專利名稱：半導體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法，特別涉及具有晶片級芯片尺
寸封裝(Wafer Level Chip Size Package)(以下，也簡稱為W-CSP。)結(jié)構(gòu)的 半導體裝置及其制造方法。
io
背景技術(shù)：
近年，要求封裝化的半導體裝置的進一步小型化、薄型化。為了響
應(yīng)該要求，提出了封裝外形尺寸與半導體芯片的外形尺寸實質(zhì)上相同的 稱為晶片級芯片尺寸封裝(W-CSP)的封裝形態(tài)。
在W-CSP中，己知有緩和在外部端子及該外部端子與布線的界面上 is發(fā)生的應(yīng)力，防止可靠性降低的半導體裝置(例如，參照專利文獻l。)
另外，本發(fā)明人的專利文獻2中公開了如下的制造方法在形成為了
緩和W-CSP包含的半導體基板(半導體芯片)的熱膨脹系數(shù)與安裝基板的 熱膨脹系數(shù)之差導致的應(yīng)力而形成的柱形電極時，使用于形成再布線的 電鍍處理的條件與用于形成柱形電極的電鍍條件不同。 加 [專利文獻1 ]日本特開2004-6486號公報日本特開2005-64473號公報
W-CSP例如裝載于安裝基板上來發(fā)揮其功能。特別是把具有柱形電 極的W-CSP裝載到安裝基板上時或裝載后，從W-CSP外施加的應(yīng)力特別 集中到外部端子、柱形電極及再布線(層)的一部分即柱形電極裝載部上。 25另外，柱形電極也稱為柱狀電極或突出電極。
結(jié)果，位于再布線更下側(cè)的半導體裝置中，由于作為本質(zhì)構(gòu)成要素 的布線發(fā)生斷線，或例如在層間絕緣膜上產(chǎn)生裂紋，從而可能損害半導 體裝置的本質(zhì)的電氣特性。
發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的目的是提供一種具有如下結(jié)構(gòu)的半導體裝置，即使
在W-CSP裝載到安裝基板等上時或裝載到安裝基板等上后，來自外部的
應(yīng)力特別施加到柱形電極附近時，也可防止布線的斷線這樣的本質(zhì)的構(gòu)
5成要素的破損，防止W-CSP的電氣特性的喪失。
本發(fā)明的半導體裝置具有下記的結(jié)構(gòu)上的特征。即本發(fā)明的半導體
裝置包括半導體芯片，其具有露出多個電極焊盤的第l主表面，和在該
第l主表面上設(shè)置成使電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜；再布線層， 其包含多個布線圖案，多個上述布線圖案具有一端與電極焊盤電連接并
io從電極焊盤導出的線狀部，和與該線狀部的另一端連接的大致凹多邊形 的柱形電極裝載部；多個柱形電極，其設(shè)置在布線圖案的柱形電極裝載 部上，其底面具有與該柱形電極裝載部的上表面輪廓在至少2點相交的輪 廓；密封部，其使多個柱形電極的頂面露出；以及多個外部端子，其裝 載在柱形電極的頂面上。
!5 另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法的主要工序如下。
(1) 準備基板的工序，該基板具有露出多個電極焊盤的第l主表面； 和在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜， 并且該基板劃分了多個半導體芯片區(qū)域；
(2) 形成包含布線圖案的再布線層的工序，該布線圖案為在層間絕緣 20膜上、并在半導體芯片區(qū)域內(nèi)延伸的多個布線圖案，上述布線圖案具有
一端與電極焊盤電連接并從電極焊盤導出的線狀部和與該線狀部的另一 端連接的大致凹多邊形的柱形電極裝載部；
(3) 形成多個柱形電極的工序，該柱形電極設(shè)置在布線圖案的上述柱 形電極裝載部上，并且其底面具有與該柱形電極裝載部的上表面輪廓在
25至少2點相交的輪廓；
(4) 使多個柱形電極的頂面露出而形成密封部的工序；
(5) 在多個柱形電極的頂面上裝載多個外部端子的工序；
(6) 將多個半導體芯片區(qū)域之間切斷，進行半導體裝置的單片化的工序。
根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)，由于特別在柱形電極裝載部的形 狀上下了工夫，因此即使在柱形電極附近及與其連接的再布線層的附近 的層間絕緣膜這樣的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等的破損，也可防止破損連 續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。 5 另外，根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)，特別在柱形電極的下側(cè)具
有緩和、阻止來自W-CSP的外部的應(yīng)力或防止破損進一步擴展的結(jié)構(gòu)。 從而，由于通過該結(jié)構(gòu)來分散應(yīng)力，因此可防止來自W-CSP的外部的應(yīng)
力對特別是柱形電極及與其連接的再布線的破損。
從而，可進一步有效防止構(gòu)成要素的破損本身及破損的擴展。結(jié)果，
10可進一步提高半導體裝置的電氣特性的可靠性。
另外，根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，可更有效率地制造具 有已說明的結(jié)構(gòu)和并實現(xiàn)己說明的作用效果的半導體裝置。
15 圖1(A)是說明半導體裝置的結(jié)構(gòu)的從上表面看到的概略俯視圖。圖l
(B)用于說明布線圖案與電極柱形的連接關(guān)系，是將圖1(A)的由實線11包 圍的一部分區(qū)域放大表示的概略要部俯視圖。
圖2(A)是透視地示出布線圖案的要部俯視圖，圖2(B)是表示沿圖2(A) 的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。 20 圖3(A)、 (B)及(C)是部分概略制造工序圖。
圖4是圖3(C)后續(xù)的制造工序圖。
圖5(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖5(B) 是表示沿圖5(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖6(A)、 (B)及(C)是部分概略制造工序圖。 25 圖7是圖6(C)后續(xù)的制造工序圖。
圖8(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖8(B) 是表示沿圖8(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖9(A)、 (B)及(C)是部分概略制造工序圖。
圖10是圖9(C)后續(xù)的制造工序圖。
圖11(A)是透視地示出該例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖， 圖11(B)是表示沿圖11(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖12(A)、 (B)及(C)是表示制造途中的半導體裝置的剖面的部分概略 制造工序圖。
5 圖13(A)是透視地示出該例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖， 圖13(B)是表示沿圖13(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖14(A)、 (B)及(C)是表示制造途中的半導體裝置的剖面的部分概略 制造工序圖。
圖15(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖15(B) io是表示沿圖15(A)咖-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖16(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖16(B) 是表示沿圖16(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖17(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖17(B) 是表示沿圖17(A)的I-r點劃線剖開的剖面的概略圖。 15 圖18(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖18(B) 是表示沿圖18(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖19(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖19(B) 是表示沿圖19(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖20(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖20(B) 20是表示沿圖20(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖21(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖21(B) 是表示沿圖21(A)附-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖22(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖22(B) 是表示沿圖22(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。 25 圖23(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖23(B)
是表示沿圖23(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖24(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖24(B) 是表示沿圖24(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖25(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖25(B)
是表示沿圖25(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖26(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖26(B) 是表示沿圖26(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖27(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖27(B) 5是表示沿圖27(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖28(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖28(B) 是表示沿圖28(A)的I-r點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖29(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖29(B) 是表示沿圖29(A)的I-I，點劃線剖開的剖面的概略圖。 io 圖30(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖30(B)
是表示沿圖30(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖31(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖31(B) 是表示沿圖31(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
圖32(A)是透視地示出半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖32(B) 15是表示沿圖32(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
標號說明
IO:半導體裝置；U:部分區(qū)域；14:半導體芯片區(qū)域；30:半導體芯片； 30a:第l主表面；30b:第2主表面；31:柱形電極裝載區(qū)域；32:電極焊盤；
20 34:層間絕緣膜；35:(前驅(qū))基底金屬膜；36:基底金屬層、基底金屬圖案； 40:再布線層；42:布線圖案；42a:線狀部；42b:柱形電極裝載部；42ba:凸 部；42bb:凹部；44:密封部；45:耐應(yīng)力樹脂圖案；46:柱形電極；46a:頂面； 46b:底面；46X:第l部分；46Y:第2部分；47:耐應(yīng)力金屬圖案；47a:耐應(yīng)力 基底金屬圖案；48:外部端子；48a:焊接球；50:應(yīng)力緩沖樹脂層；50a:表
25面；52:開口部；54:柱形電極基底金屬圖案；62滯1抗蝕劑圖案；64:第2 抗蝕劑圖案。
具體實施例方式
以下，參照
本發(fā)明的實施方式。另外，附圖中只是以可理
解本發(fā)明的程度來概略地表示了各構(gòu)成部分的形狀、大小及配置關(guān)系， 并沒有用于特別限定本發(fā)明。另外，以下的說明中采用了特定的材料、 條件及數(shù)值條件等，但是這些只是優(yōu)選例之一，并不局限于此。另外， 應(yīng)理解的是以下的說明中采用的各圖中對同樣的構(gòu)成部分標注相同標 5號，有時還省略其重復(fù)的說明。 (第l實施方式) 1.半導體裝置的結(jié)構(gòu)
參照圖1及圖2，說明該例的半導體裝置的實施方式。圖1(A)是用于 說明半導體裝置的結(jié)構(gòu)的從上表面看到的概略俯視圖，圖1(B)是為了說明 io布線圖案與電極柱形的連接關(guān)系而將圖1(A)的由實線11包圍的部分區(qū)域 放大表示的概略要部俯視圖。
另外，圖2(A)是透視地示出該例的布線圖案的要部俯視圖，圖2(B) 是表示沿圖2(A)的I-I'點劃線剖開的剖面的概略圖。
該例的半導體裝置的特征是再布線層的布線圖案的形狀，特別是柱 15形電極裝載部。
如圖2(A)及圖2(B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導體 芯片30。
另外，以下，以長方體為例說明半導體裝置10及半導體芯片30的形
狀，但是它們的形狀都不限于長方體。 20 該半導體芯片30具備具有規(guī)定的功能的電路元件(未圖示)。半導體芯
片30具備第l主表面30a和與該第l主表面30a相對的第2主表面30b。
半導體芯片30具有在第l主表面30a上的層間絕緣膜34和存在于該層
間絕緣膜34的表面與第2主表面30b之間的l個或2個以上的側(cè)面。該層間
絕緣膜34由絕緣性的材料構(gòu)成。與電路元件連接的多個電極焊盤32在第1 25主表面30a上沿第l主表面30a的周緣形成，使得該多個電極焊盤32的至少
一部分從層間絕緣膜34露出。電極焊盤32具有例如以鋁為材料的傳統(tǒng)公
知的結(jié)構(gòu)。
在層間絕緣膜34的上側(cè)，形成有與露出的電極焊盤32電連接的多個 布線圖案42。
如圖1(B)所示，該例中，各個布線圖案42分別采用向電極焊盤32的 排列的更內(nèi)側(cè)延伸的所謂扇入(fanin)形式。
布線圖案42是例如以銅為材料的布線，在同一面上形成有多個種類 且多根的布線。這些布線圖案42也總稱為再布線層40。 5 同樣，在緊接著布線圖案42的下方，在層間絕緣膜34上設(shè)置有基底
金屬圖案36。在同一面上形成的多個且多種的基底金屬圖案36也總稱為 基底金屬層?；捉饘賵D案36具有與緊接著的其上方的布線圖案42相同 的平面形狀。
基底金屬層36可采用依次層疊多個金屬層優(yōu)選例如鈦(Ti)/鉤(W)/鉻 io (Cr)的結(jié)構(gòu)，或采用由依次層疊銅(Cu)/鎳(Ni)/金(Au)/鈀(Pd)而成的多層構(gòu) 成的層疊層。
采用層疊層時，各個層的膜厚在100um到300ym左右的范圍，艮口， 總計在500 u m到800 u m左右的范圍即可。
這里，說明該例的半導體裝置10的布線圖案42的具體結(jié)構(gòu)。 15 布線圖案42具有直線或者曲線或?qū)⑺鼈兘M合的任意線狀的線狀部 42a。
線狀部42a的一端經(jīng)由基底金屬圖案36與電極焊盤32電連接。
如圖2(A)詳細地示出的那樣，布線圖案42具有與從電極焊盤32導出 的線狀部42a的另一端一體地連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱 20形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面輪廓在該例中釆用具有6 個形成銳角的凸部(突出部)的大致六角星形狀。
在該柱形電極裝載部42b上裝載柱形電極46。柱形電極46優(yōu)選采用例 如以銅為材料的所謂銅柱形。該例中，柱形電極46采用具有圓形頂面46a 和與該頂面46a相對的同樣為圓形的底面46b的圓柱形形狀。 25 柱形電極46設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得柱形電極裝載部42b
的平面輪廓與柱形電極46的底面46b的輪廓相互相交。
柱形電極裝載部42b的平面形狀即上表面的輪廓形狀優(yōu)選采用與柱 形電極46的底面46b的輪廓在至少2點相交的形狀。
即，優(yōu)選柱形電極裝載部42b形成為使得在柱形電極46裝載到了柱形
電極裝載部42b上時，柱形電極裝載部42b的凸部42ba從柱形電極46的底 面46b突出。
該例中，柱形電極裝載部42b為大致六角星形狀，具有6個凸部42ba， 因此，柱形電極裝載部42b的上表面輪廓和柱形電極46的底面46b的輪廓 5雖然也依賴于線狀部42a與柱形電極裝載部42b的連接形態(tài)，但在12個位 置左右相交。
另外，在柱形電極裝載部42b的相鄰的2個凸部42ba之間被劃分成的 凹部42bb中，柱形電極46的底面46b與層間絕緣膜34的表面相對。
如圖1(A)及圖1(B)所示，該例中，多個柱形電極46配置成相互等間隔 io的大致矩陣狀。柱形電極46的數(shù)目、配置可根據(jù)期望而釆用任意的優(yōu)選 方式。
密封部44設(shè)置成覆蓋再布線層40、柱形電極46及露出的層間絕緣膜 34。密封部44只要用任意合適的絕緣性材料形成絕緣膜即可。
電極柱形46的頂面46a在密封部44的表面露出。在該露出的頂面46a 15上設(shè)置有外部端子48。外部端子48在該例中作為焊接球。
由于柱形電極裝載部形成大致凹多邊形，因此即使產(chǎn)生裂紋，也可 有效防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
2.制造方法
接著參照圖3及圖4，說明該例的半導體裝置的制造方法。 20 圖3(A)、圖3(B)及圖3(C)是與已說明的圖2(B)相同的部分的概略制造
工序圖。
圖4是圖3(C)后續(xù)的制造工序圖。
以下說明的各工序雖然以晶片級進行，但是為了容易進行特征部分 的理解，僅僅表示并說明了其一部分。 25 本發(fā)明的半導體裝置的各制造工序中，可適用傳統(tǒng)公知的所謂
W-CSP的制造工序。
首先，準備基板(半導體晶片)。在該基板中，在單片化工序后成為半 導體芯片的多個半導體芯片區(qū)域被設(shè)定成矩陣狀。
在相鄰的多個半導體芯片區(qū)域之間，設(shè)定有劃線。
如圖3(A)所示，基板30具備第l主表面30a、與該第l主表面30a相對 的第2主表面30b以及在這些第l主表面30a和第2主表面30b之間的多個側(cè) 面。從基板10的作為半導體芯片區(qū)域14內(nèi)的第l主表面30a露出有多個電 極焊盤32。
5 這些多個電極焊盤32在該例中沿半導體芯片區(qū)域14的端緣即沿劃線 等間隔地排列(未圖示)。
第l主表面30a上設(shè)置有作為絕緣膜的層間絕緣膜34。層間絕緣膜34 使各個電極焊盤32的各自的表面的一部分露出。
