專利名稱：光波導、半導體光學集成元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光波導、半導體光學集成元件及其制造方法， 尤其涉及一種可降低光波導界面處光反射的光波導、半導體光學集 成元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為半導體激光器的光波導包括將上部包覆層蝕刻成臺面條 帶狀的、能約束水平方向的光線的脊型波導，以及不僅上部包覆層、 也將芯層及下部包覆層蝕刻成臺面條帶狀的高臺面型波導等。由于脊型波導不蝕刻芯層，能降低半導體光學元件側(cè)面的缺陷 等級。另一方面，高臺面型波導具有水平方向光線約束大、能降低 電容等特點(例如，參考特開2000-228558號公報)。由于脊型波導和高臺面型波導的特性不同，所以可通過在半導 體光學集成元件中將二者結(jié)合，實現(xiàn)整體性能提升。例如，在集成 了電場吸收型光調(diào)制器的半導體激光器中，將半導體激光器部制作 成脊型波導結(jié)構(gòu)，將光調(diào)制器部制作成高臺面型波導結(jié)構(gòu)。通過制 作成如上結(jié)構(gòu)，在激光器部，能降低缺陷等級從而提高激光性能， 在光調(diào)制器部，能降低電容而實現(xiàn)高速調(diào)制。在上述半導體光學集成元件中，脊型波導和高臺面型波導中的 光學模式分布不同。因此，在二者交界處產(chǎn)生光反射，使半導體光 學集成元件的特性惡化。例如，在電場吸收型調(diào)制器集成半導體激 光器中，由于激光器部和光調(diào)制器部的交界處的光反射，會產(chǎn)生激 光單波長性能惡化的問題。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明致力于解決上述問題，其目的是，對同一襯底上具有脊 型波導和高臺面型波導的光波導、半導體光學集成元件，提供一種 能減少激光器部和光調(diào)制器部的交界處產(chǎn)生的光反射的結(jié)構(gòu)及其制 造方法。本發(fā)明的光波導包括半導體激光器部，具有在襯底上依次層 積的下部包覆層、第1芯層及上部包覆層，形成所述上部包覆層向 兩外側(cè)延續(xù)的臺面條帶，用所述第1芯屋產(chǎn)生激光；中間部，在所 述襯底上鄰近所述半導體激光器部設(shè)置，具有在所述襯底上依次層 積的下部包覆層、第2芯層及上部包覆層，所述第2芯層與所述第1 芯層接合，形成所述下部包覆層、所述第2芯層及所述上部包覆層 向兩外側(cè)延續(xù)的臺面條帶；光調(diào)制器部，在所述襯底上鄰近所述中 間部設(shè)置，具有在所述村底上依次層積的下部包覆層、第2芯層及 上部包覆層，所述第2芯層吸收所述第1芯層生成的激光，形成所 述下部包覆層向兩外側(cè)延續(xù)的臺面條帶；其中，所述半導體激光器 部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外側(cè)的面離所述襯底的上表面的高 度，大于所述光調(diào)制器部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外側(cè)的面離所 述襯底的上表面的高度；所述中間部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外 側(cè)的面離所述襯底上表面的高度，從所述半導體激光器部側(cè)向所述 光調(diào)制器部側(cè)降低。本發(fā)明的半導體光學集成元件，包括半導體激光器部，具有 在襯底上依次層積的下部包覆層、第1芯層及上部包覆層，形成所 述上部包覆層向兩外側(cè)延續(xù)的臺面條帶，在所述第1芯層產(chǎn)生激光； 中間部，在所述襯底上鄰近所述半導體激光器部設(shè)置，具有在所述 襯底上依次層積的下部包覆層、第2芯層及上部包覆層，所述第2 芯層與所述第1芯層接合，形成所述下部包覆層、所述第2芯層及 所述上部包覆層向兩外側(cè)延續(xù)的臺面條帶；光調(diào)制器部，在所述襯 底上鄰近所述中間部設(shè)置，具有在所述襯底上依次層積的下部包覆
