專利名稱：貫通型疊層電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及貫通型疊層電容器。
背景技術(shù)：
作為這種貫通型疊層電容器，已知一種貫通型疊層電容器，其具 備絕緣體層和信號用內(nèi)部電極以及接地用內(nèi)部電極交替層疊而成的 電容器素體；和在該電容器素體上形成的信號用端子電極和接地用端 子電極(例如，參照日本特開平01-206615號公報(bào))。
另外，在向數(shù)字電器中搭載的中央處理器(CPU)供給電力的電 源，在趨向低壓化的另一方面其負(fù)荷電流逐漸增大。因此，由于對應(yīng) 負(fù)荷電流的急劇變化而將電源電壓的變動(dòng)抑制在允許值內(nèi)是非常困難 的，因此在電源上連接稱作去耦電容器的疊層電容器。由此，在負(fù)荷 電流發(fā)生過渡性的變動(dòng)時(shí)，從該疊層電容器向CPU供給電流，從而可 以抑制電源電壓的變動(dòng)。
近年來，伴隨著CPU的動(dòng)作頻率進(jìn)一步高頻率化，負(fù)荷電流迅速 變得更大，因此，對去耦電容器中使用的疊層電容器提出了大電容化 和增大等效串聯(lián)電阻(ESR)的要求。
但是，在日本特開平01-206615號公報(bào)所記載的貫通型疊層電容器 中，沒有對增大等效串聯(lián)電阻的方面進(jìn)行研究。而且，在特開平 01-206615號公報(bào)中所記載的貫通型疊層電容器中，全部的內(nèi)部電極與 端子電極直接連接。因此，在該貫通型疊層電容器中，為了應(yīng)對大電 容化而增加疊層數(shù)以提高電容的話，則會使得等效串聯(lián)電阻變小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述問題而完成的，本發(fā)明的目的在于提供 一種可以增大等效串聯(lián)電阻的貫通型疊層電容器。
在一般的貫通型疊層電容器中，全部內(nèi)部電極經(jīng)由引出部分與對 應(yīng)的端子電極連接。因此，連接于端子電極的引出部分的數(shù)量僅僅是
多個(gè)內(nèi)部電極的數(shù)量，等效串聯(lián)電阻變小。如果為了實(shí)現(xiàn)貫通型疊層 電容器的大電容化的目的而增加絕緣體層和內(nèi)部電極的疊層數(shù)，則引 出部分的數(shù)量也增多。為了連接于端子電極的引出部分的電阻成分相 對于端子電極是并聯(lián)連接的，因此隨著連接于端子電極的引出部分的 數(shù)量變多，貫通型疊層電容器的等效串聯(lián)電阻將會進(jìn)一步變小。由此， 貫通型疊層電容器的大電容化和增大等效串聯(lián)電阻，是相反的要求。
因此，本發(fā)明者們對可以滿足大電容化和增大等效串聯(lián)電阻的要 求的貫通型疊層電容器進(jìn)行了潛心的研究。其結(jié)果，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn) 了以下新的事實(shí)即使絕緣體層和內(nèi)部電極的層疊數(shù)相同，如果通過 通孔導(dǎo)體連接內(nèi)部電極并改變引出部分的數(shù)量，則可以將等效串聯(lián)電 阻調(diào)節(jié)至所希望的值。并且，本發(fā)明者們還發(fā)現(xiàn)了以下新的事實(shí)如 果通過通孔導(dǎo)體連接內(nèi)部電極并改變電容器素體的疊層方向上的引出 部分的位置，則可以將等效串聯(lián)電阻調(diào)節(jié)至所希望的值。特別是，如 果引出部分的數(shù)量比內(nèi)部電極的數(shù)量少，就可以在增大等效串聯(lián)電阻 的方向上進(jìn)行調(diào)整。
基于這樣的研究結(jié)果，本發(fā)明的貫通型疊層電容器，其特征在于 具備電容器素體；配置在電容器素體的外表面上的至少2個(gè)信號用 端子電極；和配置在電容器素體的所述外表面上的至少1個(gè)接地用端 子電極，電容器素體具有層疊的多個(gè)絕緣體層；夾著上述多個(gè)絕緣 體層中的至少1個(gè)絕緣體層而相對地配置的信號用內(nèi)部電極和第1接 地用內(nèi)部電極；和夾著所述多個(gè)絕緣體層中的至少1個(gè)絕緣體層而與 信號用內(nèi)部電極或所述第1接地用內(nèi)部電極相對地配置的第2接地用 內(nèi)部電極，信號用內(nèi)部電極與所述至少2個(gè)信號用端子電極連接，第2 接地用內(nèi)部電極與所述至少1個(gè)接地用端子電極連接，第1接地用內(nèi) 部電極通過通孔導(dǎo)體僅僅與所述第2接地用內(nèi)部電極連接。
