專利名稱:導電性膏劑及使用所述導電性膏劑的電子部件的制造方法
技術領域:
本發(fā)明涉及例如雙壓電晶片(bimorph)型壓電元件的電極使用的導電性膏劑,尤其涉及能夠?qū)崿F(xiàn)所述電極和基板(壓電體)之間良好的密接性、低電阻、以及防止所述基板出現(xiàn)裂紋等的導電性膏劑以及使用了所述導電性膏劑的電子部件的制造方法。
背景技術:
壓電元件的電極材料使用例如具有銀的導電涂膜。所述壓電元件例如用作冷卻水循環(huán)泵的隔膜。
但是,在所述電極含有銀的情況下,存在產(chǎn)生離子遷移的問題。尤其是如上所述,在直接或經(jīng)由樹脂薄膜等與流體接觸的環(huán)境下,顯著產(chǎn)生離子遷移。若使用在所述銀的基礎上還含有鈀的導電涂膜,則多少可以抑制離子遷移的產(chǎn)生,但還達不到實際應用。
因此,例如下述專利文獻那樣,若利用金或鉑等金屬形成所述電極,則可以適當?shù)胤乐股鲜龅碾x子遷移的產(chǎn)生。
專利文獻1日本特開平11-346013號公報專利文獻2日本特開2002-246258號公報專利文獻3日本特開2002-293624號公報專利文獻4日本特開2005-51840號公報專利文獻5日本特開2005-39178號公報但是,在由金或鉑等金屬形成了所述電極的情況下,所述電極和壓電體之間的密接性非常差。
所述壓電體由PZT(鈦酸鉛(PbTiO3)和鋯酸鉛(PbZrO3)的固溶體)形成,含有大量的氧。
所述金或鉑難以被氧化,即是難以和氧化合的金屬,所以即使在所述壓電體上形成金的電極,所述電極和壓電體之間的界面的結合也很弱,容易脫落。
在上述各專利文獻中,公開了例如利用金樹脂酸鹽(resinate)等金屬樹脂酸鹽形成所述電極的技術。但是,即使在使用了金屬樹脂酸鹽的情況下,也無法適當改善和所述壓電體的密接性。密接性差在后述的實驗中得到證明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有的問題而提出的,其目的在于提供一種特別是能夠?qū)崿F(xiàn)所述電極和基板(壓電體)之間良好的密接性、低電阻、以及防止所述基板出現(xiàn)裂紋等的導電性膏劑以及使用了所述導電性膏劑的電子部件的制造方法。
本發(fā)明的導電性膏劑是具有金的有機化合物和玻璃成分的膏劑。
在使用本發(fā)明的導電性膏劑在基板上形成導電膜(電極)時,能夠使所述導電膜和基板之間的密接性得到很大的提高。另外由于沒有使用銀,所以不會發(fā)生離子遷移。另外,能夠減小所述導電膜的電阻,進而如壓電元件那樣使其振動來使用時,也可以適當?shù)胤乐乖诨?例如壓電體)上產(chǎn)生裂紋。
在本發(fā)明中,優(yōu)選含有的所述玻璃成分相對于金的全部質(zhì)量在4質(zhì)量%~35質(zhì)量%。根據(jù)后述的實驗,能夠改善和所述基板的密接性,并且可以實現(xiàn)低電阻。
在本發(fā)明中,含有的所述玻璃成分在8質(zhì)量%以上時,能夠進一步有效提高和所述基板的密接性,所以更優(yōu)選。
另外,在本發(fā)明中,含有的所述玻璃成分在32質(zhì)量%以下時,可以實現(xiàn)進一步的低電阻,更加優(yōu)選。
另外在本發(fā)明中,所述玻璃成分的平均粒徑更優(yōu)選在1μm以下。如此,通過由平均粒徑在1μm以下的微粉末形成所述玻璃成分,能夠更加有效地提高和所述基板的密接性。
本發(fā)明提供一種電子部件的制造方法,該電子部件具有基板和在基板表面形成的電極,其中,在所述基板表面上,利用上述任一項所述的導電性膏劑形成了電極圖案之后,燒成所述導電性膏劑形成所述電極。
在本發(fā)明中,能夠使所述電極和基板之間的密接性得到很大的提高。另外,由于所述電極沒有使用銀,所以不會發(fā)生離子遷移。另外,能夠減小所述電極的電阻。