層、第2芯層及上部包覆層，所述第2芯層吸收所述第1芯層生成 的激光，形成所述下部包覆層向兩外側(cè)延續(xù)的臺面條帶；其中，所 述半導體激光器部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外側(cè)的面離所述襯底 的上表面的高度，大于所述光調(diào)制器部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩 外側(cè)的面離所述襯底的上表面的高度。本發(fā)明的半導體光學集成元件的制造方法，包括在襯底的整 個上表面形成下部包覆層的工序；在所述襯底上的第1區(qū)域、第2 區(qū)域及連接這些區(qū)域的第3區(qū)域中的所述第1區(qū)域的所述下部包覆 層上，形成產(chǎn)生激光的第1芯層的工序；在所述第3區(qū)域及所述第2 區(qū)域的所述下部包覆層上，形成與所述第1芯層接合的、用于吸收 所述第1芯層產(chǎn)生的激光的第2芯層的工序；在所述第1芯層及第2 芯層上，形成上部包覆層的工序；形成掩模圖案的工序，其中，以 預(yù)定寬度橫切所述第1區(qū)域、所述第3區(qū)域及所述第2區(qū)域的第1 圖案，所述一對第2圖案在所述第1區(qū)域中與所述第1圖案間的距 離是第1間隔，在所述第2區(qū)域中與所述第1圖案間的距離是小于 所述第1間隔的第2間隔，而在所述第3區(qū)域中與所述第1圖案間 的距離，在從所述第1區(qū)域側(cè)到所述第2區(qū)域側(cè)的方向，從所述第1 間隔漸減到所述第2間隔；以及以所述掩模圖案為掩模，有選擇地 蝕刻所述襯底的上表面的工序。另外，本發(fā)明的半導體光學集成元件的特征在于，設(shè)有下部 包覆層；在上述下部包覆層的一部分的上層形成的產(chǎn)生光的第1芯 層；在上述下部包覆層的上層且不形成上述第2芯層的區(qū)域形成的 吸收光的第2芯層；在上述第1芯層和第2芯層的上層重疊地形成 的上部包覆層，上述第2芯層包含具有與上述第1芯層的接觸面 的、在與上述接觸面平行的方向的上述第2芯層的寬度在離開上迷 接觸面的方向漸減的漸減部；以及上述漸減部的寬度與上述預(yù)定寬 度的部分相接觸的、以上述預(yù)定寬度直線狀形成的條帶部。根據(jù)本發(fā)明，能夠在同 一襯底上具有脊型波導和高臺面型波導
的光波導、半導體光學集成元件中，獲得減少激光器部和光調(diào)制器 部交界處發(fā)生的光反射的結(jié)構(gòu)及其制造方法。


圖1是實施例1的光波導及半導體光學集成元件的透視圖； 圖2是表示實施例1的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖3是表示實施例1的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖4是表示實施例1的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖5是表示實施例1的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖6是表示實施例1的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖7是表示實施例1的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖8是實施例2的光波導及半導體光學集成元件的透視圖； 圖9是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖10是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖11是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖12是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖13是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖14是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖15是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖16是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖；圖17是表示實施例2的光波導及半導體光學集成元件的制造方 法的剖面圖。圖18是實施例3的光波導及半導體光學集成元件的透視圖；圖19說明實施例3的下部包覆層3、第1芯層20、第2芯層21、上部包覆層10的配置；圖20是實施例3的半導體光學集成元件的上面圖； 圖21是實施例3的半導體光學集成元件的剖面圖； 圖22是實施例3的半導體光學集成元件的剖面圖； 圖23是實施例3的半導體光學集成元件的剖面圖； 圖24是實施例3的半導體光學集成元件的剖面圖； 圖25是實施例3的半導體光學集成元件的剖面圖； 圖26是實施例3的臺面條帶的寬度最優(yōu)化的半導體光學集成元件的上面圖；圖27是實施例3的臺面條帶的寬度最優(yōu)化的半導體光學集成元 件的剖面圖；圖28是實施例3的臺面條帶的寬度最優(yōu)化的半導體光學集成元 件的剖面圖；圖29是實施例3的臺面條帶的寬度最優(yōu)化的半導體光學集成元 件的剖面圖； [符號說明]1:光調(diào)制器集成半導體激光器；2: p型InP襯底；3: p型InP 包覆層(下部包覆層)；4、 5、 6、 7: InGaAsP分離約束異質(zhì)層(SCH