在第l主表面30a上即層間絕緣膜34上，預(yù)先設(shè)定有柱形電極裝載區(qū) io域31。該柱形電極裝載區(qū)域31是最終設(shè)置柱形電極46的區(qū)域。多個柱形 電極裝載區(qū)域31根據(jù)期望的柱形電極的個數(shù)、配置間隔等以任意合適的 形態(tài)來設(shè)定即可。
接著，在露出面的整個面上即層間絕緣膜34及露出的電極焊盤32上， 形成前驅(qū)基底金屬膜35。前驅(qū)基底金屬膜35可使用任意合適的材料并采 15用與選擇的材料對應(yīng)的傳統(tǒng)公知的濺射法、蒸鍍法等形成。
在基底金屬膜35采用由多層構(gòu)成的層疊膜時，采用依次層疊多種金 屬膜，優(yōu)選依次層疊例如鈦(Ti)/鎢(W)/鉻(Cr)，或依次層疊銅(Cu)/鎳(Ni)/ 金(Au)/鈀(Pd)的結(jié)構(gòu)。
而且，如圖3(B)所示，用于形成再布線層40的第1抗蝕劑圖案62通過 20傳統(tǒng)公知的光刻工序形成。
再布線層40的形成工序可通過傳統(tǒng)公知的WCSP的制造工序中的布 線圖案的形成工藝，選擇例如銅這樣的合適材料來進行。
再布線層40的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將基底金屬 膜35形成為共用電極。 25 另外，如后所述，通過采用與選擇的材料對應(yīng)的例如溶劑來除去等
這樣的適當方法來去除第1抗蝕劑圖案62 。
通過該工序，形成包含具備已說明的結(jié)構(gòu)的柱形電極裝載部42b的布 線圖案42。
接著，如圖3(C)所示，形成用于形成柱形電極46的第2抗蝕劑圖案64。
第2抗蝕劑圖案64具有在柱形電極裝載區(qū)域31上開口的圖案。第2抗蝕劑 圖案64通過在W-CSP工序中一般采用的傳統(tǒng)公知的光刻工序來形成即 可。
用第2抗蝕劑圖案64作為掩模，形成柱形電極46。該柱形電極的形成 5工序與再布線層40的形成工序相同，可選擇例如銅這樣的適當材料來進 行。
該柱形電極的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將基底金屬 膜35形成為共用電極。
通過該工序，在具有已說明的結(jié)構(gòu)的布線圖案42的柱形電極裝載部 io 42b上，形成具有其輪廓與柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在至少2點 相交的底面46b的多個柱形電極46。
然后，如圖4(A)所示，通過采用與選擇的材料對應(yīng)的例如溶劑來去 除這樣的任意適當?shù)墓ば蛉コ?抗蝕劑圖案64。
而且，通過適合于所選擇的材料的例如刻蝕工序來去除前驅(qū)基底金 15屬膜35的區(qū)域中的從布線圖案42露出的區(qū)域部分。
通過該工序，前驅(qū)基底金屬膜35形成位于層間絕緣膜34上方、緊接 再布線層40的下方的基底金屬圖案、即基底金屬層36，該基底金屬圖案 與再布線層40中所包含的布線圖案42為相同圖案形狀。
接著如圖4(B)所示，形成覆蓋露出的布線圖案42、基底金屬圖案36、 20電極柱形46及層間絕緣膜34的密封部44。
此時，在布線圖案42的柱形電極裝載部42b的凹部42bb、即電極柱形 46的露出的底面46b的下側(cè)，也填充密封樹脂。
該密封工序可通過傳統(tǒng)公知的方法，采用傳統(tǒng)公知的密封材料例如 環(huán)氧類的鑄型樹脂來實施。 25 該密封部44的形成工序中， 一旦柱形電極46的頂面46a也被密封樹脂
材料覆蓋后，只要采用從表面?zhèn)惹邢魇怪坞姌O46的頂面46a露出的工序 即可。該工序可采用傳統(tǒng)公知的研削或研磨工序來進行。
然后，如圖4(B)所示，在從密封部44的平坦的表面露出的柱形電極 46的頂面46a上，形成例如焊接球48a，作為外部端子48。
最后，沿劃線將多個半導體芯片區(qū)域14之間切斷，單片化成包含半 導體芯片30的半導體裝置10。
該單片化工序優(yōu)選通過高速旋轉(zhuǎn)的刀片進行切削來執(zhí)行。
(第2實施方式) 5 1.半導體裝置的結(jié)構(gòu)
參照圖5，說明該例的半導體裝置的實施方式。圖5(A)是透視地示出 該例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖5(B)是通過圖5(A)的I-I' 點劃線剖幵的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。 io 該例的半導體裝置的特征是在作為柱形電極裝載區(qū)域的布線圖案的 下側(cè)，即在緊接基底金屬圖案的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案。
另外，該耐應(yīng)力樹脂圖案以外的構(gòu)成要素與已說明的實施方式的 W-CSP沒有任何變化，所以對于耐應(yīng)力樹脂圖案以外的構(gòu)成要素，只要 沒有特別說明，就標注與己說明的構(gòu)成要素相同的編號，省略其詳細說 15明。
如圖5(A)及圖5(B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備與已說 明的實施方式相同的半導體芯片30。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓形狀在 20該例中為正六邊形。該柱形電極裝載部42b的平面形狀以使柱形電極46的 底面46b的整個面收于其輪廓內(nèi)為條件，不限于圖示例，可采用任意適當 的形狀。
柱形電極裝載部42b設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。 緊接柱形電極裝載部42b的下方形成的基底金屬圖案36的形狀釆用 25與柱形電極裝載部42b相同的形狀及相同的尺寸。
該例的半導體裝置10在緊接柱形電極裝載部42b的下方具有耐應(yīng)力 樹脂圖案45。多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31 內(nèi)。
耐應(yīng)力樹脂圖案45的形狀及尺寸以使柱形電極裝載部42b收于其表
面輪廓內(nèi)為條件，可為任意適當?shù)男螤钜约俺叽?。該例中，耐?yīng)力樹脂
圖案45為正六邊形。
耐應(yīng)力樹脂圖案45以不給基底金屬圖案36、布線圖案42及柱形電極 46等存在于周圍的其他構(gòu)成要素造成壞影響為條件，可由任意適當?shù)睦?5如感光性的樹脂材料構(gòu)成。若考慮到密合性，耐應(yīng)力樹脂圖案45可用與 層間絕緣膜34相同的材料構(gòu)成。
耐應(yīng)力樹脂圖案45的厚度優(yōu)選例如在2 n m到10 ii m左右的范圍的厚 度，且特別優(yōu)選為5um左右的厚度。
柱形電極46設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得在該例中其底面46b io的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由 耐應(yīng)力樹脂圖案來緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布 線圖案的破損。
2.制造方法
15 接著參照圖6及圖7，說明該例的半導體裝置的制造方法。
圖6(A)、圖6 (B)及圖6 (C)是與已說明的圖5(B)相同的部分的概略制 造工序圖。
圖7是圖6(C)后續(xù)的制造工序圖。
以下說明的各工序雖然以晶片級進行，但是為了容易進行特征部分 20的理解，僅僅表示并說明了其一部分。
首先，準備基板(半導體晶片)。在該基板中，把在單片化工序后成為 半導體芯片的多個半導體芯片區(qū)域設(shè)定為矩陣狀。
在相鄰的多個半導體芯片區(qū)域之間，設(shè)定有劃線。 如圖6(A)所示，基板30具備第l主表面30a、與該第l主表面30a相對 25的第2主表面30b以及在這些第l主表面30a和第2主表面30b之間的多個側(cè) 面。從基板10的作為半導體芯片區(qū)域14內(nèi)的第l主表面30a露出有多個電 極焊盤32。
這些多個電極焊盤32在該例中沿半導體芯片區(qū)域14的端緣即沿劃線 等間隔地排列(未圖示)。
第l主表面30a上設(shè)置有作為絕緣膜的層間絕緣膜34。層間絕緣膜34 使各個電極焊盤32的各自的表面的一部分露出。
在第l主表面30a上即層間絕緣膜34上，預(yù)先設(shè)定有多個柱形電極裝 載區(qū)域31。該柱形電極裝載區(qū)域31是最終設(shè)置柱形電極46的區(qū)域。柱形 5電極裝載區(qū)域31只要根據(jù)設(shè)計以任意適當?shù)男螒B(tài)來設(shè)定即可。
然后，在多個柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)分別形成耐應(yīng)力樹脂圖案45。
在形成耐應(yīng)力樹脂圖案45時，首先，在整個露出面上涂敷任意適當 的感光性的樹脂材料。
接著，通過適合于選擇的樹脂材料的圖案形成方法，例如通過傳統(tǒng) io公知的光刻工序形成圖案即可。
接著，在露出面的整個面上、即層間絕緣膜34、耐應(yīng)力樹脂圖案45 及露出的電極焊盤32上，形成前驅(qū)基底金屬膜35。前驅(qū)基底金屬膜35可 用任意適當?shù)牟牧喜⒉捎门c選擇的材料對應(yīng)的傳統(tǒng)公知的濺射法等形 成。
15 在前驅(qū)基底金屬膜35釆用由多層組成的層疊膜時，只要依次層疊多
種金屬膜，例如，優(yōu)選依次層疊例如鈦(Ti)/鎢(W)/鉻(Cr)，或依次層疊銅 (Cu)/鎳(Ni)/金(Au)/鈀(Pd)即可。
進一步，如圖6(B)所示，通過傳統(tǒng)公知的光刻工序形成用于形成再 布線層40的第1抗蝕劑圖案62。 20 再布線層40的形成工序可通過傳統(tǒng)公知的W-CSP的制造工序中的布 線圖案的形成工藝，選擇例如銅這樣的適當材料來進行。
再布線層40的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將前驅(qū)基底 金屬膜35形成為共用電極。
然后，通過采用與選擇的材料對應(yīng)的例如溶劑來去除的適當方法來 25去除第1抗蝕劑圖案62。
通過該工序，形成柱形電極裝載部42b位于耐應(yīng)力樹脂圖案45上的布 線圖案42。
接著，如圖6(C)所示，形成用于形成柱形電極46的第2抗蝕劑圖案64。 第2抗蝕劑圖案64具有將柱形電極裝載區(qū)域31開口的圖案。第2抗蝕劑圖
案64通過W-CSP工序中一般采用的傳統(tǒng)公知的光刻工序來形成即可。
用第2抗蝕劑圖案64作為掩模，形成柱形電極46。該柱形電極的形成 工序與再布線層40的形成工序同樣，可選擇例如銅這樣的適當材料來進 行。
5 該柱形電極的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將前驅(qū)基底 金屬膜35形成為共用電極。
通過該工序，在具有已說明的結(jié)構(gòu)的布線圖案42的柱形電極裝載部 42b上，形成多個柱形電極46。
然后，如圖7(A)所示，通過采用與選擇的材料對應(yīng)的例如溶劑來去 10除的任意適當?shù)墓ば騺砣コ?抗蝕劑圖案64。
進一步，通過適合于所選擇的材料的例如刻蝕工序去除前驅(qū)基底金 屬膜35的區(qū)域中的從布線圖案42露出的區(qū)域。
通過該工序，前驅(qū)基底金屬膜35形成位于耐應(yīng)力樹脂圖案45上方且 緊接再布線層40的下方的基底金屬層36，該基底金屬層36包含與再布線 15層40中所包含的布線圖案42為相同的圖案形狀的基底金屬圖案。
接著如圖7(B)所示，形成覆蓋露出的耐應(yīng)力樹脂圖案45、基底金屬 圖案36、布線圖案42、電極柱形46及層間絕緣膜34的密封部44。
該密封工序可通過傳統(tǒng)公知的方法，使用傳統(tǒng)公知的密封材料例如 環(huán)氧類鑄型樹脂來實施。 20 該密封部44的形成工序中， 一旦柱形電極46的頂面46a也被密封樹脂
材料覆蓋后，采用從表面?zhèn)惹邢魇怪坞姌O46的頂面46a露出的工序即 可。該工序可采用傳統(tǒng)公知的研削或研磨工序來進行。
然后，如圖7(B)所示，在從密封部44的平坦的表面露出的柱形電極 46的頂面46a上，形成例如焊接球48a，作為外部端子48。 25 最后，沿劃線將多個半導體芯片區(qū)域14之間切斷，單片化成包含半
導體芯片30的半導體裝置10。 (第3實施方式) 1.半導體裝置的結(jié)構(gòu)
參照圖8，說明該例的半導體裝置的實施方式。圖8(A)是透視地示出
該例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖8(B)是示出通過圖8(A) 的I-I，點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已 說明的圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征是在作為柱形電極裝載區(qū)域的布線圖案的 5下側(cè)(緊接基底金屬圖案的下方)具有耐應(yīng)力樹脂圖案及耐應(yīng)力金屬圖案。
另外，該耐應(yīng)力樹脂圖案及耐應(yīng)力金屬圖案以外的構(gòu)成要素與已說 明的例子的W-CSP沒有任何變化，所以只要沒有特別說明，對于耐應(yīng)力 樹脂圖案45及耐應(yīng)力金屬圖案47以外的構(gòu)成要素標注與已說明的構(gòu)成要
素相同的編號，省略其詳細說明。 io 如圖8(A)及圖8(B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導體
芯片30。
如圖8(A)及圖8(B)詳細地示出的那樣，布線圖案42具有與從電極焊盤 32導出的線狀部42a的另一端一體地連接的柱形電極裝載部42b。柱形電 極裝載部42b的上表面的輪廓形狀在該例中為正六邊形。該柱形電極裝載 15部42b的平面形狀以使柱形電極46的底面46b的整個面收于其輪廓內(nèi)為條 件，不限于圖示例，可采用任意適當?shù)男螤睢?br>
柱形電極裝載部42b設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
緊接柱形電極裝載部42b的下方形成的基底金屬圖案36的形狀采用 與柱形電極裝載部42b相同的形狀及相同的尺寸。 20 該例的半導體裝置10在緊接基底金屬圖案36的下方具有耐應(yīng)力樹脂 圖案45。多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
耐應(yīng)力樹脂圖案45的形狀及尺寸以使柱形電極裝載部42b收于其表 面輪廓內(nèi)為條件，可采用任意適當?shù)男螤钜约俺叽?。該例中，耐?yīng)力樹 脂圖案45為正六邊形。 25 耐應(yīng)力樹脂圖案45以不給基底金屬圖案36、布線圖案42及柱形電極
46等存在于周圍的其他構(gòu)成要素造成壞影響為條件，可由任意適當?shù)睦?如感光性的樹脂材料構(gòu)成。耐應(yīng)力樹脂圖案45可用與層間絕緣膜34相同 的材料構(gòu)成。
耐應(yīng)力樹脂圖案45的厚度優(yōu)選例如在2 u m到10 U m左右的范圍的厚
度，且特別優(yōu)選為5um左右的厚度。
該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45外，還在緊接 多個耐應(yīng)力樹脂圖案45的各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案47。耐應(yīng) 力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。 5 耐應(yīng)力樹脂圖案47的形狀及尺寸以使緊接位于其上方的耐應(yīng)力樹脂 圖案45收于其表面輪廓內(nèi)為條件，可采用任意適當?shù)男螤罴俺叽纭?br>
艮P，從耐應(yīng)力金屬圖案47的上表面?zhèn)扔^看時的平面尺寸必須比耐應(yīng) 力樹脂圖案45的平面尺寸大。該例中，耐應(yīng)力金屬圖案47采用比耐應(yīng)力 樹脂圖案45大的正六邊形。 io 耐應(yīng)力金屬圖案47優(yōu)選可由例如銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鈀(Pd)這
樣的金屬材料構(gòu)成。
耐應(yīng)力金屬圖案47根據(jù)期望或者根據(jù)制造工序的限制，可采用由多 層組成的層疊結(jié)構(gòu)。在耐應(yīng)力金屬圖案47例如由銅構(gòu)成并通過電鍍法形 成時，在緊接耐應(yīng)力金屬圖案47的下方設(shè)置一層或多層的耐應(yīng)力基底金 15屬圖案47a。
耐應(yīng)力金屬圖案47的厚度優(yōu)選在例如2um到10"m左右的范圍，特 別優(yōu)選為5um左右的厚度。
從耐應(yīng)力金屬圖案47的上側(cè)觀看時的平面形狀也可采用大致凹多邊 形(星形多邊形)。耐應(yīng)力金屬圖案47的上表面的輪廓例如可采用具有形成 20銳角的6個凸部(突出部)的六角星形狀。
耐應(yīng)力金屬圖案47的形狀及尺寸可采用任意適當?shù)男螤罴俺叽?，?yōu) 選該凹多邊形的耐應(yīng)力金屬圖案47中的被2個凸部夾持形成鈍角的多個 凹部位于耐應(yīng)力樹脂圖案45、柱形電極裝載部42b及柱形電極46的底面 46b各自的輪廓內(nèi)。
25 在柱形電極裝載部42b上裝載柱形電極46。柱形電極46優(yōu)選釆用例如
以銅為材料的所謂銅柱形。該例中，柱形電極46采用具有圓形頂面46a和 與該頂面46a相對的同樣為圓形的底面46b的圓柱形形狀。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
如圖1(A)及圖1(B)所示，多個柱形電極46配置成相互等間隔的大致矩 陣狀。柱形電極46的數(shù)目、配置可根據(jù)期望采用任意適當?shù)臄?shù)目、配置。
密封部44設(shè)置成覆蓋再布線層40、柱形電極46及露出的層間絕緣膜 34。密封部44只要用任意適當?shù)慕^緣性材料形成絕緣膜即可。 5 柱形電極46的頂面46a在密封部44的表面露出。在該露出的頂面46a
上設(shè)置有外部端子48。外部端子48在該例中為焊接球。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐 應(yīng)力樹脂圖案緩和了應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線 圖案的破損。.
io 另外，施加的應(yīng)力被耐應(yīng)力金屬圖案阻斷，因此，可有效防止應(yīng)力
波及到位于該耐應(yīng)力金屬圖案下側(cè)的布線圖案等其他構(gòu)成要素。 2.制造方法
接著參照圖9及圖10，說明該例的半導體裝置的制造方法。 圖9(A)、圖9(B)及圖9(C)是與已說明的圖5(B)同樣的部分的概略制造 15工序圖。
圖10是圖9(C)后續(xù)的制造工序圖。
以下說明的各工序雖然以晶片級進行，但是為了容易進行特征部分 的理解，僅僅表示并說明了其一部分。
首先，準備基板(半導體晶片)。在該基板中，在單片化工序后成為半 20導體芯片的多個半導體芯片區(qū)域被設(shè)定成矩陣狀。
在相鄰的多個半導體芯片區(qū)域之間，設(shè)定有劃線。 如圖9(A)所示，基板30具備第l主表面30a、與該第l主表面30a相對 的第2主表面30b以及在這些第l主表面30a和第2主表面30b之間的多個側(cè) 面。從基板10的作為半導體芯片區(qū)域14內(nèi)的第l主表面30a露出有多個電 25極焊盤32。
這些多個電極焊盤32在該例中沿半導體芯片區(qū)域14的端緣即沿未圖 示的劃線等間隔地排列。
第l主表面30a上設(shè)置有作為絕緣膜的層間絕緣膜34。層間絕緣膜34 使各個電極焊盤32的各自的表面的一部分露出。
在第l主表面30a上即層間絕緣膜34上，預(yù)先設(shè)定有多個柱形電極裝 載區(qū)域31。該柱形電極裝載區(qū)域31是最終設(shè)置柱形電極46的區(qū)域。柱形 電極裝載區(qū)域31只要根據(jù)設(shè)計以任意適當?shù)男螒B(tài)來設(shè)定即可。
