專利名稱：：包括有機(jī)材料和富勒烯層的有機(jī)存儲(chǔ)器件及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及集成電路器件，更具體涉及集成電路存儲(chǔ)器件及相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以被分為易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件包括DRAM器件和SRAM器件，非易失性存儲(chǔ)器件包括快閃存儲(chǔ)器件、相變存儲(chǔ)器件、電阻RAM(RRAM)器件和磁性RAM(MRAM)器件。在這些存儲(chǔ)器件中，已經(jīng)使用諸如結(jié)晶硅的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料制造用來(lái)存儲(chǔ)和/或處理數(shù)據(jù)的電尋址和/或邏輯器件。盡管由無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料形成的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件取得某些技術(shù)和商業(yè)成功，但是它們的復(fù)雜結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致增加費(fèi)用和減小數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度。由無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料形成的易失性存儲(chǔ)器件為了保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可能需要連續(xù)電流，導(dǎo)致發(fā)熱和高功耗。非易失性存儲(chǔ)器件由于更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)可以具有減小的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度以及可能更昂貴。數(shù)據(jù)處理速度可能是較低的，以及功耗可能是較高的。將有機(jī)材料應(yīng)用于各種電子器件已經(jīng)進(jìn)行了嘗試，一些電子器件(如薄膜晶體管、激光器、發(fā)光二極管等)成功地采用有機(jī)材料。此外，在兩種不同狀態(tài)之間具有電切換性能的幾種有機(jī)材料可以被用作存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。常規(guī)有機(jī)存儲(chǔ)器件可以包括單個(gè)有機(jī)材料層；多個(gè)有機(jī)材料層以及諸如有機(jī)材料層之間的金屬顆粒層的導(dǎo)電層；或具有在有機(jī)基質(zhì)(matrix)中分散的導(dǎo)電納米顆粒的有機(jī)化合物層。例如，在Kano申請(qǐng)的，名稱為"OrganicDistableElement，OrganicDistableMemoryDeviceUsingtheSame，andProcessforDrivingtheSame"的美國(guó)專利公開(kāi)號(hào)2004/0246770中公開(kāi)了使用有機(jī)材料層作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的有機(jī)存儲(chǔ)器件，該有機(jī)材料層具有在其間的導(dǎo)電層。在這里將美國(guó)專利公開(kāi)號(hào)2004/0246770的公開(kāi)內(nèi)容全部引入供參考。但是，當(dāng)單個(gè)有機(jī)材料層被用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件時(shí)，僅僅少量類型的有機(jī)材料層可以適合于用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。而且，單個(gè)有機(jī)材料層可能引起操作性能的退化。此外，當(dāng)其間具有導(dǎo)電層的有機(jī)材料層被用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件時(shí)，在有機(jī)材料層之間可能難以形成導(dǎo)電層，特別是金屬顆粒層。此外，當(dāng)有機(jī)化合物層被用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件時(shí)，由于導(dǎo)電納米顆粒的離析，單元性能的分布可能退化。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，一種有機(jī)存儲(chǔ)器件可以具有數(shù)據(jù)元件，該數(shù)據(jù)元件包括有機(jī)材料層和富勒烯層的疊層。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，可以提供一種用于形成有機(jī)存儲(chǔ)器件的方法，該有機(jī)存儲(chǔ)器件具有包括有機(jī)材料層和富勒烯層的疊層的數(shù)據(jù)元件。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，一種有機(jī)存儲(chǔ)器件可以包括有機(jī)材料層和富勒烯層的疊層，該富勒烯層提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。該有機(jī)存儲(chǔ)器件可以包括第一和第二電極。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以被設(shè)置在第一和第二電極之間。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以包括在第一電極上形成的有機(jī)材料層以及有機(jī)材料層和第二電極之間的富勒烯層，以便該富勒烯層與第二電極接觸。該富勒烯層可以包括C60、C70、C74、C78、C82、C84和/或富勒烯衍生物。該富勒烯層可以包括巴克敏斯特富勒烯(buckminsterfullerene)。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以具有兩種不同的電阻態(tài)的一種，該兩種不同的電阻態(tài)是電不可逆的，以及可以是一次可編程的(OTP)。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以包括有機(jī)化合物層，該有機(jī)化合物層具有在有機(jī)材料層中分散的富勒烯分子。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以具有至少兩種不同的電阻態(tài)，該兩種不同的電阻態(tài)是電可逆的，以及可以被重編程至少兩次。此外，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以具有NDR區(qū)，其中電流隨電壓增加而減小。第一和/或第二電極可以由金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔镄纬?。該有機(jī)材料層可以包括有機(jī)導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和/或有機(jī)絕緣層。該富勒烯層可以包括C60，以及該有機(jī)材料層可以包括聚酰亞胺。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，一種有機(jī)存儲(chǔ)器件可以具有交叉點(diǎn)結(jié)構(gòu)，以及可以使用有機(jī)材料層和富勒烯層的疊層作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。