另外,所述電子部件是壓電元件,其構成為具有金屬板;在所述金屬板的至少一方形成的作為所述基板的壓電體;以及在所述壓電體的兩面形成的所述電極,若如此則效果更好。即,在上述效果之外,還能夠適當防止在振動的所述壓電元件上產(chǎn)生裂紋。
圖1是雙壓電晶片型壓電元件的立體圖;圖2是由圖1所示的圖2-圖2線在厚度方向上切斷并從箭頭方向觀察的所述雙壓電晶片型壓電元件的局部剖視圖;圖3A、圖3B是用于說明使用了所述雙壓電晶片型壓電元件的隔膜泵的原理的說明圖;圖4是由實施例1(金樹脂酸鹽+玻璃8%)的導電性膏劑形成的電極表面的電子顯微鏡照片;圖5是由實施例4(金樹脂酸鹽+微粉末玻璃8%)的導電性膏劑形成的電極表面的電子顯微鏡照片;圖6是由實施例7(金樹脂酸鹽+微粉末玻璃32%)的導電性膏劑形成的電極表面的電子顯微鏡照片。
具體實施例方式
圖1是雙壓電晶片型壓電元件的立體圖,圖2是由圖1所示的圖2-圖2線在厚度方向上切斷并從箭頭方向觀察的所述雙壓電晶片型壓電元件的局部剖視圖,圖3A、圖3B是用于說明使用了所述雙壓電晶片型壓電元件的隔膜泵的原理的說明圖。
圖1、圖2所示的雙壓電晶片型壓電元件1具有圓形狀的金屬板2;在所述金屬板2的兩面設置的同樣是圓形狀的壓電體3、4。另外,也可以在所述壓電體3、4的外側表面設有絕緣性的蓋薄膜(沒有圖示)。
所述金屬板2例如由42合金等NiFe合金、Cu或含有Cu的合金等形成。所述金屬板2的厚度是300μm左右。
所述壓電體3、4由PZT[鈦酸鉛(PbTiO3)和鋯酸鉛(PbZrO3)的固溶體,以下,記為Pb(Zr1/2Ti1/2)O3]、PZN(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3)、或者PNN(Pb(Ni1/3Nb2/3)O3)、或者它們兩種以上的組合等形成。若表示一個例子,則由[Pb(Zr1/2Ti1/2)O3]0.6+[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]0.16+[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]0.24形成。根據(jù)用途改變各元素的比率。
所述壓電體3、4表面的中心線平均粗糙度Ra是0.1~0.2μm左右。所述壓電體3、4的厚度是300μm左右。
所述壓電體3、4都在厚度方向的同一方向上被極化處理。
如圖2所示,在各壓電體3、4的兩面,形成有電極5、6、7、8。在所述壓電體3、4上形成的內(nèi)側電極6、7經(jīng)由粘結層(沒有圖示)粘結固定于所述金屬板2。
在所述金屬板2上配置共用電極,在所述壓電體3的外側電極5、以及所述壓電體4的外側電極8上分別配置端子,若對所述壓電體3、4施加電壓,則向膜面方向的伸縮因所述壓電體3和所述壓電體4而相反。而且,如圖3A所示,所述壓電元件1向上方向膨脹變形,或者如圖3B所示,所述壓電元件1向下方向凹陷變形。通過對所述壓電元件1施加交流電,反復進行圖3A的變形、圖3B的變形,所述壓電元件1振動。
如圖3A、圖3B所示,在所述壓電元件1上設有上側泵室13,在所述壓電元件1的下方設有下側泵室23。在吸入口31和所述上側泵室13之間設有吸入側止回閥11。另外,在吸入口31和所述下側泵室23之間設有吸入側止回閥21。所述吸入側止回閥11、21,允許流體從所述吸入口31向所述泵室13、23的流動,但禁止其相反的流動。另外,在所述噴出口32和所述上側泵室13之間設有噴出側止回閥12。另外,在噴出口32和所述下側泵室23之間設有噴出側止回閥22。所述噴出側止回閥12、22允許流體從所述泵室13、23向所述噴出口32的流動,但禁止其相反的流動。