接著，在多個柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)分別形成由多個圖案構(gòu)成的耐 5應(yīng)力金屬圖案47，該例中，說明通過使用銅為材料的電鍍法來形成的例 子。
在形成耐應(yīng)力金屬圖案47時，首先，形成前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬層。
具體地說，在層間絕緣膜34上形成前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬層。前驅(qū)耐 應(yīng)力基底金屬層可用任意適當?shù)牟牧?，采用與選擇的材料對應(yīng)的傳統(tǒng)公 io知的濺射法等形成。
在前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬層采用由多層組成的層疊膜時，只要依次層 疊多種金屬膜，例如優(yōu)選依次層疊鈦(Ti)/鵒(W)/鉻(Cr),或依次層疊銅 (Cu)/鎳(Ni)/金(Au)/鈀(Pd)即可。
然后，在前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬層上，通過傳統(tǒng)公知的光刻工序形成 15耐應(yīng)力金屬圖案形成用抗蝕劑圖案。
接著，針對耐應(yīng)力金屬圖案47，以銅為材料通過傳統(tǒng)公知的電鍍法 將前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬層形成為共用電極。
然后，通過采用與選擇的材料對應(yīng)的例如溶劑來去除的適當?shù)姆椒?去除該抗蝕劑圖案。 20 通過該工序，在作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬
層上形成耐應(yīng)力金屬圖案47。
而且，通過與選擇的材料相適應(yīng)的例如刻蝕工序去除從耐應(yīng)力金屬 圖案47露出的前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬層的露出部分。
如圖9(A)所示，通過以上的工序，前驅(qū)耐應(yīng)力基底金屬層被加工成 25位于層間絕緣膜34上、且緊接耐應(yīng)力金屬圖案47的下方的耐應(yīng)力基底金 屬層47a。
然后，在多個作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的耐應(yīng)力基底金屬層47a上 分別形成耐應(yīng)力樹脂圖案45。
在形成耐應(yīng)力樹脂圖案45時，首先，在整個露出面上涂敷任意適當
的例如感光性的樹脂材料。
接著，通過適合于選擇的樹脂材料的圖案形成方法，例如通過傳統(tǒng)
公知的光刻工序來對樹脂涂敷層構(gòu)圖，形成耐應(yīng)力樹脂圖案45即可。
接著，在露出面的整個面上即層間絕緣膜34、耐應(yīng)力基底金屬層47a、 5耐應(yīng)力金屬圖案47、耐應(yīng)力樹脂圖案45及露出的電極焊盤32上，與已說 明的實施方式同樣，形成前驅(qū)基底金屬膜35。前驅(qū)基底金屬膜35可用任 意適當?shù)牟牧喜⒉捎门c選擇的材料適應(yīng)的傳統(tǒng)公知的濺射法等形成。
在前驅(qū)基底金屬膜35采用由多層組成的層疊膜時，只要依次層疊多 種金屬膜，例如，優(yōu)選依次層疊鈦(Ti)/鎢(W)/鉻(Cr)，或依次層疊銅(Cu)/ 1 o 鎳(Ni)/金(Au)/鈀(Pd)即可。
而且，如圖9(B)所示，通過傳統(tǒng)公知的光刻工序形成用于形成再布 線層40的第1抗蝕劑圖案62。
再布線層40的形成工序，可通過傳統(tǒng)公知的W-CSP的制造工序中的 布線圖案的形成工藝，選擇例如銅這樣的適當材料來進行。 15 再布線層40的形成工序，優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將前驅(qū)基
底金屬膜35形成為共用電極。
然后，通過采用與選擇的材料相應(yīng)的例如溶劑來去除的適當方法去 除第1抗蝕劑圖案62。
通過該工序，形成柱形電極裝載部42b位于耐應(yīng)力樹脂圖案45上的布 20線圖案42。
接著，如圖9(C)所示，形成用于形成柱形電極46的第2抗蝕劑圖案64。 第2抗蝕劑圖案64具有將柱形電極裝載區(qū)域3l開口的圖案。第2抗蝕劑圖 案64只要通過W-CSP工序中一般采用的傳統(tǒng)公知的光刻工序來形成即 可。
25 用第2抗蝕劑圖案64作為掩模，形成柱形電極46。該柱形電極的形成
工序與再布線層40的形成工序同樣，可選擇例如銅這樣的適當材料來進 行。
該柱形電極的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將基底金屬 膜35形成為共用電極。
通過該工序，在具有已說明的結(jié)構(gòu)的布線圖案42的柱形電極裝載部 42b上，形成多個柱形電極46。
然后，如圖10(A)所示，通過采用與選擇的材料相應(yīng)的例如溶劑來去 除的任意適當?shù)墓ば蛉コ?抗蝕劑圖案64 。 5 然后，通過與選擇的材料相應(yīng)的例如刻蝕工序去除前驅(qū)基底金屬膜35。
通過該工序，前驅(qū)基底金屬膜35被形成位于耐應(yīng)力樹脂圖案45上且 緊接再布線層40的下方的基底金屬圖案36，即基底金屬層36，該基底金 屬圖案36與再布線層40中所包含的布線圖案42為相同的圖案形狀。 io 接著如圖10(B)所示，形成覆蓋露出的耐應(yīng)力基底金屬層47a、耐應(yīng)
力金屬圖案47、耐應(yīng)力樹脂圖案45、基底金屬圖案36、布線圖案42、電 極柱形46及層間絕緣膜34的密封部44。
該密封工序可通過傳統(tǒng)公知的方法，采用傳統(tǒng)公知的密封材料例如 環(huán)氧類的鑄型樹脂來實施。 15 該密封部44的形成工序中， 一旦柱形電極46的頂面46a也被密封樹脂
材料覆蓋后，只要采用從表面?zhèn)惹邢魇怪坞姌O46的頂面46a露出的工序 即可。該工序可采用傳統(tǒng)公知的研削或研磨工序進行。
然后，在從密封部44的表面露出的柱形電極46的頂面46a上，形成例 如焊接球48a作為外部端子48。 20 最后，沿劃線將多個半導體芯片區(qū)域14之間切斷，單片化成包含半
導體芯片30的半導體裝置10。
(第4實施方式)
1.半導體裝置的結(jié)構(gòu)
參照圖ll，說明該例的半導體裝置。圖11(A)是透視地示出該例的半 25導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖11(B)是通過圖11(A)的I-I'點劃線 剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的圖1(A) 及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于柱形電極的形狀和在布線圖案的上側(cè) 形成的應(yīng)力緩沖樹脂層。
另外，除了柱形電極的形狀及應(yīng)力緩沖樹脂層以外的構(gòu)成要素與已
說明的W-CSP沒有任何變化，對于柱形電極及應(yīng)力緩沖樹脂層以外的構(gòu)
成要素，只要沒有特別說明，標注與已說明的構(gòu)成要素相同的編號，省
略其詳細說明。
5 如圖11(A)及圖11(B)所示，與已說明的實施方式同樣，該例的W-CSP
即半導體裝置10具備半導體芯片30。
該半導體芯片30具備有規(guī)定功能的電路元件(未圖示)。半導體芯片30 具備第l主表面30a和與該第l主表面30a相對的第2主表面30b。
在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)有基底金屬膜35?；捉饘賹?5也可采用 io依次層疊多個金屬層的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選依次層疊例如鈦(Ti)/鉤(W)/鉻(Cr)的結(jié) 構(gòu)，或采用由依次層疊銅(Cu)/鎳(Ni)/金(Au)/鈀(Pd)而成的多層組成的層 疊層。
在采用層疊層時，各個層的膜厚在IOO u m到300 y m左右的范圍，即， 總計在500 y m到800 ix m左右的范圍即可。 15 而且，在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖
案42。
布線圖案42具有直線或者曲線或?qū)⑺鼈兘M合而成的任意線狀的線狀 部42a。
線狀部42a的一端經(jīng)由基底金屬圖案36與電極焊盤32電連接。 20 布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在該例 中采用正六邊形。該柱形電極裝載部42b的平面形狀以使柱形電極46的整 個底面46b收于其輪廓內(nèi)為條件，不限于圖示例，可采用任意適當?shù)男螤睢?柱形電極裝載部42b設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。 25 該例的半導體裝置10具備表面平坦的應(yīng)力緩沖樹脂層50。該應(yīng)力緩
沖樹脂層50使多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出，覆蓋設(shè)置在基 底金屬膜35上的再布線層40，而一體地形成。
艮口，在應(yīng)力緩沖樹脂層50上形成有多個開口部(接觸孔)52。開口部52 從應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。
應(yīng)力緩沖樹脂層50可以采用絕緣性的絕緣膜。應(yīng)力緩沖樹脂層50可 由任意適當?shù)慕^緣性的材料，例如感光性的樹脂材料構(gòu)成。應(yīng)力緩沖樹 脂層50優(yōu)選由與層間絕緣膜34相同的材料構(gòu)成。
該例的半導體裝置10具備柱形電極46。柱形電極46優(yōu)選采用例如以 5銅為材料的所謂銅柱形。該例中，柱形電極46具有不同直徑的第1部分46X 及第2部分46Y。
第l部分46X從應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面50a到達柱形電極裝載部 42b，將開口部52埋入，其底面46b與柱形電極裝載部42b連接。該第l部 分46X的直徑可取使第l部分46X與柱形電極裝載部42b，即與布線圖案形 io成導通的程度的直徑。
第2部分46Y與第1部分46X設(shè)置成一體，位于緊接第1部分46X的上 方，且形成為從應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面50a突出的圓柱形。即，第2部 分46Y具有圓形的頂面46a。該例中，第2部分46Y具有比第1部分46X的直 徑大的直徑。
5 柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b
的輪廓收于六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
如圖11(A)及圖11(B)所示，該例中，多個柱形電極46配置成相互等間 隔的大致矩陣狀。柱形電極46的數(shù)目、配置可根據(jù)期望采用任意適當?shù)?數(shù)目、配置。
20 在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。外部端子48在該例中
為焊接球。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng) 力緩沖樹脂層50有效地吸收了應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本 身或與其連接的布線圖案。 25 2.制造方法
參照圖12，說明該例的半導體裝置的制造方法。
圖12(A)、圖12(B)及圖12(C)是制造途中的半導體裝置的剖面的部分 概略制造工序圖。
以下說明的各工序雖然以晶片級進行，但是為了容易進行特征部分 的理解，僅僅表示并說明了其一部分。
首先，準備基板(半導體晶片)。在該基板中，在單片化工序后成為半 導體芯片的多個半導體芯片區(qū)域被設(shè)定成矩陣狀。
在相鄰的多個半導體芯片區(qū)域之間，設(shè)定有未圖示的劃線。
5 基板30具備第l主表面30a、與該第l主表面30a相對的第2主表面30b
以及在這些第l主表面30a和第2主表面30b之間的多個側(cè)面。從基板10的 作為半導體芯片區(qū)域14內(nèi)的第l主表面30a露出有多個電極焊盤32。
這些多個電極焊盤32，在該例中沿半導體芯片區(qū)域14的端緣即沿劃 線等間隔地排列。
io 在第l主表面30a上，設(shè)置有作為絕緣膜的層間絕緣膜34。層間絕緣
膜34使各個電極焊盤32的各自的表面的一部分露出。
在第l主表面30a上、即層間絕緣膜34上，預(yù)先設(shè)定有多個柱形電極 裝載區(qū)域31。該柱形電極裝載區(qū)域31是最終設(shè)置柱形電極46的區(qū)域。柱 形電極裝載區(qū)域31只要根據(jù)設(shè)計以任意適當?shù)男螒B(tài)來設(shè)定即可。 15 接著，在露出面的整個面上、即層間絕緣膜34及露出的電極焊盤32
上，形成基底金屬膜35。基底金屬膜35可用任意適當?shù)牟牧喜⒉捎门c選 擇的材料相應(yīng)的傳統(tǒng)公知的濺射法等形成。
在基底金屬膜35采用由多層組成的層疊膜時，只要依次層疊多種金 屬膜，例如優(yōu)選依次層疊鈦(Ti)/鎢(Wy鉻(Cr)，或依次層疊銅(Cu)/鎳(Ni)/ 20 金(Au)/鈀(Pd)即可。
而且，在基底金屬膜35上，形成再布線層40。再布線層40的形成工 序，可通過與己說明的實施方式同樣的W-CSP的制造工序中的布線圖案 的形成工藝，選擇例如銅這樣的適當材料來進行。
再布線層40的形成工序，優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將基底金 25屬膜35形成為共用電極。
通過該工序，形成柱形電極裝載部42b位于柱形電極裝載區(qū)域31中的 布線圖案42。
接著，形成覆蓋在基底金屬膜35上設(shè)置的再布線層40的應(yīng)力緩沖樹 脂層50。在應(yīng)力緩沖樹脂層50用感光性的樹脂材料形成時，只要以任意
適當?shù)臈l件通過光刻工序在樹脂層上形成圖案、設(shè)置開口部52即可。
接著，形成柱形電極46。柱形電極46以將位于柱形電極裝載區(qū)域31
內(nèi)的幵口部52埋入的方式形成。如上所述，柱形電極46中一體地形成從
應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面50a到達布線圖案42的第l部分46X及具有比該 5第1部分46X大的直徑的第2部分46Y。
此時，第2部分區(qū)域46Y形成為位于柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)，且在應(yīng)
力緩沖樹脂層50的表面50a及緊接第l部分46X的上方相連接。
具體地說，形成用于形成柱形電極46的抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案
只要通過一般適用于選擇的材料的傳統(tǒng)公知的光刻工序來形成圖案即 io 可。
用該抗蝕劑圖案作為掩模，形成柱形電極46。該柱形電極46的形成 工序與再布線層40的形成工序同樣，可選擇例如銅這樣的適當材料來進 行。
該柱形電極的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法形成。 !5 通過該工序，在具有已說明的結(jié)構(gòu)的布線圖案42的柱形電極裝載部
42b上，形成多個柱形電極46。
然后，通過采用與選擇的材料相應(yīng)的例如溶劑來去除的任意適當?shù)?工序來去除抗蝕劑圖案。
接著，如圖12(C)所示，在露出的柱形電極46的頂面46a上，形成例 20如焊接球48a，作為外部端子48。
最后，沿劃線將多個半導體芯片區(qū)域14之間切斷，單片化成包含半 導體芯片30的半導體裝置10。
(第5實施方式)
1.半導體裝置的結(jié)構(gòu) 25 參照圖13,說明該例的半導體裝置。圖13(A)是透視地示出該例的半
導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖13(B)是通過圖13(A)的I-I，點劃線 剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的圖1(A) 及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于柱形電極的形狀、在布線圖案的上側(cè)
形成的應(yīng)力緩沖樹脂層和緊接其下方設(shè)置的柱形電極基底金屬圖案。
另外，柱形電極的形狀、應(yīng)力緩沖樹脂層及柱形電極基底金屬圖案
以外的構(gòu)成要素與已說明的實施方式的W-CSP沒有任何變化，所以只要
沒有特別說明，對其他構(gòu)成要素標注與己說明的構(gòu)成要素相同的編號，
5省略其詳細說明。
如圖13(A)及圖13(B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
與已說明的實施方式同樣，在半導體芯片30的第l主表面30a上設(shè)置 有層間絕緣膜34，與己說明的實施方式同樣，在該層間絕緣膜34設(shè)置有 io 基底金屬層36。
在該基底金屬層36上，設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面輪廓在該例中 15釆用正六邊形。該柱形電極裝載部42b的平面形狀以使柱形電極46的整個 底面46b收于其輪廓內(nèi)為條件，不限于圖示例，可采用任意適當?shù)男螤睢?br>
柱形電極裝載部42b設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使 多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。應(yīng)力緩沖樹脂層50在基底金 20屬層36上一體地設(shè)置成覆蓋再布線層40。
應(yīng)力緩沖樹脂層50設(shè)置有多個開口部52即接觸孔。開口部52從柱形 電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b， 使其一部分露出。
應(yīng)力緩沖樹脂層50可以采用絕緣膜。應(yīng)力緩沖樹脂層50可由任意適 25當?shù)慕^緣性的材料，例如感光性的樹脂材料構(gòu)成。應(yīng)力緩沖樹脂層50優(yōu) 選由與層間絕緣膜34相同的材料構(gòu)成。
該例的半導體裝置10具備柱形電極基底金屬圖案54。
柱形電極基底金屬圖案54覆蓋開口部52內(nèi)部，g卩，覆蓋開口部52的 側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54也覆蓋作為柱形電極裝載
區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部分，即開口部52的開口端的 周圍區(qū)域。
該柱形電極基底金屬圖案54優(yōu)選整體形成為一體且采用大致相等的 厚度。
5 該例的半導體裝置10具備柱形電極46。柱形電極46優(yōu)選采用例如以
銅為材料的所謂銅柱形。該實施方式中，柱形電極46具有不同直徑的第1 部分46X及第2部分46Y。
第l部分46X從應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面50a到達柱形電極裝載部 42b,將設(shè)有柱形電極基底金屬圖案54的開口部52埋入，與柱形電極裝載 io部42b電連接。該第1部分46X的直徑取使第1部分46X與柱形電極裝載部 42b，即與布線圖案42形成導通的程度的直徑。
第2部分46Y與第1部分46X設(shè)置成一體。另外，第2部分46Y設(shè)置于位 于緊接第1部分46X的上方、且為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂 層50的表面的一部分上。第2部分46Y整體形成從應(yīng)力緩沖樹脂層50的表 15面50a突出的圓柱形。即，第2部分46Y具有圓形的頂面46a。該例中，第2 部分46Y具有比第1部分46X的直徑大的直徑。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