根據(jù)上述貫通型疊層電容器，接地用內(nèi)部電極中包括，連接于接 地用端子電極的第1接地用內(nèi)部電極，和不直接連接于接地用端子電 極的第2接地用內(nèi)部電極。因此，在該貫通型疊層電容器中，與全部 的接地用內(nèi)部電極與接地用端子電極連接的情況相比，可以增大等效 串聯(lián)電阻。
本發(fā)明的貫通型疊層電容器，其特征在于具備多個(gè)絕緣體層 和多個(gè)內(nèi)部電極相互層疊的電容器素體；和配置在該電容器素體的外 表面上的多個(gè)端子電極的貫通型電容器，所述多個(gè)內(nèi)部電極含有至少1 個(gè)信號用內(nèi)部電極和多個(gè)接地用內(nèi)部電極，多個(gè)端子電極含有至少2 個(gè)信號用端子電極和至少1個(gè)接地用端子電極，至少1個(gè)信號用內(nèi)部 電極被配置為，夾著所述多個(gè)絕緣體層中的至少1個(gè)絕緣體層與所述 多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的至少1個(gè)接地用內(nèi)部電極相對，多個(gè)接地用 內(nèi)部電極經(jīng)由通孔導(dǎo)體相互連接，信號用內(nèi)部電極與所述至少2個(gè)信 號用端子電極連接，多個(gè)接地用內(nèi)部電極中、l個(gè)以上且比該接地用內(nèi) 部電極的總數(shù)少1個(gè)數(shù)量以下的接地用內(nèi)部電極，與所述至少1個(gè)接 地用端子電極連接。
根據(jù)上述貫通型疊層電容器，僅僅一部分接地用內(nèi)部電極與接地 用端子電極連接。因此，在貫通型疊層電容器中，與全部的接地用內(nèi) 部電極與接地用端子電極連接的情況相比，可以使等效串聯(lián)電阻增大。
根據(jù)本發(fā)明可以提供一種能夠增大等效串聯(lián)電阻的貫通型疊層電 容器。
從以下給出的詳細(xì)說明和僅以示例方式給出而不能認(rèn)為是限定本 發(fā)明的附圖，可以更加清楚地理解本發(fā)明。
根據(jù)以下給出的詳細(xì)說明，本發(fā)明的應(yīng)用范圍會更加清楚。然而， 應(yīng)當(dāng)理解的是，這些詳細(xì)說明和具體實(shí)例，雖然表示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí) 施方式，但只是以示例的方式給出的，根據(jù)這些詳細(xì)說明，在本發(fā)明 的精神和范圍內(nèi)的各種變化和修改對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說都是顯而 易見的。


圖1是實(shí)施方式的貫通型疊層電容器的立體圖。
圖2是實(shí)施方式的貫通型疊層電容器所包括的電容器素體的分解 立體圖。
圖3是用于說明圖i所示的貫通型疊層電容器的n-n箭頭截面的 構(gòu)成的圖。
圖4是是用于說明圖i所示的貫通型疊層電容器的in-ni箭頭截面 的構(gòu)成的圖。
圖5是實(shí)施方式的貫通型疊層電容器的等效電路圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。并且， 在說明中對同一要素或具有相同功能的要素使用相同符號，省略重復(fù) 說明。
參照圖1 圖4對第一實(shí)施方式的貫通型疊層電容器C1的構(gòu)成進(jìn) 行說明。圖1是實(shí)施方式的貫通型疊層電容器的立體圖。圖2是實(shí)施 方式的貫通型疊層電容器所包括的電容器素體的分解立體圖。圖3是
用于說明圖i所示的貫通型疊層電容器的n-n箭頭截面的構(gòu)成的圖。
圖4是是用于說明圖1所示的貫通型疊層電容器的III-III箭頭截面的構(gòu)
成的圖。
如圖1所示，實(shí)施方式的貫通型疊層電容器C1具備電容器素體 Ll;配置在電容器素體L1的外表面上的信號用端子電極1、 2;和配