層)；8: InGaAsP/InGaAsP應(yīng)變MQW層(活性層)；9:光調(diào)制器 吸收層(InGaAsP/InGaAsP應(yīng)變MQW) ; 10: n型InP包覆層(上 部包覆層)；11:接觸層；12:臺面條帶；14: p型電極；15、 16: n型電極；20:衍射光柵；21:第1芯層；22:第2芯層；23:實施 例3的第2芯層具體實施方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。再有，對各 圖中相同或相應(yīng)的部分，使用相同的符號標注，且簡略甚至省略其 說明。 實施例1對本實施例1的光波導及半導體光學集成元件，參照圖1進行 說明。圖1是將電場吸收型光調(diào)制器(EA調(diào)制器)和分布反饋型半 導體激光器(DFB-LD)集成在單片上的光調(diào)制器集成激光器的透視圖。上述光調(diào)制器和半導體激光器是形成在同一塊p型InP襯底(以 下，簡稱為"襯底")上。通過所迷光調(diào)制器及半導體激光器，構(gòu) 成用以產(chǎn)生并射出激光的光波導。該光波導由分布反饋型半導體激 光器部(以下，簡稱為"半導體激光器部")I、電場吸收型光調(diào)制器部II(以下，簡稱為"光調(diào)制器部")以及作為將該二部電氣隔離 的中間部的隔離部III構(gòu)成。以下，將具有襯底、光波導、半導體激 光器及光調(diào)制器的整體稱為"光調(diào)制器集成半導體激光器"。如圖1所示,沿光調(diào)制器集成半導體激光器1的長度方向，設(shè) 有橫切半導體激光器部I、隔離部III、及光調(diào)制器部II的中央的臺 面條帶12。半導體激光器部I在臺面條帶i2的兩外側(cè)延設(shè)有面17, 該面17到襯底2的上表面的高度，大于光調(diào)制器部II在臺面條帶12 兩外側(cè)的延續(xù)面18到襯底2的上表面的高度。另外，隔離部III在臺面條帶12兩外側(cè)延設(shè)有面19，該面19到
襯底2的上表面的高度，沿半導體激光器部I側(cè)到光調(diào)制器部II側(cè) 的方向，呈傾斜狀變低。接著，對半導體激光器部I的結(jié)構(gòu)進行說明。在該部分，襯底2上設(shè)有p型InP包覆層(以下，簡稱為"下部包覆層")，其上，依 次層積InGaAsP分離、約束異質(zhì)結(jié)構(gòu)層(以下，簡稱為"SCH層") 6、 InGaAsP/InGaAsP應(yīng)變MQW (多量子阱)構(gòu)成的半導體激光器 的活性層(以下，筒稱為"活性層")8、及SCH層7。由SCH層6、 活性層8、及SCH層7，共同構(gòu)成第1芯層21。SCH層7的上方，設(shè)有周期性蝕刻而形成的衍射光柵20。進而， 在其上方設(shè)有臺面條帶12的兩外側(cè)被蝕刻的n型InP包覆層(以下， 簡稱為"上部包覆層")10。臺面條帶12的上表面設(shè)有n型InGaAs 包覆層(以下，簡稱為"包覆層")11，其上設(shè)有n型電極15。另 外，村底2的背面?zhèn)仍O(shè)有p型電極14。如上述，在半導體激光器I中，襯底2上層積下部包覆層3、第 1芯層21、上部包覆層10，在臺面條帶12的兩外側(cè)延設(shè)有上部包覆 層10。而且，施加電壓到p型電極14和n型電極15之間，在第1 芯層21處產(chǎn)生激光。另外，在半導體激光器部I,活性層8及SCH層6、 7的折射率， 也比下部包覆層3、上部包覆層10的折射率大。因此，第1芯層21 能夠約束垂直于襯底2方向的光線。在臺面條帶12兩外側(cè)的面17, 設(shè)置在高于第1芯層21的上表面即SCH層7的上表面的位置，從而 形成脊型光波導結(jié)構(gòu)。接著，對隔離部III進行說明。隔離部III鄰設(shè)在襯底2上的半 導體激光器部I與光調(diào)制器部II之間。在襯底2上設(shè)有下部包覆層3， 其上依次層積SCH層4 、高折射率的光調(diào)制器吸收層 (InGaAsP/InGaAsP應(yīng)變MQW,以下，簡稱為"吸收層，，)9、 SCH 層5。由SCH層4、吸收層9及SCH層5共同構(gòu)成第2芯層22。進 而，在其上設(shè)有上部包覆層10。在半導體激光器部I和隔離部II的
