專利名稱：基板搬送處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)例如半導(dǎo)體晶片、LCD玻璃基板等基板進(jìn)行搬送并進(jìn)行處理的基板搬送處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，為了在半導(dǎo)體晶片、LCD玻璃基板等基板上形成ITO(Indium Tin Oxide氧化銦錫)的薄膜或電極圖案，通常利用光刻(photolithography)技術(shù)。該光刻技術(shù)通過(guò)以下一系列的工序而進(jìn)行將光致抗蝕劑(photoresist)涂敷在基板上，形成抗蝕劑膜，根據(jù)規(guī)定的電路圖案將所形成的抗蝕劑膜曝光，對(duì)該曝光圖案進(jìn)行顯影處理，由此在抗蝕劑膜上形成期望的電路圖案。
在這樣的處理中，通常，將抗蝕劑液涂敷在基板上并進(jìn)行處理的抗蝕劑涂敷處理單元、對(duì)抗蝕劑涂敷處理結(jié)束后的基板或曝光處理后的基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理單元、將加熱處理后的基板冷卻處理至規(guī)定溫度的冷卻處理單元、以及向基板供給顯影液以進(jìn)行顯影處理的顯影處理單元等分別在多段中重疊，這些各處理單元間的基板搬送、以及基板的搬入搬出由搬送裝置進(jìn)行。
另外，加熱處理結(jié)束后的基板如果沒(méi)有立即進(jìn)行冷卻，則有可能基板被過(guò)度地進(jìn)行加熱處理、產(chǎn)生由所謂的過(guò)度烘焙(overbake)造成的處理不良。因此，包括在將基板冷卻至規(guī)定溫度之前、使該基板待機(jī)并對(duì)其進(jìn)行冷卻的預(yù)冷卻處理單元，多個(gè)基板搬送裝置分擔(dān)地搬送基板，即，在抗蝕劑涂敷處理單元和加熱處理單元之間、加熱處理單元和冷卻處理單元之間、以及預(yù)冷卻處理單元和冷卻處理單元之間進(jìn)行基板的搬送(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。
另外，為了與各處理單元中的基板處理時(shí)間的時(shí)間差對(duì)應(yīng)而高效地搬送基板，從而提高生產(chǎn)率，在具有多個(gè)處理單元的處理塊與接口塊(interface block)之間或者在接口塊內(nèi)，設(shè)置能夠收納多塊基板的多段狀的基板收納部，利用不同的基板搬送裝置，從該基板收納部的兩個(gè)方向相對(duì)于基板收納部進(jìn)行基板的交接(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。
然而，根據(jù)作為目標(biāo)的抗蝕劑膜的種類，在抗蝕劑膜的上下側(cè)形成防反射膜的情況、在抗蝕劑膜上下的一側(cè)上形成防反射膜的情況、以及僅形成抗蝕劑膜而不形成防反射膜的情況等，涂敷的方式不同，因此，因批次不同，有時(shí)所需要的涂敷處理單元、加熱處理單元、冷卻處理單元、預(yù)冷卻處理單元等用于形成涂敷膜的單元中的處理?xiàng)l件不同。在該情況下，在涂敷處理單元、加熱處理單元、和冷卻處理單元設(shè)置在相同的處理塊內(nèi)的結(jié)構(gòu)中，使用的單元因作為目標(biāo)的抗蝕劑膜的種類而不同，因此基板的搬送流程也不同。因此，基板的搬送時(shí)間表變得更復(fù)雜，所以，可以增加上述基板收納部的基板收納數(shù)量，使供給至下一個(gè)處理之前的多塊基板待機(jī)。
專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2001-57336號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求書(shū)，段落編號(hào)0046，圖1、圖2)專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)平9-74127號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求書(shū)，段落編號(hào)0042、0043，圖1、圖2)但是，在上述日本特開(kāi)2001-57336號(hào)公報(bào)和日本特開(kāi)平9-74127號(hào)公報(bào)所記載的裝置中，均在收納多塊基板的多段狀或架狀的載置部中直立設(shè)置有多根(例如三根或四根)支撐銷，利用這些支撐銷支撐基板，在與基板搬送裝置之間進(jìn)行基板的交接。因此，基板收納部中收納1塊基板的空間的高度需要考慮了基板搬送裝置的交接的高度，存在由于裝置整體的高度而無(wú)法增加載置部的數(shù)量的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況而做出，其目的在于提供一種盡可能縮小基板收納部的基板的收納空間，以實(shí)現(xiàn)裝置的小型化、增大基板的收納數(shù)量，并且提高生產(chǎn)率的基板搬送處理裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明的基板搬送處理裝置的特征在于，包括配置能夠收容多塊基板的載體的載體塊；具有對(duì)從所述載體中取出的基板進(jìn)行適當(dāng)處理的處理單元的處理塊；在所述處理塊內(nèi)、將從所述載體塊搬送的基板交接至所述處理單元的至少能夠沿鉛垂方向和水平方向移動(dòng)的基板搬送單元；配置在所述載體塊與處理塊之間，能夠收納多塊基板的基板收納部；和能夠在與所述載體塊之間進(jìn)行基板的交接，將所述基板交接至所述基板收納部的至少能夠沿鉛垂方向和水平方向移動(dòng)的基板交接單元，其中，所述基板收納部具有能夠從所述基板搬送單元與基板交接單元交叉的兩個(gè)方向進(jìn)行基板交接的開(kāi)口部，并且，將支撐基板下面的多個(gè)載置架相互隔開(kāi)間隔而疊層，所述基板搬送單元和基板交接單元分別形成為能夠以在截面方向上與所述載置架的厚度重疊的位置關(guān)系相對(duì)于基板收納部進(jìn)退(第一方面)。在這種情況下，優(yōu)選將所述多個(gè)載置架的間隔形成為小于所述基板搬送單元和基板交接單元的厚度(第二方面)。
通過(guò)這樣構(gòu)成，基板搬送單元或基板交接單元能夠分別從設(shè)置在基板收納部的兩個(gè)方向上的開(kāi)口部相對(duì)于基板收納部進(jìn)入和退出，當(dāng)進(jìn)入時(shí)，以在截面方向上與載置架的厚度重疊的位置關(guān)系、沿鉛垂方向移動(dòng)(升降)，以進(jìn)行基板的交接。在該情況下，通過(guò)將多個(gè)載置架的間隔形成為小于基板搬送單元和基板交接單元的厚度，能夠進(jìn)一步盡可能地縮小基板的收納空間(第二方面)。
另外，本發(fā)明的第三方面的特征在于，在第一方面或第二方面所述的基板搬送處理裝置中，所述處理塊包括在基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜的涂敷膜形成用處理單元；用于將防反射膜用的藥液涂敷在基板上的防反射膜形成用處理單元；以及對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理單元，所述基板收納部包括將基板冷卻的冷卻板。在這種情況下，所述處理塊將以下的塊疊層利用基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割涂敷膜形成用處理單元和加熱處理單元的涂敷膜形成用單位塊；利用所述基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割在涂敷膜的下側(cè)形成防反射膜的第一防反射膜形成用單元和加熱處理單元的第一防反射膜形成用單位塊；以及利用所述基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割在涂敷膜的上側(cè)形成防反射膜的第二防反射膜形成用單元和加熱處理單元的第二防反射膜形成用單位塊，所述基板收納部具有用于與所述涂敷膜形成用單位塊、第一防反射膜形成用單位塊和第二防反射膜形成用單位塊相對(duì)應(yīng)的被分割為多個(gè)的收納塊，并且，各收納塊中具有多個(gè)載置架和冷卻板(第四方面)。