在圖3A中,所述壓電元件(隔膜)1向上方膨脹變形,所述上側泵室13的容積減少,并且所述下側泵室23的容積增大。此時,所述吸入側止回閥21打開,流體從所述吸入口31向所述下側泵室23流入,另一方面,所述噴出側止回閥12打開,所述上側泵室13內(nèi)的流體向所述噴出口32流出。
另外,在圖3B中,所述壓電元件(隔膜)1向下方凹陷變形,所述下側泵室23的容積減少,并且所述上側泵室13的容積增大。此時,所述吸入側止回閥11打開,流體從所述吸入口31向所述上側泵室13流入,另一方面,所述噴出側止回閥22打開,所述下側泵室23內(nèi)的流體向所述噴出口32流出。通過反復進行上述的動作,可以得到泵作用。例如,可以用作筆記本電腦的冷卻水循環(huán)泵。
在本實施方式中,所述電極5、6、7、8如下述這樣形成。即,在各壓電體3、4的兩面,利用絲網(wǎng)印刷等涂敷在溶劑中含有金的有機化合物和玻璃成分的導電膏劑,接著脫脂、燒成,形成所述電極5、6、7、8。
金的有機化合物,例如是由CnHmCOO-Au(n在0以上、m在1以上)的化學式表示的脂肪酸金。碳數(shù)沒有特別的限定。低級脂肪酸、高級脂肪酸都可以。具體地說,由甲酸金、乙酸金、辛酸金等形成。不僅可以是直鏈的脂肪酸金,還可以是分支的脂肪酸金、環(huán)狀脂肪酸金等。但是,金的有機化合物并不限定于上述的脂肪酸金。
所述金的有機化合物由在所述溶劑中均勻分散地溶解的狀態(tài)的樹脂酸鹽構成。以下,只要沒有特別的限定,將“金的有機化合物”表現(xiàn)為金樹脂酸鹽。
玻璃成分的材質(zhì)并不特別地限定。所述玻璃成分可以使用石英玻璃、堿石灰玻璃、硼硅酸玻璃、鉛玻璃、氟化物玻璃等公知的組成物。
所述溶劑可以使用脂肪族醇、醇酯、卡必醇等,材質(zhì)并不特別的限定。
所述燒成時的溫度至少是金樹脂酸鹽和所述玻璃成分熔解的溫度。在本實施方式中,可以將燒成溫度設定為600℃~700℃左右。首先如果升溫到300℃~400℃左右,則金樹脂酸鹽的有機物引起熱分解而蒸發(fā),金成為以原子級別分散的狀態(tài),恰好成為金要熔解的狀態(tài)。通常金在不達到1000℃以上時不會熔解,但由于是金樹脂酸鹽,所以可以在比通常的熔解溫度低的溫度下得到和熔解相同的狀態(tài)。金原子聚積,開始以金層覆蓋壓電體表面。
接著,若燒成溫度上升到600℃程度以上,則玻璃成分開始熔解。而且熔解溫度因玻璃成分的組成而不同。若玻璃成分開始熔解,則所述玻璃成分侵入·浸透到在金層和所述壓電體之間形成的間隙或所述壓電體的表面附近,從而提高所述金層和所述壓電體之間的密接性。
如上所述,通過燒成工序,有機物熱分解而蒸發(fā),并且由于所述玻璃成分熔解,所以最初,相對于印刷時的導電性膏劑的膜厚,燒成后的電極的膜厚變薄到數(shù)百分之一~數(shù)十分之一的程度。具體地說,若印刷時的所述導電性膏劑的膜厚是20μm左右,則燒成后的電極的膜厚薄到約為0.1μm~0.5μm左右。
在本實施方式中,優(yōu)選將所述導電性膏劑中含有的所述玻璃成分的添加量設定成相對于金的全部質(zhì)量(即設金為100質(zhì)量%時)在4質(zhì)量%~35質(zhì)量%的范圍內(nèi)。若將所述玻璃成分設定成小于4質(zhì)量%,則所述電極和壓電體之間的密接性惡化,所述電極容易從所述壓電體脫落。另一方面,若將所述玻璃成分的添加量設定為大于35質(zhì)量%,則所述電極的電阻值變大。
將所述玻璃成分的添加量設定為8質(zhì)量%以上時,由于能夠使所述密接性進一步有效地提高,所以是優(yōu)選的。
另外,將所述玻璃成分的添加量設定為32質(zhì)量%以下時,由于能夠有效地減小所述電極的電阻值,所以是優(yōu)選的。