交界處，第2芯層22和第1芯層21接合。而且，在臺面條帶12的 兩外側(cè)，下部包覆層3、第2芯層22及上部包覆層10延續(xù)到傾斜的 面19上。在這樣的隔離部III中，從半導體激光器部I側(cè)向光調(diào)制器部II 側(cè)，位于臺面條帶12兩外側(cè)的面19的高度，沿臺面條帶12長度方 向逐漸降低。而且，形成將半導體激光器部I和光調(diào)制器部II的兩 外側(cè)的面17和面18連接的結(jié)構(gòu)。接著，對光調(diào)制器部II進^"說明。光調(diào)制器部II鄰近襯底2上 的隔離部III而設(shè)。同隔離部III一樣，在襯底2上設(shè)有下部包覆層3， 其上依次層積第2芯層22、上部包覆層10。第2芯層22，具有高折 射率的吸收層9，因此能夠吸收笫1芯層21產(chǎn)生的激光。臺面條帶 12的側(cè)面露出上部包覆層10及第2芯層22，還在臺面條帶12兩外 側(cè)延設(shè)有下部包覆層3。臺面條帶12的上表面設(shè)有接觸層11,其上 設(shè)有n型電極16。另外，襯底2的背面?zhèn)仍O(shè)有p型電極14。這樣的光調(diào)制器部II中，由高折射率的吸收層9及SCH層4、 5 共同構(gòu)成第2芯層22,從而形成臺面條帶12兩外側(cè)的面18低于第 2芯層22的下表面即SCH層4的下表面的高臺面型光波導結(jié)構(gòu)。就是說，根據(jù)圖1所示的結(jié)構(gòu)，從隔離部III的半導體激光器部 I側(cè)向光調(diào)制器部II側(cè)，能夠使激光的光學模式分布形狀逐漸變化。 從而，能夠有效降低脊型波導的半導體激光器部I和高臺面型波導的 光調(diào)制器部II的交界處的光反射。結(jié)果，能夠抑制半導體激光器部 和光調(diào)制器部的交界處的光反射所引起的、激光單波長性能的惡化。接著，參照圖2 圖7，說明圖1所示的光波導及半導體光學集 成元件的制造方法。首先，如圖2所示，用MOCVD(金屬有機化學 氣相沉積)法，在襯底2上依次層積p型InP形成的下部包覆層3、SCH 層6、活性層8及SCH層7。進而，通過周期性蝕刻，在SCH層7 上部形成衍射光柵20。接著，有選擇地蝕刻而除掉最終要形成隔離部及光調(diào)制器部的
區(qū)域(以下，分別簡稱為"區(qū)域nr 、"區(qū)域II")的活性層8、 SCH層6、 7。結(jié)果，如圖3所示，在襯底2上，最終要形成半導體激光器部的區(qū)域(以下，簡稱為"區(qū)域r )、區(qū)域n及區(qū)域m中的區(qū)域I的下部包覆層3上，形成產(chǎn)生激光的第1芯層21。接著，如圖4所示，在區(qū)域III及區(qū)域II,用MOCVD法依次層 積SCH層4、吸收層9及SCH層5。此時，通過對接方式，使區(qū)域 I的活性層8與區(qū)域II及區(qū)域III的吸收層9接合。結(jié)果，區(qū)域II、 區(qū)域III的下部包覆層3上，形成與第1芯層2相接的、用于吸收 最終形成的半導體激光器部產(chǎn)生的激光的第2芯層22。接著，在襯底2上，用MOCVD法依次層積覆蓋整個上表面的 上部包覆層和接觸層。結(jié)果，如圖5所示，在第1芯層21和第2芯 層22上，形成上部包覆層IO和接觸層11。進而，在接觸層ll上， 形成氧化硅膜、氮化硅膜、光刻膠等形成的掩;漠圖案101。圖6表示從襯底2的上面?zhèn)扔^看的上述掩才莫圖案101的平面圖。 該掩模圖案101由以預(yù)定寬度4黃切區(qū)域I、區(qū)域III及區(qū)域II的條狀 的第1圖案101a和與該圖案相對而設(shè)置的一對第2圖案101b、 101c 構(gòu)成。(再有，圖6示出最終要形成的光調(diào)制器集成半導體激光器1 在晶片上的位置)在區(qū)域I中，第1圖案101a與第2圖案101b的間距及第1圖案 101a與第2圖案101c的間距，均設(shè)定為dl。在區(qū)域II中，第1圖 案101a與第2圖案101b的間距及第1圖案101a與第2圖案101c的 間距，均設(shè)定為比dl小的d2。而且，在區(qū)域III中，沿從區(qū)域I側(cè) 到區(qū)域II側(cè)的方向，第1圖案101a與第2圖案101b的間距及第1 圖案101a與第2圖案101c的間距，設(shè)定為從dl逐漸減小到d2。這 樣一來，在第1圖案101a與第2圖案101b及第1圖案101a與第2 圖案101c之間，分別設(shè)置開口部102。就是說，在掩模圖案101的中央部，延設(shè)有橫切區(qū)域I、區(qū)域II、 區(qū)域m的條狀的第1圖案101a,其兩側(cè)設(shè)有開口部102。開口部102 在區(qū)域I處的寬度比在區(qū)域II處的寬度大。