專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制作方法，特別涉及一種在金屬氧化物半導(dǎo)體
場效應(yīng)晶體管(metal oxide semiconductor filed effect transistors; MOSFET)中 制作雙重?cái)U(kuò)散漏極(double diffused drain; DDD)的方法。
背景技術(shù)：
隨著晶體管及半導(dǎo)體元件尺寸的縮小，必須制作較淺的源極及漏極區(qū)域。 然而，上述淺源極及漏極區(qū)域所需的較高的摻雜濃度會導(dǎo)致元件溝道內(nèi)電場 的增加。若上述電場增加至某個(gè)程度，會導(dǎo)致熱載流子(hotcarrier)的問題， 其中熱載流子指溝道區(qū)域內(nèi)那些獲得了足夠的能量，而從溝道區(qū)域射出至柵 極介電層的電子。上述熱載流子現(xiàn)象會導(dǎo)致長期的元件退化(degradation) 并降低元件的可靠性。
減少上述熱載流子問題的一種方法是利用雙重?cái)U(kuò)散漏極，其中上述雙重 擴(kuò)散漏極指的是進(jìn)行兩次注入步驟，來制作源極及漏極區(qū)域。例如，雙重?cái)U(kuò) 散漏極通常作為高電壓金屬氧化物半導(dǎo)體(high voltage metal oxide semiconductor; HVMOS)晶體管中的源極及漏極。雙重?cái)U(kuò)散漏極除了可避免 熱載流子的問題外，同時(shí)也可以在高電壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管中提供較 高的擊穿電壓(breakdown voltage)，且預(yù)防導(dǎo)致半導(dǎo)體元件損壞的靜電放 電(electrostatic discharge )現(xiàn)象。
上述雙重?cái)U(kuò)散漏極可通過各種不同的方式形成，如圖1A至圖ID示出的 一種現(xiàn)有技術(shù)制作雙重?cái)U(kuò)散漏極的方法。首先，在圖1A中，提供襯底IOI， 且襯底101上方形成有隔離區(qū)域103。接著，形成晶體管柵極堆疊層105于 襯底101上，且晶體管柵極堆疊層105包含柵極介電層107及柵極電極109。 圖2B顯示進(jìn)行例如磷的雜質(zhì)的第一注入，以形成第一源/漏極區(qū)域111。在 圖1C中，進(jìn)行例如砷的雜質(zhì)的第二注入，以形成第二源/漏極區(qū)域113于第 一源/漏極區(qū)域111。最后，圖2D顯示在完成推入第一源/漏極區(qū)域111的熱
退火(thermal anneal)步驟后的完整的雙重?cái)U(kuò)散漏極。
可惜的是，上述工藝并非理想的半導(dǎo)體裝置制作方法。為了完成上述雙 重?cái)U(kuò)散漏極的制作，必須進(jìn)行熱退火步驟，以獲得合適的注入分布。上述熱 退火具有相當(dāng)?shù)臒釓?qiáng)度，因此為了完成雙重?cái)U(kuò)散漏極的制作需要額外的熱預(yù) 算(thermal budget)，從而造成較高的制作成本。
圖2A至圖2D顯示另一種形成雙重?cái)U(kuò)散漏極的方法。如圖2A所示，襯 底201具有隔離區(qū)域203，且襯底203上方形成有晶體管柵極堆疊層205，其 中晶體管柵極堆疊層205包含柵極介電層207及柵極電極209。在圖2B中示 出，進(jìn)行第一注入，以形成第一源/漏極區(qū)域211，其中相似的工藝可參閱圖 1B的說明。圖2C顯示，形成掩模層213于襯底201、隔離區(qū)域203及晶體 管柵極堆疊層205的上方。在圖2D中，顯示在進(jìn)行第二注入步驟，以形成 第二源/漏極區(qū)域215，且除去掩模層213之后的最終結(jié)構(gòu)。
很遺憾，上述工藝也并非是理想的半導(dǎo)體裝置制作方法。上述利用掩模 層的方式，在工藝中會包括其它的步驟，使得制作半導(dǎo)體裝置的方法變得更 復(fù)雜。因此，上述掩模層的方式，會增加半導(dǎo)體制作的時(shí)間及成本，以及工 藝的預(yù)備工作。
由于在半導(dǎo)體裝置中制作雙重?cái)U(kuò)散漏極會伴隨產(chǎn)生上述及其它的問題。 因此，急需一種新的制作雙重?cái)U(kuò)散漏極的方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，通過本發(fā)明的實(shí)施例，不但可提供一種簡化及更具成本效益 的在半導(dǎo)體裝置中制作雙重?cái)U(kuò)散漏極的方法，更可解決或避免上述問題，此 外，也可達(dá)到技術(shù)上的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的一目的提供一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，且上述半導(dǎo)體裝置具
