專利名稱：高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于 一種集成電路元件及其制造方法，且特別是有關(guān)于 一種 高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
在集成電路元件中，不同的電路需要具有不同基礎(chǔ)操作特性的不同電路 元件密切配合。其中，高壓元件，顧名思義就是一種可以耐較高偏壓的元件，
意即高壓元件的擊穿電壓值(breakdown voltage)會(huì)較一般元件高。
習(xí)知的高壓元件主要是利用隔離結(jié)構(gòu)形成，以提高源極/漏極區(qū)的接面擊
穿電壓，繼而使高壓元件在高電壓的狀況下，仍能正常運(yùn)作。雖然高壓元件
中的隔離結(jié)構(gòu)的形成可提高擊穿電壓，但是此法卻會(huì)增加元件的面積，而不
利于集成電路元件尺寸縮小化與集成度提高的趨勢(shì)。
因此，如何制作出一種不會(huì)影響元件的集成度及元件效能的高壓元件，
便成為 一項(xiàng)亟待解決的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管，能夠提高元件的擊穿電壓，使得元件承受高電壓的操作。
本發(fā)明的另 一 目的是提供一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方 法，能夠使元件的擊穿電壓提高，且可符合元件尺寸縮小與集成度增加的要求。
本發(fā)明提出一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其包括第一型摻雜基 底、兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)、第二型源極區(qū)、第二型漏極區(qū)、兩個(gè)第 二隔離結(jié)構(gòu)以及兩個(gè)第二型漂移區(qū)。其中，兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)分別配置于第 一型摻雜基底中。柵極結(jié)構(gòu)配置于部分兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)及其之間的第一型 摻雜基底上。柵極結(jié)構(gòu)包括柵極絕緣層與柵極。第二型源極區(qū)與第二型漏極 區(qū)分別配置于兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一型摻雜基底中。兩個(gè)第二隔離結(jié)
構(gòu)分別配置于兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)下方，而第二隔離結(jié)構(gòu)的上表面小于第一隔 離結(jié)構(gòu)的下表面。兩個(gè)第二型漂移區(qū)分別配置于第一型摻雜基底中，且將第 二型源極區(qū)、該第二型漏極區(qū)、兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)以及兩個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)包 圍起來。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，上述的兩個(gè) 第 一隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)例如是介電材料或摻雜介電材料。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，上述的第二 隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)例如是介電材料或摻雜介電材料。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，上述的第一
型摻雜基底為n型，且兩個(gè)第二型漂移區(qū)、第二型源極區(qū)與第二型漏極區(qū)為 p型。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，上述的第一 型摻雜基底為p型，且兩個(gè)第二型漂移區(qū)、第二型源極區(qū)與第二型漏極區(qū)為 n型。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，上述的兩個(gè) 第 一 隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)或場(chǎng)氧化層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，上述的第一 型摻雜基底為阱區(qū)或外延層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，可進(jìn)一步包 括兩個(gè)元件隔離結(jié)構(gòu)，其分別配置在兩個(gè)第二型漂移區(qū)一側(cè)的第一型摻雜基 底中。
本發(fā)明另提出 一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法。此方法 為，先提供一第一型摻雜基底。然后，在第一型摻雜基底中形成兩個(gè)隔離結(jié) 構(gòu)開口。其中，兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)開口包括第一開口以及形成于第一開口底部的 第二開口，且第二開口的頂部寬度小于第一開口的底部寬度。接著，在第一 開口以及第二開口中填入一介電層或一摻雜介電層，以分別形成第一隔離結(jié) 構(gòu)與第二隔離結(jié)構(gòu)，且分別在兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)開口周圍形成第二型漂移區(qū)。隨 后，在部分兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)及其之間的第一型摻雜基底上，形成一柵極結(jié) 構(gòu)。其中，斥冊(cè)極結(jié)構(gòu)包括一柵極絕緣層與一柵極。繼之，在兩個(gè)第一隔離結(jié) 構(gòu)一側(cè)的第一型摻雜基底內(nèi)分別形成第二型源極區(qū)與第二型漏極區(qū)。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，