置在電容器素體L1的外表面上的接地用端子電極3、4。信號用端子電 極l、 2和接地用端子電極3、 4，是通過例如將含有導(dǎo)電性金屬粉末和 玻璃粉的導(dǎo)電膏附著在電容器素體的外表面上，并將其燒結(jié)來形成的。 有時(shí)根據(jù)需要在燒結(jié)的端子電極上形成電鍍層。這些信號用端子電極 1、 2和接地用端子電極3、 4被形成為在電容器素體L1的表面上相互 電絕緣。
如圖1所示，電容器素體L1為長方體形狀，具有互相相對的長 方形形狀的第1和第2主面Lle、 Llf;以連接第1和第2主面Lle、 Llf之間的方式在第1和第2主面的短邊方向上延伸，并且互相相對的 第1和第2側(cè)面Lla、 Lib;和以連接第1和第2主面Lle、 Llf之間 的方式在第l和第2主面Lle、 Llf的長邊方向上延伸，并且互相相對 的第3和第4側(cè)面Llc、 Lld。
信號用端子電極1配置在電容器素體L1的第1側(cè)面Lla上。信號 用端子電極導(dǎo)體2配置在與電容器素體L1的第1側(cè)面Lla相對的第2 側(cè)面Llb上。配置在第1側(cè)面Lla上的信號用端子電極1和配置在第
2側(cè)面Lib上的信號用端子電極2，在第1側(cè)面Lla和第2側(cè)面Lib 相對的方向上相對。
信號用端子電極1覆蓋疊層電容器L1的第1側(cè)面Lla的全面和與 該第1側(cè)面Lla相鄰的其它面(第1和第2主面Lle、 Llf和第3和第 4側(cè)面Llc、 Lid)的各自一部分。此外，信號用端子電極2覆蓋疊層 電容器Ll的第2側(cè)面Llb的全面和與該第2側(cè)面Llb相鄰的其它面(第 l和第2主面Lle、 Llf和第3和第4側(cè)面Llc、 Lid)的各自一部分。
接地用端子電極3配置在電容器素體Ll的第3側(cè)面Lie上。接地 用端子電極4配置在電容器素體Ll的第4側(cè)面Lid上。配置在第3側(cè) 面Lie上的接地用端子電極3和配置在第4側(cè)面Lid上的接地用端子 電極4，在第3側(cè)面Lie和第4側(cè)面Lid相對的方向上相對。
如圖2所示，電容器素體L1具有多個(gè)(在本實(shí)施方式中為10層) 的絕緣體層11 20，和多個(gè)(在本實(shí)施方式中為9層)的內(nèi)部電極21 24、 31、 32、 41 43。各絕緣體層11 20是由例如含有絕緣體陶瓷的 陶瓷生片的燒結(jié)體來構(gòu)成的。而且，在實(shí)際的貫通型疊層電容器C1中， 絕緣體層11 20之間的邊界被一體化為無法辨認(rèn)的程度。
多個(gè)內(nèi)部電極21 24、 31、 32、 41 43含有多個(gè)(在本實(shí)施方式 中為4層)的信號用內(nèi)部電極21 24和多個(gè)(在本實(shí)施方式中為5層) 接地用內(nèi)部電極31、 32、 41 43。接地用內(nèi)部電極31、 32、 41 43 含有第l接地用內(nèi)部電極31、 32和第2接地用內(nèi)部電極41 43。各內(nèi) 部電極21 24、 31、 32、 41 43是由例如導(dǎo)電膏的燒結(jié)體來構(gòu)成的。
信號用內(nèi)部電極21 24和第l接地用內(nèi)部電極31、 32配置成為， 彼此之間夾著一個(gè)絕緣體層13、 14、 17、 18而相對。S卩，信號用內(nèi)部 電極21和第1接地用內(nèi)部電極31夾著絕緣體層13而相對。信號用內(nèi) 部電極22和第1接地用內(nèi)部電極31夾著絕緣體層14而相對。信號用 內(nèi)部電極23和第1接地用內(nèi)部電極32夾著絕緣體層17而相對。信號 用內(nèi)部電極24和第1接地用內(nèi)部電極32夾著絕緣體層18而相對。
信號用內(nèi)部電極21 24和第2接地用內(nèi)部電極41 43配置成為， 彼此之間夾著一個(gè)絕緣體層12、 15、 16、 19而相對。gp，信號用內(nèi)部 電極21和第2接地用內(nèi)部電極41夾著絕緣體層12而相對。信號用內(nèi) 部電極22和第2接地用內(nèi)部電極42夾著絕緣體層15而相對。信號用
內(nèi)部電極23和第2接地用內(nèi)部電極42夾著絕緣體層16而相對。信號 用內(nèi)部電極24和第2接地用內(nèi)部電極43夾著絕緣體層19而相對。
