hù)抗反射底層108結(jié)構(gòu)的完整性。之后，去除殘余的193nm光刻 膠層112。
請(qǐng)參考圖3。接著，重新形成193nm光刻膠層312,而且新形成的193nm 光刻膠層312會(huì)填滿開口 202，如圖3所示。然后再進(jìn)行曝光和顯影工藝， 以圖案化193nm光刻膠層312。
請(qǐng)參考圖4，以圖案化193nm光刻膠層312作為掩模，再進(jìn)行另一次蝕 刻工藝，再次圖案化含硅光刻膠層110,形成數(shù)個(gè)開口 402。開口 402的底 部的寬度也較開口處小，所以開口 402的側(cè)邊具有斜角204。而且開口 202 的深度僅500A，所以開口 202的底部并未露出抗反射底層108,以保護(hù)抗反 射底層108的結(jié)構(gòu)。之后，去除殘余的193nm光刻膠層312。
請(qǐng)參考圖5,直接對(duì)含硅光刻膠層110進(jìn)行蝕刻，直到蝕刻穿含硅光刻 膠層110,暴露出抗反射底層108。接著，繼續(xù)對(duì)抗反射底層108進(jìn)行蝕刻 直到暴露出層間介電層106為止。之后，利用已經(jīng)被圖案化的抗反射底層108 作為掩模，利用蝕刻工藝將層間介電層106蝕刻至暴露出接觸洞蝕刻停止層 104。此時(shí)，含硅光刻膠層110已經(jīng)被耗損完，而抗反射底層108也已經(jīng)被 耗損許多。
請(qǐng)參考圖6，去除剩下的抗反射底層108。接著，請(qǐng)參考圖7，以圖案化 后的層間介電層106作為掩模，進(jìn)行突破(break through)性質(zhì)的蝕刻工藝以圖 案化接觸洞蝕刻停止層104，形成如圖7所示的接觸孔702。
請(qǐng)參考圖8至15，圖8至15為本發(fā)明第二實(shí)施例的蝕刻接觸洞蝕刻停 止層的工藝示意圖。第二實(shí)施例和第一實(shí)施例的差別是在于第二實(shí)施例多了 金屬化合物掩模層1602在層間介電層106和抗反射底層108之間。
如圖8所示，首先提供已形成有金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)體晶體管等各式元 件的基底102，接著在基底102上方依序形成接觸洞蝕刻停止層104、層間 介電層106、金屬化合物掩模層1602、三層堆疊層114。三層堆疊層114包 含有抗反射底層108、含硅光刻膠層110以及193nm光刻膠層112。其中， 抗反射底層108可為365 nm光刻膠層，而193nm光刻膠層112則為深紫外 光曝光范圍。另外，在第二實(shí)施例中，接觸洞蝕刻停止層104的厚度為850 埃(A)、層間介電層106的厚度為3000埃、抗反射底層108的厚度為1800埃、含硅光刻膠層110的厚度為800埃以及193nm光刻膠層112的厚度為 2200埃。首先，進(jìn)行曝光工藝和顯影工藝，以圖案化193nm光刻膠層112。 接著，請(qǐng)參考圖9，利用圖案化的193nm光刻膠層112作掩模，進(jìn)行蝕 刻工藝以圖案化含硅光刻膠層110。蝕刻后所形成的圖案化含硅光刻膠層110 具有數(shù)個(gè)梯型的開口 202,且開口 202的底部的寬度較頂口處小，其側(cè)邊具 有斜角204。而且開口 202的深度僅500A，所以開口 202的底部并未露出抗 反射底層108，以保護(hù)抗反射底層108的結(jié)構(gòu)。之后，去除殘余的193nm光 刻膠層112。
請(qǐng)參考圖IO，接著，重新形成193nm光刻膠層312,而且新形成的193nm 光刻膠層312會(huì)填滿開口 202中。然后，再進(jìn)行曝光和顯影工藝，以圖案化 193nm光刻膠層312。然后，請(qǐng)參考圖11，以圖案化193nm光刻膠層312 作為掩模，再進(jìn)行另一次蝕刻工藝，再次圖案化含硅光刻膠層110，形成數(shù) 個(gè)開口 402，開口 402的側(cè)邊具有斜角204，且開口 402的底部的寬度也較 開口處小。另外，開口 202的深度也只有500A，所以開口 202的底部并未 露出抗反射底層108，以保護(hù)抗反射底層108的結(jié)構(gòu)。之后，去除殘余的193nm 光刻膠層312。