與已說明的實施方式同樣，該實施方式的情況下，多個柱形電極46 20配置成相互等間隔的大致矩陣狀。柱形電極46的數(shù)目、配置可根據(jù)期望 采用任意適當?shù)臄?shù)目、配置。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。外部端子48在該例中 為焊接球。
若釆用這樣的結(jié)構(gòu)，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng) 25力緩沖樹脂層50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身 或與其連接的布線圖案。
另外，由于采用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層下方去除作為基底的金屬層 的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集成 度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。2.制造方法
參照圖14，說明該例的半導體裝置的制造方法。 圖14(A)、圖14(B)及圖14(C)是制造途中的半導體裝置的剖面的部分 概略制造工序圖。
5 以下說明的各工序雖然以晶片級進行，但是為了容易進行特征部分
的理解，僅僅表示并說明了其一部分。
首先，準備基板(半導體晶片)。在該基板中，在單片化工序后成為半 導體芯片的多個半導體芯片區(qū)域被設(shè)定成矩陣狀。
在相鄰的多個半導體芯片區(qū)域之間，設(shè)定有劃線。 o 基板30具備第l主表面30a、與該第l主表面30a相對的第2主表面30b
以及在這些第l主表面30a和第2主表面30b之間的多個側(cè)面。從基板10的 作為半導體芯片區(qū)域14內(nèi)的第l主表面30a露出有多個電極焊盤32。
這些多個電極焊盤32在該例中沿半導體芯片區(qū)域14的端緣即沿劃線 (未圖示)等間隔地排列。 15 在第l主表面30a上，設(shè)置有作為絕緣膜的層間絕緣膜34。層間絕緣
膜34使各個電極焊盤32的各自的表面的一部分露出。
在第l主表面30a上、即層間絕緣膜34上，預(yù)先設(shè)定有多個柱形電極 裝載區(qū)域31。該柱形電極裝載區(qū)域31是最終設(shè)置柱形電極46的區(qū)域。柱 形電極裝載區(qū)域31只要根據(jù)設(shè)計以任意適當?shù)男螒B(tài)來設(shè)定即可。 20 接著，在露出面的整個面上、即層間絕緣膜34及露出的電極焊盤32
上，形成前驅(qū)基底金屬膜35(圖14(A))。前驅(qū)基底金屬膜35可用任意適當 的材料并采用與選擇的材料相應(yīng)的傳統(tǒng)公知的濺射法等形成。
在前驅(qū)基底金屬膜35采用由多層組成的層疊膜時，只要依次層疊多 種金屬膜，例如優(yōu)選依次層疊鈦(Ti)/鉤(W)/鉻(Cr)，或依次層疊銅(Cu)/鎳 25 (Ni)/金(Au)/鈀(Pd)即可。
而且，在前驅(qū)基底金屬膜35上，形成再布線層40。再布線層40的形 成工序，可通過與已說明的實施方式同樣的W-CSP的制造工序中的布線 圖案的形成工藝，選擇例如銅這樣的適當材料來進行。
再布線層40的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法將前驅(qū)基底
金屬膜35形成為共用電極。
通過該工序，形成柱形電極裝載部42b位于柱形電極裝載區(qū)域31的布 線圖案42。
而且，通過與選擇的材料相應(yīng)的例如刻蝕工序去除從布線圖案42露 5出的前驅(qū)基底金屬膜35的區(qū)域部分。
通過該工序，前驅(qū)基底金屬膜35成為位于層間絕緣膜34上、且緊接 再布線層40的下方的，與再布線層40中所包含的布線圖案42為相同的圖 案形狀的基底金屬圖案36，即基底金屬層36。
接著，形成覆蓋再布線層40的應(yīng)力緩沖樹脂層50(圖14(B))。在應(yīng)力 io緩沖樹脂層50用例如感光性的樹脂材料形成時，只要以任意適當?shù)臈l件 通過光刻工序在樹脂層上形成圖案、設(shè)置開口部52即可。
接著，形成覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部32的側(cè)壁及底 面、應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面50a的一部分的柱形電極基底金屬圖案54。
柱形電極基底金屬圖案54與基底金屬圖案36同樣地形成。g卩，在柱 15形電極基底金屬圖案54采用任意適當?shù)牟牧贤ㄟ^與選擇的材料相應(yīng)的傳 統(tǒng)公知的濺射法等形成后，只要以適合于選擇的材料的任意適當?shù)臈l件 進行光刻工序及刻蝕工序來形成圖案即可。
該柱形電極基底金屬圖案54的全體優(yōu)選以相等厚度形成為一體的膜。
20 接著，形成柱形電極46(圖14(C))。柱形電極46以將設(shè)有柱形電極基
底金屬圖案54的處于柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部52埋入的方式而形 成。如上所述，柱形電極46—體地形成從柱形電極基底金屬圖案54的表 面到達布線圖案42的上方的第1部分46X及具有比該第1部分46X大的直 徑的第2部分46Y。
25 此時，第2部分區(qū)域46Y形成為位于柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)，且緊接
在應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面50a的第l部分46X的上方，與第1部分46X連接。
具體地說，形成用于形成柱形電極46的抗蝕劑圖案(未圖示)。該抗蝕 劑圖案只要通過一般適用于選擇的材料的傳統(tǒng)公知的光刻工序來形成圖
案即可。
用該抗蝕劑圖案作為掩模，形成柱形電極46。該柱形電極46的形成 工序與再布線層40的形成工序同樣，可選擇例如銅這樣的適當材料進行。
該柱形電極的形成工序優(yōu)選通過例如傳統(tǒng)公知的電鍍法形成。 5 通過該工序，在具有已說明的結(jié)構(gòu)的布線圖案42的柱形電極裝載部
42b上，形成多個柱形電極46。
然后，通過采用與選擇的材料相應(yīng)的例如溶劑來去除的任意適當?shù)?工序來去除抗蝕劑圖案。
接著，圖14(C)所示，在露出的柱形電極46的頂面46a上，形成例如 io焊接球48a，作為外部端子48。
最后，沿劃線將多個半導體芯片區(qū)域14之間切斷，單片化成包含半 導體芯片30的半導體裝置10。
另外，從上述第1實施方式到第5實施方式的主要部分的結(jié)構(gòu)以不損 害本發(fā)明的目的為條件，根據(jù)期望，可采用在一個半導體裝置內(nèi)組裝進 15上述結(jié)構(gòu)的任意適當?shù)慕M合的結(jié)構(gòu)。
以下，參照
第1實施方式到第5實施方式的組合的實施方式。
這些實施方式中僅僅進行結(jié)構(gòu)的說明。各構(gòu)成要素的制造方法參照 各實施方式的記載。
(第6實施方式)
20 參照圖15，說明該實施方式的半導體裝置。圖15(A)是透視地示出該
例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖15(B)是通過圖15(A)的I-I' 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
另外，除了有必要進行特別說明的情況，對于與已說明的實施方式 25的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素標注相同的編號，省略其詳細說明。
該例的半導體裝置的特征是再布線層的布線圖案，特別是柱形電極 裝載部的形狀及在柱形電極裝載區(qū)域即布線圖案的下側(cè)，即在緊接基底 金屬圖案的下方設(shè)置的耐應(yīng)力樹脂圖案。
如圖15(A)及圖15 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10與已說明
的實施方式同樣，具備半導體芯片30。
半導體芯片30在設(shè)置于第l主表面30a上的層間絕緣膜34的上側(cè)，設(shè) 有基底金屬圖案36。
該基底金屬圖案36上設(shè)有與露出的電極焊盤32電連接的多個布線圖 5 案42。
基底金屬圖案36具有與緊接其上方的布線圖案42相同的平面形狀。 這里，說明該例的半導體裝置10的布線圖案42的具體結(jié)構(gòu)。 布線圖案42具有直線或者曲線或?qū)⑺鼈兘M合的任意線狀的線狀部
42a。
io 線狀部42a的一端經(jīng)由基底金屬圖案36與電極焊盤32電連接。
如圖15(A)所示，布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a 的另一端一體地連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載 部42b。柱形電極裝載部42b的上表面輪廓在該例中采用具有6個形成銳角 的凸部(突出部)的大致六角星形狀。 15 緊接柱形電極裝載部42b的下方形成的基底金屬圖案36的形狀采用 與柱形電極裝載部42b相同的形狀及相同的尺寸。
該例的半導體裝置10在緊接柱形電極裝載部42b的下方具有耐應(yīng)力 樹脂圖案45。多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31 內(nèi)。該例中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。 20 在柱形電極裝載部42b上，裝載柱形電極46。該例中，柱形電極46
采用具有正圓形頂面46a和與該頂面46a相對的同樣為正圓形的底面46b 的圓柱形狀。
在該柱形電極裝載部42b上，裝載柱形電極46。 該例中，柱形電極46采用具有圓形頂面46a和與該頂面46a相對的同 25樣為正圓形的底面46b的圓柱形狀。(重復(fù))
柱形電極46設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得柱形電極裝載部42b 的平面輪廓與柱形電極46的底面46b的輪廓相互相交。
柱形電極裝載部42b的平面形狀即上表面的輪廓形狀優(yōu)選采用與柱 形電極46的底面46b的輪廓在至少2點相交的形狀。
即，優(yōu)選柱形電極裝載部42b形成為使得在柱形電極46裝載到柱形電 極裝載部42b上時，柱形電極裝載部42b的凸部42ba從柱形電極46的底面 46b突出。
該例中，柱形電極裝載部42b為大致六角星形狀，具有6個凸部42ba， 5因此，柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓和柱形電極46的底面46b的輪 廓雖然也依賴于線狀部42a與柱形電極裝載部42b的連接形態(tài)，但在12個 位置左右相交。
另外，在柱形電極裝載部42b的相鄰的2個凸部42ba之間被劃分成的 凹部42bb中，柱形電極46的底面46b與層間絕緣膜34的表面相對。 io 密封部44設(shè)置成覆蓋再布線層40、柱形電極46及露出的層間絕緣膜
34。密封部44只要構(gòu)成為用任意適當?shù)慕^緣性材料形成的絕緣膜即可。
電極柱形46的頂面46a在密封部44的表面露出。在該露出的頂面46a 上設(shè)置有外部端子48。
若采用該例的半導體裝置的結(jié)構(gòu)，則特別是在柱形電極的下側(cè)，具 15有緩和、阻斷來自W-CSP的外部的應(yīng)力，或阻止破損進一步擴展的結(jié)構(gòu)。 從而，通過該結(jié)構(gòu)可分散應(yīng)力，因此可防止來自W-CSP的外部的應(yīng)力特 別對柱形電極及與其連接的再布線的破損。另外，假設(shè)在層間絕緣膜和 像層間絕緣膜這樣的在柱形電極及與其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素 中產(chǎn)生了裂紋等破損，也可防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再
20 布線。
而且，在來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐應(yīng)力樹脂圖案 緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖案的破損。
從而，可進一步有效防止構(gòu)成要素的破損及破損的擴展。結(jié)果可進 一步提高半導體裝置的可靠性。 25 (第7實施方式)
參照圖16，說明該例的半導體裝置。圖16(A)是透視地示出該例的半 導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖16(B)是通過圖16(A)的I-I，點劃線 剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的圖1(A) 及1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。另外，除了有必要進行特別說明的情
況，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素標注相同的編 號，省略其詳細說明。
該例的半導體裝置的特征在于再布線層的布線圖案，特別是柱形電 極裝載部的形狀，及在柱形電極裝載區(qū)域即布線圖案的下側(cè)，即緊接基 5底金屬圖案的下方設(shè)置的耐應(yīng)力樹脂圖案及耐應(yīng)力金屬圖案。
如圖16(A)及圖16(B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
與已說明的實施方式同樣，半導體芯片30在設(shè)置于第l主表面30a上 的層間絕緣膜34的上側(cè)，設(shè)置有基底金屬圖案36、與露出的電極焊盤32 10電連接的多個布線圖案42?；撞季€圖案38具有與緊接其上方的布線圖 案42相同的平面形狀。
該例的半導體裝置10具有的布線圖案42的柱形電極裝載部42b的正 下方，具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。該例中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊 形。
15 另外，該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45之外，
還在緊接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45的各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案 47。
在柱形電極裝載部42b上，裝載柱形電極46。
柱形電極46設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得柱形電極裝載部42b 20的平面輪廓與柱形電極46的底面46b的輪廓相互相交。
柱形電極裝載部42b的平面形狀即上表面的輪廓形狀優(yōu)選采用與柱 形電極46的底面46b的輪廓在至少2點相交的形狀。
即，優(yōu)選柱形電極裝載部42b形成為使得在柱形電極46裝載到柱形電 極裝載部42b上時，使得柱形電極裝載部42b的凸部42ba從柱形電極46的 25底面46b突出。
該例中，柱形電極裝載部42b為六角星形狀，具有6個凸部42ba，因 此，柱形電極裝載部42b的上表面輪廓和柱形電極46的底面46b的輪廓雖 然也依賴于線狀部42a與柱形電極裝載部42b的連接形態(tài)，但在12個位置 左右相交。
另外，在柱形電極裝載部42b的相鄰的2個凸部42ba之間被劃分成的 凹部42bb中，柱形電極46的底面46b與層間絕緣膜34的表面相對。
密封部44設(shè)置成覆蓋再布線層40、柱形電極46及露出的層間絕緣膜34。
5 柱形電極46的頂面46a從密封部44的表面露出。在該露出的頂面46a
上設(shè)置有外部端子48。
若釆用該例的半導體裝置的結(jié)構(gòu)，則特別是在柱形電極的下側(cè)，具 有緩和、阻斷來自W-CSP的外部的應(yīng)力，或阻止破損進一步擴展的結(jié)構(gòu)。 從而，通過該結(jié)構(gòu)可分散應(yīng)力，因此可防止來自W-CSP的外部的應(yīng)力特 io別對柱形電極及與其連接的再布線的破損。另外，假設(shè)在層間絕緣膜和 像層間絕緣膜這樣的在柱形電極及與其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素 中產(chǎn)生了裂紋等破損，也可防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再 布線。
而且，在來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐應(yīng)力樹脂圖案 15緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖案的破損。
而且，由于施加的應(yīng)力被耐應(yīng)力金屬圖案阻斷，因此可有效防止應(yīng) 力波及到位于該耐應(yīng)力金屬圖案下側(cè)的布線圖案等其他構(gòu)成要素。
從而，可進一步有效防止構(gòu)成要素的破損及破損的擴展。結(jié)果可進 一步提高半導體裝置的可靠性。 加 (第8實施方式)
參照圖17，說明該實施方式的半導體裝置。圖17(A)是透視地示出半 導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖17(B)是通過圖17(A)的I-r點劃線 剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的圖1(A) 及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。 25 該例的半導體裝置的特征在于在柱形電極裝載區(qū)域即布線圖案的下 側(cè)，即緊接基底金屬圖案的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案及耐應(yīng)力金屬圖案， 以及耐應(yīng)力金屬圖案的形狀。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤
32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖17(A)及圖17 (B)詳細所示的那樣，布線圖案42具有與從電極焊 盤32導出的線狀部42a的另一端一體地連接的柱形電極裝載部42b。 5 柱形電極裝載部42b設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
緊接柱形電極裝載部42b的下方形成的基底金屬圖案36的形狀釆用 與柱形電極裝載部42b相同的形狀及相同的尺寸。
半導體裝置10在緊接基底金屬圖案36的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案 45。多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例 io中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
該例的半導體裝置10在緊接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別 具有耐應(yīng)力金屬圖案47。耐應(yīng)力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載 區(qū)域31內(nèi)。
該例的耐應(yīng)力金屬圖案47采用凹多邊形(星形多邊形)。耐應(yīng)力金屬圖 15案47的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部)的六 角星形狀。
耐應(yīng)力金屬圖案47的形狀及尺寸可采用任意適當?shù)男螤罴俺叽?，?yōu) 選在該凹多邊形的耐應(yīng)力金屬圖案47中的被2個凸部夾持形成鈍角的多 個凹部位于耐應(yīng)力樹脂圖案45、柱形電極裝載部42b及柱形電極46的底面 20 46b各自的輪廓內(nèi)。