有雙重?cái)U(kuò)散漏極。上述半導(dǎo)體裝置的制作方法，包括提供上方形成有隔離 區(qū)域的襯底，且形成第一介電層(也可稱為柵極介電層)于該襯底上。接著， 圖案化該第一介電層，以大體上暴露部分的該襯底。之后，形成第二介電層 于該襯底的暴露部位上，且該第二介電層的厚度不同于該第一介電層的厚度。 接著，形成柵極電極于該第一介電層上。最后，通過注入摻雜物穿過該第一 介電層及該第二介電層，以形成雙重?cái)U(kuò)散漏極區(qū)域。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該襯底可包含通過該隔離區(qū)域隔離的高 電壓區(qū)域及低電壓區(qū)域。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該半導(dǎo)體裝置可為p型金屬氧化物半導(dǎo) 體場效應(yīng)晶體管。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該半導(dǎo)體裝置可為n型金屬氧化物半導(dǎo) 體場效應(yīng)晶體管。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，形成該雙重?cái)U(kuò)散漏極區(qū)域可包括進(jìn)行 第一級能量的第一注入，以形成第一劑量區(qū)域；以及進(jìn)行第二級能量的第二 注入，以形成第二劑量區(qū)域，其中該第二級能量不同午該第一級能量。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該第一劑量區(qū)域的濃度可介于2><1012原 子/cm2至8xl0^原子/cm2之間。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該第一劑量區(qū)域的深度可介于0.1微米 至0.3微米之間。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該第二劑量區(qū)域的濃度可介于lxl0"原 子/cm2至約1 x 1016原子/cm2之間。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該第二劑量區(qū)域的深度可介于0.008微 米至0.04微米之間。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，形成該雙重?cái)U(kuò)散漏極區(qū)域可包括進(jìn)行 第一摻雜物的第一注入步驟，以形成第一劑量區(qū)域；以及進(jìn)行第二摻雜物的 第二注入步驟，以形成第二劑量區(qū)域。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該第一摻雜物可為輕雜質(zhì)，而該第二慘 雜物可為重雜質(zhì)。
上述半導(dǎo)體裝置的制作方法中，該第二介電層的第二厚度可小于該第一 介電層的第一厚度。
本發(fā)明的另一目的提供一種雙重?cái)U(kuò)散漏極的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶 體管的制作方法。上述雙重?cái)U(kuò)散漏極的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制 作方法，包括提供上方形成有隔離區(qū)域的襯底，且形成第一介電層于該襯底 上。接著，圖案化該第一介電層，以大體上暴露部分的該襯底。之后，形成 第二介電層于該襯底的暴露部位上，以致于該第二介電層的厚度不同于該第 一介電層的厚度。接著，形成柵極電極于該第一介電層上。最后，進(jìn)行第一
級能量的第一注入，以形成雙重?cái)U(kuò)散漏極的第一劑量區(qū)域，以及進(jìn)行第二級 能量的第二注入，以形成雙重?cái)U(kuò)散漏極的第二劑量區(qū)域，其中第二級能量不 同于第一級能量。由于，介電層間的過濾能力及注入時(shí)穿透該些介電層的摻 雜物能量的差異，從而可形成最終的雙重?cái)U(kuò)散漏極。
本發(fā)明的再一目的提供一種半導(dǎo)體裝置的制作方法。上述半導(dǎo)體裝置的 制作方法，包括包括提供上方形成有隔離區(qū)域的襯底，且形成第一介電層于 該襯底上。接著，圖案化該第一介電層，以大體上暴露部分的該襯底。之后， 形成第二介電層于該襯底的暴露部位上，以致于該第二介電層的厚度不同于 該第一介電層的厚度。接著，形成柵極電極于該第一介電層上。最后，進(jìn)行 第一摻雜物的第一注入步驟，以形成第一劑量區(qū)域；以及進(jìn)行第二摻雜物的 第二注入步驟，以形成第二劑量區(qū)域。注入的該第一摻雜物及第二摻雜物會 穿透第一介電層與第二介電層所構(gòu)成的階梯圖案(steppedpattern)。介電層 間的過濾能力及注入時(shí)穿透該些介電層的摻雜物分子的差異，最終可在襯底 之中形成雙重?cái)U(kuò)散漏極。