請(qǐng)參考圖12，直接對(duì)含硅光刻膠層110進(jìn)行蝕刻，直到暴露出抗反射底 層108。接著，利用圖案化后的含硅光刻膠層110作蝕刻掩模，對(duì)抗反射底 層108進(jìn)行蝕刻工藝直到暴露出金屬化合物掩模層1602。然后，以圖案化的 抗反射底層108作為掩模，再對(duì)金屬化合物掩模層1602進(jìn)行蝕刻以圖案化 金屬層1602。之后，去除掉金屬化合物掩模層1602上方所有的光刻膠層。
請(qǐng)參考圖13，以圖案化后的金屬層1602作為掩^^莫，對(duì)層間介電層106 進(jìn)行蝕刻，以形成圖案化的層間介電層106并暴露出接觸洞蝕刻停止層104。
請(qǐng)參考圖14，去除圖案化后的金屬化合物掩模層1602。接著，請(qǐng)參考 圖15，以圖案化后的層間介電層106作為掩模，進(jìn)行突破性質(zhì)的蝕刻工藝以 圖案化接觸洞蝕刻停止層104,形成如圖15所示的接觸孔702。
請(qǐng)參考圖16至23,圖16至23為本發(fā)明第三實(shí)施例的蝕刻接觸洞蝕刻 停止層的工藝示意圖。如圖16所示，同樣地，提供已形成有金屬氧化物半 導(dǎo)體導(dǎo)體晶體管等各式元件的基底102，且基底102上方依序具有接觸洞蝕 刻停止層104、層間介電層106、三層堆疊層114。三層堆疊層114包含有抗 反射底層108、含硅光刻膠層110以及193nm光刻膠層112。其中，抗反射底層108可為365 nm光刻膠層108。另外，在第三實(shí)施例中，接觸洞蝕刻停 止層104的厚度為850埃(A)、層間介電層106的厚度為3000埃、抗反射底 層108的厚度為1800埃、含硅光刻膠層110的厚度為800埃以及193nm光 刻膠層112的厚度為2200埃。首先，進(jìn)行曝光工藝和顯影工藝，以圖案化 193nm光刻膠層112。
接著，請(qǐng)參考圖17,利用圖案化的193nm光刻膠層112作掩模，進(jìn)行 蝕刻工藝，以圖案化含硅光刻膠層110，蝕刻后所形成的圖案化含硅光刻膠 層IIO具有數(shù)個(gè)梯型的開口 202。每個(gè)開口 202的側(cè)邊都具有斜角204,且 開口 202的底部的寬度較頂口處小。另外開口 202的深度僅500A，所以開 口 202的底部并未露出抗反射底層108,以保護(hù)抗反射底層108的結(jié)構(gòu)。之 后，去除殘余的193nm光刻膠層112。
請(qǐng)參考圖18，接著，以圖案化后的含硅光刻膠層110作為掩模，蝕刻含 硅光刻膠層110直到暴露出抗反射底層108。此階段的蝕刻工藝，使得原本 厚度為800 A的含硅光刻膠層110消耗成厚度僅剩下500 A。在此請(qǐng)?zhí)貏e注 意，由于開口 202的底部寬度較頂口處小，使得此階段蝕刻的寬度以開口 202 底部的寬度為準(zhǔn)。之后，繼續(xù)利用被蝕刻穿的含硅光刻膠層110作為掩模， 對(duì)抗反射底層108進(jìn)行蝕刻直到暴露出層間介電層106為止，以圖案化抗反 射底層108。 一般來說，含硅光刻膠層110經(jīng)過抗反射底層108的蝕刻工藝 后，含硅光刻膠層110已經(jīng)被蝕刻工藝耗損完全。
請(qǐng)參考圖19，以圖案化后的抗反射底層108作為掩沖莫對(duì)層間介電層106 進(jìn)行蝕刻，直到暴露出接觸洞蝕刻停止層104并形成數(shù)個(gè)開口 1902。接著， 去除層間介電層106上方的抗反射底層108。
請(qǐng)參考圖20，重新依序在圖案化后的層間介電層106上方形成抗反射底 層202、含硅光刻膠層1204以及193 nm光刻膠層1206，而且抗反射底層 1202填滿每個(gè)開口 1902中。接著，如同圖16 —樣，對(duì)193nm光刻膠層1206 進(jìn)行曝光工藝和顯影工藝，以圖案化193nm光刻膠層1206,但是其曝光區(qū) 域和圖16的曝光區(qū)域不同。