另外,所述導電性膏劑中的玻璃成分的平均粒徑優(yōu)選在1μm以下。在該說明書中,將平均粒徑在1μm以下的玻璃成分作為微粉末玻璃,和平均粒徑大于1μm的進行區(qū)別。如此,所述玻璃成分優(yōu)選是更細微的粉末。這是因為,若所述平均粒徑較大,則即使在上述添加量的范圍內(nèi)在導電性膏劑中含有所述玻璃成分,在壓電體上印刷導電性膏劑時,也無法以近距離使所述玻璃成分彼此散布。若平均粒徑大的玻璃成分彼此在所述壓電體上以相隔很遠的狀態(tài)散布,則熔融了的玻璃不會在較大范圍內(nèi)擴散,容易在各處出現(xiàn)電極和壓電體之間的密接性差的部位。因此,在將所述玻璃成分的添加量設定在上述范圍內(nèi)的同時,使用所述玻璃成分的平均粒徑在1μm以下的微粉末,從而在將所述導電性膏劑印刷到所述壓電體上時,在所述壓電體上所述玻璃成分彼此相隔不遠的狀態(tài)下,可以均勻分散所述玻璃成分,因此在燒成時,能夠使熔融了的玻璃擴散到較大的范圍,能夠進一步有效地提高所述壓電體和電極之間的密接性。
另外,在本實施方式中,更優(yōu)選的是將所述導電性膏劑中含有的玻璃成分的平均粒徑設定在0.3~0.5μm的范圍內(nèi)。
如上所述,若在將溶劑中具有金樹脂酸鹽和玻璃成分的導電性膏劑分別印刷到所述壓電體3、4的兩面上之后,進行燒成,則由于金樹脂酸鹽的有機物熱分解而蒸發(fā),所以燒成后的所述電極5、6、7、8主要由金和玻璃成分構成。而且,在本實施方式中,如上所述,能夠?qū)⑺鲭姌O5、6、7、8的膜厚形成得極薄。
在本實施方式中,能夠確保所述電極5、6、7、8和所述壓電體3、4之間的良好的密接性,并且由于以金為主體而形成,所以能夠以低電阻形成所述電極5、6、7、8,進而,即使在高溫多濕等的嚴酷環(huán)境下,也不會發(fā)生離子遷移。
進而,即使使壓電元件1如圖3A、圖3B所示那樣振動,也能夠適當防止構成所述壓電元件1的例如壓電體3、4產(chǎn)生裂紋,這一點在后述的實驗中得到證明。
另外,只要所述導電性膏劑含有的玻璃成分的添加量相對于金的全部質(zhì)量在32質(zhì)量%程度以下,則即使由所述導電性膏劑形成電極,所述壓電體3、4的靜電電容以及振幅(最大變位量)(圖3A所示的T1×2),與由不含玻璃的導電性膏劑形成電極的情況相比也沒有多大變化,這一點由后述的實驗得到證明。即,能夠?qū)⒆鳛閴弘娫?的性能保持在高性能。
除了將本實施方式中的導電性膏劑用作所述壓電元件1的電極以外,例如還可以用作撓性印刷基板的電極圖案等。在本實施方式中,所述電極圖案在折曲性方面也優(yōu)越(即,在所述電極圖案上不產(chǎn)生裂紋)。但是,所述基板有必要由能夠耐燒成溫度的材質(zhì)形成。
另外,本實施方式中的壓電元件1是雙壓電晶片型,但也可以是單壓電晶片型(unimorph)、層疊型、其他的壓電元件的形態(tài)。
將以下的表1所示的組成的導電性膏劑絲網(wǎng)印刷到由[Pb(Zr1/2Ti1/2)O3]0.6+[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]0.16+[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]0.24形成的圓形狀(直徑約為28mm)的基板(壓電體)上的整個面上,以650℃燒成30分鐘,形成了電極。此外,在全部的試料中將所述基板表面的中心線平均粗糙度Ra設定在0.1~0.2μm的范圍內(nèi)。
而且,在所述電極上粘貼具有規(guī)定的粘結強度的帶,進行了對在剝離所述帶時所述電極是否被一起剝離進行測定的剝落實驗。
實施例1~實施例7的試料,在導電性膏劑中都含有一般在市場上出售的金樹脂酸鹽和玻璃成分。表1所示的玻璃成分的含有量是相對于金的全部質(zhì)量的質(zhì)量%。“微粉末玻璃”是指平均粒徑在1μm以下,實驗使用的微粉末玻璃的平均粒徑是0.3~0.5μm左右。另外,在實施例1中,不使用“微粉末玻璃”,使用了平均粒徑在3~5μm左右的玻璃成分。此外,玻璃粉末的平均粒徑,是在導電性膏劑的狀態(tài)下用掃描型電子顯微鏡測定30個玻璃粉末的長徑,計算出其平均值而特定的粒徑。在比較例中,在導電性膏劑中不含玻璃成分。而且,燒成后的電極的厚度在任一種試料中,都在0.1~0.5μm的范圍內(nèi)。