上述的第一型摻雜基底為n型，且兩個(gè)第二型漂移區(qū)、第二型源極區(qū)與第二
型漏極區(qū)為p型。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 上述的第一型摻雜基底為p型，且兩個(gè)第二型漂移區(qū)、第二型源極區(qū)與第二
型漏4及區(qū)為n型。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 上述的兩個(gè)第 一隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)或場(chǎng)氧化層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 上述的第一型摻雜基底為阱區(qū)或外延層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 在第一型摻雜基底中形成第一開口以及形成第一隔離結(jié)構(gòu)時(shí)，還包括同時(shí)于 第 一型摻雜基底中形成一元件隔離結(jié)構(gòu)開口 ，以及于元件隔離結(jié)構(gòu)開口中填 入介電層以形成元件隔離結(jié)構(gòu)。
由于，本發(fā)明的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的第一隔離結(jié)構(gòu)下方還配 置有第二隔離結(jié)構(gòu)，以作為電流的流動(dòng)路徑。因此，本發(fā)明的高壓金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管可以增加電流路徑，進(jìn)而提高擊穿電壓。另一方面，本發(fā)明 的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管是藉由于第一隔離結(jié)構(gòu)下方配置另一隔離 結(jié)構(gòu)的方式來提高擊穿電壓，因此就不會(huì)造成元件面積的增加，而可有助于 集成電路元件尺寸縮小化與集成度提高。此外，本發(fā)明的高壓金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管還可進(jìn)一步地降低表面電場(chǎng)，如此亦可有效提高擊穿電壓。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí) 施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1為依照本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的 剖面示意圖。
圖2、圖3A與圖3B、圖4、圖5為依照本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的高 壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造流程示意圖。 主要元件符號(hào)說明
100、 200:高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 101:第一型摻雜基底 102、214:柵極絕緣層
104、216:柵極
106、212:柵極結(jié)構(gòu)
108a:第二型漏極區(qū)
108b:第二型源極區(qū)
110a、110b:第二型漂移區(qū)
112a、112b:第一隔離結(jié)構(gòu)
114、116:第二隔離結(jié)構(gòu)
118:元件隔離結(jié)構(gòu)
201:第一型摻雜基底
202:第一開口
203:元件隔離結(jié)構(gòu)開口
203a:元件隔離結(jié)構(gòu)
204:第二開口
205:隔離結(jié)構(gòu)開口
206、210:漂移區(qū)
208a、208b:隔離結(jié)構(gòu)
218a:漏極區(qū)
218b:源極區(qū)
具體實(shí)施例方式
圖1為依照本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的 剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)施例的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管100包括第一型 摻雜基底101、柵極結(jié)構(gòu)106、第二型漏極區(qū)108a、第二型源極區(qū)108b、第 二型漂移區(qū)110a與110b、第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b以及第二隔離結(jié)構(gòu)114 與116。
其中，第一型摻雜基底101例如是阱區(qū)或外延層，而在第一型摻雜基底 101中具有兩個(gè)元件隔離結(jié)構(gòu)118。第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b分別配置于 第一型摻雜基底101中。此第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b例如是淺溝槽隔離結(jié) 構(gòu)(shallow trench isolation, STI)。第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b的材質(zhì)例如是