該有機(jī)存儲(chǔ)器件可以包括在襯底上設(shè)置的多個(gè)平行的第一和第二電極。該多個(gè)平行的第二電極可以跨越第一電極，以在重疊第一電極的位置提供交叉點(diǎn)。該多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以被設(shè)置在第一和第二電極之間的各個(gè)交叉點(diǎn)處。每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以包括第一電極上的有機(jī)材料層以及有機(jī)材料層和第二電極之間的富勒烯層，以及該富勒烯層可以與第二電極直接接觸。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，一種制造有機(jī)存儲(chǔ)器件的方法，該有機(jī)存儲(chǔ)器件包括作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的有機(jī)材料層和富勒烯層的疊層，該方法可以包括在襯底上形成第一電極，以及在第一電極上形成有機(jī)材料層。在該有機(jī)材料層上可以形成富勒烯層，以與有機(jī)材料層一起提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。在該富勒烯層上可以形成第二電極。該富勒烯層可以包括C60、C70、C74、C78、C82、C84和/或富勒烯衍生物。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，該富勒烯層可以包括巴克敏斯特富勒烯。形成該有機(jī)材料層可以包括在襯底和/或第一電極上形成有機(jī)前體層，在第一溫度下，在該有機(jī)前體層上執(zhí)行第一次退火工序，以及在高于第一溫度的第二溫度下，在該有機(jī)前體層上執(zhí)行第二次退火工序。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以具有兩種不同的電不可逆電阻態(tài)的一種，以及該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以是一次可編程的(OTP)。在形成該富勒烯層之后，可以在第三溫度下退火該富勒烯層。退火該富勒烯層可以包括，將富勒烯分子從富勒烯層擴(kuò)散到有機(jī)材料層中，以形成有機(jī)化合物層。此外，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以具有至少兩種不同的電可逆電阻態(tài)，以及該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以被重編程至少兩次。此外，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以具有NDR區(qū)，其中電流隨電壓增加而減小。此外，形成該有機(jī)材料層可以包括，在襯底上和在第一電極上形成有機(jī)前體層，以及在低于第三溫度的第四溫度下退火該有機(jī)前體層。第一電極和/或第二電極可以由金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔镄纬?。該有機(jī)材料層可以由有機(jī)導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和/或有機(jī)絕緣層形成。該富勒烯層可以包括C60，以及該有機(jī)材料層可以包括聚酰亞胺。圖1是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元的剖面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元的剖面圖。圖3是采用根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元的有機(jī)存儲(chǔ)器件的一部分的等效電路圖。圖4是對(duì)應(yīng)于圖3的平面圖。圖5圖示了制造根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件的操作流程圖。圖6圖示了制造根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件的操作流程圖。圖7和8圖示了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1的I-V性能的曲線圖。圖9和10圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的I-V性能的曲線圖。圖11圖示了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的切換性能的曲線圖。圖12圖示了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的多位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能的曲線圖。具體實(shí)施例方式下面將參考附圖更完全地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以多種不同的形式體現(xiàn)，不應(yīng)該被認(rèn)為是局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了本公開(kāi)是徹底的和完全的，并將本發(fā)明的范圍完全傳遞給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了清楚，可以放大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。在整篇中，相同的數(shù)字指相同的元件。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由?、連接到或耦合到另一元件或?qū)?，或可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)一元件或?qū)颖环Q為“直接在另一元件或?qū)由稀薄ⅰ爸苯舆B接到”或“直接耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在插入元件或?qū)?。在此使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列項(xiàng)的任意和所有組合。應(yīng)當(dāng)理解，盡管在此可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述各個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與其它區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的條件下，下面論述的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。在此可以使用空間地相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如“在...底下”、“在...下面”、“下”、“在...上面”、“上”等，便于描述一個(gè)元件或特征與圖中所示的其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，該空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)是用來(lái)包括除圖中描繪的取向之外的使用或工作中的器件的不同取向。例如，如果圖中的器件被反轉(zhuǎn)，那么描述為在其他元件或特征“下面”或“底下”的元件于是將定向在其他元件或特征“之上”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”可以包括“在...