而且，在區(qū)域III,開口部102的寬度逐漸變化，將區(qū)域I和區(qū)域II的開口部102連接。接著，以掩模圖案101為掩模，有選擇地蝕刻襯底2的上表面。 使用如RIE(Reactive Ion Etching) 、 ICP (Inductively Coupled Plasma) 等的干法蝕刻進行。結(jié)果，得到如圖7 (透視圖)所示的形狀。進行上述蝕刻時，蝕刻速率發(fā)生依據(jù)圖6所示的掩模圖案101 的開口部102的寬度而發(fā)生改變。因為區(qū)域I內(nèi)的開口部102的寬度 大，所以在該處的蝕刻速率小，因為區(qū)域II與區(qū)域I相比，其開口 部102的寬度小，所以蝕刻速率與區(qū)域I相比相應(yīng)變大。在區(qū)域III, 由于從區(qū)域I向區(qū)域II方向的開口部102的寬度逐漸變小，所以從 區(qū)域I側(cè)向區(qū)域II側(cè)的蝕刻速率逐漸變大。因此，如圖7所示，區(qū)域I的臺面條帶12兩外側(cè)的面17，變得 比第1芯層2I的上表面、即SCH層7的上表面高。另外，在光調(diào)制 器部II的臺面條帶12兩外側(cè)的面18，變得比第2芯層22的底面、 即SCH層4的下表面低。進而，區(qū)域III的臺面條帶12兩外側(cè)的面 19的高度，從區(qū)域I側(cè)向區(qū)域II側(cè)，沿條紋方向逐漸降低，變成傾 斜連接面17和面18的形狀。接著，除去上述蝕刻過程中使用的掩模圖案101，除去隔離部III 的接觸層ll。進而，在臺面條帶12的正上方以外的表面上，形成氧 化硅膜。最后，形成n型電極、p型電極。結(jié)果，得到如圖1所示的 結(jié)構(gòu)。通過上述說明的制造方法，能得到圖1所示的結(jié)構(gòu)，即半導體 激光器部I為脊型波導、光調(diào)制器部II為高臺面型波導并具有連接 該二者的隔離部III的結(jié)構(gòu)。于是能夠得到具有隔離部III的臺面 條帶兩側(cè)部的表面高度逐漸變化而連接半導體激光器部和光調(diào)制器 部的光波導；以及設(shè)有該光波導的光調(diào)制器集成半導體激光器。 實施例2對本實施例2的光波導及半導體光學集成元件，參照圖8進行
說明。這里，重點說明與實施例1的不同之處。如圖8所示，設(shè)有橫切半導體激光器部I、隔離部III及光調(diào)制器部II的中央部的臺面條帶12,在其兩外側(cè)延設(shè)的面204離襯底2的上表面的高度為一定值。于是，在隔離部m處，從襯底2的上表面到第2芯層22的高度，沿從半導體激光器部I側(cè)到光調(diào)制器部II 側(cè)的方向而變大。在半導體激光器部I中，活性層8及SCH層6、 7的折射率比下 部包覆層3、上部包覆層10的折射率大。因此，第1芯層21能夠約 束垂直于襯底2方向的光線。第1芯層21的上表面即SCH層7的上 表面，處在低于臺面條帶12兩外側(cè)的面204的位置，形成脊型光波 導結(jié)構(gòu)。另一方面，在光調(diào)制器部II，襯底2的上表面到第2芯層22的 下端的高度，大于半導體激光器部I的襯底2的上表面到第1芯層21 的上表面的高度。就是說，高折射率的吸收層9及SCH層4、 5成為 第2芯層22，第2芯層22的下表面即SCH層4的下表面比臺面條 帶12兩外側(cè)的面204高，形成高臺面型光波導結(jié)構(gòu)。在半導體激光器部I和光調(diào)制器部II之間的隔離部III，構(gòu)成第 2芯層22的吸收層203及SCH層201、 202到襯底2的高度逐漸變 化。于是，在半導體激光層I和隔離部III的交界處，形成分別將半 導體激光器部I的活性層8、 SCH層6、 7與隔離部III的吸收層203、 SCH層201、 202接合的結(jié)構(gòu)。在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，使半導體激光器部I的第1芯層21和光 調(diào)制器部II的第2芯層22離襯底2的上面部的高度不同。而且，在 隔離部III,使第2芯層22離襯底2的上表面的高度逐漸變化，以連 接半導體激光器部I的第1芯層21和光調(diào)制器部II的第2芯層22。 藉此，能夠降低脊型波導和高臺面型波導交界處的光反射。結(jié)果， 能夠抑制半導體激光器部和光調(diào)制器部交界處的光反射所引起的、 激光單波長性能的惡化。 接著，參照圖9 圖17說明圖8所示的光波導及半導體光學集成 元件的制造方法。首先，如圖9所示，在襯底2上的區(qū)域I、區(qū)域II 及區(qū)域III上形成氧化硅膜等制成的第1掩模圖案301。襯底2上的 區(qū)域I、區(qū)域II及區(qū)域III，分別是最終形成半導體激光器部、光調(diào) 制器部及隔離部的區(qū)域。