專利名稱：鰭狀晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體涉及一種制造鰭狀晶 體管的方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)半導(dǎo)體器件變得高度集成時(shí)，傳統(tǒng)的二維晶體管結(jié)構(gòu)具有若干限制。 尤其是對(duì)于高速器件，二維晶體管結(jié)構(gòu)往往不能滿足所需的電流驅(qū)動(dòng)。鰭狀場效應(yīng)晶體管(FET)和鞍型鰭片F(xiàn)ET是試圖克服上述限制的兩種 實(shí)例。這些鰭狀FET和鞍型鰭片F(xiàn)ET通常使用三個(gè)表面作為通道，因此， 它們提供良好的電流驅(qū)動(dòng)，并且改善背向偏壓關(guān)聯(lián)性。圖1A~1D為說明鰭狀晶體管制造方法的橫截面圖。圖2示出通過圖 1A ~ ID圖中描述的方法制造的鰭狀晶體管的上視圖。在圖1A ~ ID和圖2 中，切割面X-X，的方向?yàn)檠赜性磪^(qū)15A的主軸，而切割面Y-Y，的方向?yàn)?沿將形成柵電極19的區(qū)域。參考圖1A,在襯底11上形成墊氧化物層12和墊氮化物層13,然后 利用隔離^^模(未圖示)蝕刻墊氧化物層12和墊氮化物層13。利用塾氮化物 層13作為蝕刻阻擋層，蝕刻襯底ll至特定深度，以形成溝槽14。參考圖 1B，沉積氧化物層直到溝槽14被填滿。然后對(duì)晶片施以化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)，以形成場氧化物層15。場氧化物層15被用于隔離和限定有源區(qū) 15A。參考圖1C，在圖1C中所示的所得結(jié)構(gòu)的特定區(qū)域上，形成線形鰭 狀掩模16。利用鰭狀掩模16作為蝕刻阻擋層，對(duì)場氧化物層15開槽至特 定深度，以形成鰭片17B。附圖標(biāo)記17A表示對(duì)場氧化物層15開槽之后 所得到的凹槽。參考圖1D，移除鰭狀掩模16，然后形成柵極氧化物層18 和柵電^J:(未示出)并圖案化，以形成柵電極19。當(dāng)形成鰭片17B時(shí)，鰭片17B的上部常常受到損傷。特別是在蝕刻場 氧化物層15時(shí)，鰭片17B的上部常常被蝕刻掉。如圖1C所示，這種損失可能在上方向和橫方向T和L上發(fā)生。圖3A示出具有受損上部的鰭片的圖象。由于鰭片上部的損失，導(dǎo)致 產(chǎn)生錐形頂。如上所述，當(dāng)利用氧化物蝕刻氣體蝕刻場氧化物層時(shí)，通常 造成鰭片上部的損失。具體而言，當(dāng)墊氮化物層13因氧化物蝕刻氣體而不 足以起到蝕刻阻擋層的作用時(shí)，常常造成鰭片上部的損失。鰭片處于將要形成通道的區(qū)域中，而且通常決定晶體管的形狀。如果 鰭片具有小的臨界尺寸(CD)，則鰭片上部的損失常常導(dǎo)致鰭片CD的減小。 因此，如果鰭片可能成為尖銳的錐形，則可能難以實(shí)現(xiàn)通道所期望的CD 再現(xiàn)性。與上述鰭片上部的損失類似，當(dāng)形成用于鞍型鰭片F(xiàn)ET的鞍型鰭片圖 案時(shí)，鰭片圖案的上部4艮可能受到損傷。此外，當(dāng)形成鰭片或鞍型鰭片圖 案的場氧化物層的凹槽深度增加時(shí)，鰭片或鞍型鰭片圖案的上部損失趨于 增加。圖3B示出受損鞍型鰭片的圖象。由于受到嚴(yán)重的損傷(損失)，導(dǎo)致 鞍型鰭片圖案常常呈現(xiàn)錐形的上部.發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案涉及鰭片晶體管的制造方法，該方法適合在隔 離層開槽期間減少鰭片的上部損傷。本發(fā)明的另 一 實(shí)施方案涉及鞍型鰭片晶體管的制造方法，該方法適合 減少鞍型鰭片的上部損傷。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種制造鰭片晶體管的方法。