上面”和“在...下面”的取向。該器件可以被另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其他取向)，以及由此解釋在此使用的空間相對(duì)描述詞。此外，在此使用的“橫向”指基本上垂直于垂直方向的方向。在此使用的專業(yè)詞匯僅僅用于描述特定的實(shí)施例，并不打算限制本發(fā)明。如在此使用的單數(shù)形式“a”，“an”和“the”同樣打算包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地表明。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“comprise”和/或“comprising”時(shí)，說(shuō)明陳述的部件、整體、步驟、操作、元件、和/或部件的存在，但是不排除存在或增加一個(gè)或多個(gè)其他部件、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組群。在此參考剖面圖描述了本發(fā)明的實(shí)施例的例子，剖面圖是本發(fā)明的理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，將預(yù)想由于圖例形狀而引起的變化，例如由于制造工藝和/或容差而引起的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該認(rèn)為限于在此所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括由制造引起的形狀偏差。例如，圖示為矩形的注入?yún)^(qū)一般地將具有圓滑的或彎曲的特點(diǎn)和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)至非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣，通過(guò)注入形成的掩埋區(qū)可以引起掩埋區(qū)和通過(guò)其進(jìn)行注入的表面之間區(qū)域中發(fā)生某些注入。因此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，且它們的形狀不打算圖示器件區(qū)域的實(shí)際形狀，以及不打算限制本發(fā)明的范圍。除非另外限定，在此使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與屬于本發(fā)明的
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員通常理解的相同意思。由此，這些術(shù)語(yǔ)可以包括在這種時(shí)間之后產(chǎn)生的等效術(shù)語(yǔ)。還應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語(yǔ)，如通常使用的詞典中定義的那些術(shù)語(yǔ)，應(yīng)該解釋為具有符合本說(shuō)明書中的它們的含義和相關(guān)技術(shù)的環(huán)境中的含義，以及不應(yīng)該被理想化解釋或過(guò)度地形式感知，除非在此清楚地限定。在此提及的所有出版物、專利申請(qǐng)、專利、及其他參考文獻(xiàn)被全部引入供參考。圖1是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1的剖面圖。參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件的單位單元可以包括第一電極E1、第二電極E2以及其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17，這些層可以被連續(xù)地淀積在襯底10上。襯底10可以是硅襯底、玻璃襯底、石英襯底和/或柔性有機(jī)-基襯底。有機(jī)-基襯底可以由諸如聚酰胺、聚縮醛、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚環(huán)己烯、聚砜、聚醚砜、聚芳酯、和/或聚醚酰亞胺的有機(jī)材料形成。此外，和/或在選擇性方案中，可以使用常規(guī)塑料材料作為襯底10。第一和第二電極E1和E2的每一個(gè)可以由一種導(dǎo)電材料或多種材料形成。例如，第一和第二電極E1和E2的每一個(gè)可以由金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔镄纬?。第一?或第二電極E1和/或E2可以包括Au、Ag、Cu、Al、Ti、TiN、TiAlN、Ta、TaN、W、WN、Ir、Pt、Pd、Zr、Rh、Ni、Co、Cr、Sn、Zn、Li、Mg、Ca和/或IrO2。此外，或在選擇性方案中，第一和/或第二電極E1或E2可以由聚乙炔、聚苯胺和/或PEDOT(3，4-聚亞乙基二氧基-噻吩聚苯乙烯-sulfonate)形成。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17可以包括在第一電極E1上連續(xù)地淀積的有機(jī)材料層11和富勒烯層13(如巴克敏斯特富勒烯)。有機(jī)材料層11和富勒烯層13可以被設(shè)置為隔離層。每個(gè)有機(jī)材料層11和富勒烯層13可以具有約50(埃)至約1000(埃)范圍內(nèi)的厚度。此外，富勒烯層13可以與第二電極E2直接接觸。有機(jī)材料層11可以是有機(jī)導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和/或有機(jī)絕緣層。例如，有機(jī)材料層11可以由聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚烯烴、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚氨酯、聚縮醛、聚磺酸、酚醛清漆、聚乙酸酯(polyacetate)、聚醇酸、聚酰胺亞胺、聚硅氧烷、聚芳酯、聚芳砜、聚醚酰亞胺、聚四氟-乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯并惡唑、聚(苯撐亞乙烯基)(PPV)、聚芴(PF)、聚噻吩(PT)、聚(對(duì)亞苯基)(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)和/或其衍生物，和/或其共聚物形成。富勒烯層13可以是碳分子層(也稱為巴克球(buckyball))，以及根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，可以由C60形成。C60是具有約3.6eV的最低空分子軌道(LUMO)能級(jí)和約6.2eV的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)的有機(jī)半導(dǎo)體材料，通過(guò)在LUMO能級(jí)接納電子可以提供電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物。此外或在選擇性方案中，富勒烯層13可以由諸如C70、C74、C78、C82和/或C84的分子，和/或富勒烯衍生物如[6，6]-苯基C61丁酸甲酯(PCBM)形成。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，富勒烯層13可以包括球形和/或橢圓形富勒烯如巴克敏斯特富勒烯。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17(包括有機(jī)材料層11和富勒烯層13，其被連續(xù)地淀積并插入在第一和第二電極E1和E2之間)可以具有兩種不同的電阻態(tài)之一，該兩種不同的電阻態(tài)可以是電不可逆的，以及可以被一次編程。