通過上述在半導(dǎo)體裝置中制作雙重?cái)U(kuò)散漏極的方法，可排除現(xiàn)有技術(shù)制 作雙重?cái)U(kuò)散漏極的問題。在本發(fā)明實(shí)施例中，不需要額外進(jìn)行現(xiàn)有技術(shù)為了 將摻雜物更推入襯底所必需的熱退火步驟，并且也不需要額外為了注入第二 摻雜物而必須設(shè)置及除去掩模層。因此，本發(fā)明可簡化(不需額外的步驟) 在半導(dǎo)體裝置中雙重?cái)U(kuò)散漏極的工藝步驟，并降低其制作成本(避免退火所 需的熱預(yù)算)。


接下來，配合附圖進(jìn)行說明，以進(jìn)一步了解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1A-1D顯示傳統(tǒng)通過熱退火的方式，在半導(dǎo)體裝置制作雙重?cái)U(kuò)散漏極 的剖面圖2A-2D顯示傳統(tǒng)通過在注入步驟間形成掩模層的方式，在半導(dǎo)體裝置
制作雙重?cái)U(kuò)散漏極的剖面圖；以及
圖3A-3F顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制作雙重?cái)U(kuò)散漏極的剖面圖。 除非另有說明，在不同附圖中對應(yīng)的元件符號及編號對應(yīng)相似的元件。
附圖的目的主要是清楚表示較佳實(shí)施例，且實(shí)際尺寸不需要與附圖相同。
其中，附圖標(biāo)記說明如下 相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的元件符號
101~襯底；103 隔離區(qū)域；105 晶體管柵極堆疊層；107 柵極介電層； 109 柵極電極層；111~第一源/漏極區(qū)域；113~第二源/漏極區(qū)域。
201~襯底；203 隔離區(qū)域；205 晶體管柵極堆疊層；207 柵極介電層； 209 柵極電極層；211~第一源/漏極區(qū)域；213 掩模層；215~第二源/漏極區(qū)域。
實(shí)施例元件符號
300 低電壓區(qū)域；301 高電壓區(qū)域；302~襯底；303 隔離區(qū)域；305 第 一介電層；307 光阻掩模層；309 第二介電層；310 柵極電極；311~高劑量 區(qū)域；313 低劑量區(qū)域。
具體實(shí)施例方式
接下來，詳細(xì)說明本發(fā)明較佳實(shí)施例的制作及使用。然而，可以了解的 是，本發(fā)明提供許多可應(yīng)用于各種不同的廣泛領(lǐng)域的發(fā)明概念。因此，實(shí)施 例僅是用來說明制作及使用本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，并不用以限制本發(fā)明。
本發(fā)明以在金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管中制作雙重?cái)U(kuò)散漏極的較佳 實(shí)施例進(jìn)行說明。然而，本發(fā)明也可用來制作其它需要多重?cái)U(kuò)散區(qū)域的元件。
圖3A顯示具有高電壓區(qū)域301及低電壓區(qū)域300的襯底302。如圖3A 所示，隔離區(qū)域303用來分隔有源區(qū)域，包括分隔高電壓區(qū)域301及低電壓 區(qū)域300。上述高電壓區(qū)域301及低電壓區(qū)域300可以彼此相鄰地設(shè)置于襯 底302上，或分離地設(shè)置于襯底302上(如圖3A中兩個(gè)區(qū)域間的波浪線所 示)。
上述襯底302可以是包含摻雜或未摻雜雜質(zhì)的本體硅(bulk silicon)或 絕緣層上硅(silicon on insulator; SOI)的襯底的有源層。絕緣層上硅的襯底， 通常包含一層半導(dǎo)體材料，例如硅、鍺(germanium)、硅鍺(silicon germanium)、絕緣層上硅、絕緣層上硅鍺(silicon germanium on insulator; SGOI)或其組合。另外，上述襯底302也可以是多層(multi-layered)襯底、 梯度襯底(gradient substrate)或混合定向襯底(hybrid orientation substrate)。
一般來說，隔離區(qū)域303可電性隔離形成在襯底302上方的電子元件。