該 方法包括利用隔離掩模，使提供在襯底上方的第一墊層圖案化；利用所述 隔離掩模和所述第一墊層，蝕刻所述襯底以形成溝槽；使用絕緣材料填充 所述溝槽，以形成隔離結(jié)構(gòu)；使用具有絕緣材料/第一墊層的高選擇比的氣 體，蝕刻所述溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)以形成鰭狀結(jié)構(gòu)；在所述鰭狀結(jié)構(gòu)上方形 成柵極絕緣層；和在所述柵極絕緣層上方形成導(dǎo)電層。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，本發(fā)明提供一種制造鞍型鰭片晶體管的方法。 該方法包括在襯底上方形成塾層；蝕刻襯底以形成第一和第二溝槽，所述 第一和第二溝槽限定二者之間的部分襯底；使用絕緣材料填充所述第一和 第二溝槽，以分別形成第一和第二隔離結(jié)構(gòu)，其中所述墊層提供在所述部 分襯底的上方；使用具有隔離材料/墊層的高選擇比的氣體，蝕刻所述第一 和第二隔離結(jié)構(gòu)，使得所述部分襯底突出于被蝕刻的第一和第二隔離結(jié)構(gòu) 的上表面上方；移除所述墊層，以暴露出所述部分襯底的上表面；和蝕刻 所述部分襯底，以減少所述部分的高度，從而形成鞍型鰭片。


圖1A 1D示出鰭片晶體管的制造方法。圖2示出通過圖1A 1D所述方法制造的鰭片晶體管的上視圖。圖3A示出為具有受損上部的鰭片的圖象。圖3B示出具有受損上部的鞍型鰭片的圖象。圖4A~4E是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的鰭片晶體管的制造方法 的橫截面圖。圖5示出通過圖4A 4E所述方法制造的鰭片晶體管的上視圖。圖6示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的具有受損上部的鰭片的圖象。圖7A 7E是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的鞍型鰭片晶體管的制造 方法的橫截面圖。圖8示出通過圖7A 7E所述方法制造的鞍型鰭片晶體管的上視圖。
具體實(shí)施方式
圖4A ~ 4E是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的鰭片晶體管的制造方法 的橫截面圖。圖5示出通過圖4A 4E所述方法制造的鰭片晶體管的上視 圖。在圖4A 4E和圖5中，切割面A-A，的方向是沿有源區(qū)25A的主軸， 而切割面B-B，的方向是沿將要形成柵電極29的區(qū)域。參考圖4A，在襯底21上方形成第一墊層22和第二墊層23。第一墊 層22包括氧化物基材料，以下稱為墊氧化物層。第二墊層23包括氮化物 基材料，以下稱為墊氮化物層。墊氧化物層22用于減緩由墊氮化物層23 所產(chǎn)生的應(yīng)力。墊氮化物層23的功能是用作對(duì)抗后續(xù)的化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)和鰭片蝕刻的阻擋層。墊氮化物層23形成的厚度約為100A或M (例如，約100A 2500A)。
利用隔離掩模41蝕刻墊氮化物層23和墊氧化物層22，以暴露出隔離 區(qū)域。利用隔離掩模41和墊氮化物層23作為蝕刻阻擋層，蝕刻襯底21 的暴露部分至特定深度，以形成溝槽24。溝槽24是將要填充場氧化物層 的區(qū)域，并且具有約2000A或更深的深度。參考圖4B,移除隔離掩模41。絕緣層，更具體是氧化物基層填充溝 槽24。氧化物基層可以是通過高密度等離子體(HDP)法沉積的氧化物層。 作為替代方案，氧化物基層可以通過由玻璃上旋涂(SOG)法首先涂布氧化 物層，然后在其上沉積HDP氧化物層而形成。然后對(duì)絕緣層進(jìn)行化學(xué)和 機(jī)械拋光。