例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17可以具有約為kΩ(千歐姆)級(jí)的低電阻態(tài)或約為GΩ(千兆歐姆)級(jí)的高電阻態(tài)，它們可以是電不可逆的。通過(guò)在第一和第二電極E1和E2之間施加寫電壓，以將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17從低電阻態(tài)切換為高電阻態(tài)，數(shù)據(jù)可以被寫入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17。即使在斷電之后，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也可以被保持(即，不被擦除)。一旦數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17已經(jīng)被切換為高電阻態(tài)，那么數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以穩(wěn)定地保持該電阻狀態(tài)，以及不可能被重切換為低電阻態(tài)。圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的剖面圖。參考圖2，有機(jī)存儲(chǔ)器件的單位單元C2可以包括第一和第二電極E1和E2和其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′，第一和第二電極E1和E2和其間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以被連續(xù)地淀積在襯底10上。如圖1所示，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以包括第一電極E1上的有機(jī)材料層11和與第二電極E2接觸的富勒烯層13(例如，C60層)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′還可以包括有機(jī)化合物層12，具有分散在部分有機(jī)材料層11中的富勒烯分子。分散在有機(jī)材料層11中的富勒烯分子可以通過(guò)從富勒烯層13擴(kuò)散來(lái)提供。因此，如圖2所示，有機(jī)化合物層12可以在有機(jī)材料層11和富勒烯層13之間。根據(jù)擴(kuò)散水平面，富勒烯分子可以均勻地分散在有機(jī)材料層11中。在此情況下，圖2所示的有機(jī)材料層11也可以是具有在其中分散的富勒烯分子的有機(jī)化合物層。如上所述，當(dāng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′包括有機(jī)化合物層12時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以具有不同于圖1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17的存儲(chǔ)器性能的存儲(chǔ)器性能。亦即，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以具有至少兩種不同電阻態(tài)，該至少兩種不同電阻態(tài)是電可逆的，以及可以被重編程至少兩次。此外，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′的I-V曲線可以具有負(fù)的微分電阻(NDR)區(qū)，其中電流隨電壓增加而減小。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以具有兩種不同的電阻態(tài)(即，低電阻態(tài)和高電阻態(tài))，該兩種不同的電阻態(tài)可以是可逆的，并被重復(fù)切換。在此情況下，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′切換到高電阻態(tài)可以包括在第一和第二電極E1和E2之間施加第一極性(例如，正的重置電壓)。重置電壓可以具有等于或大于NDR區(qū)開(kāi)始時(shí)的臨界電壓。通過(guò)該重置電壓，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以被切換為高電阻態(tài)，以及即使斷電之后，也可以保持該高電阻態(tài)。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′已經(jīng)被切換為高電阻態(tài)之后，通過(guò)施加第二極性，例如，負(fù)的置位(set)電壓，它可以被切換為低電阻態(tài)，以及即使在斷電之后，也可以保持低電阻態(tài)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以具有至少兩種不同的電阻態(tài)，該兩種不同的電阻態(tài)可以是可逆的，以及可以被重復(fù)地切換。將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′切換為每個(gè)電阻態(tài)可以包括在第一和第二電極E1和E2之間施加寫電壓。寫電壓可以具有等于或大于NDR區(qū)啟動(dòng)時(shí)的臨界電壓的值，以及對(duì)應(yīng)于每個(gè)電阻狀態(tài)。在此情況下，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以存儲(chǔ)至少2位數(shù)據(jù)，以提供多位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。此外，由于可以執(zhí)行各種狀態(tài)之間的單極性切換，當(dāng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′被串聯(lián)連接到二極管器件時(shí)，可以提供具有交叉點(diǎn)結(jié)構(gòu)的高度集成的電路。圖3是采用根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元的部分有機(jī)存儲(chǔ)器件的等效電路圖。圖4是對(duì)應(yīng)于圖3的平面圖。圖1和2是在圖4所示的電極E1和/或E2的方向上有機(jī)存儲(chǔ)單元C1和C2的剖面圖。參考圖3和4，該有機(jī)存儲(chǔ)器件可以包括多個(gè)第一電極E1和交叉第一電極E1的多個(gè)第二電極E2。第一電極E1可以被布置在襯底10上的平行線中，以及第二電極E2可以跨越第一電極E1，以在重疊第一電極E1的位置提供交叉點(diǎn)。第一和第二電極E1和E2分別可以被連接到將被有選擇地調(diào)整的第一和第二驅(qū)動(dòng)電路20和30。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1和C2可以被布置在該交叉點(diǎn)處。有機(jī)存儲(chǔ)單元C1和C2可以包括第一和第二電極E1和E2的各個(gè)電極之間的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17和17′。由于參考圖1和2詳細(xì)地描述了有機(jī)存儲(chǔ)單元C1和C2(包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17和17′)，其描述將不被重復(fù)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17和17′可以與各個(gè)電極E1和E2之間的二極管D串聯(lián)電連接。二極管D可以被布置在第一電極E1和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17和17′之間的交叉點(diǎn)處。