介電材料或摻雜介電材料，而介電材料例如是氧化硅。
柵極結(jié)構(gòu)106配置于部分兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b及其之間的第 一型摻雜基底101上。柵極結(jié)構(gòu)106主要是由柵極絕緣層102與柵極104所 組成。柵極絕緣層102的材質(zhì)例如是氧化硅。柵極104配置于柵極絕緣層102 上，其材質(zhì)例如是摻雜多晶硅。特別要說明的是，柵極絕緣層102會(huì)覆蓋住 部分第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b,因此可避免柵極絕緣層薄化的問題，而影 響元件效能。
另外，第二型漏極區(qū)108a與第二型源極區(qū)108b分別配置于兩個(gè)第一隔 離結(jié)構(gòu)112a與112b—側(cè)的第一型摻雜基底101中。
第二隔離結(jié)構(gòu)114配置于第一隔離結(jié)構(gòu)112a下方，而第二隔離結(jié)構(gòu)114 的上表面小于第一隔離結(jié)構(gòu)112a的下表面。另外，第二隔離結(jié)構(gòu)116配置 于第一隔離結(jié)構(gòu)112b下方，而第二隔離結(jié)構(gòu)116的上表面小于第一隔離結(jié) 構(gòu)112b的下表面。第二隔離結(jié)構(gòu)114與116的材質(zhì)與第一隔離結(jié)構(gòu)112a與 112b的材質(zhì)相同或不同，其例如是介電材料或摻雜介電材料，而介電材料例 如是氧化硅。
此外，兩個(gè)第二型漂移區(qū)(driftregion)110a與110b分別配置于第一型摻 雜基底101中，且將第二型漏極區(qū)108a與第二型源極區(qū)108b、第一隔離結(jié) 構(gòu)112a與112b以及第二隔離結(jié)構(gòu)114與116包圍起來。
上述實(shí)施例中，第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b例如是一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。 而在另一實(shí)施例中，第一隔離結(jié)構(gòu)112a與112b可例如是場(chǎng)氧化層(Field Oxide ， FOX)。
倘若上述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管100為一 p型高壓金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管，則第一型摻雜基底101為n型，第二型漂移區(qū)110a與110b 以及第二型漏極區(qū)108a與第二型源極區(qū)108b為p型，且第一隔離結(jié)構(gòu)112a 與112b以及第二隔離結(jié)構(gòu)114與116中的摻雜介電材料例如是硼硅玻璃 (BSG)。倘若上述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管100為一n型高壓金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管，則第一型摻雜基底101為p型，第二型漂移區(qū)110a與 110b以及第二型漏極區(qū)108a與第二型源極區(qū)108b為n型，且第一隔離結(jié)構(gòu) 112a與112b以及第二隔離結(jié)構(gòu)114中的摻雜介電材料例如是磷硅玻璃(PSG) 或ASG。
由上述實(shí)施例可知，因?yàn)楸景l(fā)明所提出的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管
的第一隔離結(jié)構(gòu)下方還配置有第二隔離結(jié)構(gòu)，而第二隔離結(jié)構(gòu)的外圍區(qū)域可 作為電流的流動(dòng)路徑。所以，本發(fā)明的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管可以增 加電流路徑，進(jìn)而提高擊穿電壓。而且，本發(fā)明的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管，不是利用習(xí)知增加隔離結(jié)構(gòu)的橫向尺寸的方式，而是藉由于第一隔離 結(jié)構(gòu)下方配置另一隔離結(jié)構(gòu)的方式來提高擊穿電壓，如此一來就不會(huì)造成元 件面積的增加，且可有助于集成電路元件尺寸縮小化與集成度提高。
另外，本發(fā)明的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管可將發(fā)生在第 一隔離結(jié)構(gòu) 角落的高電場(chǎng)，進(jìn)一步地往第二隔離結(jié)構(gòu)角落移動(dòng)以降低表面電場(chǎng)，進(jìn)而可 有效提高擊穿電壓。
在另一實(shí)施例中，高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管還可僅在漏極側(cè)配置第 一隔離結(jié)構(gòu)與第二隔離結(jié)構(gòu)(未繪示)，如此亦可達(dá)到增加電流的流動(dòng)路徑以 提高擊穿電壓的目的。而且，同樣不會(huì)造成元件面積的增加，有助于集成電 路元件尺寸縮小化與集成度提高。
接下來，特舉實(shí)施例以說明上述的圖1的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 的制造方法。