圖10表示從襯底2的上面?zhèn)瓤瓷鲜龅趌掩^f莫圖案301的平面圖。 第1掩模圖案301由以預(yù)定間隔Wl橫切區(qū)域I、區(qū)域III及區(qū)域II 的2個條狀掩模圖案302a、 302b構(gòu)成。這些掩模圖案在區(qū)域I設(shè)定 為第1寬度L,，在區(qū)域II設(shè)定為比所述第1寬度L,大的第2寬度L2。 而且，在區(qū)域III,從區(qū)域I側(cè)到區(qū)域II側(cè)寬度設(shè)定為從L,逐漸增大 到L2 (再有，圖10表示出最終形成的光調(diào)制器集成半導體激光器1 在晶片上的位置)。這樣一來，在掩模圖案302a和掩模圖案302b之間，形成條狀的 開口部303。掩模圖案302a、 302b在區(qū)域II的寬度大于在區(qū)域I的 寬度。而且，寬度在區(qū)域III改變，以連接區(qū)域I、區(qū)域II的第1圖 案302a、 302b。接著，將上述第1掩模圖案301作為掩才莫，使用金屬有機物氣 相外延生長法，形成下部包覆層3。此時，在襯底2上的區(qū)域I、區(qū) 域III及區(qū)域II的第1掩模圖案301的2個條紋間的開口部303的位 置，有選擇地晶體生長下部包覆層3。結(jié)果，如圖11所示，形成沿 圖10中開口部303的長度方向的部分的剖面圖。就是iJL，在半導體 激光器部I、隔離部III及光調(diào)制器部II，沿開口部303的長度方向， 得到下部包覆層3的厚度變化的結(jié)構(gòu)。進行上述選擇生長時，生長速度依據(jù)圖10所示的掩模圖案301 的開口部303兩側(cè)的掩模圖案302a、 302b的寬度而發(fā)生改變。就是 說，由于區(qū)域I的掩模圖案302a、 302b的寬度小，所以在該處的晶 體生長速度低。由于區(qū)域II與區(qū)域I相比，其掩模圖案302a、 302b 的寬度大，所以在該處的晶體生長速度相對地比區(qū)域I大。在區(qū)域m，
由于掩模圖案302a、 302b的寬度從區(qū)域I側(cè)向區(qū)域II側(cè)逐漸變大， 所以從區(qū)域I側(cè)向區(qū)域II側(cè)的晶體生長速度逐漸變大。結(jié)果，如圖11所示，區(qū)域I的下部包覆層3的厚度比區(qū)域II的 下部包覆層3的厚度薄，區(qū)域III的厚度逐漸變化而成為連接區(qū)域I 和區(qū)域II的下部包覆層3的形狀。這樣一來，在襯底2上形成的第1 掩模圖案301的2個條紋間的開口部303處，有選擇地形成下部包 覆層。之后，除去第1掩模圖案301 (圖中未示出)。接著，如圖12所示，在襯底2上依次層積SCH層6、活性層8 及SCH層7。再通過周期性蝕刻，在區(qū)域I的SCH層7上部形成衍 射光柵20。接著，通過蝕刻而除去區(qū)域II及區(qū)域m的SCH層6、 7、 及活性層8 (圖中未示出)。這樣一來，在區(qū)域I的下部包覆層3上， 形成產(chǎn)生激光的第1芯層21。接著，如圖13所示，用MOCVD法在區(qū)域II依次層積SCH層 4、吸收層9及SCH層5，形成第2芯層22。與此同時，在區(qū)域III 依次層積SCH層201 、吸收層203及SCH層202,形成第2芯層22。 這時，通過對接方式，分別使區(qū)域I的第1芯層21的活性層8、 SCH 層6、 7與區(qū)域III的第2芯層22的吸收層203、 SCH層201、 202接 合。這樣一來，在區(qū)域III及區(qū)域II的下部包覆層3上，形成與第1 芯層21相連接的、用以吸收激光的第2芯層22。接著，如圖i4所示，在襯底2上的區(qū)域i、區(qū)域n及區(qū)域m上，形成第2掩模圖案304。圖15表示從襯底2的上面?zhèn)瓤丛摰?掩模 圖案304的平面圖。第2摘H莫圖案304，如圖15所示，由以預(yù)定間 隔W2 (\￥2不必與圖10中的W,相等)橫切區(qū)域I、區(qū)域III及區(qū)域II 的2個條狀掩模圖案305a、 305b構(gòu)成。這些掩模圖案在區(qū)域I設(shè)定 為第3寬度L3，在區(qū)域II設(shè)定為比所述第3寬度L;窄的第4寬度乙4 (k及；與L,及1^不相關(guān))。而且，在區(qū)域III,從區(qū)域I側(cè)向區(qū) 域II側(cè)，將寬度設(shè)定為從L3逐漸減小到L4。此時，在襯底2上能露 出其與圖10中的第1掩模圖案301的開口部303的形成位置相重合