各信號用內(nèi)部電極21 24含有以電容器素體Ll的第1和第2 主面Lle、 Llf的長邊方向作為長邊方向的矩形狀的主電極部分21a 24a;和從主電極部分21a 24a開始向第1側(cè)面Lla延伸的引出部分 21b 24b;以及，從主電極部分21a 24a開始向第2側(cè)面Llb延伸的 引出部分21c 24c。在各信號用內(nèi)部電極21 24的主電極部分21a 24a上，以露出絕緣體層13、 15、 17、 19的方式形成有開口 21d 24d。
任意引出部分21b 24b、 21c 24c均被形成為，在第3側(cè)面Llc 與第4側(cè)面Lld相對方向上，與主電極部分21a 24a的寬度相同。
如圖3所示，以面向電容器素體Ll的第1側(cè)面Lla的方式延伸的 各引出部分21b 24b與信號用端子電極1連接。同樣如圖3所示，以 面向電容器素體Ll的第2側(cè)面Lib的方式延伸的各引出部分21c 24c 與信號用端子電極2連接。
第1接地用內(nèi)部電極31、 32為矩形形狀，以電容器素體L1的第1 和第2主面Lle、Llf的長邊方向作為長邊方向，以第1和第2主面Lle、 Llf的短邊方向作為短邊方向。各個(gè)第1接地用內(nèi)部電極31、 32形成 在，分別距離各個(gè)疊層體L1的第1 第4側(cè)面具有規(guī)定間隔的位置處。
第2接地用內(nèi)部電極41 43含有以電容器素體Ll的第1和第2 主面Lle、Llf的長邊方向作為長邊方向的矩形形狀的主電極部分41a 43a;從主電極部分41a 43a開始向第3側(cè)面Llc延伸的引出部分41b 43b;以及，從主電極部分41a 43a開始向第4側(cè)面Lld延伸的引出 部分41c 43c。
如圖4所示，以面向電容器素體L1的第3側(cè)面Llc的方式延伸的 各引出部分41b 43b與接地用端子電極3連接。同樣如圖4所示，以 面向電容器素體L1的第4側(cè)面Lld的方式延伸的各引出部分41c 43c 與接地用端子電極4連接。
因此，在本實(shí)施方式的貫通型疊層電容器C1中，多個(gè)接地用內(nèi)部 電極31、 32、 41 43中的，l個(gè)以上、且比接地用內(nèi)部電極31、 32、 41 43的總數(shù)(在本實(shí)施方式中為5層)少1個(gè)數(shù)量以下的數(shù)量的接地用內(nèi)部電極，即3層第2接地用內(nèi)部電極41 43與接地用端子電極 3、 4連接。
在絕緣體層12的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極21的開口 21d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層12的通孔導(dǎo)體61。通 孔導(dǎo)體61與第2接地用內(nèi)部電極41電連接。
在絕緣體層13的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極21的開口 21d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層13的通孔導(dǎo)體62。通 孔導(dǎo)體62與第1接地用內(nèi)部電極31電連接。
在絕緣體層14的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極22的開口 22d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層14的通孔導(dǎo)體63。通 孔導(dǎo)體63與第1接地用內(nèi)部電極31電連接。
在絕緣體層15的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極22的開口 22d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層15的通孔導(dǎo)體64。通 孔導(dǎo)體64與第2接地用內(nèi)部電極42電連接。
在絕緣體層16的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極23的開口 23d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層16的通孔導(dǎo)體65。通 孔導(dǎo)體65與第2接地用內(nèi)部電極42電連接。