通過(guò)這樣構(gòu)成，當(dāng)與在基板上涂敷的抗蝕劑膜的種類以及各處理單元中的處理時(shí)間相對(duì)應(yīng)，在抗蝕劑膜的上下的一側(cè)或兩側(cè)上形成防反射膜、或者僅形成抗蝕劑膜而不形成防反射膜的情況下，能夠確?；逶谶M(jìn)行下一個(gè)處理前待機(jī)，并且，能夠在基板收納部中將基板冷卻并調(diào)整至規(guī)定的溫度。
另外，本發(fā)明的第五方面的特征在于，在第一方面至第四方面中任一方面所述的基板搬送處理裝置中，所述載置架中，在從所述基板收納部的一側(cè)突入該基板收納部?jī)?nèi)的板狀臂的前端部的被同心圓狀等分的3處，突出設(shè)置有與板狀臂的表面稍微隔開(kāi)間隙而支撐基板的銷，并且，將其中之一的第一銷配置成與基板交接單元進(jìn)入基板收納部?jī)?nèi)的方向平行，所述基板搬送單元具有，在與所述第一銷以外的第二和第三銷不干涉的范圍內(nèi)，一個(gè)彎曲臂片比另一個(gè)彎曲臂片更向前端側(cè)延伸的變形馬蹄形狀的臂本體，并且，在兩臂片的前端側(cè)下部和臂本體的基部側(cè)下部的三處，設(shè)置有支撐基板的支撐爪。
通過(guò)這樣構(gòu)成，能夠使基板搬送單元在支撐基板的3個(gè)銷所形成的最窄寬度側(cè)進(jìn)退移動(dòng)，從而能夠使基板搬送單元的基板支撐部的形狀為最小限度的大小，使基板的支撐和搬送穩(wěn)定。另外，與此相對(duì)，在支撐基板的3個(gè)銷所形成的最大寬度側(cè)進(jìn)退移動(dòng)的基板交接單元，包括在與配置成與基板交接單元進(jìn)入基板收納部?jī)?nèi)的方向平行的第一銷以外的第二和第三銷不干涉的范圍內(nèi)，一個(gè)彎曲臂片比另一個(gè)彎曲臂片更向前端側(cè)延伸的變形馬蹄形狀的臂本體，在兩臂片的前端側(cè)下部和臂本體的基部側(cè)下部的三處，設(shè)置有支撐基板的支撐爪，由此，不需要將基板交接單元的基板支撐部的形狀增大到必要以上，能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)支撐和搬送基板。
另外，本發(fā)明的第六方面的特征在于，在第一方面至第五方面中任一方面所述的基板搬送處理裝置中，所述載置架由從所述基板收納部的一側(cè)突入該基板收納部?jī)?nèi)的板狀臂構(gòu)成，各板狀臂彼此隔著墊片由連結(jié)部件能夠裝卸地呈疊層狀連結(jié)固定。
通過(guò)這樣構(gòu)成，能夠根據(jù)需要增減載置架的數(shù)量。
此外，本發(fā)明的第七方面的特征在于，在第一方面至第六方面中任一方面所述的基板搬送處理裝置中，設(shè)置有檢測(cè)所述基板收納部的各載置架上有無(wú)基板的基板檢測(cè)傳感器，并且具有根據(jù)由該基板檢測(cè)傳感器檢測(cè)出的信號(hào)，控制基板搬送單元將基板交接至所述基板收納部的動(dòng)作的控制單元。
通過(guò)這樣構(gòu)成，利用基板檢測(cè)傳感器對(duì)基板收納部的各載置架上有無(wú)基板進(jìn)行檢測(cè)，并將該檢測(cè)信號(hào)傳遞至控制單元，控制單元能夠識(shí)別各載置架上有無(wú)基板，并根據(jù)來(lái)自控制單元的控制信號(hào)，將基板向未載置基板的載置架上交接(搬送)。
如以上說(shuō)明的那樣，本發(fā)明的基板搬送處理裝置如以上那樣構(gòu)成，因而可以獲得以下的效果。
(1)根據(jù)本發(fā)明的第一方面，基板搬送單元或基板交接單元能夠分別從設(shè)置在基板收納部的兩個(gè)方向上的開(kāi)口部相對(duì)于基板收納部進(jìn)入和退出，當(dāng)進(jìn)入時(shí)，以在截面方向上與載置架的厚度重疊的位置關(guān)系、沿鉛垂方向移動(dòng)(升降)，以進(jìn)行基板的交接，因此，能夠盡可能縮小基板收納部的基板的收納空間，實(shí)現(xiàn)裝置的小型化，并且，能夠增大基板的收納數(shù)量，而且能夠提高生產(chǎn)率。在該情況下，通過(guò)將多個(gè)載置架的間隔形成為小于基板搬送單元和基板交接單元的厚度，能夠進(jìn)一步盡可能地縮小基板的收納空間(第二方面)。
(2)根據(jù)本發(fā)明的第三、第四方面，當(dāng)與在基板上涂敷的抗蝕劑膜的種類以及各處理單元中的處理時(shí)間相對(duì)應(yīng)，在抗蝕劑膜的上下的一側(cè)或兩側(cè)上形成防反射膜、或者僅形成抗蝕劑膜而不形成防反射膜的情況下，能夠確保基板在進(jìn)行下一個(gè)處理前待機(jī)，并且，能夠?qū)⒓訜崽幚砗蟮幕謇鋮s。因此，除了(1)的效果以外，還能夠高效地進(jìn)行與在基板上涂敷的抗蝕劑膜的種類和各處理單元的處理時(shí)間對(duì)應(yīng)的復(fù)雜的處理。
(3)根據(jù)本發(fā)明的第五方面，能夠使基板搬送單元的基板支撐部的形狀為最小限度的大小，使基板的支撐和搬送穩(wěn)定，并且，不需要將基板交接單元的基板支撐部的形狀增大到必要以上，能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)支撐和搬送基板，因此，除了上述(1)、(2)的效果以外，還能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)進(jìn)行基板的支撐和搬送，而不需要增大基板搬送單元和基板交接單元。
(4)根據(jù)本發(fā)明的第六方面，能夠根據(jù)需要增減載置架的數(shù)量，因此，除了上述(1)～(3)的效果以外，還能夠與基板的搬送時(shí)間表和處理時(shí)間的改變等相對(duì)應(yīng)而容易地改變基板收納部中載置架的數(shù)量。
(5)根據(jù)本發(fā)明的第七方面，利用基板檢測(cè)傳感器對(duì)基板收納部的各載置架上有無(wú)基板進(jìn)行檢測(cè)，并將該檢測(cè)信號(hào)傳遞至控制單元，控制單元能夠識(shí)別各載置架上有無(wú)基板，并根據(jù)來(lái)自控制單元的控制信號(hào)，將基板向未載置基板的載置架上交接(搬送)，因此，除了上述(1)～(4)的效果以外，還能夠可靠地進(jìn)行基板相對(duì)于基板收納部的交接，從而提高生產(chǎn)率。


圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的基板搬送處理裝置的抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置的一個(gè)例子的概略平面圖。
圖2是上述抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置的概略立體圖。
圖3是上述抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置的概略圖，是僅將處理部的單位塊以平面狀態(tài)重疊顯示的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖4是表示本發(fā)明中的處理塊的單位塊(DEV層)的概略立體圖。
圖5是表示本發(fā)明中的基板收納部和基板交接單元的概略側(cè)面圖。
圖6是表示上述基板收納部的概略立體圖。