的區(qū)域的位置上，形成第2掩模圖案304的掩模圖案305a、 305b間 的開口部306 (再有，圖15表示出最終形成的光調(diào)制器集成半導體 激光器1在晶片上的位置)。這樣，通過在襯底2上形成第2掩模圖案304，在掩模圖案305a、 305b之間，形成條狀的開口部306。該掩模圖案305a、 305b在區(qū)域 I處的寬度大于在區(qū)域II處的寬度。而且，在區(qū)域III處寬度改變， 以連接區(qū)域I、 II處的掩模圖案305a、 305b。接著，以第2掩模圖案304為掩模，在襯底2上第1掩模圖案301 的開口部303和第2掩模圖案304的開口部306相重合的區(qū)域，有 選擇地形成上部包覆層10。例如，用金屬有機物氣相外延生長法來 形成。在形成上述的上部包覆層10時，生長速度依椐圖15中的掩模 掩模圖案304的開口部306兩側(cè)的掩模圖案305a、 305b寬度而變化。 就是說，由于區(qū)域I的掩模圖案305a、 305b的寬度大，所以在該處 的晶體生長速度快。由于區(qū)域II與區(qū)域I相比，其掩模圖案305a、 305b 的寬度窄，所以在該處的晶體生長速度相對于區(qū)域I變慢。在區(qū)域III, 由于從區(qū)域I側(cè)向區(qū)域II側(cè)的掩模圖案305a、 305b的寬度逐漸變窄， 所以從區(qū)域I側(cè)向區(qū)域II側(cè)的晶體生長速度逐漸變慢。結(jié)果，如圖16所示，區(qū)域I的上部包覆層10的厚度比區(qū)域II 的上部包覆層10的厚度大，在區(qū)域III ，形成從區(qū)域I側(cè)向區(qū)域II側(cè) 的厚度逐漸變小的形狀。結(jié)果，上部包覆層10離襯底2的上表面的高度，在區(qū)域i、 n及m范圍內(nèi)大致相同，在區(qū)域i、 ii及iii的上部包覆層10的上表面變成基本平坦的形狀。接著，除去圖14、 15所示的第2掩模圖案304。然后，在上部 包覆層10上形成n型InGaAs構(gòu)成的接觸層。進而，使用 RIE(Reactive Ion Etching) 、 ICP (Inductively Coupled Plasma )等干法蝕刻，在襯底2上形成臺面狀的條帶。結(jié)果，得到如圖n(透視圖) 所示的形狀。 在此結(jié)構(gòu)中，在區(qū)域I (半導體激光器部I)的第1芯層21的上表面即SCH層7的上表面的高度，比臺面條帶12兩外側(cè)的面204低。 區(qū)域II (調(diào)制器部II)的第2芯層22的下表面即SCH層4的下表面 的高度，高于臺面條帶12兩外側(cè)的面204。在區(qū)域in(隔離部m) 的第2芯層22即吸收層203、 SCH層201、 202的高度逐漸變化。于 是，形成分別將區(qū)域I的活性層8和區(qū)域III的吸收層9連接和將區(qū) 域I的SCH層6、 7和區(qū)域II的SCH層201、 202連接的結(jié)構(gòu)。接著，除去區(qū)域III(隔離部III)的接觸層11。進而，在臺面條帶 2的正上方以外的表面上，有選擇地形成氧化硅膜。最后，在臺面 條帶12的上表面形成n型電極，在襯底2的背面?zhèn)刃纬蓀型電極。通過以上說明的制造方法，能得到圖8所示的結(jié)構(gòu)，即半導體 激光器部I為脊型波導、光調(diào)制器部II為高臺面型波導并具有連接 該二者的隔離部m的結(jié)構(gòu)。于是，能夠得到隔離部III的芯層高 度逐漸變化而連接半導體激光器部和光調(diào)制器部的光波導；以及具 有該光波導的光調(diào)制器集成半導體激光器。 實施例3本實施例涉及可抑制光調(diào)制器集成半導體激光器的半導體激光 部和光調(diào)制器之間的發(fā)射，且使諸特性得到改善的光調(diào)制器集成半 導體濾光器。圖18是本實施例的光調(diào)制器集成半導體激光器的說明 圖。圖18是本實施例的光調(diào)制器集成半導體激光器的透視圖。本實 施例的光調(diào)制器集成半導體激光器設(shè)有的半導體激光器部和光調(diào)制 器部的結(jié)構(gòu)與圖1所示的實施例1的結(jié)構(gòu)相同。本實施例的特征是， 光調(diào)制器集成半導體激光器設(shè)有下部包覆層3、第1芯層21、第2 芯層23、上部包覆層10的配置?，F(xiàn)用圖18所示的結(jié)構(gòu)中的下部包 覆層3、第1芯層21、第2芯層23、上部包覆層IO進行詳細說明。圖19是下部包覆層3、第1芯層21、第2芯層23、上部包覆層 10的上面圖。下部包覆層3的上面圖為圖19 (A)。下部包覆層3 在半導體激光器部I、光調(diào)制器部II、隔離部m之下形成。圖19(A) 中的網(wǎng)線部分表示下部包覆層II被稍加蝕刻的部分。因此，下部包 覆層3的網(wǎng)線部分表示該處的下部包覆層3比斜線部分更薄。