在此情況下，對(duì)應(yīng)于二極管D和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17之間的節(jié)點(diǎn)的下電極可以被布置在二極管D和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17和17′之間。參考圖3和4描述具有交叉點(diǎn)結(jié)構(gòu)的有機(jī)存儲(chǔ)器件，該交叉點(diǎn)結(jié)構(gòu)具有根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1和C2。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1和C2也可以被應(yīng)用于具有其他結(jié)構(gòu)的有機(jī)存儲(chǔ)器件。例如，有機(jī)存儲(chǔ)單元C1和C2可以與襯底上形成的開(kāi)關(guān)器件串聯(lián)電連接，類似于常規(guī)DRAM結(jié)構(gòu)的電容器。現(xiàn)在將描述制造根據(jù)的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件的方法。圖5圖示了制造根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件的操作流程圖。參考圖1，4和5，在襯底10上可以形成第一電極E1(圖5的S101)。第一電極E1可以由金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔镄纬伞５谝浑姌OE1可以使用蒸發(fā)工序、濺射工序和/或化學(xué)氣相淀積工序來(lái)形成。如圖4所示，第一電極E1可以形成為襯底10上的多個(gè)平行線。在第一電極E1上可以形成有機(jī)材料層11。有機(jī)材料層11可以是有機(jī)導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和/或有機(jī)絕緣層。形成有機(jī)材料層11可以包括在包括第一電極E1的襯底10上形成有機(jī)前體層(圖5的S103)，在有機(jī)前體層上執(zhí)行第一次退火工序(圖5的S105)，以及在該有機(jī)前體層上執(zhí)行第二次退火工序(圖5的S107)。該有機(jī)前體層可以使用旋涂工序來(lái)形成。第一次退火工序可以是用來(lái)除去有機(jī)前體層中的有機(jī)溶劑的軟烘焙工序，以及可以在約80℃(攝氏度)至約150℃(攝氏度)范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行。第二退火工序可以包括通過(guò)脫水縮合反應(yīng)，用來(lái)將有機(jī)前體層轉(zhuǎn)變?yōu)橛袡C(jī)材料層11的硬烘焙和/或固化工序，并調(diào)整有機(jī)材料層11的性能。第二次退火工序可以在諸如氬氣(Ar)、空氣或氮?dú)?N2)的惰性氣體氣氛中，在約200℃(攝氏度)至約400℃(攝氏度)范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行約30分鐘至約120分鐘。接下來(lái)，可以在有機(jī)材料層11上富勒烯層13(例如，C60層)(圖5的S109)。富勒烯層13可以使用蒸發(fā)工序和/或旋涂工序來(lái)形成，蒸發(fā)工序僅僅使用富勒烯粉末，旋涂工序使用合適的有機(jī)溶劑。富勒烯層13可以形成在被第二退火工序固化的有機(jī)材料層11上。因此，在富勒烯層13和有機(jī)材料層11之間的界面可以增加富勒烯分子和有機(jī)材料之間的反應(yīng)和/或擴(kuò)散的抑制。富勒烯層13和有機(jī)材料層11可以被設(shè)為有機(jī)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17。在形成富勒烯層13之后，可以在富勒烯層13上形成第二電極E2(圖5的S111)。第二電極E2可以由金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔镄纬?。第二電極E2可以使用蒸發(fā)工序、濺射工序或化學(xué)氣相淀積工序來(lái)形成。如圖4所示，第二電極E2可以形成為多個(gè)平行線，以在重疊第一電極E1的位置提供交叉點(diǎn)。使用如上所述的工序制造的有機(jī)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17可以具有兩種電阻狀態(tài)之一，這兩種電阻狀態(tài)互相不同，且電不可逆。因此這種存儲(chǔ)器件可以是一次可編程的(OTP)。圖6圖示了制造根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件的操作流程圖。參考圖2，4和6，在襯底10上可以形成第一電極E1(圖6的S201)，以及在第一電極E1上可以形成有機(jī)材料層11。形成有機(jī)材料層11可以包括在包括第一電極E1的襯底10上形成有機(jī)前體層(圖6的S203)，以及退火該有機(jī)前體層(圖6的S205)。該退火工序可以是用來(lái)除去有機(jī)前體層中的有機(jī)溶劑的軟烘焙工序，以及可以在約80℃(攝氏度)至約150℃(攝氏度)范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行。在退火該有機(jī)前體層之后，可以在有機(jī)材料層11上形成富勒烯層13(例如，C60層)。在此情況下，與圖5的描述不同，在形成富勒烯層13之前，可以省略有機(jī)前體層的硬烘焙工序和/或固化工序。然后，富勒烯層13可以被退火。可以在諸如氬氣(Ar)、空氣或氮?dú)?N2)氣氛中，在約200℃(攝氏度)至約400℃(攝氏度)的溫度下執(zhí)行退火富勒烯層13，約30分鐘至約120分鐘。富勒烯層13的退火條件可以與有機(jī)前體層的硬烘焙和/或固化工序的條件相同。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，在形成富勒烯層13之前，可以省略有機(jī)前體層的硬烘焙或固化工序。因此，在富勒烯層13的退火過(guò)程中，富勒烯層13中的富勒烯分子(例如，C60分子)可以容易地?cái)U(kuò)散到有機(jī)材料層11中。結(jié)果，可以形成包括從富勒烯層13擴(kuò)散并分散在有機(jī)材料層11中的富勒烯分子(例如，C60分子)的有機(jī)化合物層12。如圖2所示，有機(jī)化合物層12可以被布置在有機(jī)材料層11和富勒烯層13之間。根據(jù)富勒烯層13的退火條件，富勒烯分子可以被均勻地分散在有機(jī)材料層11中。在此情況下，圖2所示的有機(jī)材料層11也可以是包括富勒烯分子的有機(jī)化合物層。有機(jī)材料層11、有機(jī)化合物層12和富勒烯層13可以提供根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′。在退火富勒烯層13之后，可以執(zhí)行根據(jù)圖5描述的工序，以形成第二電極E2。使用根據(jù)圖6描述的工序形成的有機(jī)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以具有至少兩種電阻狀態(tài)，該至少兩種電阻狀態(tài)互相不同并且電可逆，以及可以被重編程至少兩次。此外，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′的I-V曲線可以具有負(fù)微分電阻(NDR)區(qū)，其中電流隨電壓增加而減小。<例1>圖7和8示出了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1的I-V性能的曲線圖。在使第一電極E1接地，以及施加偏壓到第二電極E2之后，可以獲得圖7和8的測(cè)量結(jié)果。