圖7是表示本發(fā)明中的載置架和冷卻板的局部分解立體圖。
圖8是表示本發(fā)明中的載置架和基板交接單元的概略平面圖。
圖9是表示本發(fā)明中晶片在基板搬送單元和載置架之間的交接狀態(tài)的概略平面圖。
圖10是表示本發(fā)明中晶片在基板交接單元和載置架之間的交接狀態(tài)的概略平面圖。
圖11是圖9的截面立體圖。
圖12是圖10的截面立體圖。
圖13是表示本發(fā)明中的處理塊的處理單元的一個(gè)例子的概略截面圖。
圖14是表示本發(fā)明中的處理塊的單位塊(COT層)的概略平面圖。
符號(hào)說(shuō)明W半導(dǎo)體晶片(基板)A往復(fù)移送臂(shuttle arm)(基板搬送單元)A1、A3～A5主臂(基板搬送單元)B1、B2第一、第二單位塊(DEV層)B3第三單位塊(BCT層)B4第四單位塊(COT層)B5第五單位塊(TCT層)C 傳送臂(transfer arm)D 交接臂(基板交接單元)S1載體塊(carrier block)S2處理塊R1、R3～R5搬送區(qū)域R2交接區(qū)域U1～U4架單元(處理單元)U5架單元(基板收納部)10a～10d 收納塊11、12開(kāi)口部13載置架13a 板狀臂h 載置架(板狀臂)的厚度14冷卻板(CPL)18a、18b、18c接近銷(proximity pin)(支撐銷)19a 墊片(spacer)19b 連結(jié)螺栓(連結(jié)部件)20載體(carrier)31顯影單元(處理單元)32涂敷單元(處理單元)33第一防反射膜形成單元(處理單元)34第二防反射膜形成單元(處理單元)40基板檢測(cè)傳感器
60臂本體h1臂本體60的厚度61一個(gè)彎曲臂片62另一個(gè)彎曲臂片63支撐爪80臂本體h2臂本體80的厚度具體實(shí)施方式
以下，根據(jù)附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在此，對(duì)將本發(fā)明的基板搬送處理裝置應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片的抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置的情況進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是表示上述抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置的一個(gè)例子的概略平面圖，圖2是表示上述抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置的概略立體圖，圖3是表示上述抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置的概略圖，是僅將處理部的單位塊以平面狀態(tài)重疊顯示的概略結(jié)構(gòu)圖。
上述抗蝕劑涂敷-顯影處理裝置包括用于將密閉地收容有例如13塊作為基板的半導(dǎo)體晶片W(以下稱為晶片W)的載體(carrier)20搬入搬出的載體塊(carrier block)S1；將多個(gè)、例如5個(gè)單位塊B1～B5縱向排列而構(gòu)成的處理塊S2；接口塊(interface block)S3；以及曝光裝置S4。
在上述載體塊S1中設(shè)置有能夠載置多個(gè)(例如4個(gè))載體20的載置臺(tái)21；從該載置臺(tái)21看，設(shè)置在前方的壁面上的開(kāi)關(guān)部22；以及用于經(jīng)由開(kāi)關(guān)部22將晶片W從載體20中取出的傳送臂C。為了在與設(shè)置在構(gòu)成后述的基板收納部的架單元U5中的交接臺(tái)TRS1、TRS2之間進(jìn)行晶片W的交接，該傳送臂C被構(gòu)成為在水平的X和Y方向以及鉛垂的Z方向上自由移動(dòng)、以及圍繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)、自由移動(dòng)。
周圍被框體24包圍的處理塊S2與載體塊S1的內(nèi)側(cè)連接。在該例子中，處理塊S2從下方側(cè)開(kāi)始被分配為下段側(cè)的兩段為用于進(jìn)行顯影處理的第一和第二單位塊(DEV層)B1、B2；用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的下層側(cè)上形成的防反射膜(以下稱為“第一防反射膜”)的形成處理的作為第一防反射膜形成用單位塊的第三單位塊(BCT層)B3；用于進(jìn)行抗蝕劑液涂敷處理的作為涂敷膜形成用單位塊的第四單位塊(COT層)B4；以及用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)上形成的防反射膜(以下稱為“第二防反射膜”)的形成處理的作為第二防反射膜形成用單位塊的第五單位塊(TCT層)B5。在此，上述DEV層B1、B2相當(dāng)于顯影處理用的單位塊，BCT層B3、COT層B4、TCT層B5相當(dāng)于涂敷膜形成用的單位塊。
接著，對(duì)第一～第五單位塊B(B1～B5)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。這些各單位塊B1～B5包括配設(shè)在前面?zhèn)龋糜谙蚓琖涂敷藥液的液處理單元；配設(shè)在背面?zhèn)龋糜谶M(jìn)行在上述液處理單元中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種加熱單元等處理單元；用于在配設(shè)在前面?zhèn)鹊纳鲜鲆禾幚韱卧c配設(shè)在背面?zhèn)鹊募訜釂卧忍幚韱卧g進(jìn)行晶片W的交接的、作為專用的基板搬送單元的主臂A1、A3～A5。
就這些單位塊B1～B5而言，在本例子中，在各單位塊B1～B5之間形成有上述液處理單元、加熱單元等處理單元、和搬送單元的相同的配置布局。在此，所謂配置布局相同是指各處理單元中的載置晶片W的中心相同，即液處理單元中的作為晶片W的保持機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)卡盤(spin chuck)的中心、加熱單元中的加熱板或冷卻板的中心相同。
上述DEV層B1、B2同樣地構(gòu)成，在該情況下，共用地形成。該DEV層B1、B2，如圖1所示，在DEV層B1、B2的大致中央，沿DEV層B1、B2的長(zhǎng)度方向(圖中的Y方向)形成有用于將載體塊S1與接口塊S3連接的晶片W的搬送區(qū)域R1(主臂A1的水平移動(dòng)區(qū)域)。
在從該搬送區(qū)域R1的載體塊S1側(cè)所看到的兩側(cè)，從跟前側(cè)(載體塊S1側(cè))朝向內(nèi)側(cè)，在右側(cè)，作為上述液處理單元，具有用于進(jìn)行顯影處理的多個(gè)顯影處理部的顯影單元31例如設(shè)置有2層。各單位塊中，從跟前側(cè)朝向內(nèi)側(cè)，在左側(cè)依次設(shè)置有將加熱系統(tǒng)的單元多段化的例如四個(gè)架單元U1、U2、U3、U4，在該圖中，將用于進(jìn)行在顯影單元31中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種單元形成為疊層為多段的結(jié)構(gòu)、例如各疊層為3段的結(jié)構(gòu)。這樣，顯影單元31和架單元U1～U4被上述搬送區(qū)域R1分割，通過(guò)向搬送區(qū)域R1噴出清潔空氣并進(jìn)行排氣，抑制該區(qū)域內(nèi)的顆粒的浮游。