在柱形電極裝載部42b上，裝載柱形電極46。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
密封部44設(shè)置成覆蓋再布線層40、柱形電極46及露出的層間絕緣膜
25 34。
柱形電極46的頂面46a在密封部44的表面露出。在該露出的頂面46a 上設(shè)置有外部端子48。
若釆用這樣的結(jié)構(gòu)，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐 應(yīng)力樹脂圖案緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖
案的破損。
另外，施加的應(yīng)力被耐應(yīng)力金屬圖案阻斷，因此，可有效防止應(yīng)力 波及到位于該耐應(yīng)力金屬圖案下側(cè)的布線圖案等其他構(gòu)成要素。
另外，具有凸部的凹多邊形的耐應(yīng)力金屬圖案即使在表面保護層等
5中產(chǎn)生了裂紋，也可有效防止該裂紋波及到柱形電極、再布線層。 (第9實施方式)
參照圖18，說明該實施方式的半導體裝置。圖18(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖18(B)是通過圖18(A)的I-r 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 io圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于在柱形電極裝載區(qū)域即布線圖案的下 頂IJ，即緊接基底金屬圖案的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案及耐應(yīng)力金屬圖案。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 15 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖18(A)及圖18 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
緊接布線圖案42的下方設(shè)置有基底金屬圖案36。 20 這里，說明該例的半導體裝置10的布線圖案42的具體結(jié)構(gòu)。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極 裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 的大致六角星形狀。 25 半導體裝置10在緊接基底金屬圖案36的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案 45。該例中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
該例的半導體裝置10在緊接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別 具有耐應(yīng)力金屬圖案47。
該例的耐應(yīng)力金屬圖案47采用凹多邊形(星形多邊形)狀。耐應(yīng)力金屬
圖案47的上表面的輪廓，在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 的六角星形狀。
在柱形電極裝載部42b上，裝載柱形電極46。
柱形電極46設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得柱形電極裝載部42b 5的平面輪廓與柱形電極46的底面46b的輪廓相互相交。
柱形電極裝載部42b的平面形狀即上表面的輪廓形狀優(yōu)選采用與柱 形電極46的底面46b的輪廓在至少2點相交的形狀。
艮口，優(yōu)選柱形電極裝載部42b形成為使得在柱形電極46裝載到柱形電 極裝載部42b上時，使柱形電極裝載部42b的凸部42ba從柱形電極46的底 io 面46b突出。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
密封部44設(shè)置成覆蓋再布線層40、柱形電極46及露出的層間絕緣膜34。
15 電極柱形46的頂面46a在密封部44的表面露出。在該露出的頂面46a
上設(shè)置有外部端子48。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在層間絕緣膜和像層間絕緣膜這樣的在 柱形電極及與其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損， 也可防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。 20 另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐應(yīng)力樹脂圖案
緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖案的破損。
另外，施加的應(yīng)力被耐應(yīng)力金屬圖案阻斷，因此，可有效防止應(yīng)力 波及到位于該耐應(yīng)力金屬圖案下側(cè)的布線圖案等其他構(gòu)成要素。
另外，具有凸部的耐應(yīng)力金屬圖案即使在表面保護層等中產(chǎn)生了裂 25紋，也可有效防止該裂紋波及到柱形電極、再布線層。 (第10實施方式)
參照圖19，說明該實施方式的半導體裝置。圖19(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖19(B)是通過圖19(A)的I-I' 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于布線圖案的形狀和柱形電極的形狀以 及在布線圖案的上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層。
另外，對于與己說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 5導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖19(A)及圖19 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
io 在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬膜35。
在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極 裝載部42b的上表面的輪廓在該例中釆用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 15的大致六角星形狀。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50被 一體地設(shè)置成使多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出，覆蓋設(shè)置在 基底金屬層35上的再布線層40。
艮P，應(yīng)力緩沖樹脂層50具有多個開口部即接觸孔52。 20 該例的半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不
同直徑的第1部分46X及第2部分46 Y 。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48 。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在像層間絕緣膜這樣的在柱形電極及與 其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損，也可防止破損 25連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的布 線圖案。
(第ll實施方式)
參照圖20,說明該實施方式的半導體裝置。圖20(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖20(B)是通過圖20(A)的I-I' 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B灘同，因此省略重復(fù)的圖示。 5 該例的半導體裝置的特征在于布線圖案的形狀和柱形電極的形狀以 及在布線圖案的上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層及緊接其下方設(shè)置的柱形電 極基底金屬圖案。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 io 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48a等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖20(A)及圖20 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬層，即基底金屬圖案36。基 15底金屬圖案36的形狀采用與布線圖案42相同的平面形狀。
在基底金屬圖案36上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極 20裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 的大致六角星形狀。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使 多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。
艮口，在應(yīng)力緩沖樹脂層50中形成有多個開口部即接觸孔52。開口部 25 52從應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露 出。
該例的半導體裝置1 O具備柱形電極基底金屬圖案54 。 柱形電極基底金屬圖案54覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部 22內(nèi)，即覆蓋開口部22的側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54
也覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部 分。
半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑 的第1部分46X及第2部分46Y。 5 柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b
的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在層間絕緣膜和像層間絕緣膜這樣的在 柱形電極及與其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損， io也可防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的 布線圖案。
而且，由于采用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層的下方去除作為基底的金屬 15層的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集 成度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。 (第12實施方式)
參照圖21,說明該實施方式的半導體裝置。圖21(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖21(B)是通過圖21(A)的I-I' 20點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此不再圖示。
該例的半導體裝置的特征在于耐應(yīng)力樹脂圖案和柱形電極的形狀以 及在布線圖案的上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 25導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖21(A)及圖21 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬膜35。
在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在該例 5中采用正六邊形。該柱形電極裝載部42b的平面形狀以使柱形電極46的整 個底面46b收于其輪廓內(nèi)為條件，不限于圖示例，可采用任意適當?shù)男螤睢?br>
該例的半導體裝置10在緊接柱形電極裝載部42b的下方具有耐應(yīng)力 樹脂圖案45。
該例中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。 io 另外，基底金屬膜35設(shè)置成也覆蓋從布線圖案42露出的耐應(yīng)力樹脂
圖案45及層間絕緣膜34。
該例的半導體裝置10具有應(yīng)力緩沖樹脂層50。
在應(yīng)力緩沖樹脂層50設(shè)置有多個開口部即接觸孔52。開口部52從應(yīng) 力緩沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。 15 半導體裝置10具有柱形電極46。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。 在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。 若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則在來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由 20耐應(yīng)力樹脂圖案緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線 圖案的破損。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的布 線圖案。 25 (第13實施方式)
參照圖22，說明該實施方式的半導體裝置。圖22(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖22(B)是通過圖22(A)的I-I， 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于柱形電極的形狀和在布線圖案的上側(cè) 形成的應(yīng)力緩沖樹脂層及緊接其下方設(shè)置的柱形電極基底金屬圖案，以 及耐應(yīng)力樹脂圖案。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半
5導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖22(A)及圖22 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
io 半導體裝置10在層間絕緣膜34的上側(cè)具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。該例
中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
在耐應(yīng)力樹脂圖案45上設(shè)置有基底金屬層，即基底金屬圖案36。基 底金屬圖案36的形狀采用與布線圖案42相同的平面形狀。
在基底金屬層36上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。 15 布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在該例 中采用正六邊形。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使 多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。 20 應(yīng)力緩沖樹脂層50被一體地設(shè)置成覆蓋在基底金屬層36上設(shè)置的再 布線層40。
艮P，在應(yīng)力緩沖樹脂層50設(shè)置有多個開口部即接觸孔52。開口部52 從應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。 該例的半導體裝置10具有柱形電極基底金屬圖案54。 25 柱形電極基底金屬圖案54覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部
22內(nèi)，即覆蓋開口部22的側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54 也覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部 分。
半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑
的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。 5 若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由
耐應(yīng)力樹脂圖案緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線 圖案的破損。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的 io布線圖案。
而且，由于采用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層的下方去除作為基底的金屬 層的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集 成度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。
(第14實施方式)
15 參照圖23，說明該實施方式的半導體裝置。圖23(A)是透視地示出該
例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖23(B)是通過圖23(A)的I-I' 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B灘同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于布線圖案的形狀、耐應(yīng)力樹脂圖案、
20柱形電極的形狀以及在布線圖案的上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
25 如圖23(A)及圖23 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導
體芯片30。
在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬膜35。
在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地
連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極 裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部)
的大致六角星形狀。
該例的半導體裝置10在緊接柱形電極裝載部42b的下方具有耐應(yīng)力 5樹脂圖案45。多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31 內(nèi)。該例中，耐應(yīng)力樹脂圖案45釆用正六邊形。