圖2、圖3A與圖3B、圖4、圖5為依照本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的高 壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造流程示意圖。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2,提供一第一型摻雜基底201,在本實(shí)施例中第一型 摻雜基底201例如是n型摻雜基底。第一型摻雜基底201可例如是n型阱區(qū)， 其形成方法例如是以磷為摻雜劑進(jìn)行一個(gè)離子注入工藝而形成的。另外，第 一型摻雜基底201可例如是n型外延層。n型外延層的形成方法，例如是以 磷為摻雜劑利用臨場(chǎng)摻雜方式進(jìn)行一個(gè)化學(xué)氣相沉積工藝形成一層非晶硅 材料層(未繪示)，再對(duì)此非晶硅材料層進(jìn)行一個(gè)固相外延步驟而形成的。特 別是，以外延層作為第一型摻雜基底，還可節(jié)省后續(xù)工藝中的離子注入步驟 以及熱預(yù)算，因此可降低工藝成本。
接著，以圖3A與圖3B說明在第一型摻雜基底201中形成兩個(gè)隔離結(jié) 構(gòu)開口 205以及元件隔離結(jié)構(gòu)開口 203的多種形成方法。在圖3A與圖3B 中，相同的構(gòu)件給予相同的標(biāo)號(hào)，并省略可能重復(fù)的說明。其中，隔離結(jié)構(gòu) 開口 205包括一第一開口 202，而第一開口 202底部具有一第二開口 204， 且第二開口 204的頂部寬度小于第一開口 202的底部寬度。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3A,在第一型摻雜基底201中形成兩個(gè)第一開口 202。
第一開口 202的形成方法，例如是在第一型摻雜基底201上形成一圖案化掩 模層(未繪示)，接著以圖案化掩模層為蝕刻掩模，進(jìn)行一蝕刻工藝，移除掉 部分第一型摻雜基底201,以形成之。之后，在第一開口 202底部的第一型 摻雜基底201中形成第二開口 204。此第二開口 204的頂部寬度小于第一開 口 202的底部寬度。第二開口 204的形成方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。在本 實(shí)施例中，是以在兩個(gè)第一開口 202底部皆形成第二開口 204為例做說明。 另外，在形成第一開口 202時(shí)，可同時(shí)形成元件隔離結(jié)構(gòu)開口 203。
請(qǐng)參照?qǐng)D3B，兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)開口 205的形成方法，還可例如是先在第 一型摻雜基底201中形成第二開口 204。然后，再移除第二開口 204上半部 周圍的部分第"^型摻雜基底201,以形成第一開口 202。另外，在形成第一 開口 202時(shí)，可同時(shí)形成元件隔離結(jié)構(gòu)開口 203。
然后，在隔離結(jié)構(gòu)開口 205與元件隔離結(jié)構(gòu)開口 203形成之后，接著可 進(jìn)行隔離結(jié)構(gòu)以及漂移區(qū)的制造。下面，以圖4來說明隔離結(jié)構(gòu)以及漂移區(qū) 的多種形成方法。
請(qǐng)參照?qǐng)D4,于第二開口 204與第一開口 202中填入介電層或4參雜介電 層，以分別形成隔離結(jié)構(gòu)208a與208b。上述的介電層例如是氧化硅層，摻 雜介電層例如是硼硅玻璃層。另外，在形成隔離結(jié)構(gòu)208a時(shí)，可同時(shí)形成 元件隔離結(jié)構(gòu)203a。此外，在隔離結(jié)構(gòu)208a周圍的第一型摻雜基底201中 形成有一漂移區(qū)210,而在第二開口 204側(cè)壁及其底部的第一型摻雜基底201 中形成有一漂移區(qū)206。其中，漂移區(qū)210與206的摻雜型態(tài)例如是p型， 其形成方式可以為離子注入法，也可以是利用熱工藝，將原填入開口的摻雜 介電層中的摻雜劑擴(kuò)散而形成。
承上述，在本實(shí)施例中，元件隔離結(jié)構(gòu)203a是與隔離結(jié)構(gòu)208a同時(shí)形 成，而隔離結(jié)構(gòu)208a與208b以及漂移區(qū)210與206的形成方式有以下數(shù)種 不同的方式，但非限定于此。在一實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)208a例如是于第一 開口 202中填入氧化硅層而形成，隔離結(jié)構(gòu)208b例如是于第二開口 204中 填入硼硅玻璃層而形成。漂移區(qū)210例如是以離子注入法所形成，而漂移區(qū) 206例如是利用熱工藝，將隔離結(jié)構(gòu)208b中的硼硅玻璃層的摻雜劑擴(kuò)散至第 一型摻雜基底201中而形成。
在另一實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)208a與208b例如是在第一開口 202與第二 開口 204中填入氧化硅層而形成，而漂移區(qū)206與210例如是以離子注入法
所形成。
在又一實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)208a與208b例如是在第一開口 202與第二 開口 204中填入硼硅玻璃層而形成，而漂移區(qū)206與210例如是利用熱工藝， 將隔離結(jié)構(gòu)208b中的硼硅玻璃層的摻雜劑擴(kuò)散至第一型摻雜基底201中而 形成。
在再一實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)208a例如是于第二開口 204中填入硼硅玻 璃層而形成，隔離結(jié)構(gòu)208b例如是于第一開口 202中填入氧化硅層而形成。 漂移區(qū)210例如是利用熱工藝，將隔離結(jié)構(gòu)208b中的硼硅玻璃層的摻雜劑 擴(kuò)散至第一型摻雜基底201中而形成，而漂移區(qū)206例如是以離子注入法所形成。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D5，在隔離結(jié)構(gòu)208a與208b、元件隔離結(jié)構(gòu)203a以及 漂移區(qū)206與210的形成之后，接著在部分隔離結(jié)構(gòu)208a與208b及其之間 的第一型摻雜基底201上，形成柵極結(jié)構(gòu)212。柵極結(jié)構(gòu)212主要是由柵極 絕緣層214與柵極216所組成。柵極結(jié)構(gòu)212的形成方法為本領(lǐng)域的技術(shù)人 員所熟知，于此不再贅述。繼之，在隔離結(jié)構(gòu)208a與208b—側(cè)的第一型摻 雜基底201內(nèi)分別形成漏極區(qū)218a與源極區(qū)218b。漏極區(qū)218a與源極區(qū) 218b的形成方法例如是進(jìn)行一離子注入工藝，其摻雜型態(tài)例如是p型。