首先,對于各試料的電極,進行了基于157gf/cm的粘結強度的帶的剝落實驗。在表1中,所謂“初期”是指在所述電極形成之后不久進行的剝落實驗。另一方面,所謂“試驗后”是指在所述電極形成后,在85℃、濕度為90%的環(huán)境下經(jīng)過了72小時之后進行的剝落實驗。實驗各進行十次(表1中的分母),測定了剝落的試料的個數(shù)(表1中的分子)。
同樣地,在所述“試驗后”進行了基于288gf/cm、438gf/cm的粘結強度的帶的剝落實驗。
如表1所示,比較例相比于實施例,結果較差。尤其是,在實施例中完全沒有產(chǎn)生剝落的帶粘結強度為157gf/m時,結果比較例中的大多試料產(chǎn)生了剝落。因此,在比較例中,電極和基板之間的密接性差。
另一方面,如表1所示,對于實施例1~7的剝落實驗,結果都較好。但是,在玻璃成分不是微粉末的實施例1和玻璃成分的含有量少的實施例2、3中,在帶粘結強度為288gf/cm時,若干個試料產(chǎn)生了剝落。
從表1的實驗結果可以看出,玻璃成分優(yōu)選是微粉末,另外,玻璃成分相對于金的全部質(zhì)量的含有量優(yōu)選在4質(zhì)量%以上,更優(yōu)選的是在8質(zhì)量%以上。
如表1所示,通過增加玻璃成分的添加量,可以得到良好的密接性,但如果過度增大所述玻璃成分的添加量,則所述電極的電阻值變大,這一點由下述實驗結果可知。
將在表1的實驗中使用的實施例1(表2所示的玻璃8%)、實施例4(表2所示的微粉8%)、實施例7(表2所示的微粉32%)的電極的兩端與端子相接,測定了所述電極的電阻。
進而,與表1的各試料同樣地,將添加了金樹脂酸鹽、和相對于金的全部質(zhì)量添加了35質(zhì)量%的微粉末玻璃(平均粒徑為0.3~0.5μm)的導電性膏劑(表2所示的微粉35%),以及將添加了金樹脂酸鹽、和相對于金的全部質(zhì)量添加了38質(zhì)量%的微粉末玻璃(平均粒徑為0.3~0.5μm)的導電性膏劑(表2所示的微粉38%)絲網(wǎng)印刷在圓形狀(直徑約為28mm)的基板(壓電體)上的整個面上,以650℃燒成30分鐘,形成了電極。然后分別在各電極的兩端接觸端子,測定了所述電極的電阻。
單位Ω如表2所示,“微粉38%”的實驗結果,與其他試料相比,電阻值大一級。從表2的實驗結果可以看出,將所述玻璃成分的添加量的上限設定為35質(zhì)量%。另外,所述玻璃成分的添加量的上限更優(yōu)選是32質(zhì)量%。
接著,通過電子顯微鏡對表1所示的實施例1(金樹脂酸鹽+玻璃8%)、實施例4(金樹脂酸鹽+微粉末玻璃8%)、實施例7(金樹脂酸鹽+微粉末玻璃32%)的各電極的表面進行了拍攝。
圖4是實施例1的照片,圖5是實施例4的照片,圖6是實施例7的照片。各圖中右側的照片放大了左側的照片的一部分。
如圖4~圖6所示,在各電極的表面上都可以看到孔??梢哉J為該孔是在燒成玻璃成分時熔解而形成的孔。在玻璃成分含有量大的實施例7中,如圖6所示,相比于圖4或圖5出現(xiàn)了大量的孔。另外在各圖中,可以認為表示為“?!钡牟课皇遣AС煞郑蛘呤墙鸲氯怂隹椎囊徊糠值牟糠?。
這樣的孔的存在,不僅是組成分析所述電極的指標,還是玻璃成分含在導電性膏劑中的指標。另外,所述孔適度地形成為好。若形成有許多所述孔,則意味著玻璃成分的添加量多,進而,還容易引起金被玻璃吞食的現(xiàn)象,如表2說明的那樣,引起電極的電阻值變大的問題。