在一實(shí)施例中，隔離區(qū)域303可以是場氧化區(qū)域(field oxide region)，且通 過硅的局部性氧化(local oxidation of silicon; LOCOS)或在襯底302圖案化 溝槽且填充氧化硅或其它絕緣材料于溝槽之中的方式形成。當(dāng)然，上述隔離 區(qū)域303也可以利用其它合適的材料及制作方式，例如利用淺溝槽隔離 (shallow trench isolation; STI)的方式，將部分元件與襯底302上的其它元 件隔離。
在圖3B中，同時(shí)沉積第一介電層305 (也可稱為柵極介電層)于高電壓 區(qū)域301及低電壓區(qū)域300內(nèi)的襯底302的暴露區(qū)域上。上述第一介電層305 較佳可以是厚度介于300埃(A)至2000埃(A)的氧化層。在一實(shí)施例中， 形成第一介電層305的方式可以是使用四氧乙基硅(tetra-ethyl-ortho-silicate; TEOS)及氧氣作為前體(precursor)的化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)法。上述第一介電層305也可用其它合適的方式，以及利用其它材料 例如氧化硅、含氮的氧化物(nitrogen-containingoxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鑭(lanthanum oxide)、氧化鉿(hafnium oxide)、氧化鋯(zirconium oxide)、氧氮化鉿(hafniumoxynitride)及其組合或其相似物來形成。
如圖3C所示，接著，圖案化上述第一介電層305。在一實(shí)施例中，沉積 光阻掩模層307于高電壓區(qū)域301內(nèi)的第一介電層305的上方，接著，曝光 及顯影上述光阻掩模層307，以在高電壓區(qū)域301內(nèi)形成如圖3C所示的圖案。 接著，除去暴露的部分第一介電層。由于光阻掩模層307并未遮蔽低電壓區(qū) 域300內(nèi)的第一介電層305，因此，在除去暴露的部分第一介電層305時(shí)， 在低電壓區(qū)域300內(nèi)的第一介電層305也會被除去。在一實(shí)施例中，除去暴 露的部分第一介電層305，以大體上暴露其下方的襯底302。接著，再除去光 阻掩模層307。
圖3D顯示形成第二介電層309。如圖3D所示，在高電壓區(qū)域301之中， 第二介電層309形成在第一介電層305開口中的暴露襯底302上，且在第一 介電層305與第二介電層309之間形成階梯圖案。又如圖3D所示，在低電 壓區(qū)域300中，第二介電層309形成于襯底320的暴露部位上。上述第二介 電層309較佳可以是厚度介于30埃至120埃的氧化層。在一實(shí)施例中，形成 第一介電層305的方式可以是使用四氧乙基硅及氧氣作為前體的化學(xué)氣相沉 積法。上述第一介電層305也可用其它合適的方式，以及其它材料例如氧化 硅、含氮氧化物、氧化鋁、氧化鑭、氧化鉿、氧化鋯、氧氮化鉿及其組合或 其相似物來形成。
圖3E顯示高電壓區(qū)域301的放大示意圖，且形成柵極電極301。此柵極 電極301較佳包含導(dǎo)電材料，例如金屬材料、硅化金屬、氮化金屬、摻雜的 多晶硅、其它導(dǎo)電材料或其組合，上述金屬材料例如為鉭(tantalum)、鈦 (titanium)、鉬(molybdenum)、鉤(tungsten)、鈾(platinum)、鋁(aluminum)、 鉿(hafiiium )、釕(ruthenium )，上述硅化金屬例如為硅化鈦(titanium silicide )、 硅化鈷(cobalt silicide)、硅化鎳(nickel silicide)、硅化鉭(tantalum silicide)， 上述氮化金屬例如為氮化鈦(titaniumnitride)、氮化鉭(tantalumnitride)。 在例如柵極電極301是多晶硅的較佳實(shí)施例中，通過低壓化學(xué)氣相沉積 (low-pressure chemical vapor deposition; LPCVD)法形成多晶硅的柵極電極 310，上述多晶硅為摻雜或未摻雜雜質(zhì)的，且上述多晶硅的厚度范圍介于約 400埃至2500埃之間，較佳可以是1500埃。
在圖3F中，形成構(gòu)成雙重?cái)U(kuò)散漏極的高劑量區(qū)域311及低劑量區(qū)域 313。在一實(shí)施例中，利用第一介電層305及第二介電層309，以過濾高能量 及低能量的注入，從而形成高劑量區(qū)域311及低劑量區(qū)域313于第一介電層 305及第二介電層309下方的襯底302之中。在一實(shí)施例中，n型金屬氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOSFET)可以是下列方式制作的通過第一注入， 例如將磷(phosphorous)的摻雜物注入于低劑量區(qū)域313及高劑量區(qū)域311 之中。上述第一注入可以是，利用高能量注入高能量摻雜物的深度介于約0.1 微米(pm)至0.3微米之間，且濃度介于約2><1012原子/(^12至約8><1012原子 /cn^之間的方式完成，以形成低劑量區(qū)域313。在同一實(shí)施例中，接著進(jìn)行 例如磷的低能量注入(也可稱為第二注入)，其中低能量注入與高能量注入 相比，會差異性地穿過第一介電層305及第二介電層309，從而形成深度介 于約0.008微米至0.04微米之間的低能量摻雜物，且其濃度介于約lxl013原 子/cr^至約lxl0"原子/cr^之間，以形成高劑量區(qū)域3U。