接下來的步驟就如同上述圖17至19的步驟。利用圖案化的193nm光刻 膠層1206作掩模，進(jìn)行蝕刻工藝，以圖案化含硅光刻膠層1204。接著，以 圖案化后的含硅光刻膠層1204作為掩模，蝕刻含硅光刻膠層1204直到暴露 出抗反射底層1202。之后，繼續(xù)利用被蝕刻穿的含硅光刻膠層1204作為掩模，對(duì)抗反射底層1202進(jìn)行蝕刻直到暴露出層間介電層106為止，以圖案 化抗反射底層1202。然后，以圖案化后的抗反射底層1202作為掩才莫對(duì)層間 介電層106進(jìn)行蝕刻直到暴露出接觸洞蝕刻停止層104。此時(shí)含硅光刻膠層 1204已在蝕刻工藝中消耗完，但是還殘余一些抗反射底層1202，形成如圖 21的結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖22,接著，去除層間介電層106上方的抗反射底層1202。然 后，請(qǐng)參考圖23,以圖案化后的層間介電層106作為掩模，進(jìn)行突破性質(zhì)的 蝕刻工藝以圖案化接觸洞蝕刻停止層104，形成如圖23所示的接觸孔702。
和先前技術(shù)相較，先前技術(shù)是利用兩次曝光工藝，曝光在同一層光刻膠 層上，所以會(huì)因?yàn)槟壳捌毓鈾C(jī)臺(tái)無法定義出過小的接觸孔圖案，造成曝光失 敗。但是，就本發(fā)明而言，本發(fā)明先進(jìn)行一次曝光后，就直接進(jìn)行蝕刻工藝， 將第一次曝光所產(chǎn)生的圖案轉(zhuǎn)移至含硅光刻膠層或者是層間介電層中。接 著，重新形成光刻膠層，在不同位置再進(jìn)行一次曝光，再將新的圖案轉(zhuǎn)移至 含硅光刻膠層或者是層間介電層中。這種兩次曝光、兩次蝕刻的方式即可以 形成觸孔蝕刻的間距小于140納米的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然本發(fā)明在曝光機(jī)臺(tái)允許的情 況下，也可以應(yīng)用于兩次以上曝光、兩次以上蝕刻，以形成間距更小的4姿觸 孔。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變 化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種形成接觸孔的方法，包含提供基底，其上依序覆蓋蝕刻停止層、層間介電層、第一含硅光刻膠層；在該第一含硅光刻膠層上方形成第一光刻膠圖案；利用該第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模，進(jìn)行第一蝕刻工藝在該含硅光刻膠層形成多個(gè)第一開口；去除該第一光刻膠圖案；在該含硅光刻膠層上方形成第二光刻膠圖案；利用該第二光刻膠圖案作為蝕刻掩模，進(jìn)行第二蝕刻工藝在該含硅光刻膠層形成多個(gè)第二開口；以及利用具有該第一、第二開口的該含硅光刻膠層作為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝，在該層間介電層、該蝕刻停止層中形成該接觸孔。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一含硅光刻膠層包含有10-30 %的硅成分。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一含硅光刻膠層和該層間介電 層之間又包含365納米光刻膠層。
4. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一含硅光刻膠層和該層間介電 層之間又包含抗反射底層。
5. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中該第一光刻膠圖案由第一 193納米 光刻膠層經(jīng)由曝光和顯影工藝所形成。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中去除該第一光刻膠圖案后，又包含 以下步驟形成第二 193納米光刻膠層在該第一含硅光刻膠層之上并填入該第一開 口中；以及該第二 193納米光刻膠層經(jīng)由曝光和顯影工藝后，形成該第二光刻膠圖案。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中該第一、第二開口的側(cè)壁皆具有斜 角且底部的寬度較頂口處小。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中該接觸孔的寬度等同于該第一、第 二開口的底部的寬度。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中該365納米光刻膠層和該層間介電 層之間又包含金屬化合物掩模層。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成該第二開口后，還包含以下步驟利用具有第一、第二開口的該第一含硅光刻膠層作為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕 刻工藝以圖案化該金屬化合物掩模層；以及利用圖案化后的該金屬化合物掩模層作為蝕刻掩模，對(duì)該層間介電層、 該蝕刻停止層進(jìn)行蝕刻，形成該接觸孔。
11. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該基底位于晶片上，而該方法實(shí)施 于整片該晶片上。
12. —種形成接觸孔的方法，包含提供基底，其上依序覆蓋層間介電層、第一含硅光刻膠層； 在該第一含硅光刻膠層上方形成第一光刻膠圖案； 利用該第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模，進(jìn)行第一蝕刻工藝在該第一含硅 光刻膠層形成多個(gè)第一開口； 去除該第一光刻膠圖案；利用該第一開口作為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝在該層間介電層中形成多 個(gè)第一接觸孔并除去該第一含硅光刻膠層；在該層間介電層上方形成第二含硅光刻膠層； 在該第二含硅光刻膠層上方形成第二光刻膠圖案；以及利用該第二光刻膠圖案作為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝在該層間介電層中 形成多個(gè)第二接觸孔。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中該第一含硅光刻膠層為具有10-30 %的硅材質(zhì)的光刻膠層。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中該第一含硅光刻膠層和該層間介 電層之間又包含第一 365納米光刻膠層。
15. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中該含硅光刻膠層和該層間介電層 之間又包含抗反射底層。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第一光刻膠圖案由第一 193納 米光刻膠層經(jīng)由曝光和顯影工藝所形成。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成該第一接觸孔后，又包含以下步驟形成第二 365納米光刻膠層在該層間介電層上方并填入該第一接觸孔 中；以及依序形成第二含硅光刻膠層、第二 193納米光刻膠層于該第二 365納米 光刻膠層之上；以及對(duì)該第二 193納米光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影工藝，形成該第二光刻膠圖案。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中該第一、第二開口的側(cè)壁皆具有 斜角且底部的寬度較頂口處小。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中該接觸孔的寬度等同于該第一、 第二開口的底部的寬度。
20. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中該基底位于晶片上，而該方法實(shí) 施于整片該晶片上。
全文摘要
一種形成接觸孔的方法，在光刻膠層中形成圖案，轉(zhuǎn)移此圖案至含硅光刻膠層，以形成第一開口。然后，在另一光刻膠層中形成另一圖案，將其轉(zhuǎn)移至含硅光刻膠層形成第二開口。再將第一、第二開口圖案轉(zhuǎn)移至在層間介電層、蝕刻停止層中形成接觸孔。本發(fā)明通過兩次曝光、兩次蝕刻可以形成間距極小的接觸孔。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101295671SQ20071010103
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月23日
發(fā)明者周珮玉, 廖俊雄 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司