接著,利用表1的實施例1、4所示的導電性膏劑,形成圖1、圖2所示的雙壓電晶片型壓電元件,實際上,在使所述壓電元件振動時,測定了壓電體是否產(chǎn)生裂紋。分別準備31個實施例1、以及實施例4的各試料,查看是否產(chǎn)生所述裂紋時,在實施例4中,一個也沒產(chǎn)生裂紋,對此,在實施例1中,31個中的四個試料產(chǎn)生了裂紋。
實施例1的導電性膏劑所含有的玻璃成分不是微粉末,是平均粒徑為3~5μm左右較大的粉末,如表1所示,在實施例中,密接性最差。另一方面,如表1所示,實施例4得到了非常優(yōu)越的密接性。壓電體上產(chǎn)生的裂紋與所述密接性有較大的關系。
即,在實施例1中,在壓電體上產(chǎn)生了裂紋的四個試料,都是電極的一部分從所述壓電體上剝落。在所述電極剝落的部位,所述壓電體已經(jīng)不變位。另一方面,在電極密接的部位,所述壓電體想要變位。由于這樣的局部化的壓電效果,在所述壓電體上容易產(chǎn)生裂紋。另一方面,實施例4中由于電極和壓電體的密接性良好,所以所述壓電體上不產(chǎn)生裂紋。
接著,利用表1所示的比較例1、實施例5、6、7所示的導電性膏劑,形成圖1、圖2所示的雙壓電晶片型壓電元件的電極,實際上對使所述壓電元件振動時的所述壓電元件的振幅(最大變位量)(圖3A所示的T1×2)、以及壓電體的靜電電容進行了研究。
在使用比較例的導電性膏劑來利用電極時,最大振幅是86μm,靜電電容是167μF。
另一方面,在使用實施例5(金樹脂酸鹽+微粉玻璃16%)的導電性膏劑來利用電極時,最大振幅是86μm,靜電電容是167μF,在使用實施例6(金樹脂酸鹽+微粉玻璃24%)的導電性膏劑來利用電極時,最大振幅是87μm,靜電電容是170μF,在使用實施例7(金樹脂酸鹽+微粉玻璃32%)的導電性膏劑來利用電極時,最大振幅是85μm,靜電電容是167μF,尤其是最大振幅和靜電電容沒有產(chǎn)生較大差值。
可以認為這是因為由所述導電性膏劑形成的電極在較大面積上適當?shù)刈鳛榈碗娮璧碾姌O發(fā)揮作用。
權利要求
1.一種導電性膏劑,其中,其具有金的有機化合物和玻璃成分。
2.如權利要求1所述的導電性膏劑,其中,含有的所述玻璃成分相對于金的全部質(zhì)量為4質(zhì)量%~35質(zhì)量%。
3.如權利要求2所述的導電性膏劑,其中,含有的所述玻璃成分為8質(zhì)量%以上。
4.如權利要求3所述的導電性膏劑,其中,含有的所述玻璃成分為32質(zhì)量%以下。
5.如權利要求1所述的導電性膏劑,其中,所述玻璃成分的平均粒徑在1μm以下。
6.一種電子部件的制造方法,該電子部件具有基板和在基板表面形成的電極,其中,在所述基板表面上,利用權利要求1~5中任一項所述的導電性膏劑形成了電極圖案之后,燒成所述導電性膏劑形成所述電極。
7.如權利要求6所述的電子部件的制造方法,其中,所述電子部件是壓電元件,其構成為具有金屬板;在所述金屬板的至少一方形成的作為所述基板的壓電體;以及在所述壓電體的兩面形成的所述電極。
全文摘要
本發(fā)明的導電性膏劑,在溶劑中具有金的有機化合物和玻璃成分。在利用本發(fā)明的導電性膏劑在壓電體(3、4)的兩面上形成了電極(5~8)時,能夠使所述電極(5~8)和壓電體(3、4)之間的密接性得到顯著提高。另外,由于沒有使用銀,所以不會發(fā)生離子遷移。另外,能夠減小所述電極(5~8)的電阻,進而能夠適當防止在壓電體(3、4)上產(chǎn)生裂紋。
文檔編號H01L41/22GK101075657SQ200710102858
公開日2007年11月21日 申請日期2007年5月11日 優(yōu)先權日2006年5月15日
發(fā)明者大西人司, 山田聰, 關口晃 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社