另外，特別值得一提的是，在第一型摻雜基底201中還包括形成有元件 隔離結(jié)構(gòu)(未繪示)，其形成于漂移區(qū)206與210—側(cè)。上述的元件隔離結(jié)構(gòu) 的形成方法，例如是在形成第一開口 202的同時(shí)，在第一型摻雜基底201中 形成元件隔離結(jié)構(gòu)開口，然后于元件隔離結(jié)構(gòu)開口中填入介電層，而形成之。
上述實(shí)施例是以高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管為p型高壓金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管當(dāng)作例子來說明。倘若上述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管為n
型高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，則第一型摻雜基底201為p型，漂移區(qū)206 與210、漏極區(qū)218a以及源極區(qū)218b為n型，且隔離結(jié)構(gòu)208a與208b中 的摻雜介電層例如是磷硅玻璃層或ASG層。
綜上所述，在本發(fā)明所提出的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制造方 法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)
1. 本發(fā)明的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管可以增加電流路徑以提高擊穿 電壓。
2. 本發(fā)明的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管可降低表面電場(chǎng)，如此一來亦
可有效提高擊穿電壓。
3.本發(fā)明的方法可形成能夠提高擊穿電壓的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管，且不會(huì)造成元件面積的增加，而有助于集成電路元件尺寸縮小化與集成 度提高。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí) 此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包括一第一型摻雜基底；兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)，分別配置于該第一型摻雜基底中；一柵極結(jié)構(gòu)，配置于部分該兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)及其之間的該第一型摻雜基底上，其中該柵極結(jié)構(gòu)包括一柵極絕緣層與一柵極；一第二型源極區(qū)與一第二型漏極區(qū)，分別配置于該兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第一型摻雜基底中；兩個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)，分別配置于該兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)下方，而該第二隔離結(jié)構(gòu)的上表面小于該第一隔離結(jié)構(gòu)的下表面；以及兩個(gè)第二型漂移區(qū)，分別配置于該第一型摻雜基底中，且將該第二型源極區(qū)、該第二型漏極區(qū)、該兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)以及該兩個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)包圍起來。
2. 如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該兩個(gè)第一 隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括介電材料或摻雜介電材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該兩個(gè)第二 隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括介電材料或摻雜介電材料。
4. 如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該第一型摻 雜基底為n型，且該兩個(gè)第二型漂移區(qū)、該第二型源極區(qū)與該第二型漏極區(qū) 為p型。
5. 如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該第一型摻 雜基底為p型，且該兩個(gè)第二型漂移區(qū)、該第二型源極區(qū)與該第二型漏極區(qū) 為n型。
6. 如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該兩個(gè)第一 隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)或場(chǎng)氧化層。