在絕緣體層17的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極23的開口 23d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層17的通孔導(dǎo)體66。通 孔導(dǎo)體66與第1接地用內(nèi)部電極32電連接。
在絕緣體層18的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極24的開口 24d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層18的通孔導(dǎo)體67。通 孔導(dǎo)體67與第1接地用內(nèi)部電極32電連接。
在絕緣體層19的對應(yīng)于信號用內(nèi)部電極24的開口 24d的大致中 心的位置處，形成有在厚度方向上貫通絕緣體層19的通孔導(dǎo)體68。通 孔導(dǎo)體68與第2接地用內(nèi)部電極43電連接。
通孔導(dǎo)體61與通孔導(dǎo)體62在絕緣體層12、 13層疊的狀態(tài)下電連 接。通孔導(dǎo)體62與通孔導(dǎo)體63在絕緣體層13、 14層疊的狀態(tài)下電連 接。通孔導(dǎo)體63與通孔導(dǎo)體64在絕緣體層14、 15層疊的狀態(tài)下電連 接。通孔導(dǎo)體64與通孔導(dǎo)體65在絕緣體層15、 16層疊的狀態(tài)下電連 接。通孔導(dǎo)體65與通孔導(dǎo)體66在絕緣體層16、 17層疊的狀態(tài)下電連接。通孔導(dǎo)體66與通孔導(dǎo)體67在絕緣體層17、 18層疊的狀態(tài)下電連 接。通孔導(dǎo)體67與通孔導(dǎo)體68在絕緣體層18、 19層疊的狀態(tài)下電連 接。
艮P，通過絕緣體層11 20的層疊，通孔導(dǎo)體61 68在層疊方向 上被設(shè)置成大致直線狀，并且通過相互電連接構(gòu)成了通電電路。此外， 如圖3和圖4所示，多個(gè)接地用內(nèi)部電極31、 32、 41 43經(jīng)由通孔導(dǎo) 體61 68相互連接。此外，第1接地用內(nèi)部電極31、 32通過通孔導(dǎo) 體61 68僅僅與第2接地用內(nèi)部電極41 43連接。
因此，在貫通型疊層電容器C1中，不是接地用內(nèi)部電極3K 32、 41 43的全部與端子電極直接連接，而是其僅僅一部分(第2接地用 內(nèi)部電極41 43)與接地用端子電極3、 4直接連接，其余部分(第l 接地用內(nèi)部電極31、 32)經(jīng)由第2接地用內(nèi)部電極41 43以及通孔導(dǎo) 體61 68與接地用端子電極3、 4電連接。
圖5是貫通型疊層電容器Cl的等效電路圖。圖5的等效電路圖表 示信號用端子電極1、 2與信號導(dǎo)線連接，接地用端子電極3、 4接地 的情況。
在貫通型疊層電容器C1上得到的等效串聯(lián)電阻R，串聯(lián)連接于在 接地用端子電極3、 4側(cè)上貫通型疊層電容器Cl所具有的電容C。
在貫通型疊層電容器C1中，第1接地用內(nèi)部電極31、 32通過通 孔導(dǎo)體61 68僅僅與第2接地用內(nèi)部電極41 43連接，不與接地用 端子電極3、 4直接連接。g口，經(jīng)由引出部分41b 43b、 41c 43c與 接地用端子電極3、 4直接連接的第2接地用內(nèi)部電極41 43的數(shù)量 為3個(gè)，比第1和第2接地用內(nèi)部電極31、 32、 41 43的總數(shù)少。因 此，相比于所有的接地用內(nèi)部電極經(jīng)由引出部分連接于對應(yīng)的接地用 端子電極的現(xiàn)有的貫通型疊層電容器，貫通型疊層電容器C1的等效串 聯(lián)電阻增大。并且，由于等效串聯(lián)電阻增大，能夠防止共振頻率下的 阻抗的急速降低，可以實(shí)現(xiàn)寬帶化。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式，通過調(diào)整經(jīng)由引出部41b 43b、 41c 43c 而與接地用端子電極3、 4連接的第2接地用內(nèi)部電極41 43的數(shù)量 和/或位置，可以將貫通型疊層電容器Cl的等效串聯(lián)電阻設(shè)定在所希 望的值，因此可以容易并且精度良好地進(jìn)行等效串聯(lián)電阻的控制。