制造的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的初始電阻可以約35kΩ(千歐姆)。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例、提供圖7和8的結(jié)果的存儲(chǔ)單元C1可以使用表1中描述的工藝條件來(lái)制造。如圖7所示，當(dāng)施加約3V的偏壓時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17可以被切換為約1.5GΩ(千兆歐姆)的高電阻態(tài)，電流快速減少。如圖8所示，切換為高電阻態(tài)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17可以穩(wěn)定地保持高電阻態(tài)，即使當(dāng)重施加偏壓時(shí)，也不切換為低電阻態(tài)。在圖8中，由參考數(shù)字S1指定的數(shù)據(jù)表示從0V至-10V掃描偏壓時(shí)獲得的掃描曲線，以及由參考數(shù)字S2指定的數(shù)據(jù)表示當(dāng)從0V至10V掃描偏壓時(shí)獲得的掃描曲線。此外，由參考數(shù)字S3指定的數(shù)據(jù)表示從0V至15V掃描偏壓時(shí)獲得的掃描曲線。因此根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C1的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17可以具有兩種電阻態(tài)之一，該兩種電阻態(tài)互相不同，且電不可逆的，以及該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以被一次編程(OTP)。<例2>圖9和10是示出了根據(jù)圖2所示的本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的I-V性能的曲線圖。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′的重置性能，以及圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′的置位性能。在使第一電極E1接地，以及施加偏壓到第二電極E2之后，可以獲得圖9和10的測(cè)量結(jié)果。制造的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′的初始電阻可以約500kΩ(千歐姆)。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例、提供圖9和10的結(jié)果的存儲(chǔ)單元C1可以使用表2中描述的工藝條件來(lái)制造。參考圖9，如第一掃描曲線S4所示，隨著偏壓高達(dá)約4V，電流可以增加。但是，超過(guò)約4V，盡管偏壓增加，電流可能慢慢地減小，以致NDR區(qū)可以被發(fā)現(xiàn)。當(dāng)NDR區(qū)的偏壓被施加時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以被切換為高電阻態(tài)，即使當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí)該高電阻態(tài)也被穩(wěn)定地保持。如第二掃描曲線S5所示，當(dāng)再次掃描偏壓到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′時(shí)，切換為高電阻態(tài)，高電阻態(tài)(其中幾乎沒(méi)有電流)可以被保持，直至約4V的偏壓。然后，在大約4V時(shí)，該電流可能突然增加，以及第二掃描曲線S5可以示出類似于NDR區(qū)中的第一掃描曲線S4的趨勢(shì)。當(dāng)負(fù)偏壓被施加到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′時(shí)，可以獲得類似的結(jié)果。當(dāng)偏壓的數(shù)量大于約-4V時(shí)，NDR區(qū)可以被發(fā)現(xiàn)，以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以被切換為高電阻態(tài)。參考圖10，如由第一掃描曲線S6所示，在約小于-3V的負(fù)偏壓下，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以保持復(fù)位狀態(tài)(即，高電阻態(tài))。但是，在約-3V的偏壓下，該電流可以突然地增加，以及在約-4V的偏壓下，可以增加到約大于高電阻態(tài)四個(gè)數(shù)量級(jí)。因此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以被切換為低電阻態(tài)(即，在約大于-3V的負(fù)偏壓下的置位態(tài))，以及即使當(dāng)電源被斷開(kāi)時(shí)，也可以穩(wěn)定地保持該低電阻態(tài)。如由第二掃描曲線S7所示，當(dāng)負(fù)偏壓被再次掃描到被切換為低電阻態(tài)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′時(shí)，電流可以從低偏壓增加。當(dāng)正偏壓被施加到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′時(shí)，可以獲得類似的結(jié)果。如圖9所示，當(dāng)使用約-4V的負(fù)偏壓，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′被切換為高電阻態(tài)時(shí)，使用約3V的正偏壓，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以被切換為低電阻態(tài)。圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的切換性能的曲線圖。在圖11中，為了將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′切換為高電阻態(tài)，可以使用具有約10V的電壓和約2秒的寬度(或持續(xù)時(shí)間)的復(fù)位脈沖，以及為了將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′切換為低電阻態(tài)，可以使用具有約-5V的電壓和約2秒的寬度(或持續(xù)時(shí)間)的置位脈沖。此外可以在約2V下執(zhí)行讀操作。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例、示出了圖11的測(cè)量結(jié)果的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2可以使用表2中描述的工藝條件來(lái)制造。如圖11所示，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以在高和低電阻態(tài)之間反向地和重復(fù)地切換，高低電阻態(tài)具有約四個(gè)數(shù)量級(jí)的足夠大的余量。圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2的多位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能的曲線圖。根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例、示出圖12的測(cè)量結(jié)果的有機(jī)存儲(chǔ)單元C2可以使用表2中描述的工藝條件來(lái)制造。