在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)期間，墊氮化物層23的功能是作為研磨 停止層。在CMP之后，形成填滿溝槽24的場氧化物層25。場氧化物層 25被用來隔離和限定有源區(qū)25A。參考圖4C,在圖4B所示的所得結(jié)構(gòu)上涂布光刻膠層，并且通過光刻 法制成圖案，以形成掩模26。掩模26在將要形成柵級(jí)線的區(qū)域中提供線 型開口。掩模26同時(shí)暴露出部分有源區(qū)25A和場氧化物層25。利用掩模26將場氧化物層25開槽(或蝕刻)至特定深度。凹槽深度應(yīng) 為約50(Li或更深(例如，約500A 1500A)。場氧化物層25仍保留在溝槽 24中，以覆蓋溝槽24的底部表面。在本實(shí)施方案中，掩模26限定在沿有 源區(qū)25A主軸的方向上寬度窄于溝槽24的開口。因此，部分場氧化物層 25保留在溝槽24的側(cè)壁上(參見切割面A-A，)。在蝕刻步驟之后，部分有源區(qū)25A突出(或暴露)，并且有源區(qū)25A的 突出部分被稱為鰭片27B。附圖標(biāo)記27A表示在場氧化物層25被開槽之 后所得到的開口區(qū)域。如圖4C所示，鰭片27B的高JL&本上和場氧化物 層25的凹槽深度相同，即為約500A或更高。當(dāng)通過蝕刻對(duì)場氧化物層25開槽時(shí)，使用對(duì)墊氮化物層23具有高選 擇性的蝕刻氣體(即自對(duì)準(zhǔn)接觸化學(xué))。術(shù)語"自對(duì)準(zhǔn)接觸化學(xué)"的意思是 提供氮化物相對(duì)于氧化物的高蝕刻選擇性的情況，使得當(dāng)蝕刻場氧化物層 25時(shí)，墊氮化物層23的蝕刻最小化。例如，使用含碳蝕刻氣體來蝕刻場氧化物層25。特別地，蝕刻氣體可 以是具有高碳含量的蝕刻氣體、具有高碳和氫含量的蝕刻氣體，及其組合 的其中之一。
具體而言，含碳蝕刻氣體可以是CxFy氣體，其中x^2和y^l,或CxHyFz 氣體，其中x21， y^2和z^1。例如，蝕刻氣體可以是C2F6、 C3F8、 C4F6、 C5F8、或CH2F。例如，常常造成鰭片上部損失的那些氧化物蝕刻氣體是 CF4和CHF3氣體，而這些氣體具有約1比1的氮化物對(duì)氧化物的選擇比。 但是，用于本實(shí)施方案中的蝕刻氣體對(duì)于墊氮化物層23和場氧化物層25 之間的選擇比為8:1或更高。使用此種蝕刻氣體，當(dāng)場氧化物層25被開槽 時(shí)，墊氮化物層23保留特定厚度。剩余的墊氮化物層23標(biāo)示為23A，而 且以下稱為、、墊氮化物圖案〃 。由于墊氮化物圖案23A，使得鰭片27B的 上部損失可以最小化。參考圖4D，移除掩模26,并且使用濕化學(xué)品移除墊氮化物圖案23A， 因而可以防止鰭片27B和場氧化物層25的蝕刻損傷。例如，使用磷酸 (H3P04)移除墊氮化物圖案23A。也可以移除在A-A，方向上的墊氮化物層 23。如圖4C所示，當(dāng)蝕刻場氧化物層25以形成鰭片27B時(shí)，也可以同時(shí) 移除墊氮化物圖案23A。為了同時(shí)移除墊氮化物層23,使墊氮化物層23 形成為特定厚度，使得能夠形成鰭片27B而不損傷鰭片27B的上部。但是， 當(dāng)蝕刻場氧化物層25時(shí)，要被移除的墊氮化物層23足夠薄。當(dāng)通過調(diào)整 墊氮化物層23和場氧化物層25之間的選擇比至小于8:1來蝕刻墊氧化物 層22時(shí)，也可以移除墊氮化物層23。但是，墊氮化物層23對(duì)場氧化物層 25的選擇比應(yīng)大于2:1，以防止損傷鰭片27B。隨著墊氮化物層23和墊氧化物層22的移除，使得場氧化物層25的垂 直部分25B突出于襯底21的上表面。在本實(shí)施方案中，墊氧化物層22被 提供在墊氮化物層23的下方。但是，其它實(shí)施方案是單一墊層，而非本實(shí) 施方案的多重墊層。單一墊層可以為氮化物基或其它類型的材料。