用于進(jìn)行上述的前處理和后處理的各種單元中，例如如圖4所示，包括對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行加熱處理的被稱為曝光后烘焙?jiǎn)卧?postexposure baking unit)等的加熱單元(PEB1)；以及用于除去顯影處理后的晶片W的水分而進(jìn)行加熱處理的被稱為后烘焙?jiǎn)卧?post bakingunit)等的加熱單元(POST1)等。這些加熱單元(PEB1、POST1)等各處理單元分別被收容在處理容器51內(nèi)，架單元U1～U4中，上述處理容器51構(gòu)成為各疊層3段，在各處理容器51的面向搬送區(qū)域R1的面上形成有晶片搬入搬出口52。
在上述搬送區(qū)域R1中設(shè)置有上述主臂A1。該主臂A1構(gòu)成為在與DEV層B1內(nèi)的全部模塊(放置晶片W的地方)之間進(jìn)行晶片的交接，例如在與架單元U1～U4的各處理單元、顯影單元31、架單元U5的各部之間進(jìn)行晶片的交接，為此而構(gòu)成為在水平的X、Y方向以及鉛垂的Z方向上自由移動(dòng)、并圍繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)。
另外，上述涂敷膜形成用的單位塊B3～B5均同樣地構(gòu)成，均與上述的顯影處理用的單位塊B1、B2同樣地構(gòu)成。具體地說(shuō)，以COT層B4為例，參照?qǐng)D3、圖13和圖14進(jìn)行說(shuō)明，作為液處理單元，設(shè)置有用于對(duì)晶片W進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的涂敷單元32，在COT層B4的架單元U1～U4中設(shè)置有對(duì)抗蝕劑液涂敷后的晶片W進(jìn)行加熱處理的加熱單元(CLHP4)、以及用于提高抗蝕劑液與晶片W的密著性的疏水化處理單元(ADH)，與DEV層B1、B2同樣地構(gòu)成。即，構(gòu)成為利用主臂A4的搬送區(qū)域R4(主臂A4的水平移動(dòng)區(qū)域)分割涂敷單元32與加熱單元(CLHP4)和疏水化處理單元(ADH)。在該COT層B4中，利用主臂A4相對(duì)于架單元U5的第三收納塊10c的載置架BUF2、冷卻板CPL3(CPL4)、涂敷單元32、以及架單元U1～U4的各處理單元進(jìn)行晶片W的交接。此外，上述疏水化處理單元(ADH)在HMDS氣氛內(nèi)進(jìn)行氣體處理，只要在涂敷膜形成用的單位塊B3～B5的任一個(gè)中設(shè)置即可。
另外，在BCT層B3中，作為液處理單元，設(shè)置有用于對(duì)晶片W進(jìn)行第一防反射膜的形成處理的第一防反射膜形成單元33，在架單元U1～U4中設(shè)置有對(duì)防反射膜形成處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理的加熱單元(CLHP3)，與COT層B4同樣地構(gòu)成。即，構(gòu)成為利用主臂A3的搬送區(qū)域R3(主臂A3的水平移動(dòng)區(qū)域)分割第一防反射膜形成單元33與加熱單元(CLHP3)。在該第三單位塊B3中，利用主臂A3相對(duì)于架單元U5的第二收納塊10b的載置架BUF1、冷卻板CPL1(CPL2)、第一防反射膜形成單元33、以及架單元U1～U4的各處理單元進(jìn)行晶片W的交接。
另外，在TCT層B5中，作為液處理單元，設(shè)置有用于對(duì)晶片W進(jìn)行第二防反射膜的形成處理的第二防反射膜形成單元34，架單元U1～U4除了具有對(duì)防反射膜形成處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理的加熱單元(CLPH5)和周邊曝光裝置(WEE)以外，與COT層B4同樣地構(gòu)成。即，構(gòu)成為利用主臂A5的搬送區(qū)域R5(主臂A5的水平移動(dòng)區(qū)域)分割第二防反射膜形成單元34與加熱單元(CLHP5)和周邊曝光裝置(WEE)。另外，在該TCT層B5中，利用主臂A5，相對(duì)于架單元U5的第四收納塊10d的載置架BUF3、冷卻板CPL5(CPL6)、第二防反射膜形成單元34、以及架單元U1～U4的各處理單元進(jìn)行基板W的交接。
另外，在設(shè)置在架單元U5中的交接臺(tái)TRS2、與接口塊S3側(cè)的架單元U6之間進(jìn)行晶片W的交接的基板搬送單元、即往復(fù)移送臂(shuttlearm)A，在水平的Y方向上自由移動(dòng)、并且在鉛垂的Z方向上自由升降地配設(shè)在處理塊S2中。
此外，往復(fù)移送臂A的搬送區(qū)域與上述主臂A1、A3～A5的搬送區(qū)域R1、R3～R5被分別分割。
另外，處理塊S2與載體塊S1之間的區(qū)域，成為晶片W的交接區(qū)域R2，如圖1所示，在該區(qū)域R2中，在傳送臂C、主臂A1和A3～A5、以及往復(fù)移送臂A能夠訪問(wèn)的位置，設(shè)置有作為基板收納部的架單元U5，并且，具有作為用于相對(duì)于該架單元U5進(jìn)行晶片W交接的基板交接單元的交接臂D。在該情況下，架單元U5被配置在主臂A1和A3～A5、以及往復(fù)移送臂A的水平移動(dòng)方向(Y方向)的軸線上，在主臂A1和A3～A5、以及往復(fù)移送臂A的進(jìn)退方向(Y方向)上設(shè)置有第一開(kāi)口部11，并且，在交接臂D的進(jìn)退方向(X方向)上設(shè)置有第二開(kāi)口部12。
另外，上述架單元U5，如圖3、圖5和圖6所示，為了在與各單位塊B1～B5的主臂A1、A3～A5以及往復(fù)移送臂A之間進(jìn)行晶片W的交接，例如，具有2個(gè)交接臺(tái)TRS1、TRS2，另外，具有用于與單位塊B1～B5相對(duì)應(yīng)的被分割為多個(gè)的收納塊10a～10d，并且，各收納塊10a～10d中具有多個(gè)載置架13；以及用于在抗蝕劑涂敷前將晶片W調(diào)整至規(guī)定溫度、或者用于在防反射膜形成處理前將晶片W調(diào)整至規(guī)定溫度、或者用于將在曝光處理后被加熱的晶片W調(diào)整至規(guī)定溫度的冷卻板14(CPL1～CPL6)。
在該情況下，第一收納塊10a與第一和第二單位塊B1、B2(DEV層)對(duì)應(yīng)，第二收納塊10b與第三單位塊B3(BCT層)對(duì)應(yīng)，第三收納塊10c與第四單位塊B4(COT層)對(duì)應(yīng)，第四收納塊10d與第五單位塊B5(TCT層)對(duì)應(yīng)。另外，如圖6所示，冷卻板14(CPL1～CPL6)被載置在保持基板17上，該保持基板17被架設(shè)在豎立設(shè)置于矩形的底板15上的4根支柱16上。此外，冷卻板14(CPL1～CPL6)能夠使用例如使恒溫的冷卻水在設(shè)置在冷卻板14(CPL1～CPL6)中的制冷劑通路內(nèi)循環(huán)的水冷方式的冷卻板，但也可以是水冷方式以外的方式。
另外，如圖7～圖12所示，載置架13由從架單元U5的一側(cè)突入該架單元U5內(nèi)的多個(gè)板狀臂13a形成。在該情況下，板狀臂13a具有例如在前端以大約120℃的角度分叉的兩分叉部13b，在包含該兩分叉部13b的板狀臂13a的前端部的被同心圓狀等分的3處，突出設(shè)置有與板狀臂13a表面稍微隔開(kāi)間隙例如約0.5mm而支撐晶片W的接近銷(proximity pin)18a、18b、18c，并且，將其中之一的第一銷18a配置成與交接臂D進(jìn)入架單元U5內(nèi)的方向平行。
此外，在上述說(shuō)明中，對(duì)載置架13的板狀臂13a具有兩分叉部13b的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但只要從第一開(kāi)口部11進(jìn)入的主臂的臂本體80與從第二開(kāi)口部12進(jìn)入的交接臂D的臂本體60不干涉，就可以是任意的形狀，例如可以形成為圓形狀。