此外，圖12示出了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′的電阻值，由于分別掃描偏壓至6V、7V、8V和9V。參考圖12，當(dāng)偏壓分別被掃描至6V、7V、8V和9V時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以具有200kΩ、1MΩ、100MΩ和1GΩ的電阻值。如圖9所示，當(dāng)NDR區(qū)的不同偏壓被施加時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以具有對(duì)應(yīng)于每個(gè)偏壓的至少兩種不同的電阻態(tài)。該結(jié)果表明數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件17′可以存儲(chǔ)至少兩位數(shù)據(jù)。此外，在不改變偏壓的極性的條件下，通過(guò)在至少兩種不同的電阻態(tài)之間切換，可以執(zhí)行單極切換，因此，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以被串聯(lián)連接到二極管器件，以提供更高度集成的電路。如由上文可以看到，根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件可以包括由有機(jī)材料層和富勒烯層的疊層形成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以使用較簡(jiǎn)單的工序制造，以提供各種存儲(chǔ)器性能。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的有機(jī)存儲(chǔ)器件可以被廣泛地應(yīng)用于各種電子器件。盡管參考其示例性實(shí)施例已經(jīng)具體展示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離附加權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以在形式上和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。權(quán)利要求1.一種有機(jī)存儲(chǔ)器件，包括第一電極；第二電極；以及在第一和第二電極之間電連接的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件包括第一電極上的有機(jī)材料層以及在該有機(jī)材料層和第二電極之間的富勒烯層。2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該富勒烯層包括C60、C70、C74、C78、C82、C84和/或富勒烯衍生物。3.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該富勒烯層包括C60。4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該富勒烯層包括球形和/或橢圓形的富勒烯。5.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供兩種不同的電不可逆電阻態(tài)之一，以提供一次可編程(OTP)操作。6.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件還包括在有機(jī)材料層和富勒烯層之間的有機(jī)化合物層，其中該有機(jī)化合物層包括分散在有機(jī)材料中的富勒烯分子。7.根據(jù)權(quán)利要求6的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供至少兩種不同的電可逆電阻態(tài)，以提供可重編程的操作。8.根據(jù)權(quán)利要求6的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供負(fù)的微分電阻(NDR)操作區(qū)，其中電流隨電壓增加而減小。9.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該第一電極包括金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔铮?或其中該第二電極包括金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔铩?0.根據(jù)權(quán)利要求9的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該第一電極包括Au、Ag、Cu、Al、Ti、TiN、TiAlN、Ta、TaN、W、WN、Ir、Pt、Pd、Zr、Rh、Ni、Co、Cr、Sn、Zn、Li、Mg、Ca和/或IrO2，和/或該第二電極包括Au、Ag、Cu、Al、Ti、TiN、TiAlN、Ta、TaN、W、WN、Ir、Pt、Pd、Zr、Rh、Ni、Co、Cr、Sn、Zn、Li、Mg、Ca和/或IrO2。11.根據(jù)權(quán)利要求9的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該第一電極包括聚乙炔、聚苯胺和/或PEDOT(3，4-聚亞乙基二氧基-噻吩聚苯乙烯-磺酸)，和/或該第二電極包括聚乙炔、聚苯胺，和/或PEDOT(3，4-聚亞乙基二氧基-噻吩聚苯乙烯-磺酸)。12.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該有機(jī)材料層包括有機(jī)導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和/或有機(jī)絕緣層。13.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該有機(jī)材料層包括聚苯乙烯、聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚烯烴、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚氨酯、聚縮醛、聚磺酸酯、酚醛清漆、聚乙酸酯、聚醇酸、聚酰胺亞胺、聚硅氧烷、聚芳酯、聚芳砜、聚醚酰亞胺、聚四氟-乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯并惡唑、聚(苯撐亞乙烯)(PPV)、聚芴(PF)、聚噻吩(PT)、聚(對(duì)亞苯基)(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)和/或其衍生物和/或共聚物。14.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該富勒烯層包括C60，以及該有機(jī)材料層包括聚酰亞胺。15.一種有機(jī)存儲(chǔ)器件，包括襯底上的多個(gè)平行第一電極；交叉該第一電極，以在第二電極交叉第一電極的位置限定交叉點(diǎn)的多個(gè)平行第二電極；以及在第一和第二多個(gè)電極之間電連接的各個(gè)交叉點(diǎn)處的多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，其中每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件包括在各個(gè)第一和第二電極之間串聯(lián)電連接的有機(jī)材料層和富勒烯層。16.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該富勒烯層包括C60、C70、C74、C78、C82、C84和/或富勒烯衍生物。17.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該富勒烯層包括球形和/或橢圓形的富勒烯。18.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該富勒烯層包括C60。