參考圖4E,在圖4D實(shí)施的所得結(jié)構(gòu)上方形成柵極絕緣層28(例如氧 化物基層)，并JMMt極絕緣層28上形成柵極材料并形成圖案，以形成柵 電極29。圖6示出才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的上部未受損的鰭片的圖象。如圖所示， 鰭片上部的損失被最小化，而且各鰭片的上部形狀被圓化而不是成為角狀 (或尖銳錐形)。根據(jù)本發(fā)聽的實(shí)施方案，當(dāng)蝕刻場氧化物層25時(shí)，使用具有墊氮化物
層23對(duì)場氧化物層25的高選擇比的蝕刻氣體。結(jié)果，鰭片27B的上部損 失被最小化，而且可以確保足夠區(qū)域的鰭片27B。圖7A~7E為示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的鞍型鰭片晶體管的制造 方法的橫截面圖。圖8示出通過圖7A 7E所示方法制造的鞍型鰭片晶體 管的上視圖。在圖7A 7E和圖8中，切割面C-C，的方向是沿有源區(qū)35A 的主軸，而切割面D-D，的方向是沿將要形成柵電極(未示出)的區(qū)域。參考圖7A，在襯底31上方形成第一墊層32和第二墊層33。第一墊 層32包括氧化物基材料，以下稱為墊氧化物層。第二墊層33包括氮化物 基材料，以下稱為墊氮化物層。塾氧化物層32用于減緩由墊氮化物層33 所產(chǎn)生的應(yīng)力。墊氮化物層33的功能^l:作為對(duì)抗后續(xù)CMP和鰭片蝕刻的 阻擋層。墊氮化物層33形成的厚度為約100A或M(例如，約100A到 2500A)。利用隔離掩模42蝕刻墊氮化物層33和墊氧化物層32。利用隔離掩模 42和墊氮化物層33作為蝕刻阻擋層，蝕刻襯底31的暴露部分至特定深度， 以形成溝槽34。溝槽34是將要被場氧化物層填充的區(qū)域，并且具有約 2000A或更深的深度。參考圖7B,移除隔離掩模42。絕緣層，尤其氧化物基層填滿溝槽34。 氧化物基層可以是通過HDP法沉積的氧化物層。作為替代方案，氧化物 基層可以通過由SOG法首先涂布氧化物層，然后在其上沉積HDP氧化物 層而形成。然后對(duì)絕緣層進(jìn)行化學(xué)和M拋光。在CMP期間，墊氮化物 層33的功能是作為研磨停止層。在CMP之后，形成填滿溝槽34的場氧 化物層35。場氧化物層35被用來隔離和限定有源區(qū)35A。參考圖7C，在圖7B所示的所得結(jié)構(gòu)上涂布光刻膠層，并且通過光刻 法制成圖案，以形成掩模36。掩模36在將要形成柵級(jí)線的區(qū)域中提供線 型開口 。掩模36同時(shí)暴露出部分有源區(qū)35A和場氧化物層35。掩模36 限定在沿有源區(qū)35A主軸的方向上寬度窄于溝槽34的開口 。利用掩模36對(duì)場氧化物層35開槽(或蝕刻)至特定深度。凹槽深度應(yīng) 為約IOOA或更深(例如，約100A 1500A)。開槽的結(jié)果，形成突出于有 源區(qū)的鰭片37B。各鰭片37B的高度為500A或更高。附圖標(biāo)記37A表示 在場氧化物層35被開槽之后的凹槽。附圖標(biāo)記33A表示在開槽之后墊氮 化物層33的剩余部分，以下稱為、、墊氮化物圖案〃 。 在本實(shí)施方案中，當(dāng)通過蝕刻對(duì)場氧化物層35開槽時(shí)，使用對(duì)墊氮化 物層33具有高選擇比的蝕刻氣體(即自對(duì)準(zhǔn)接觸化學(xué))。術(shù)語"自對(duì)準(zhǔn)接觸 化學(xué)"的意思是提供氮化物對(duì)氧化物的高蝕刻選擇比的情況，使得當(dāng)蝕刻 場氧化物層35時(shí)，墊氮化物層33很少被蝕刻。例如，使用含碳蝕刻氣體來蝕刻場氧化物層35。特別地，蝕刻氣體可 以是具有高碳含量的蝕刻氣體、具有高碳和氫含量的蝕刻氣體，及其組合 的其中之一。具體而言，含碳蝕刻氣體可以是CxFy氣體，其中x22和y^l，或CxHyFz 氣體，其中x21， y》2和z21。