另外，板狀臂13a以一端安裝在架單元U5的支柱16上、從架單元U5的一側(cè)突入該架單元U5內(nèi)的方式設(shè)置，各板狀臂13a的基端部彼此隔著墊片(spacer)19a由連結(jié)部件、例如連結(jié)螺栓19b，能夠裝卸地呈疊層狀連結(jié)固定(參照?qǐng)D7)。這樣，由連結(jié)螺栓19b將構(gòu)成載置架13的板狀臂13a能夠裝卸地呈疊層狀連結(jié)固定，由此，能夠?qū)?yīng)于處理時(shí)間表或處理時(shí)間，容易地增減載置架13的段數(shù)、即板狀臂13a的數(shù)量。
此外，如圖5所示，構(gòu)成為從架單元U5的載體塊S1側(cè)向架單元U5內(nèi)供給規(guī)定流量的清潔氣體。
上述交接臂D具有，在與上述第一銷18a以外的第二銷18b和第三銷18c不干涉的范圍內(nèi)，一個(gè)彎曲臂片61比另一個(gè)彎曲臂片62更向前端側(cè)延伸的變形馬蹄形狀的臂本體60，并且，在兩臂片61、62的前端側(cè)下部和臂本體60的基部側(cè)下部的3處，設(shè)置有支撐晶片W的支撐爪63。另外，臂本體60的厚度h1與上述板狀臂13a的厚度h形成為大致相同，在交接臂D進(jìn)入架單元U5內(nèi)時(shí)，臂本體60在截面方向上與板狀臂13a的厚度h重疊(參照?qǐng)D12)。
如上所述，通過(guò)將臂本體60的厚度h1與載置架13即板狀臂13a的厚度h形成為大致相同，能夠使載置架13彼此間的空間成為交接臂D的臂本體60能夠在鉛垂方向上移動(dòng)、并在與載置架13的接近銷18a、18b、18c之間進(jìn)行晶片W交接的最小空間，因此，能夠在有限的空間內(nèi)設(shè)置多個(gè)載置架13。另外，通過(guò)將交接臂D形成為，在設(shè)置在載置架13上的3個(gè)接近銷18a、18b、18c所形成的最大寬度側(cè)的第二接近銷18b和第三接近銷18c不干涉的范圍內(nèi)，一個(gè)彎曲臂片61比另一個(gè)彎曲臂片62更向前端側(cè)延伸的變形馬蹄形狀，能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)支撐并搬送晶片W，而不需要將交接臂D的臂本體60增大為必要以上。
另外，如圖8所示，交接臂D構(gòu)成為具有上述彎曲臂片61、62和支撐爪63的臂本體60沿著基臺(tái)64相對(duì)于架單元U5自由進(jìn)退。另外，該基臺(tái)64構(gòu)成為通過(guò)移動(dòng)機(jī)構(gòu)沿著Z軸導(dǎo)軌在Z方向上自由升降，該Z軸導(dǎo)軌被安裝在支撐架單元U5的底板15的與第二開(kāi)口部12相對(duì)的面上。這樣，臂本體60構(gòu)成為在X方向上自由進(jìn)退和自由升降，并能夠在與架單元U5的各收納塊10a～10d、以及交接臺(tái)TRS1、TRS2之間進(jìn)行晶片W的交接。這樣的交接臂D根據(jù)來(lái)自后述的控制部70的指令，由未圖示的控制器控制驅(qū)動(dòng)。
上述主臂A1和A3～A5以及往復(fù)移送臂A基本上同樣地構(gòu)成，以往復(fù)移送臂A為例進(jìn)行說(shuō)明，如圖9所示，往復(fù)移送臂A包括具有一對(duì)彎曲臂片81的馬蹄形狀的臂本體80，該一對(duì)彎曲臂片81與接近銷18a、18b、18c所形成的最窄寬度側(cè)的接近銷18a、以及18b、18c不干涉，并且，在各彎曲臂片81的前端部以及基端部側(cè)下部的4處設(shè)置有支撐晶片W的支撐爪82。此外，臂本體80的厚度h2和上述板狀臂13a的厚度h，形成為與交接臂D大致相同，當(dāng)往復(fù)移送臂A進(jìn)入架單元U5內(nèi)時(shí)，臂本體80在截面方向上與板狀臂13a的厚度h重疊(參照?qǐng)D11)。
因此，與交接臂D的情況同樣，能夠使載置架13彼此間的空間成為往復(fù)移送臂A的臂本體80能夠沿鉛垂方向移動(dòng)、并在與載置架13的接近銷18a、18b、18c之間進(jìn)行晶片W的交接的最小空間，因此能夠在有限的空間內(nèi)設(shè)置多個(gè)載置架13。另外，往復(fù)移送臂A在馬蹄形狀的臂本體80的4處設(shè)置有支撐爪82，因此能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)支撐并搬送晶片W。
此外，上述多個(gè)載置架13的間隔形成為小于交接臂D的臂本體60的厚度h1和主臂A的臂本體80的厚度h2。由此，能夠使架單元U5的收納空間盡可能地縮小，從而，收納在架單元U5內(nèi)的晶片W的數(shù)量增大，或者，在晶片W的收納數(shù)量少的情況下實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。
此外，主臂A1(A3～A5)同樣地構(gòu)成，以主臂A1為代表進(jìn)行說(shuō)明，例如，如圖4所示，包括具有用于支撐晶片W的背面?zhèn)戎苓厖^(qū)域的2根彎曲臂片81的臂本體80，這些彎曲臂片81構(gòu)成為沿著基臺(tái)83相互獨(dú)立地自由進(jìn)退。另外，該基臺(tái)83構(gòu)成為通過(guò)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)84圍繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)，并且，構(gòu)成為通過(guò)移動(dòng)機(jī)構(gòu)85沿Y軸導(dǎo)軌87在Y方向上自由移動(dòng)并沿著升降導(dǎo)軌88自由升降，該Y軸導(dǎo)軌87被安裝在支撐架單元U1～U4的臺(tái)部86的與搬送區(qū)域R1相對(duì)的面上。這樣，彎曲臂片81構(gòu)成為在X方向上自由進(jìn)退、在Y方向上自由移動(dòng)、自由升降以及圍繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)，能夠在與架單元U1～U6的各單元、交接臺(tái)TRS3、液處理單元之間進(jìn)行晶片W的交接。這樣的主臂A1，根據(jù)來(lái)自控制部70的指令，通過(guò)未圖示的控制器控制驅(qū)動(dòng)。另外，為了防止主臂A1(A3～A5)在加熱單元中蓄積熱量，能夠利用程序任意地控制晶片W的接收順序。
另外，在上述處理塊S2與接口塊S3相鄰的區(qū)域，如圖1和圖3所示，在主臂A1、往復(fù)移送臂A能夠訪問(wèn)的位置，設(shè)置有架單元U6。該架單元U6，如圖3所示，為了在與各DEV層B1、B2的主臂A1之間進(jìn)行晶片W的交接，在本例子中，各DEV層B1、B2包括2個(gè)交接臺(tái)TRS3；和在與往復(fù)移送臂A之間進(jìn)行晶片W的交接的具有冷卻功能的交接臺(tái)ICPL。
此外，圖13表示這些處理單元的布局的一個(gè)例子，在該布局中，為了方便，處理單元不限于加熱單元(CLHP、PEB、POST)、疏水化處理裝置(ADH)、周邊曝光裝置(WEE)，也可以設(shè)置其他單元，在實(shí)際的裝置中，考慮各處理單元的處理時(shí)間等，決定單元的設(shè)置數(shù)量。
另一方面，曝光裝置S4通過(guò)接口塊S3與處理塊S2的架單元U6的內(nèi)側(cè)連接。接口塊S3中包括用于相對(duì)于處理塊S2的DEV層B1、B2的架單元U6的各部和曝光裝置S4進(jìn)行晶片W的交接的接口臂(interface arm)E。該接口臂E構(gòu)成介于處理塊S2與曝光裝置S4之間晶片W的搬送單元，在本例子中，為了相對(duì)于上述DEV層B1、B2的交接臺(tái)TRS3、ICPL進(jìn)行晶片W的交接，構(gòu)成為在水平的X、Y方向和鉛垂的Z方向上自由移動(dòng)、并圍繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)。