19.根據(jù)權(quán)利要求18的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中該有機(jī)材料層包括聚酰亞胺。20.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供兩種不同的電不可逆電阻態(tài)之一，以提供一次可編程(OTP)操作。21.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件包括有機(jī)材料層和富勒烯層之間的有機(jī)化合物層，其中有機(jī)化合物層包括分散在有機(jī)材料中的富勒烯分子。22.根據(jù)權(quán)利要求21的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供至少兩種不同的電可逆電阻態(tài)，以提供可重編程的操作。23.根據(jù)權(quán)利要求21的有機(jī)存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供負(fù)的微分電阻(NDR)工作區(qū)，其中電流隨電壓增加而減小。24.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)存儲(chǔ)器件，還包括與第一和第二電極的各個(gè)電極之間的各個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件串聯(lián)電連接的多個(gè)二極管。25.一種制造有機(jī)存儲(chǔ)器件的方法，包括在襯底上形成第一電極；在該第一電極上形成有機(jī)材料層；在該有機(jī)材料層上形成富勒烯層；以及在該富勒烯層上形成第二電極，以便在第一和第二電極之間電連接有機(jī)材料層和富勒烯層。26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中該富勒烯層包括C60、C70、C74、C78、C82、C84和/或富勒烯衍生物。27.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中該富勒烯層包括C60。28.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中該富勒烯層包括球形和/或橢圓形的富勒烯。29.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中形成有機(jī)材料層包括在襯底和第一電極上形成有機(jī)前體層；在第一溫度下，在該有機(jī)前體層上執(zhí)行第一次退火工序；以及在高于第一溫度的第二溫度下，在該有機(jī)前體層上執(zhí)行第二次退火工序。30.根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供兩種不同的電不可逆電阻態(tài)之一，以提供一次可編程(OTP)操作。31.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，還包括在形成富勒烯層之后，在該有機(jī)前體層和富勒烯層上執(zhí)行退火工序。32.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中在該有機(jī)前體層和富勒烯層上執(zhí)行退火工序包括使富勒烯分子從富勒烯層擴(kuò)散到有機(jī)材料層中，以形成有機(jī)化合物層。33.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供至少兩種不同的電可逆電阻態(tài)，以提供可重編程的操作。34.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件被配置為提供負(fù)的微分電阻(NDR)工作區(qū)，其中電流隨電壓增加而減小。35.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，還包括在形成富勒烯層之后，在該有機(jī)前體層和富勒烯層上執(zhí)行退火工序。36.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，其中形成有機(jī)材料層包括在襯底和第一電極上形成有機(jī)前體層，以及在第一溫度下，在該有機(jī)前體層上執(zhí)行第一次退火工序，以及其中在該有機(jī)前體層和富勒烯層上執(zhí)行退火工序包括，在大于第一溫度的第二溫度下執(zhí)行第二次退火工序。37.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中該第一電極包括金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔?，?或其中該第二電極包括金屬、導(dǎo)電金屬化合物、多晶硅和/或?qū)щ娋酆衔铩?8.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中該第一電極包括Au、Ag、Cu、Al、Ti、TiN、TiAlN、Ta、TaN、W、WN、Ir、Pt、Pd、Zr、Rh、Ni、Co、Cr、Sn、Zn、Li、Mg、Ca和/或IrO2，和/或其中該第二電極包括Au、Ag、Cu、Al、Ti、TiN、TiAlN、Ta、TaN、W、WN、Ir、Pt、Pd、Zr、Rh、Ni、Co、Cr、Sn、Zn、Li、Mg、Ca和/或IrO2。39.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中該第一電極包括聚乙炔、聚苯胺和/或PEDOT(3，4-聚亞乙基二氧基-噻吩聚苯乙烯-磺酸)，和/或其中該第二電極包括聚乙炔、聚苯胺，和/或PEDOT(3，4-聚亞乙基二氧基-噻吩聚苯乙烯-磺酸)。40.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中該有機(jī)材料層包括有機(jī)導(dǎo)電層、有機(jī)半導(dǎo)體層和/或有機(jī)絕緣層。41.根據(jù)權(quán)利要求40的方法，其中該有機(jī)材料層包括聚苯乙烯、聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚烯烴、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚氨酯、聚縮醛、聚磺酸鹽、酚醛清漆、聚乙酸酯(polyacetate)、聚醇酸、聚酰胺亞胺、聚硅氧烷、聚芳酯、聚芳砜、聚醚酰亞胺、聚四氟-乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯并惡唑、聚(苯撐亞乙烯)(PPV)、聚芴(PF)、聚噻吩(PT)、聚(對(duì)亞苯基)(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)和/或其衍生物和/或共聚物。42.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中該富勒烯層包括C60，以及該有機(jī)材料層包括聚酰亞胺。全文摘要一種有機(jī)存儲(chǔ)器件可以包括有機(jī)材料層和富勒烯層的疊層，以在第一和第二電極之間提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以包括第一電極上形成的有機(jī)材料層以及該有機(jī)材料層和第二電極之間的富勒烯層。還論述了制造有機(jī)存儲(chǔ)器件的方法。文檔編號(hào)H01L27/28GK101083300SQ20071010821公開(kāi)日2007年12月5日申請(qǐng)日期2007年6月4日優(yōu)先權(quán)日2006年6月2日發(fā)明者趙炳玉,李文淑,安江崇裕申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社