例如，蝕刻氣體可以是C2F6、 C3F8、 C4F6、 C5F8、或CH2F。例如，常常造成鰭片上部損失的那些氧化物蝕刻氣體是 CF4和CHF3氣體，而這些氣體具有約的1比1氮化物對(duì)氧化物的選擇比。 但是，用于本實(shí)施方案中的蝕刻氣體對(duì)于墊氮化物層23和場氧化物層25 之間的選擇比為8:1或更高。使用此種蝕刻氣體，使得鰭片37B的上部損 失可以最小化。參考圖7D,利用掩模36對(duì)鰭片37B開槽，以形成鞍型鰭片37C。鰭 片37B的凹槽深度設(shè)定小于場氧化物層35的深度，以得到鞍型鰭片37C。 例如，用以形成鞍型鰭片37C的凹槽深度R為800A或更深，并且最大凹 槽深度小于場氧化物層35的凹槽深度。為了形成鞍型鰭片37C，蝕刻墊氮化物圖案33A和墊氧化物層32，然 后蝕刻鰭片37B。當(dāng)蝕刻鰭片37B(即開槽)時(shí)，因?yàn)轹捚?7B包括g材 料，所以使用具有鰭片37B和場氧化物層35之間的高選擇比的蝕刻氣體。 例如，蝕刻氣體包括HBr氣體或CU氣體。因?yàn)樵谛纬砂靶亡捚?7C的蝕 刻(即開槽)期間，鰭片37B的損失被最小化，所以鞍型鰭片37C的上部不 可能形成錐形，并且可以避免對(duì)鞍型鰭片37C側(cè)部的嚴(yán)重?fù)p傷。參考圖7E，移除掩模36，并且移除在C-C，方向上剩余的墊氮化物層 33和墊氧化物層32。使用濕化學(xué)品移除墊氮化物層33,使得不^it成對(duì) 鞍型鰭片37C和場氧化物層35的蝕刻損傷。濕化學(xué)品可包括H3P04。雖 然沒有說明，但是在圖7E所示的所得結(jié)構(gòu)上方形成柵極絕緣層(例如氧化 物基層)和柵極材料層，然后形成圖案，以形成柵電極。根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施方案，當(dāng)蝕刻場氧化物層時(shí)，使用具有墊氮化物 層和場氧化物層之間的高選擇比的蝕刻氣體。因此，可以減少鰭片損失。
結(jié)果，鰭片的形狀可以再現(xiàn)。此再現(xiàn)性使得還可以得到鰭片晶體管或鞍型 鰭片晶體管制造方法中的方法再現(xiàn)性。雖然本發(fā)明已對(duì)于特定實(shí)施方案詳細(xì)說明，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員 而言，顯而易見的是可以進(jìn)行各種不同的變化和修正，而不脫離所附權(quán)利 要求所限定的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。附圖標(biāo)記說明11，21，31襯底12,22,32墊氧化物層13,23,33墊氮化物層14,24,34溝槽15,25,35場氧化物層15A，25A，35A有源區(qū)16鰭片掩模17A,37A凹槽17B，27B，37B鰭片18柵極氧化物層19,29柵電極23A墊氮化物圖案26,36掩模27A開口區(qū)域37C鞍型鰭片28柵極絕緣層41,42隔離掩模
權(quán)利要求
1.一種制造鰭狀晶體管的方法，該方法包括利用隔離掩模，使提供在襯底上方的第一墊層圖案化；利用所述隔離掩模和所述第一墊層，蝕刻所述襯底以形成溝槽；使用絕緣材料填充所述溝槽，以形成隔離結(jié)構(gòu)；使用具有絕緣材料對(duì)第一墊層的高選擇比的氣體，蝕刻在所述溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)，以形成鰭狀結(jié)構(gòu)；在所述鰭狀結(jié)構(gòu)上方，形成柵極絕緣層；和在所述柵極絕緣層上方，形成導(dǎo)電層。
2. 權(quán)利要求l的方法，其中所述第一墊層包含氮化物基材料，所述方法還 包括在所述襯底上方形成第二墊層，其中所述第二墊層提供在所述襯底和所 述第一墊層之間；和在形成所述柵極絕緣層之前，先移除所述第一墊層。