另外，基底金屬膜35也覆蓋從布線圖案42露出的耐應(yīng)力樹脂圖案45 及層間絕緣膜34上。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50被 10 —體地設(shè)置成使多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出，覆蓋設(shè)置在 基底金屬膜35上的再布線層40。
應(yīng)力緩沖樹脂層50具備多個開口部，即接觸孔52。 半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑 的第1部分46X及第2部分46Y。 15 柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b
的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。 在電極柱形46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。 若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在像層間絕緣膜這樣的在柱形電極及與 其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損，也可防止破損 20連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐應(yīng)力樹脂圖案 緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖案的破損。
而且，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的布 25線圖案。
(第15實施方式)
參照圖24，說明該實施方式的半導體裝置。圖24(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖24(B)是通過圖24(A)的I-I' 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的
圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于柱形電極的形狀、具有在布線圖案的 上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層及緊接其下方設(shè)置的柱形電極基底金屬圖 案、以及耐應(yīng)力樹脂圖案。 5 另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半
導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48a等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖24(A)及圖24 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 io體芯片30。
半導體裝置10在層間絕緣膜34的上側(cè)具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。多個 耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中，耐應(yīng) 力樹脂圖案45釆用正六邊形。
在耐應(yīng)力樹脂圖案45上設(shè)置有基底金屬層即基底金屬圖案36。基底 15金屬圖案36的形狀采用與布線圖案42相同的平面形狀。
在基底金屬層36上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極 裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 20的大致六角星形狀。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使 多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。應(yīng)力緩沖樹脂層50被一體地 設(shè)置成覆蓋在基底金屬層36上設(shè)置的再布線層40。
在應(yīng)力緩沖樹脂層50上具備多個開口部，即接觸孔52。 25 該例的半導體裝置10具有柱形電極基底金屬圖案54。
柱形電極基底金屬圖案54覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部 22內(nèi)，即覆蓋開口部22的側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54 也覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部 分。
半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑 的第1部分46X及第2部分46Y。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在層間絕緣膜和像層間絕緣膜這樣的在 5柱形電極及與其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損， 也可防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐應(yīng)力樹脂圖案 緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖案的破損。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 io 50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的 布線圖案。
而且，由于釆用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層的下方去除作為基底的金屬 層的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集 成度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。 is (第16實施方式)
參照圖25，說明該實施方式的半導體裝置。圖25(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖25(B)是通過圖25(A)的I-I' 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與己說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。 20 該例的半導體裝置的特征在于具有耐應(yīng)力樹脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖
案、應(yīng)力緩沖樹脂層，以及柱形電極的形狀。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 25情況之外，標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖25(A)及圖25 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬膜35。 在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在該例 中采用正六邊形。
半導體裝置10在緊接基底金屬膜35的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。 5該例中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45之外，還在緊 接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案47。耐應(yīng) 力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中，耐應(yīng)力金 屬圖案47采用比耐應(yīng)力樹脂圖案45大的正六邊形。 10 另外，基底金屬膜35也覆蓋從布線圖案42露出的耐應(yīng)力樹脂圖案45
及層間絕緣膜34上。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50被 一體地設(shè)置成使多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出，覆蓋設(shè)置在 基底金屬膜35上的再布線層40。 15 在應(yīng)力緩沖樹脂層50中具備多個開口部，即接觸孔52。
該例的半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不 同直徑的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。 20 在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由 應(yīng)力緩沖樹脂層50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本 身或與其連接的布線圖案。
(第17實施方式)
25 參照圖26，說明該實施方式的半導體裝置。圖26(A)是透視地示出該
例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖26(B)是通過圖26(A)的I-I' 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B灘同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于柱形電極的形狀，以及具有耐應(yīng)力樹
脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖案和在布線圖案的上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層及 緊接其下方設(shè)置的柱形電極基底金屬圖案。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半
導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 5 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48a等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖26(A)及圖26 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
半導體裝置10在層間絕緣膜34的上側(cè)具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。多個 io耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中，耐應(yīng) 力樹脂圖案45采用正六邊形。
該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45之外，還在緊 接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案47。耐應(yīng) 力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中，耐應(yīng)力金 15屬圖案47采用比耐應(yīng)力樹脂圖案45大的正六邊形。
在耐應(yīng)力樹脂圖案45上設(shè)置有基底金屬層即基底金屬圖案36?；?金屬圖案36的形狀采用與布線圖案42相同的平面形狀。
在基底金屬層36上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。 布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 20連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在該例 中采用正六邊形。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使 多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。應(yīng)力緩沖樹脂層50被一體地 設(shè)置成覆蓋在基底金屬層36上設(shè)置的再布線層40。 25 在應(yīng)力緩沖樹脂層50具備多個開口部，即接觸孔52。
該例的半導體裝置10具有柱形電極基底金屬圖案54。 柱形電極基底金屬圖案54覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部 22內(nèi)，即覆蓋開口部22的側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54 也覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部
分。
該柱形電極基底金屬圖案54整體一體地形成，且為大致相等的厚度。
半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑 的第1部分46X及第2部分46Y。 5 在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。
若釆用這樣的結(jié)構(gòu)，則當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由 應(yīng)力緩沖樹脂層50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本 身或與其連接的布線圖案。
而且，由于采用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層下方去除作為基底的金屬層 io的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集成 度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。
(第18實施方式)
參照圖27，說明該實施方式的半導體裝置。圖27(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖27(B)是通過圖27(A)的I-I' 15點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于布線圖案的形狀、柱形電極的形狀， 以及具有耐應(yīng)力樹脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖案、以及在布線圖案的上側(cè)形 成的應(yīng)力緩沖樹脂層。 20 另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半
導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖27(A)及圖27 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 25 體芯片30。
在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬膜35。
在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一 端一體地 連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極
裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 的大致六角星形狀。
半導體裝置10在緊接基底金屬膜35的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。 多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中， 5耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45之外，還在緊 接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案47。耐應(yīng) 力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
該例中，耐應(yīng)力金屬圖案47采用比耐應(yīng)力樹脂圖案45大的正六邊形。 io 另外，基底金屬膜35也覆蓋從布線圖案42露出的耐應(yīng)力樹脂圖案45
及層間絕緣膜34上。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50被 一體地設(shè)置成使多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出，覆蓋在基底 金屬膜35上設(shè)置的再布線層40。 15 應(yīng)力緩沖樹脂層50具備多個開口部，即接觸孔52。
該例的半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不 同直徑的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。 20 在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在層間絕緣膜和像層間絕緣膜這樣的在 柱形電極及與其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損， 也可防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐應(yīng)力樹脂圖案 25緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖案的破損。
另外，施加的應(yīng)力被耐應(yīng)力金屬圖案阻斷，因此，可有效防止應(yīng)力 波及到位于該耐應(yīng)力金屬圖案下側(cè)的布線圖案等其他構(gòu)成要素。
而且，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的
布線圖案。
(第19實施方式)
參照圖28，說明該實施方式的半導體裝置。圖28(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖28(B)是通過圖28(A)的I-I' 5點劃線剖幵的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與己說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于布線圖案的形狀、柱形電極的形狀， 以及具有耐應(yīng)力樹脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖案、在布線圖案的上側(cè)形成的 應(yīng)力緩沖樹脂層及緊接其下方設(shè)置的柱形電極基底金屬圖案。 io 另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半
導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖28(A)及圖28 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 15體芯片30。
半導體裝置10在層間絕緣膜34的上側(cè)具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。該例 中，耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
在耐應(yīng)力樹脂圖案45上設(shè)置有基底金屬層36。基底金屬層36包含多 個基底金屬圖案36?；捉饘賵D案36的形狀采用與布線圖案42相同的平 20 面形狀。