在上述構(gòu)成的抗蝕劑涂敷-顯像處理裝置中，在疊層成5段的各單元塊B1～B5間，由上述交接臂D，分別通過(guò)交接臺(tái)TRS1、TRS2，能夠自由地進(jìn)行晶片W的交接，并由上述的接口臂E，通過(guò)顯像處理用的單位塊B1、B2，在處理塊S2和曝光裝置S4之間，能夠進(jìn)行晶片W的交接。
以下，針對(duì)如上所述構(gòu)成的抗蝕劑涂敷-顯像處理裝置中的晶片W的搬送處理方式，參照?qǐng)D1～圖4和圖13進(jìn)行說(shuō)明。此外，這里，針對(duì)以下的情形進(jìn)行說(shuō)明在架單元U5的收納塊10a～10d的最下段的第一收納塊10a上，配置有兩段的冷卻板CPL9、CPL10，在其上段的第二收納塊10b上配置有兩段的冷卻板CPL1、CPL2和多個(gè)載置架13(BUF1)，在其上段的第三收納塊10c上配置有兩段的冷卻板CPL3、CPL4和多個(gè)載置架13(BUF2)，另外，其上段即最上段的第四收納塊10d上配置兩段的冷卻板CPL5、CPL6和多個(gè)載置架13(BUF3)。
沒(méi)有防反射膜的搬送處理方式首先，載體20從外部被搬入載體塊S1，通過(guò)傳送臂C從該載體20內(nèi)將晶片W取出。晶片W通過(guò)傳送臂C被搬送至架單元U5的交接臺(tái)TRS1后，通過(guò)交接臂D被搬送至架單元U5的第三收納塊10c的冷卻板CPL3上，并通過(guò)該冷卻板CPL3被交接至COT層B4的主臂A4上。之后，晶片W通過(guò)主臂A4被搬送至疏水化處理單元(ADH)并進(jìn)行疏水化處理后，再次被搬送至架單元U5的第三收納塊10c的冷卻板CPL4上，并被調(diào)整至規(guī)定溫度。之后，通過(guò)主臂A4從架單元U5取出的晶片W，被搬送至涂敷單元32，在涂敷單元32形成抗蝕劑膜。形成抗蝕劑膜的晶片W，通過(guò)主臂A4被搬送至加熱單元(CLHP4)，進(jìn)行用于使溶劑從抗蝕劑膜蒸發(fā)的預(yù)烘焙。之后，晶片W通過(guò)主臂A4被搬送至架單元U5的第三收納塊10c的載置架BUF2上并暫時(shí)等候，之后，交接臂D進(jìn)入架單元U5的第三收納塊10c的載置架BUF2接收晶片W，并交接至架單元U5的交接臺(tái)TRS2。接著，通過(guò)往復(fù)移送臂A被搬送至架單元U6的交接臺(tái)ICPL。然后，交接臺(tái)ICPL的晶片W通過(guò)接口臂E被搬送至曝光裝置S4，并在此處進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
曝光處理后的晶片W，為了通過(guò)接口臂E將晶片W交接至DEV層B1(或DEV層B2)而被搬送至架單元U6的交接臺(tái)TRS3，該臺(tái)TRS3上的晶片W被DEV層B1(DEV層B2)的主臂A1接收，在該DEV層B1(DEV層B2)中，首先利用加熱單元(PEB1)進(jìn)行加熱處理后，主臂A1被搬送至架單元U6的冷卻板CPL7(CPL8)，并被調(diào)整至規(guī)定溫度。之后，晶片W通過(guò)主臂A1從架單元U6被取出并被搬送至顯影單元31，并涂敷顯影液。之后，通過(guò)主臂A1被搬送至加熱單元(POST1)，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。為了將晶片W交接至傳送臂C，如上進(jìn)行顯影處理的晶片W，被搬送至架單元U5的第一收納塊10a的冷卻板CPL9(CPL10)，并被調(diào)整至規(guī)定溫度后，通過(guò)傳送臂C被返回至載置于載體塊S1上的原載體20。
<在抗蝕劑膜的下側(cè)形成防反射膜的搬送處理方式>
首先，載體20從外部被搬入載體塊S1，通過(guò)傳送臂C從該載體20內(nèi)將晶片W取出。晶片W從傳送臂C被交接至交接臂D后，通過(guò)交接臂D搬送至架單元U5的第二收納塊10b的冷卻板CPL1，通過(guò)該冷卻板CPL1交接至BCT層B3的主臂A3上。
然后在BCT層B3上，通過(guò)主臂A3按照以下順序被搬送第一防反射膜形成單元33→加熱單元(CLHP3)→架單元U5的第二收納塊10b的載置架BUF1，形成第一防反射膜。載置在第二收納塊10b內(nèi)的載置架BUF1上的晶片W，通過(guò)交接臂D被搬送至第三收納塊10c的冷卻板CPL3(CPL4)上，并被調(diào)整至規(guī)定溫度。
然后，第三收納塊10c的晶片W通過(guò)主臂A4按照以下順序被搬送涂敷單元32→加熱單元CLHP4→架單元U5的第三收納塊10c的載置架BUF2，在第一防反射膜的上層形成抗蝕劑膜。
之后，交接臂D進(jìn)入架單元U5的第三收納塊10c的載置架BUF2接收晶片W，并交接至架單元U5的交接臺(tái)TRS2上。接著，通過(guò)往復(fù)移送臂A被搬送至架單元U6的交接臺(tái)ICPL。接著，交接臺(tái)ICPL的晶片W通過(guò)接口臂E被搬送至曝光裝置S4并在此處進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
曝光處理后的晶片W，通過(guò)接口臂E按照以下順序被搬送架單元U6的交接臺(tái)TRS3→加熱單元(PEB1)→架單元U6的冷卻板CPL7(CPL8)→顯影單元31→加熱單元(POST1)，并進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。為了將晶片W交接至往復(fù)移送臂C，進(jìn)行了上述顯影處理的晶片W，被搬送至架單元U5的第一收納塊10a的冷卻板CPL9(CPL10)并被調(diào)整至規(guī)定溫度后，通過(guò)傳送臂C被返回載置于載體塊S1的原載體20內(nèi)。
<在抗蝕劑膜的上側(cè)形成防反射的搬送處理方式>
首先，載體20從外部被搬入載體塊S1，通過(guò)傳送臂C從該載體20內(nèi)將晶片W取出。晶片W通過(guò)傳送臂C被搬送至架單元U5的交接臺(tái)TRS1后，通過(guò)交接臂D被搬送至架單元U5的第三收納塊10c的冷卻板CPL3上，并通過(guò)該冷卻板CPL3被交接至COT層B4的主臂A4上。之后，晶片W，通過(guò)主臂A4被搬送至疏水化處理單元(ADH)→架單元U5的第三收納塊10c的冷卻板CPL4，并被調(diào)整至規(guī)定的溫度。之后，通過(guò)主臂A4從架單元U5取出的晶片W，被搬送至涂敷單元32，在涂敷單元32形成抗蝕劑膜。形成抗蝕劑膜的晶片W，通過(guò)主臂A4被搬送至加熱單元(CLHP4)，進(jìn)行用于使溶劑從抗蝕劑膜蒸發(fā)的預(yù)烘焙。之后，晶片W通過(guò)主臂A4被收納至架單元U5的第三收納塊10c的載置架BUF2上并暫時(shí)等候。
接著，第三收納塊10c上的晶片W，通過(guò)交接臂D被搬送至架單元U5的第四收納塊10d的冷卻板CPL5(CPL6)，被調(diào)整至規(guī)定溫度后，被交接至TCT層B5的主臂A5。然后，在TCT層B5上，通過(guò)主臂A5按照以下順序被搬送第二防反射膜形成單元34→加熱單元(CLHP5)→架單元U5的第四收納塊10d的載置棚BUF3，形成第二防反射膜。此外，此時(shí)也可以通過(guò)加熱單元(CLHP5)在加熱處理后搬送至周邊曝光裝置(WEE)，進(jìn)行周邊曝光處理后，搬送至架單元U5的第四收納塊10d的載置架BUF3上。
之后，交接臂D進(jìn)入架單元U5的第四收納塊10d的載置架BUF3接收晶片W，并交接至架單元U5的交接臺(tái)TRS2上。接著，通過(guò)往復(fù)移送臂A被搬送至架單元U6的交接臺(tái)ICPL。接著，交接臺(tái)ICPL的晶片W通過(guò)接口臂E被搬送至曝光裝置S4并在此處進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