此外，在貫通型疊層電容器C1中，即使為了應(yīng)對大電容而增加信 號用內(nèi)部電極和第1接地用內(nèi)部電極的層疊數(shù)以增大靜電電容，也可 以抑制等效串聯(lián)電阻變小。
此外，以其等效電路成為圖5所示等效電路的方式，將貫通型疊
層電容器Cl與電路基板等連接的情況下，靜電電容c和與靜電電容c
串聯(lián)連接的等效串聯(lián)電阻R與接地用端子電極3、 4側(cè)連接。因此，該 貫通型疊層電容器C1適合用作電源用電容器。
此外，在貫通型疊層電容器C1中，信號用端子電極l、 2在電容 器素體U的第1和第2側(cè)面Lla、 Llb的相對方向上相對。此外，接 地用端子電極3、 4在電容器素體L1的第3和第4側(cè)面Llc、 Lld的相 對方向上相對。因此，在貫通型疊層電容器C1上，例如，相對于直線 狀的信號導(dǎo)線容易連接信號用端子電極1、 2，相對于直線狀的接地連 接導(dǎo)線而容易連接接地用端子電極3、 4，并且其實(shí)施容易。
以上盡管對本發(fā)明優(yōu)選的事實(shí)方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本發(fā)明 不限于上述實(shí)施方式。例如，與信號用內(nèi)部電極21 24連接的信號用 端子電極的數(shù)量不限于上述實(shí)施方式中所記載的數(shù)量，例如可以為3 個(gè)以上。與第2接地用內(nèi)部電極41 43相連接的接地用端子電極的數(shù) 量，不限于上述實(shí)施方式中所記載的數(shù)量，例如可以為1個(gè)或3個(gè)以 上。
此外，通過調(diào)整通孔導(dǎo)體61 68的數(shù)量，可以將貫通型疊層電容 器C1的等效串聯(lián)電阻設(shè)定在所希望的值。在該情況下，可以更進(jìn)一步 精度良好地進(jìn)行貫通型疊層電容器C1的等效串聯(lián)電阻的控制。即，例 如可以將實(shí)施方式的貫通型疊層電容器Cl的通孔導(dǎo)體61 68的數(shù)量 設(shè)定在2個(gè)以上。在該情況下，接地用內(nèi)部電極31、 32、 41 43彼此 之間通過通孔導(dǎo)體61 68的數(shù)為2個(gè)以上的通電電路電連接。
此外，形成各通孔導(dǎo)體61 68的位置不限于上述實(shí)施方式中記載 的位置。因此，例如也可以位于，形成有各通孔導(dǎo)體61 68的位于各 個(gè)絕緣體層13、 15、 17、 19上的信號用內(nèi)部電極的21 24的外輪廓 的外側(cè)。
此外，信號用端子電極1、 2和接地用端子電極3、 4的配置，不 限于上述實(shí)施方式中所記載的配置，可以配置在電容器素體的外表面
上。因此，例如，信號用端子電極也可以不在電容器素體的第1和第2
側(cè)面的相對方向上相對。此外，例如，接地用端子電子也可以不在電
容器素體的第3和第4側(cè)面的相對方向上相對。
絕緣體層的層疊數(shù)11 20和內(nèi)部電極21 24、 31、 32、 41 43 的層疊數(shù)，不限于上述實(shí)施方式中所記載的數(shù)量。內(nèi)部電極21 24、 31、 32、 41 43的形狀，不限于上述實(shí)施方式中所記載的形狀。例如， 信號用內(nèi)部電極21 24的引出部分21b 24b、 21c 24c，在第3側(cè)面 Llc和第4側(cè)面Lld的相對方向上，可以與主電極部分21a 24a的寬 度不同。
此外，經(jīng)由引出部分與接地用端子電極連接的第2接地用內(nèi)部電 極41 43的數(shù)量和在層疊方向上的位置，不限于上述實(shí)施方式中所記 載的數(shù)量和位置。即，多個(gè)接地用內(nèi)部電極含有至少1個(gè)第1接地用 內(nèi)部電極和至少1個(gè)第2接地用內(nèi)部電極，第2接地用內(nèi)部電極可以 為多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的、1個(gè)以上且比該接地用內(nèi)部電極的總數(shù)少 l個(gè)的數(shù)量以下。