3. 權(quán)利要求2的方法，其中蝕刻隔離結(jié)構(gòu)包括使用氣體，所述氣體包括選 自高碳含量的氣體、高碳和氫含量的氣體、及其組合的其中之一。
4. 權(quán)利要求3的方法，其中所述高碳含量的氣體包括CxFy氣體，其中x》2 和y^1。
5. 權(quán)利要求4的方法，其中所述CxFy氣體包括選自C2F6、 C3F8、 C4F6和 CsFs中的一種氣體。
6. 權(quán)利要求3的方法，其中所述高碳和氫含量的氣體包括CxHyFz氣體， 其中x^1， y》2和z21。
7. 權(quán)利要求6的方法，其中所述CxHyFz氣體包括CH2F。
8. 權(quán)利要求2的方法，其中移除所述第一墊層包括使用濕化學(xué)品。
9. 權(quán)利要求8的方法，其中所述濕化學(xué)品包括磷酸(H3P04)溶液。
10. 權(quán)利要求9的方法，其中所述隔離結(jié)構(gòu)被蝕刻至500A或更大的厚度。
11. 權(quán)利要求1的方法，其中所述隔離結(jié)構(gòu)包括氧化物，其中所述鰭狀結(jié) 構(gòu)另:鞍型鰭片結(jié)構(gòu)。
12. —種制造鞍型鰭片晶體管的方法，該方法包括 在襯底上方形成墊層；蝕刻所述襯底以形成第一和第二溝槽，所述第一和第二溝槽限定二者 之間的部分襯底；使用絕緣材料填充所述第 一和第二溝槽，以分別形成第一和第二隔離 結(jié)構(gòu)，其中所述墊層提供在所述部分襯底的上方；使用具有隔離材料對(duì)墊層的高選擇比的氣體，蝕刻所述第一和第二隔 離結(jié)構(gòu)，使得所述部分襯底突出于被蝕刻的所述第一和第二隔離結(jié)構(gòu)的上 表面上方；移除所述墊層，以暴露出所述部分襯底的上表面；和 蝕刻所述部分襯底，以減少所述部分的高度，從而形成鞍型鰭片。
13. 權(quán)利要求12的方法，其中所述墊層包含氮化物基材料。
14. 權(quán)利要求13的方法,其中蝕刻所述第一和第二隔離結(jié)構(gòu)包括使用氣體， 所述氣體包括選自高碳含量的氣體、高碳和氫含量的氣體，及其組合的其 中之一。
15. 權(quán)利要求14的方法，其中所述高碳含量的氣體包括CxFy氣體，其中 x》2和y》1。
16. 權(quán)利要求14的方法，其中所述CxFy氣體包括選自C2F6、 C3F8、 C4F6 和CsF8中的一種氣體。
17. 權(quán)利要求15的方法，其中所述高碳和氬含量的氣體包括CxHyFz氣體， 其中x21， y^2和z21。
18. 權(quán)利要求17的方法，其中所述CxHyFz氣體包括CH2F。
19. 權(quán)利要求18的方法，其中所述第一和第二隔離結(jié)構(gòu)被蝕刻到至少IOOA 的深度，其中所述襯底的暴露部分被蝕刻至800A或更深。
20. 權(quán)利要求12的方法，其中所述第一和第二隔離結(jié)構(gòu)包括氧化物。
全文摘要
一種制造鰭狀晶體管的方法，包括利用隔離掩模，使提供在襯底上方的第一墊層圖案化；利用所述隔離掩模和所述第一墊層，蝕刻所述襯底以形成溝槽；使用絕緣材料填充所述溝槽，以形成隔離結(jié)構(gòu)；使用具有絕緣材料比第一墊層的高選擇比的氣體，蝕刻在溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)，以形成鰭狀結(jié)構(gòu)；在所述鰭狀結(jié)構(gòu)上方，形成柵極絕緣層；和在所述柵極絕緣層上方，形成導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101154597SQ20071010529
公開日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者金光玉 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司