在基底金屬層36上，設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。 布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地
連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極
裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 25的大致六角星形狀。
柱形電極裝載部42b設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。 該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使
多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。應(yīng)力緩沖樹脂層50被一體地
設(shè)置成覆蓋在基底金屬層36上設(shè)置的再布線層40。
應(yīng)力緩沖樹脂層50具有多個開口部即接觸孔52。開口部52從應(yīng)力緩 沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。 該例的半導體裝置10具有柱形電極基底金屬圖案54。 柱形電極基底金屬圖案54覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部 5 22內(nèi)，即覆蓋開口部22的側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54 也覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部 分。
該柱形電極基底金屬圖案54整體一體地形成，為大致相等的厚度。
半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑 io的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在層間絕緣膜和像層間絕緣膜這樣的在 15柱形電極及與其連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損， 也可防止破損連續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由耐應(yīng)力樹脂圖案 緩和應(yīng)力，可有效防止柱形電極本身或與其連接的布線圖案的破損。
另外，施加的應(yīng)力被耐應(yīng)力金屬圖案阻斷，因此，可有效防止應(yīng)力 20波及到位于該耐應(yīng)力金屬圖案下側(cè)的布線圖案等其他構(gòu)成要素。
而且，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的 布線圖案。
另外，由于采用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層的下方去除作為基底的金屬 25層的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集 成度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。 (第20實施方式)
參照圖29，說明該實施方式的半導體裝置。圖29(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖29(B)是通過圖29(A)咖-I'
點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的
圖1(A)及圖1(B)相同，因此沒有進一步的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于具有耐應(yīng)力樹脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖 案、在布線圖案的上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層，以及柱形電極的形狀。 5 另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半
導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖29(A)及圖29 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 10 體芯片30。
在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬膜35。
在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。
布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在該例 15中采用正六邊形。
半導體裝置10在緊接基底金屬膜35的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。 多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中， 耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45之外，還在緊 20接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案47。耐應(yīng) 力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
該例的耐應(yīng)力金屬圖案47采用凹多邊形(星形多邊形)。耐應(yīng)力金屬圖 案47的上表面的輪廓，在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部)的 六角星形狀。
25 耐應(yīng)力金屬圖案47的形狀及尺寸可釆用任意適當?shù)男螤罴俺叽?，?yōu)
選使該凹多邊形的耐應(yīng)力金屬圖案47中的被2個凸部夾持形成鈍角的多 個凹部位于耐應(yīng)力樹脂圖案45、柱形電極裝載部42b及柱形電極46的底面 46b各自的輪廓內(nèi)。
在耐應(yīng)力金屬圖案47例如由銅構(gòu)成并通過電鍍法形成的情況下，在
緊接耐應(yīng)力金屬圖案47的下方設(shè)置一層或多層的耐應(yīng)力基底金屬圖案 47a。
另外，基底金屬膜35也覆蓋從布線圖案42露出的耐應(yīng)力樹脂圖案45 及層間絕緣膜34上。 5 該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50被
一體地設(shè)置成使多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出，覆蓋在基底 金屬膜35上設(shè)置的再布線層40。
應(yīng)力緩沖樹脂層50具有多個開口部即接觸孔52。開口部52從應(yīng)力緩 沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。 io 該例的半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不
同直徑的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
在電極柱形46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。 15 若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由
應(yīng)力緩沖樹脂層50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本 身或與其連接的布線圖案。
另外，即使表面保護層等產(chǎn)生了裂紋，具有凸部的凹多邊形的耐應(yīng) 力金屬圖案也可有效防止該裂紋波及到柱形電極、再布線層。 20 (第21實施方式)
參照圖30，說明該實施方式的半導體裝置。圖30(A)是透視地示出 該例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖30(B)是通過圖30(A)的
點劃線剖幵的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與己說 明的圖1(A)及圖1(B)相同，因此沒有進一步的圖示。 25 該例的半導體裝置的特征在于柱形電極的形狀，以及具有耐應(yīng)力樹
脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖案以及在布線圖案的上側(cè)形成的應(yīng)力緩沖樹脂層 及緊接其下方設(shè)置的柱形電極基底金屬圖案。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤
32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖30(A)及圖30 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
5 半導體裝置10在層間絕緣膜34的上側(cè)具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。多個
耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45之外，還在緊 接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案47。 耐應(yīng)力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。 io 該例的耐應(yīng)力金屬圖案47釆用凹多邊形(星形多邊形)。耐應(yīng)力金屬圖 案47的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部)的六 角星形狀。
耐應(yīng)力金屬圖案47的形狀及尺寸可采用任意適當?shù)男螤罴俺叽?，?yōu) 選該凹多邊形的耐應(yīng)力金屬圖案47中的被2個凸部夾持形成鈍角的多個 15凹部位于耐應(yīng)力樹脂圖案45、柱形電極裝載部42b及柱形電極46的底面 46b各自的輪廓內(nèi)。在耐應(yīng)力金屬圖案47例如由銅構(gòu)成并通過電鍍法形成 的情況下，在緊接耐應(yīng)力金屬圖案47的下方設(shè)置一層或多層的耐應(yīng)力基 底金屬圖案47a。
在耐應(yīng)力樹脂圖案45上設(shè)置有基底金屬層即基底金屬圖案36?；?20金屬圖案36的形狀采用與布線圖案42相同的平面形狀。
在基底金屬層36上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。 布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的柱形電極裝載部42b。柱形電極裝載部42b的上表面的輪廓在該例 中采用正六邊形。
25 該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使
多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。應(yīng)力緩沖樹脂層50被一體地 設(shè)置成覆蓋在基底金屬層36上設(shè)置的再布線層40。
在應(yīng)力緩沖樹脂層50設(shè)有多個開口部，即接觸孔52。開口部52從應(yīng) 力緩沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。
該例的半導體裝置10具有柱形電極基底金屬圖案54。 柱形電極基底金屬圖案54覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部 22內(nèi)，即覆蓋開口部22的側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54 也覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部 5分。
該柱形電極基底金屬圖案54整體一體地形成，為大致相等的厚度。
半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑 的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b io的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48 。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由 應(yīng)力緩沖樹脂層50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本 身或與其連接的布線圖案。 15 另外，由于采用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層的下方去除作為基底的金屬
層的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集 成度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。
而且，即使表面保護層等產(chǎn)生了裂紋，具有凸部的凹多邊形的耐應(yīng) 力金屬圖案也可有效防止該裂紋波及到柱形電極、再布線層。 加 (第22實施方式)
參照圖31，說明該實施方式的半導體裝置。圖31(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖31(B)是通過圖31(A)的I-I， 點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。 25 該例的半導體裝置的特征在于布線圖案的形狀、柱形電極的形狀，
以及具有耐應(yīng)力樹脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖案以及在布線圖案的上側(cè)形成 的應(yīng)力緩沖樹脂層。
另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半 導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤
32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖31(A)及圖31 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導 體芯片30。
5 在層間絕緣膜34的上側(cè)設(shè)置有基底金屬膜35。
在基底金屬膜35上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。 布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極 裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) io的大致六角星形狀。
半導體裝置10在緊接基底金屬膜35的下方具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。 多個耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中， 耐應(yīng)力樹脂圖案45采用正六邊形。
該例的耐應(yīng)力金屬圖案47采用凹多邊形(星形多邊形)。耐應(yīng)力金屬圖 15案47的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部)的六 角星形狀。
耐應(yīng)力金屬圖案47的形狀及尺寸可釆用任意適當?shù)男螤罴俺叽?，?yōu) 選該凹多邊形的耐應(yīng)力金屬圖案47中的被2個凸部夾持形成鈍角的多個 凹部位于耐應(yīng)力樹脂圖案45、柱形電極裝載部42b及柱形電極46的底面 20 46b各自的輪廓內(nèi)。
另外，耐應(yīng)力金屬圖案47的凸部可配置成位于柱形電極裝載部42b 的凹部42bb。
在耐應(yīng)力金屬圖案47例如由銅構(gòu)成并通過電鍍法形成的情況下，在 緊接耐應(yīng)力金屬圖案47的下方設(shè)置一層或多層的耐應(yīng)力基底金屬圖案 25 47a。
另外，基底金屬膜35也覆蓋從布線圖案42露出的耐應(yīng)力樹脂圖案45 及層間絕緣膜34上。
該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50被 一體地設(shè)置成使多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出，覆蓋在基底
金屬膜35上設(shè)置的再布線層40。
應(yīng)力緩沖樹脂層50具有多個開口部即接觸孔52。開口部52從應(yīng)力緩 沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。
該例的半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不 5同直徑的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。
在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在層間絕緣膜這樣的在柱形電極及與其 io連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損，也可防止破損連 續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的 布線圖案。
15 另外，即使在表面保護層等產(chǎn)生了裂紋，具有凸部的凹多邊形的耐
應(yīng)力金屬圖案也可有效防止該裂紋波及到柱形電極、再布線層。 (第23實施方式)
參照圖32，說明該實施方式的半導體裝置。圖32(A)是透視地示出該 例的半導體裝置的布線圖案的要部俯視圖，圖32(B)是通過圖32(A)的I-I， 20點劃線剖開的剖面的概略圖。該例的半導體裝置的基本結(jié)構(gòu)與已說明的 圖1(A)及圖1(B)相同，因此省略重復(fù)的圖示。
該例的半導體裝置的特征在于布線圖案的形狀、柱形電極的形狀， 以及具有耐應(yīng)力樹脂圖案、耐應(yīng)力金屬圖案、在布線圖案的上側(cè)形成的 應(yīng)力緩沖樹脂層及緊接其下方設(shè)置的柱形電極基底金屬圖案。 25 另外，對于與已說明的實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，即半
導體芯片30、層間絕緣膜34、布線圖案42、基底金屬圖案36、電極焊盤 32、柱形電極46、密封部44、焊接球48等，除了有必要進行特別說明的 情況之外，都標注相同的編號，省略其詳細說明。
如圖32(A)及圖32 (B)所示，該例的W-CSP即半導體裝置10具備半導
體芯片30。
半導體裝置10在層間絕緣膜34的上側(cè)具有耐應(yīng)力樹脂圖案45。多個 耐應(yīng)力樹脂圖案45分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。該例中，耐應(yīng) 力樹脂圖案45采用正六邊形。 5 該例的半導體裝置10除了已說明的耐應(yīng)力樹脂圖案45之外，還在緊
接多個耐應(yīng)力樹脂圖案45各自的下方分別具有耐應(yīng)力金屬圖案47。耐應(yīng) 力金屬圖案47分別設(shè)置在各柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。
該例的耐應(yīng)力金屬圖案47采用凹多邊形(星形多邊形)。耐應(yīng)力金屬圖 案47的上表面的輪廓，在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部)的 10六角星形狀。