此外，第2接地用內(nèi)部電極41 43可以被配置為夾著絕緣體層不 與信號用內(nèi)部電極相對，也可以夾著絕緣體層與第1接地用內(nèi)部電極 相對。
此外，信號用內(nèi)部電極21 24和第1接地用內(nèi)部電極31、 32之
間夾著的絕緣體層的數(shù)量，不限于上述實(shí)施方式中所記載的數(shù)量，例 如也可以為2個(gè)以上。此外，第2接地用內(nèi)部電極41 43和信號用內(nèi) 部電極21 24之間夾著的絕緣體層的數(shù)量，不限于上述實(shí)施方式中所 記載的數(shù)量，例如也可以為2個(gè)以上。
從本發(fā)明的詳細(xì)說明可以顯而易見地看出，本發(fā)明可以作多種方 式的變化。這些變化不能被認(rèn)為超出了本發(fā)明的要意和范圍，并且所 有這些對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的修改都包括在本發(fā)明權(quán)利 要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種貫通型疊層電容器，其特征在于具備電容器素體；配置在所述電容器素體的外表面上的至少2個(gè)信號用端子電極；和配置在所述電容器素體的所述外表面上的至少1個(gè)接地用端子電極，所述電容器素體具有層疊的多個(gè)絕緣體層；夾著所述多個(gè)絕緣體層中的至少1個(gè)絕緣體層而相對地配置的信號用內(nèi)部電極和第1接地用內(nèi)部電極；夾著所述多個(gè)絕緣體層中的至少1個(gè)絕緣體層而與信號用內(nèi)部電極或所述第1接地用內(nèi)部電極相對地配置的第2接地用內(nèi)部電極，所述信號用內(nèi)部電極與所述至少2個(gè)信號用端子電極連接，所述第2接地用內(nèi)部電極與所述至少1個(gè)接地用端子電極連接，所述第1接地用內(nèi)部電極通過通孔導(dǎo)體僅僅與所述第2接地用內(nèi)部電極連接。
2. —種貫通型疊層電容器，其特征在于具備多個(gè)絕緣體層和多個(gè)內(nèi)部電極相互層疊的電容器素體；和 配置在該電容器素體的外表面上的多個(gè)端子電極，所述多個(gè)內(nèi)部電極含有至少1個(gè)信號用內(nèi)部電極和多個(gè)接地用內(nèi) 部電極，所述多個(gè)端子電極含有至少2個(gè)信號用端子電極和至少1個(gè)接地 用端子電極，所述至少1個(gè)信號用內(nèi)部電極被配置為，夾著所述多個(gè)絕緣體層 中的至少1個(gè)絕緣體層與所述多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的至少1個(gè)接地 用內(nèi)部電極相對，所述多個(gè)接地用內(nèi)部電極經(jīng)由通孔導(dǎo)體相互連接， 所述信號用內(nèi)部電極與所述至少2個(gè)信號用端子電極連接， 所述多個(gè)接地用內(nèi)部電極中、1個(gè)以上且比該接地用內(nèi)部電極的總 數(shù)少1個(gè)的數(shù)量以下的接地用內(nèi)部電極，與所述至少1個(gè)接地用端子 電極連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種貫通型疊層電容器，其具備電容器素體；至少2個(gè)信號用端子電極；至少1個(gè)接地用端子電極。電容器素體具有層疊的多個(gè)絕緣體層；夾著至少1個(gè)絕緣體層而相對配置的信號用內(nèi)部電極和第1接地用內(nèi)部電極；夾著至少1個(gè)絕緣體層而與信號用內(nèi)部電極或第1接地用內(nèi)部電極相對地配置的第2接地用內(nèi)部電極。信號用內(nèi)部電極與2個(gè)信號用端子電極連接，第2接地用內(nèi)部電極與1個(gè)接地用端子電極連接。第1接地用內(nèi)部電極通過通孔導(dǎo)體僅僅與第2接地用內(nèi)部電極連接。
文檔編號H01G4/35GK101110295SQ20071013619
公開日2008年1月23日 申請日期2007年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日
發(fā)明者富樫正明 申請人:Tdk株式會社