在另一p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(PMOSFET)的實(shí)施例中， 可以是通過制作具有例如硼(boron)摻雜物的低劑量區(qū)域313及高劑量區(qū)域 311的方式形成。在本實(shí)施例中，利用高能量注入的方式，注入硼摻雜物， 以形成深度介于約0.1微米至0.3微米之間的低劑量區(qū)域313，且其濃度可介
于約2><1012原子/01112至約8><1012原子/(^12之間。接著，通過低能量注入的方 式，注入硼摻雜物，以形成深度介于約0.008微米至0.04微米之間的高劑量 區(qū)域311，且其濃度可介于約lxlO"原子/cn^至約lxlO"原子/cn^之間。值 得注意的是，因第一介電層305與第二介電層309間的過濾能力的差異，會 制作出雙重?cái)U(kuò)散漏極的分離區(qū)域。
另外，如圖3F所示的元件也可用注入不同雜質(zhì)(也可稱為摻雜物)的 方式取代上述高能量及低能量注入的方式來完成。在n型金屬氧化物半導(dǎo)體 場效應(yīng)晶體管的較佳實(shí)施例中，可通過進(jìn)行輕雜質(zhì)(例如是磷)的第一注入 于襯底302之中，以形成深度介于約0.1微米至0.3微米之間，且濃度可以是 介于約2><1012原子/(:1112至約8><1012原子/(^2之間的低劑量區(qū)域313。接著， 高劑量區(qū)域311可通過進(jìn)行重雜質(zhì)(例如銻(antimony)或砷(arsenic)) 的第二注入至深度介于約0.008微米至0.04微米之間，且其濃度為約lxl013 原子/cm2至約1 x 1016原子/cm2之間的方式來形成。
在另一p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的實(shí)施例中，也可以是通過 進(jìn)行輕雜質(zhì)(例如硼)的第一注入于襯底302之中，以形成深度介于約0.1 微米至0.3微米之間，且濃度可以是介于約2><1012原子/01112至約8><1012原子 /cn^之間的低劑量區(qū)域313。接著，通過進(jìn)行重雜質(zhì)(例如二氟化硼(BF2+)) 的第二注入，至深度介于約0.008微米至0.04微米之間，且其濃度約lx1013 原子/cn^至約lxlO"原子/cn^之間的方式，以形成高劑量區(qū)域311。如同上 述實(shí)施例，當(dāng)注入的輕雜質(zhì)及重雜質(zhì)穿過上述第一介電層305及第二介電層 309時(shí)，由于第一介電層305及第二介電層309間的過濾效果的差異，因此 可制作雙重?cái)U(kuò)散漏極。
可以了解的是，上述具體實(shí)施的材料及形成方式可以是，使用其它合適 的材料作為重雜質(zhì)及輕雜質(zhì)，且形成方式也可以是利用例如等離子體加強(qiáng)式 離子注入(plasma enhanced ion implantation)的其它離子注入技術(shù)。
如本領(lǐng)域技術(shù)人員可了解的是，本發(fā)明的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)之一為可同時(shí)排 除在現(xiàn)有技術(shù)中注入步驟間必需進(jìn)行的熱退火及形成掩模層的步驟。由于本 發(fā)明的實(shí)施例不需要熱退火處理，因此，可降低所需要的熱預(yù)算及必要的制 作成本。而且，本發(fā)明的實(shí)施例不需要在注入步驟時(shí)形成必要的掩模層，因 此也可以簡化制作步驟。
雖然本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)已詳細(xì)說明如上，可以了解到的是，不同的變化、 組成及替換方案在不脫離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)均應(yīng)屬 于本發(fā)明的范圍。例如，可以用各種方式來注入離子。上述任一注入的方式， 可完成與根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例大體上相同的結(jié)果，應(yīng)仍屬本發(fā)明的范圍。