耐應(yīng)力金屬圖案47的形狀及尺寸可采用任意適當?shù)男螤罴俺叽纾瑑?yōu) 選該凹多邊形的耐應(yīng)力金屬圖案47中的被2個凸部夾持形成鈍角的多個 凹部位于耐應(yīng)力樹脂圖案45、柱形電極裝載部42b及柱形電極46的底面 46b各自的輪廓內(nèi)。
15 另外，耐應(yīng)力金屬圖案47的凸部可配置成位于柱形電極裝載部42b
的凹部42bb。
在耐應(yīng)力金屬圖案47例如由銅構(gòu)成并通過電鍍法形成的情況下，在 緊接耐應(yīng)力金屬圖案47的下方設(shè)置一層或多層的耐應(yīng)力基底金屬圖案 47a。
20 在耐應(yīng)力樹脂圖案45上設(shè)置有基底金屬層即基底金屬圖案36?；?br>
金屬圖案36的形狀釆用與布線圖案42相同的平面形狀。
在基底金屬層36上設(shè)置有與電極焊盤32電連接的多個布線圖案42。 布線圖案42具有與從電極焊盤32導出的線狀部42a的另一端一體地 連接的大致凹多邊形(大致星形多邊形)的柱形電極裝載部42b。柱形電極 25裝載部42b的上表面的輪廓在該例中采用具有6個形成銳角的凸部(突出部) 的大致六角星形狀。
柱形電極裝載部42b設(shè)置在預(yù)先設(shè)定的柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)。 該例的半導體裝置10具備應(yīng)力緩沖樹脂層50。應(yīng)力緩沖樹脂層50使 多個柱形電極裝載部42b各自的一部分露出。應(yīng)力緩沖樹脂層50被一體地
設(shè)置成覆蓋在基底金屬層36上設(shè)置的再布線層40。
應(yīng)力緩沖樹脂層50具有多個開口部即接觸孔52。開口部52從應(yīng)力緩 沖樹脂層50的表面到達柱形電極裝載部42b，使其一部分露出。
該例的半導體裝置10具有柱形電極基底金屬圖案54。 5 柱形電極基底金屬圖案54覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的開口部
22內(nèi)，即覆蓋開口部22的側(cè)壁及底面。另外，柱形電極基底金屬圖案54 也覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域31內(nèi)的應(yīng)力緩沖樹脂層50的表面的一部 分。
該柱形電極基底金屬圖案54整體一體地形成，為大致相等的厚度。 io 半導體裝置10具有柱形電極46。該例中，柱形電極46具有不同直徑
的第1部分46X及第2部分46Y。
柱形電極46在該例中設(shè)置在柱形電極裝載部42b上，使得其底面46b 的輪廓收于正六邊形的柱形電極裝載部42b的平面輪廓內(nèi)。 在柱形電極46的頂面46a上設(shè)置有外部端子48。 15 若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則即使在層間絕緣膜這樣的在柱形電極及與其
連接的再布線的附近的構(gòu)成要素中產(chǎn)生了裂紋等破損，也可防止破損連 續(xù)且直接地擴展到柱形電極及再布線。
另外，當來自外部的應(yīng)力施加到柱形電極上時，由應(yīng)力緩沖樹脂層 50有效地吸收應(yīng)力，可有效防止破損波及到柱形電極本身或與其連接的 20布線圖案。
而且，由于采用從緊接應(yīng)力緩沖樹脂層的下方去除作為基底的金屬 層的結(jié)構(gòu)，所以可減少導電性的區(qū)域的面積，從而可提高柱形電極的集 成度。即，可實現(xiàn)半導體裝置的進一步小型化。
而且，即使在表面保護層等產(chǎn)生了裂紋，具有凸部的凹多邊形的耐 25應(yīng)力金屬圖案也可有效防止該裂紋波及到柱形電極、再布線層。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括半導體芯片，其具有露出多個電極焊盤的第1主表面，和在該第1主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜；再布線層，其包含多個布線圖案，多個上述布線圖案具有一端與上述電極焊盤電連接并從上述電極焊盤導出的線狀部，和與該線狀部的另一端連接的大致凹多邊形的柱形電極裝載部；多個柱形電極，其設(shè)置在上述布線圖案的上述柱形電極裝載部上，且其底面具有與該柱形電極裝載部的上表面輪廓在至少2點相交的輪廓；密封部，其使多個上述柱形電極的頂面露出；以及多個外部端子，其裝載在上述柱形電極的頂面上。
2. —種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括 半導體芯片，其具有露出多個電極焊盤的第l主表面，和在該第l主15表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜，在該層間絕 緣膜的上述表面上設(shè)定有柱形電極裝載區(qū)域；多個耐應(yīng)力樹脂圖案，其設(shè)置在上述柱形電極裝載區(qū)域上； 再布線層，其包含多個布線圖案，多個上述布線圖案具有一端與所 述電極焊盤電連接并從所述電極焊盤導出的線狀部，和與該線狀部的另 20 —端連接且設(shè)置在上述耐應(yīng)力樹脂圖案上的柱形電極裝載部；多個柱形電極，其設(shè)置在上述布線圖案的上述柱形電極裝載部上； 密封部，其使多個上述柱形電極的頂面露出；以及 多個外部端子，其裝載在上述柱形電極的頂面上。
3. —種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括25 半導體芯片，其具有露出多個電極焊盤的第l主表面，和在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜，在該層間絕緣膜的上述表面上設(shè)定有柱形電極裝載區(qū)域；多個耐應(yīng)力金屬圖案，其設(shè)置在上述柱形電極裝載區(qū)域上； 多個耐應(yīng)力樹脂圖案，其設(shè)置在上述耐應(yīng)力金屬圖案上； 再布線層，其包含多個布線圖案，多個上述布線圖案具有一端與所 述電極焊盤電連接并從所述電極焊盤導出的線狀部，和與該線狀部的另一端連接且設(shè)置在上述耐應(yīng)力樹脂圖案上的柱形電極裝載部；多個柱形電極，其設(shè)置在上述布線圖案的上述柱形電極裝載部上； 5 密封部，其使多個上述柱形電極的頂面露出；以及多個外部端子，其裝載在上述柱形電極的頂面上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體裝置，其特征在于， 上述耐應(yīng)力金屬圖案的平面形狀為大致凹多邊形，該耐應(yīng)力金屬圖案的被2個凸部夾持而形成鈍角的多個凹部位于上述耐應(yīng)力樹脂圖案、上 10述柱形電極裝載部及上述柱形電極的底面各自的輪廓內(nèi)。
5. —種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括-半導體芯片，其具有露出多個電極焊盤的第l主表面，和在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜，在該層間絕 緣膜的上述表面上設(shè)定有柱形電極裝載區(qū)域； 15 基底金屬層，其設(shè)置在上述電極焊盤上以及上述層間絕緣膜上；再布線層，其包含布線圖案，上述布線圖案為設(shè)置在上述基底金屬 層上的多個布線圖案，上述布線圖案具有一端與上述電極焊盤電連接并 從上述電極焊盤上導出的線狀部、和與該線狀部的另一端連接且設(shè)置在 上述耐應(yīng)力樹脂圖案上的柱形電極裝載部； 20 應(yīng)力緩沖樹脂層，其設(shè)置成使多個上述柱形電極裝載部的一部分分別露出、覆蓋上述再布線層；多個柱形電極，其具有設(shè)置在上述柱形電極裝載區(qū)域中并從上述應(yīng) 力緩沖樹脂層的表面到達上述布線圖案的第l部分，和直徑大于該第l部 分并與上述第l部分為一體、位于上述柱形電極裝載區(qū)域上且位于上述應(yīng) 25力緩沖樹脂層的表面及上述第1部分上的第2部分；密封部，其使多個上述柱形電極的頂面及上述第2部分露出；以及多個外部端子，其裝載在上述柱形電極的上述頂面上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其特征在于， 上述再布線層包含多個布線圖案，多個上述布線圖案具有一端與上 述電極焊盤電連接并從上述電極焊盤導出的線狀部、及與該線狀部的另 一端連接的大致凹多邊形的柱形電極裝載部，設(shè)置在上述布線圖案的上述柱形電極裝載部上的多個上述柱形電極 被裝載成使得其底面輪廓與上述柱形電極裝載部的上表面輪廓在至少2 5點相交。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導體裝置，其特征在于， 在上述柱形電極裝載區(qū)域中、上述層間絕緣膜與上述布線圖案之間，還設(shè)置有多個耐應(yīng)力樹脂圖案。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5到7中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于， io該半導體裝置還設(shè)置有在上述柱形電極裝載區(qū)域中、上述層間絕緣膜與上述布線圖案之間 設(shè)置的多個耐應(yīng)力金屬圖案；以及在上述耐應(yīng)力金屬圖案上設(shè)置的多個耐應(yīng)力樹脂圖案。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，15 上述耐應(yīng)力金屬圖案的平面形狀為大致凹多邊形，該耐應(yīng)力金屬圖案的被2個凸部夾持而形成鈍角的多個凹部位于上述耐應(yīng)力樹脂圖案、上 述柱形電極裝載部及上述柱形電極的底面各自的輪廓內(nèi)。
10. —種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括 半導體芯片，其具有露出多個電極焊盤的第l主表面，和在該第l主20表面上設(shè)置成使所述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜，在該層間絕緣膜的上述表面上設(shè)定有柱形電極裝載區(qū)域；基底金屬層，其包含多個基底金屬圖案，多個上述基底金屬圖案設(shè) 置在上述電極焊盤上及上述層間絕緣膜上，且多個上述基底金屬圖案的 一端側(cè)與上述電極焊盤電連接，并從上述電極焯盤上導出； 25 再布線層，其具有分別設(shè)置在多個上述基底金屬圖案上的多個布線圖案；應(yīng)力緩沖樹脂層，其設(shè)置成使多個上述柱形電極裝載部的一部分分 別露出、覆蓋上述再布線層；多個柱形電極，其具有設(shè)置在上述柱形電極裝載區(qū)域中并從上述應(yīng) 力緩沖樹脂層的表面到達上述布線圖案的第l部分，和直徑大于該第l部 分并與上述第l部分為一體、位于上述柱形電極裝載區(qū)域上且位于上述應(yīng) 力緩沖樹脂層的表面及上述第1部分上的第2部分；密封部，其使多個上述柱形電極的頂面及上述第2部分露出；以及 5 多個外部端子，其裝載在上述柱形電極的上述頂面上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，其特征在于， 上述再布線層包含多個布線圖案，多個上述布線圖案具有一端與上述電極焊盤電連接并從上述電極焊盤導出的線狀部、及與該線狀部的另 一端連接的大致凹多邊形的柱形電極裝載部， 10 設(shè)置在上述布線圖案的上述柱形電極裝載部上的多個上述柱形電極 被裝載成使得其底面輪廓與上述柱形電極裝載部的上表面輪廓在至少2 點相交。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或1I所述的半導體裝置，其特征在于，上述半導體裝置在上述柱形電極裝載區(qū)域中、上述層間絕緣膜與上15述布線圖案之間，還設(shè)置有多個耐應(yīng)力樹脂圖案。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10到12中的任一項所述的半導體裝置，其特征在 于，該半導體裝置還設(shè)置有在上述柱形電極裝載區(qū)域中、上述層間絕緣膜與上述布線圖案之間 設(shè)置的多個耐應(yīng)力金屬圖案；以及 20 在上述耐應(yīng)力金屬圖案上設(shè)置的多個耐應(yīng)力樹脂圖案。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體裝置，其特征在于， 上述耐應(yīng)力金屬圖案的平面形狀為大致凹多邊形，該耐應(yīng)力金屬圖案的被2個凸部夾持而形成鈍角的多個凹部位于上述耐應(yīng)力樹脂圖案、上 述柱形電極裝載部及上述柱形電極的底面各自的輪廓內(nèi)。
15. —種半導體裝置的制造方法，其特征在于，該半導體裝置的制造方法包括(1)準備基板的工序，該基板具有露出多個電極焊盤的第l主表面； 和在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜， 并且該基板劃分了多個半導體芯片區(qū)域； (2)形成包含布線圖案的再布線層的工序，該布線圖案為在上述層間絕緣膜上、并在上述半導體芯片區(qū)域內(nèi)延伸的多個布線圖案，上述布線 圖案具有一端與上述電極輝盤電連接并從上述電極焊盤導出的線狀部、和與該線狀部的另一端連接的大致凹多邊形的柱形電極裝載部； 5 (3)形成多個柱形電極的工序，該柱形電極設(shè)置在上述布線圖案的上述柱形電極裝載部上，并且其底面具有與該柱形電極裝載部的上表面輪 廓在至少2點相交的輪廓；(4) 使多個上述柱形電極的頂面露出而形成密封部的i:序；(5) 在多個上述柱形電極的頂面上裝載多個外部端子的工序；以及io(6)將多個上述半導體芯片區(qū)域之間切斷，進行半導體裝置的單片化的工序。
16. —種半導體裝置的制造方法，其特征在于，該半導體裝置的制造方法包括(1) 準備基板的工序，該基板具有露出多個電極焊盤的第l主表面； 15和在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜，并且該基板劃分了多個半導體芯片區(qū)域，在該芯片區(qū)域內(nèi)設(shè)定有柱形電 極裝載區(qū)域；(2) 在上述柱形電極裝載區(qū)域上形成多個耐應(yīng)力樹脂圖案的工序；(3) 形成包含布線圖案的再布線層的工序，該布線圖案為多個布線圖20案，上述布線圖案具有一端與上述電極焊盤電連接并從上述電極焊盤導出的線狀部、和與該線狀部的另一端連接且位于上述耐應(yīng)力樹脂圖案上的柱形電極裝載部；(4) 在多個上述布線圖案的多個上述柱形電極裝載部上形成多個柱形 電極的工序；25 (5)使多個上述柱形電極的頂面露出而形成密封部的工序；(6) 在多個上述柱形電極的頂面上裝載多個外部端子的工序；以及(7) 將多個上述半導體芯片區(qū)域之間切斷，進行半導體裝置的單片化的工序。
17. —種半導體裝置的制造方法，其特征在于，該半導體裝置的制造方法包括(1) 準備基板的工序，該基板具有露出多個電極焊盤的第l主表面； 和在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜， 并且該基板劃分了多個半導體芯片區(qū)域，在該芯片區(qū)域內(nèi)設(shè)定有柱形電5極裝載區(qū)域；(2) 在上述柱形電極裝載區(qū)域形成多個耐應(yīng)力金屬圖案的工序；(3) 在上述耐應(yīng)力金屬圖案上形成多個耐應(yīng)力樹脂圖案的工序；(4) 形成包含布線圖案的再布線層的工序，該布線圖案為多個布線圖 案，上述布線圖案具有一端與上述電極焊盤電連接并從上述電極焊盤導10出的線狀部、和與該線狀部的另一端連接且位于上述耐應(yīng)力樹脂圖案上 的柱形電極裝載部；(5) 在多個上述布線圖案的多個上述柱形電極裝載部上形成多個柱 形電極的工序；(6) 使多個上述柱形電極的頂面露出而形成密封部的工序；15 (7)在多個上述柱形電極的頂面上裝載多個外部端子的工序；以及(8)將多個上述半導體芯片區(qū)域之間切斷，進行半導體裝置的單片化的工序。
18. —種半導體裝置的制造方法，其特征在于，該半導體裝置的制造方法包括20 (1)準備基板的工序，該基板具有露出多個電極焊盤的第l主表面；和在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣膜， 并且該基板劃分了多個半導體芯片區(qū)域，在該芯片區(qū)域內(nèi)設(shè)定有柱形電極裝載區(qū)域；(2)在上述電極焊盤上及上述層間絕緣膜上形成基底金屬層的工序； 25 (3)在上述基底金屬層上形成包含布線圖案的再布線層的工序，該布線圖案為多個布線圖案，且上述布線圖案具有一端與上述電極焊盤電連 接并從上述電極焊盤上導出的線狀部和與該線狀部的另一端連接的柱形電極裝載部；(4)形成具有使多個上述柱形電極裝載部的一部分分別露出的多個開 口部并覆蓋上述再布線層的應(yīng)力緩沖樹脂層的工序；(5) 形成多個柱形電極的工序，上述柱形電極具有將作為上述柱形 電極裝載區(qū)域的上述開口部埋入，從上述應(yīng)力緩沖樹脂層的表面到達上 述布線圖案的第l部分；和具有大于該第l部分的直徑且與上述第l部分為 5 —體，位于上述柱形電極裝載區(qū)域上且位于上述應(yīng)力緩沖樹脂層的表面 及上述第1部分上的第2部分；(6) 在多個上述柱形電極的頂面上形成多個外部端子的工序；以及(7) 將多個上述半導體芯片區(qū)域之間切斷，進行半導體裝置的單片化的工序。
19. —種半導體裝置的制造方法，其特征在于，該半導體裝置的制造方法包括(1) 準備基板的工序，上述基板具有露出多個電極焊盤的第l主表 面；在該第l主表面上設(shè)置成使上述電極焊盤的一部分露出的層間絕緣 膜；與上述第1主表面相對的第2主表面；和上述第1主表面與上述第2主15表面之間的多個側(cè)面，并且上述基板被劃分了多個半導體芯片區(qū)域，在 該芯片區(qū)域內(nèi)設(shè)定有柱形電極裝載區(qū)域；(2) 在上述電極焊盤上及上述層間絕緣膜上形成基底金屬膜的工序；(3) 在上述基底金屬膜上形成包含布線圖案的再布線層的工序，該布線圖案為多個布線圖案，且上述布線圖案具有一端與上述電極焊盤電連20接并從上述電極焊盤上導出的線狀部和與該線狀部的另一端連接的柱形電極裝載部；(4) 去除從上述再布線層露出的上述基底金屬膜，形成具有位于上述 再布線層的下側(cè)的基底金屬圖案的基底金屬層的工序；(5) 形成具有使多個上述柱形電極裝載部的一部分分別露出的多個開 25 口部并覆蓋上述再布線層的應(yīng)力緩沖樹脂層的工序；(6) 形成一體地覆蓋作為柱形電極裝載區(qū)域內(nèi)的上述開口部的側(cè)壁及 底面、以及上述應(yīng)力緩沖樹脂層的表面的一部分的柱形電極基底金屬圖 案的工序；(7) 形成多個柱形電極的工序，上述柱形電極具有將上述開口部埋 入，從上述應(yīng)力緩沖樹脂層的表面到達上述布線圖案的第l部分；和具有 大于該第l部分的直徑、且與上述第l部分為一體，位于上述柱形電極裝 載區(qū)域上且位于上述應(yīng)力緩沖樹脂層的表面及上述第1部分上的第2部 分；(8) 在多個上述柱形電極的頂面上形成多個外部端子的工序；以及(9) 將多個上述半導體芯片區(qū)域之間切斷，進行半導體裝置的單片化的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供半導體裝置和半導體裝置的制造方法。本發(fā)明的課題是防止來自外部的應(yīng)力導致構(gòu)成要素的破損。半導體裝置包括半導體芯片(30)，其在第1主表面(30a)上具有設(shè)置成使電極焊盤(32)的一部分露出的層間絕緣膜(34)；再布線層(40)，其包含布線圖案(42)，該布線圖案(42)具有一端與電極焊盤電連接的線狀部(42a)和與該線狀部的另一端連接的大致凹多邊形的柱狀電極裝載部(42b)；多個柱狀電極，其設(shè)置在布線圖案的柱狀電極裝載部上，其底面具有與柱狀電極裝載部的上表面輪廓在至少2點相交的輪廓；使多個柱狀電極的頂面(46a)露出的密封部(44)；和裝載在柱狀電極的頂面上的多個外部端子(48)。
文檔編號H01L23/31GK101106116SQ20071012818
公開日2008年1月16日 申請日期2007年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月14日
發(fā)明者渡邊潔敬 申請人:沖電氣工業(yè)株式會社