7. 如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其中該第一型摻 雜基底為一阱區(qū)或一外延層。
8. 如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，還包括兩個(gè)元件 隔離結(jié)構(gòu)，分別配置在該兩個(gè)第二型漂移區(qū)一側(cè)的該第一型摻雜基底中。
9. 一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，包括 提供一第一型摻雜基底；在該第一型摻雜基底中形成兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)開口，其中該兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)開 口包括一第一開口以及形成于該第一開口底部的一第二開口，且該第二開口的頂部寬度小于該第一開口的底部寬度；在該第一開口以及該第二開口中填入一介電層或一摻雜介電層，以分別 形成兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)與兩個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)，且分別在該兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)開口 周圍形成一第二型漂移區(qū)；在部分該兩個(gè)第 一隔離結(jié)構(gòu)及其之間的該第 一型摻雜基底上，形成一柵 極結(jié)構(gòu)，其中該柵極結(jié)構(gòu)包括一柵極絕緣層與一4冊(cè)極；以及在該兩個(gè)第 一 隔離結(jié)構(gòu) 一側(cè)的該第 一型摻雜基底內(nèi)分別形成一 第二型 源極區(qū)與 一第二型漏極區(qū)。
10. 如權(quán)利要求9所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其中 該第一型摻雜基底為n型，且該兩個(gè)第二型漂移區(qū)、該第二型源極區(qū)與該第 二型漏極區(qū)為p型。
11. 如權(quán)利要求9所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其中 該第一型摻雜基底為p型，且該兩個(gè)第二型漂移區(qū)、該第二型源極區(qū)與該第 二型漏極區(qū)為n型。
12. 如權(quán)利要求9所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其中 該兩個(gè)第 一 隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)或場(chǎng)氧化層。
13. 如權(quán)利要求9所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其中 該第一型摻雜基底為一阱區(qū)或一外延層。
14. 如權(quán)利要求9所述的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其中 在該第一型摻雜基底中形成該些第一開口以及形成該兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)時(shí)， 還包括同時(shí)于該第 一型摻雜基底中形成一元件隔離結(jié)構(gòu)開口，以及于該元件 隔離結(jié)構(gòu)開口中填入 一 介電層以形成 一 元件隔離結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提出一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其包括摻雜基底、兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)、源極區(qū)、漏極區(qū)、兩個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)以及兩個(gè)漂移區(qū)。其中，兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)分別配置于摻雜基底中。柵極結(jié)構(gòu)配置于部分兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)及其之間的摻雜基底上。源極區(qū)與漏極區(qū)分別配置于兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)一側(cè)的摻雜基底中。兩個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)分別配置于兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)下方，而第二隔離結(jié)構(gòu)的上表面小于第一隔離結(jié)構(gòu)的下表面。兩個(gè)漂移區(qū)分別配置于摻雜基底中，且將源極區(qū)與漏極區(qū)、兩個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)以及兩個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)包圍起來。
文檔編號(hào)H01L29/78GK101345258SQ20071012837
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2007年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月10日
發(fā)明者呂安泰, 吳榮宗, 張堡安, 炘 戴, 陳冠全 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司