再者，本發(fā)明的范圍不限于本說明書所述制作本發(fā)明的具體實(shí)施例的方 法。本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易了解到，根據(jù)本發(fā)明揭示的內(nèi)容，可用目前現(xiàn)行 的制作方法或未來發(fā)展的制作方法，取得與根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例大體上相同 功能或達(dá)到大體上相同的結(jié)果。據(jù)此，本發(fā)明的范圍應(yīng)包括上述方法的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，包括提供上方形成有隔離區(qū)域的襯底；在該襯底上形成具有第一厚度的第一介電層；圖案化該第一介電層，以大體上暴露部分的該襯底；在該襯底的暴露部位上形成具有第二厚度的第二介電層，且該第二厚度不同于該第一厚度；在該第一介電層上形成柵極電極；以及通過注入摻雜物穿過該第一介電層及該第二介電層，以形成雙重?cái)U(kuò)散漏極區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該襯底包含通過該 隔離區(qū)域隔離的高電壓區(qū)域及低電壓區(qū)域。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該半導(dǎo)體裝置為p 型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該半導(dǎo)體裝置為n 型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中形成該雙重?cái)U(kuò)散漏 極區(qū)域包括進(jìn)行第一級能量的第一注入，以形成第一劑量區(qū)域；以及 進(jìn)行第二級能量的第二注入，以形成第二劑量區(qū)域，其中該第二級能量 不同于該第一級能量。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第一劑量區(qū)域的 濃度介于2x 1012原子/cm2至8xl012原子/cm2之間。
7. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第一劑量區(qū)域的 深度介于0.1微米至0.3微米之間。
8. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第二劑量區(qū)域的 濃度介于lxl0"原子/cm2至約lxl0"原子/cm2之間。
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第二劑量區(qū)域的 深度介于0.008微米至0.04微米之間。
10. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中形成該雙重?cái)U(kuò)散 漏極區(qū)域包括進(jìn)行第一摻雜物的第一注入步驟，以形成第一劑量區(qū)域；以及 進(jìn)行第二摻雜物的第二注入步驟，以形成第二劑量區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第一摻雜物為 輕雜質(zhì)，而該第二摻雜物為重雜質(zhì)。
12. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該第二介電層的 第二厚度小于該第一介電層的第一厚度。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，該半導(dǎo)體裝置具有雙重?cái)U(kuò)散漏極。該方法包括形成第一介電層于襯底上，且遮蔽及圖案化第一介電層；當(dāng)圖案化第一介電層后，沉積具有不同于第一介電層厚度的第二介電層于圖案化后的第一介電層之中；當(dāng)設(shè)置上述第一介電層及第二介電層形成階梯圖案后，通過注入離子穿過第一介電層及第二介電層，形成雙重?cái)U(kuò)散漏極。該方法的另一實(shí)施例為，通過不同的能量方式，注入離子穿過第一介電層及第二介電層，以形成不同劑量的摻雜區(qū)域。該方法的再一實(shí)施例為，利用不同雜質(zhì)(輕及重)取代不同能量注入的方式，注入離子穿過第一介電層及第二介電層，以形成不同劑量的摻雜區(qū)域。本發(fā)明可簡化在半導(dǎo)體裝置中雙重?cái)U(kuò)散漏極的工藝步驟。
文檔編號H01L21/336GK101192540SQ20071010902
公開日2008年6月4日 申請日期2007年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月30日
發(fā)明者古紹延, 陳鴻霖 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司