曝光處理后的晶片W，通過(guò)接口臂E按照以下順序被搬送架單元U6的交接臺(tái)TRS3→加熱單元(PEB1)→架單元U6的冷卻板CPL7(CPL8)→顯影單元31→加熱單元(POST1)，并進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。為了將晶片W交接至傳送臂C，進(jìn)行了上述顯影處理的晶片W，被搬送至架單元U5的第一收納塊10a的冷卻板CPL9(CPL10)并被調(diào)整至規(guī)定溫度后，通過(guò)傳送臂C被返回載置于載體塊S1的原載體20內(nèi)。
<在抗蝕劑膜的下側(cè)和上側(cè)形成防反射膜的搬送處理方式>
在抗蝕劑膜的下側(cè)和上側(cè)形成防反射膜時(shí)，將在上述抗蝕劑膜的下側(cè)形成防反射膜的搬送處理與在抗蝕劑膜的下側(cè)形成防反射膜的搬送處理組合，能夠在抗蝕劑膜的下側(cè)和上側(cè)形成防反射膜。即，首先，載體20從外部被搬入載體塊S1，通過(guò)傳送臂C從該載體20內(nèi)將晶片W取出，交接至交接臂D后，通過(guò)交接臂D搬送至架單元U5的第二收納塊10b的冷卻板CPL1，通過(guò)該冷卻板CPL1交接至BCT層B3的主臂A3上。
然后在BCT層B3上，通過(guò)主臂A3按照以下順序被搬送第一防反射膜形成單元33→加熱單元(CLHP3)→架單元U5的第二收納塊10b的載置架BUF1，形成第一防反射膜。載置在第二收納塊10b內(nèi)的載置架BUF1上的晶片W，通過(guò)交接臂D被搬送至第三收納塊10c的冷卻板CPL3(CPL4)上，并被調(diào)整至規(guī)定溫度。
然后，第三收納塊10c的晶片W通過(guò)主臂A3按照以下順序進(jìn)行搬送涂敷單元32→加熱單元CLHP4→架單元U5的第三收納塊10c的載置架BUF2，在第一防反射膜的上層形成抗蝕劑膜。
接著，第三收納塊10c的晶片W，通過(guò)交接臂D被搬送至架單元U5的第四收納塊10d的冷卻板CPL5(CPL6)，并被調(diào)整至規(guī)定溫度后，交接至TCT層B5的主臂A5。然后，TCT層B5通過(guò)主臂A5按照以下順序被搬送第二防反射膜形成單元34→加熱單元(CLHP5)→架單元U5的第四收納塊10d的載置棚BUF3，在抗蝕劑膜的上層形成第二防反射膜。另外，此時(shí)也可以通過(guò)加熱單元(CLHP5)加熱處理后搬送至周邊曝光裝置(WEE)，進(jìn)行周邊曝光處理后，搬送至架單元U5的第四收納塊10c的載置架BUF3上。
之后，交接臂D進(jìn)入架單元U5的第四收納塊10d的載置架BUF3接收晶片W，并交接至架單元U5的交接臺(tái)TRS2上。接著，通過(guò)往復(fù)移送臂A搬送至架單元U6的交接臺(tái)ICPL。接著，交接臺(tái)ICPL的晶片W通過(guò)接口臂E搬送至曝光裝置S4，并在此進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
曝光處理后的晶片W，通過(guò)接口臂E按照以下順序被搬送架單元U6的交接臺(tái)TRS3→加熱單元(PEB1)→架單元U6的冷卻板CPL7(CPL8)→顯影單元31→加熱單元(POST1)，并進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。為了將晶片W交接至傳送臂C，進(jìn)行了上述顯影處理的晶片W，被搬送至架單元U5的第一收納塊10a的冷卻板CPL9(CPL10)并被調(diào)整至規(guī)定溫度后，通過(guò)傳送臂C返回載置于載體塊S1的原載體20。
以上，上述涂敷·顯影處理裝置具有由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部70，該計(jì)算機(jī)進(jìn)行以下操作各處理單元的方案的管理、晶片W的搬送流程(搬送路徑)的時(shí)間表管理、各處理單元中的處理、主臂A1、A3～A5、傳送臂C、交接臂D、接口臂E的驅(qū)動(dòng)控制，在該控制部70中，使用單位塊B1～B5對(duì)晶片W進(jìn)行搬送、處理。
上述搬送流程的時(shí)間表是指定單位塊內(nèi)的晶片W的搬送路徑(搬送的順序)的時(shí)間表，每個(gè)單位塊B1～B5根據(jù)形成的涂敷膜的種類作成，據(jù)此，每個(gè)單位塊B1～B5的多個(gè)搬送流程的時(shí)間表被收納在控制部70。
另外，根據(jù)形成的涂敷膜，包括以下搬送模式將晶片W搬送至全部單位塊B1～B5的搬送模式；將晶片W搬送至進(jìn)行顯影處理的單位塊(DEV層B1、B2)、進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷的單位塊(COT層B4)和用于形成第一防反射膜的單位塊(BCT層B3)的搬送模式；將晶片W搬送至進(jìn)行顯影處理的單位塊(DEV層B1、B2)、進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷的單位塊(COT層B4)和用于形成第二防反射膜的單位塊(TCT層B5)的搬送模式；僅將晶片W搬送至進(jìn)行顯影處理的單位塊(DEV層B1、B2)的搬送模式。通過(guò)控制部70的模式選擇部件，根據(jù)將要形成的涂敷膜的種類選擇搬送晶片W的單位塊，同時(shí)，通過(guò)從針對(duì)每個(gè)被選擇的單位塊而準(zhǔn)備的多個(gè)搬送流程的時(shí)間表中選擇最佳方案，根據(jù)形成的涂敷膜而選擇所使用的單位塊，在該單位塊中，各處理單元或臂的驅(qū)動(dòng)被控制，并進(jìn)行一系列的處理。
這種涂敷·顯影處理裝置，由于將各涂敷膜形成用的單位塊和顯影處理用的單位塊設(shè)置在不同區(qū)域，分別設(shè)置了專用的主臂A1、A3～A5和往復(fù)移送臂A，因此減輕了這些主臂A1、A3～A5和往復(fù)移送臂A的負(fù)荷。因此，由于提高了主臂A1、A3～A5和往復(fù)移送臂A的搬送效率，其結(jié)果能夠提高生產(chǎn)率。
另外，通過(guò)將上述交接臂D和主臂A1、A3～A5、往復(fù)移送臂A的臂本體60(80)的厚度h1、h2與上述載置架13(板狀臂13a)的厚度h設(shè)為大致相同的厚度，由于交接臂D和主臂A1、A3～A5、往復(fù)移送臂A的臂本體60(80)形成為分別以與載置架13(板狀臂13a)的厚度h在截面方向重合的位置關(guān)系，能夠進(jìn)退地形成在架單元U5，因此，不需要提高架單元U5，就能夠增加載置架13的數(shù)量，能夠節(jié)省空間。
此外，上述實(shí)施方式，針對(duì)載置架13突出設(shè)置支持晶片W的接近銷18a、18b、18c的情況進(jìn)行了說(shuō)明，也可以不用接近銷18a、18b、18c而在載置架13上設(shè)置吸附孔，選擇在吸附孔上連接真空裝置的真空吸附方式。
此外，在上述實(shí)施方式中，也可以根據(jù)上述架單元U5的第二～第四收納塊10b、10c、10d中各載置架13(BUF1～BUF3)的晶片W的有無(wú)狀況將晶片W搬送(交接)至架單元U5。即，如圖1和圖14所示，在各載置架13上設(shè)置檢測(cè)晶片W有無(wú)的例如靜電容量式的基板檢測(cè)傳感器40，將通過(guò)該基板檢測(cè)傳感器40檢測(cè)的信號(hào)傳達(dá)至作為控制單元的控制部70，通過(guò)控制部70確定架單元U5的收納塊10b～10d的晶片W的收納狀況。另外，也可以根據(jù)來(lái)自控制部70的控制信號(hào)使主臂A3～A5動(dòng)作，在沒(méi)有晶片W的空的載置架13上進(jìn)行晶片W的交接(搬送)。由此，晶片W的交接(搬送)能夠確實(shí)的進(jìn)行，可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提高。
另外，盡管上述實(shí)施方式，針對(duì)將本發(fā)明的基板搬送處理裝置應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片的抗蝕劑涂敷-顯影處理系統(tǒng)的情形進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明的基板搬送處理裝置不言而喻同樣適用于LCD玻璃基板的抗蝕劑涂敷-顯影處理系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種基板搬送處理裝置，其特征在于，包括配置能夠收容多塊基板的載體的載體塊；具有對(duì)從所述載體中取出的基板進(jìn)行適當(dāng)處理的處理單元的處理塊；在所述處理塊內(nèi)、將從所述載體塊搬送的基板交接至所述處理單元的至少能夠沿鉛垂方向和水平方向移動(dòng)的基板搬送單元；配置在所述載體塊與處理塊之間，能夠收納多塊基板的基板收納部；和能夠在與所述載體塊之間進(jìn)行基板的交接，將所述基板交接至所述基板收納部的至少能夠沿鉛垂方向和水平方向移動(dòng)的基板交接單元，其中，所述基板收納部具有能夠從所述基板搬送單元與基板交接單元交叉的兩個(gè)方向進(jìn)行基板交接的開(kāi)口部，并且，將支撐基板下面的多個(gè)載置架相互隔開(kāi)間隔而疊層，所述基板搬送單元和基板交接單元分別形成為能夠以在截面方向上與所述載置架的厚度重疊的位置關(guān)系相對(duì)于基板收納部進(jìn)退。
2.如權(quán)利要求1所述的基板搬送處理裝置，其特征在于所述多個(gè)載置架的間隔形成為小于所述基板搬送單元和基板交接單元的厚度。
3.如權(quán)利要求2所述的基板搬送處理裝置，其特征在于所述處理塊包括在基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜的涂敷膜形成用處理單元；用于將防反射膜用的藥液涂敷在基板上的防反射膜形成用處理單元；以及對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理單元，所述基板收納部包括將基板冷卻的冷卻板。
4.如權(quán)利要求3所述的基板搬送處理裝置，其特征在于所述處理塊將以下的塊疊層利用基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割涂敷膜形成用處理單元和加熱處理單元的涂敷膜形成用單位塊；利用所述基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割在涂敷膜的下側(cè)形成防反射膜的第一防反射膜形成用單元和加熱處理單元的第一防反射膜形成用單位塊；以及利用所述基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割在涂敷膜的上側(cè)形成防反射膜的第二防反射膜形成用單元和加熱處理單元的第二防反射膜形成用單位塊，所述基板收納部具有用于與所述涂敷膜形成用單位塊、第一防反射膜形成用單位塊和第二防反射膜形成用單位塊相對(duì)應(yīng)的被分割為多個(gè)的收納塊，并且，各收納塊中具有多個(gè)載置架和冷卻板。
5.如權(quán)利要求1所述的基板搬送處理裝置，其特征在于所述處理塊包括在基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜的涂敷膜形成用處理單元；用于將防反射膜用的藥液涂敷在基板上的防反射膜形成用處理單元；以及對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理單元，所述基板收納部包括將基板冷卻的冷卻板。
6.如權(quán)利要求5所述的基板搬送處理裝置，其特征在于所述處理塊將以下的塊疊層利用基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割涂敷膜形成用處理單元和加熱處理單元的涂敷膜形成用單位塊；利用所述基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割在涂敷膜的下側(cè)形成防反射膜的第一防反射膜形成用單元和加熱處理單元的第一防反射膜形成用單位塊；以及利用所述基板搬送單元的水平移動(dòng)區(qū)域分割在涂敷膜的上側(cè)形成防反射膜的第二防反射膜形成用單元和加熱處理單元的第二防反射膜形成用單位塊，所述基板收納部具有用于與所述涂敷膜形成用單位塊、第一防反射膜形成用單位塊和第二防反射膜形成用單位塊相對(duì)應(yīng)的被分割為多個(gè)的收納塊，并且，各收納塊中具有多個(gè)載置架和冷卻板。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板搬送處理裝置，其特征在于所述載置架中，在從所述基板收納部的一側(cè)突入該基板收納部?jī)?nèi)的板狀臂的前端部的被同心圓狀等分的3處，突出設(shè)置有與板狀臂的表面稍微隔開(kāi)間隙而支撐基板的銷，并且，將其中之一的第一銷配置成與基板交接單元進(jìn)入基板收納部?jī)?nèi)的方向平行，所述基板搬送單元具有，在與所述第一銷以外的第二和第三銷不干涉的范圍內(nèi)，一個(gè)彎曲臂片比另一個(gè)彎曲臂片更向前端側(cè)延伸的變形馬蹄形狀的臂本體，并且，在兩臂片的前端側(cè)下部和臂本體的基部側(cè)下部的三處，設(shè)置有支撐基板的支撐爪。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板搬送處理裝置，其特征在于所述載置架由從所述基板收納部的一側(cè)突入該基板收納部?jī)?nèi)的板狀臂構(gòu)成，各板狀臂彼此隔著墊片由連結(jié)部件能夠裝卸地呈疊層狀連結(jié)固定。
9.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板搬送處理裝置，其特征在于設(shè)置有檢測(cè)所述基板收納部的各載置架上有無(wú)基板的基板檢測(cè)傳感器，并且具有根據(jù)由該基板檢測(cè)傳感器檢測(cè)出的信號(hào)，控制基板搬送單元將基板交接至所述基板收納部的動(dòng)作的控制單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種盡可能縮小基板收納部的基板的收納空間，以實(shí)現(xiàn)裝置的小型化、增大基板的收納數(shù)量，并且提高生產(chǎn)率的基板搬送處理裝置。該基板搬送處理裝置包括配置收容晶片的載體的載體塊；具有晶片的處理單元的處理塊；將晶片交接至處理單元的主臂；配置在載體塊和處理塊之間，能夠收納晶片的架單元；以及將晶片交接至架單元的交接臂。架單元具有能夠從主臂與交接臂交叉的兩個(gè)方向進(jìn)行晶片交接的開(kāi)口部，并且，將支撐晶片的多個(gè)載置架相互隔開(kāi)間隔而疊層，將主臂和交接臂形成為以在截面方向上與載置架的厚度重疊的位置關(guān)系相對(duì)于基板收納部進(jìn)退。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101060093SQ200710101348
公開(kāi)日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月19日
發(fā)明者田上光廣, 榎木田卓 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社