再有，下部包覆層3的斜線部分的蝕刻不是特意加工的，因此，下部包覆 層3也可在延續(xù)范圍達到半導體激光器部I、光調(diào)制器部II、隔離部 III的平坦面上形成。接著，就圖19 (B)所示的笫1芯層21和第2芯層23的配置進 行說明。如圖18所示，第1芯層21由SCH層4、吸收層9、 SCH 層5構(gòu)成。第1芯層21在半導體激光器部I處形成。第2芯層23在 隔離部III處，從與半導體激光器部I相接的面向與光調(diào)制器部II相 接的面寬度漸減地形成。另外，第2芯層23具有與第芯層接觸的 面。在與上述隔離部III上的第2芯層23相接的面上保持寬度而形 成光調(diào)制器部II上的第2芯層23。于是，光調(diào)制器部II的第2芯層 23形成為條狀，與隔離部III的第2芯層23連接。再有，第一芯層 21和第2芯層23與圖19 (A)的斜線部相重疊地形成。接著，就圖19 (C)所示的上部包覆層10的配置進行說明。上 部包覆層10在上述笫1芯層21和笫2芯層23的形成區(qū)域的上層相 重疊地形成。上部包覆層10形成在圖19 (C)的網(wǎng)線部分和斜線部 分上。但是，網(wǎng)線部分的上部包覆層的膜厚由于蝕刻而減少，因此 膜厚比斜線部分的薄。上述的蝕刻是為形成臺面條帶12而進行的。 而且，圖19 (C)斜線部分表示的上部包覆層10具有遍及半導體激 光部I、光調(diào)制器部II、隔離部III的一定寬度。該斜線部分表示的 上部包覆層IO構(gòu)成圖18所示的臺面條帶12的一部分。如上所述，在本實施例的光調(diào)制器集成半導體激光器中，在圖19 (A)所示的下部包覆層3的上層重疊下部包覆層3的斜線部分而形 成圖19 (B)所示的第1芯層21和第2芯層23。再在第1芯層21 和第2芯層23的上層重疊第1芯層21或第2芯層23而形成上部包 覆層10 (圖19 (C))。這里，圖20示出了圖18的上面圖。還有， 為了便于說明，圖20中省略了電極15、 16。另外，面17是上部包
覆層10的表面，面18是下部包覆層3的表面。圖20中，隔離部III 的面17的、與臺面條帶長度方向垂直的方向上的寬度，記為寬度W。 寬度W在與隔離部III的半導體激光器部相接的部分上取最大值，并 向與光調(diào)制器部II相接的部分漸減。W在與光調(diào)制部II相接的部分 與臺面條帶12的寬度相一致。圖20中的虛線A、 B、 C、 D、 E處的 光調(diào)制器集成半導體激光器的剖面，分別在圖21 ~圖25中示出。如此，本實施例的隔離部III的臺面條帶12的兩外側(cè)，具有上 述寬度W從半導體激光器部I到與光調(diào)制器部II相接的部分漸減的 結(jié)構(gòu)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使傳送到光調(diào)制器部II的半導體激光 器部I產(chǎn)生的光的模式分布形狀在隔離部III中逐漸變化。通過使得 光的模式分布形狀從半導體激光器部I向光調(diào)制器部II逐步變化， 能夠抑制在半導體激光器部I和光調(diào)制器部II之間的光反射。通過 上述的發(fā)射抑制，能夠減少光功率的損失并保持激光器單波長性。本實施例中，與臺面條帶12的長度方向垂直的方向上的臺面條 帶12的長度(后稱臺面條帶的寬度)，在整個半導體激光器部I、光調(diào)制器部n、隔離部m的區(qū)域內(nèi)保持一定，但本發(fā)明并不以此為限。也就是說，如圖26的光調(diào)制器集成半導體激光器的上面圖所示， 盡管半導體激光器部I的臺面條帶寬度Wl與光調(diào)制器部II的臺面條帶寬度W2不同，但只要上述隔離部m的寬度w從與半導體激光器 部I的接觸面向與光調(diào)制器部II的接觸面漸減，就能取得本發(fā)明的效果。圖26的虛線F、 G、 H處的剖面分別示出圖27、 28、 29。如此，可以將半導體激光器部i的臺面條帶寬度wi與光調(diào)制器部n的臺面條帶寬度W3設(shè)于最佳值，使特性最優(yōu)化。具體而言，半導體激 光器的電流-光輸出特性、閾值電流-光輸出的溫度依存性、光調(diào)制器 的調(diào)制頻帶、消光比等，能夠分別得到最優(yōu)化。因此，采用圖26所 示的結(jié)構(gòu)， 一方面能夠抑制半導體激光器部I和光調(diào)制器部II之間 的光反射，另 一方面還能通過臺面條帶的最優(yōu)化而實現(xiàn)諸4f性的最 優(yōu)化。
權(quán)利要求
1. 一種光波導，其特征在于，包括半導體激光器部，具有在襯底上依次層積的下部包覆層、第1芯 層及上部包覆層，并形成所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條 帶，在所述第1芯層產(chǎn)生激光；中間部，在所述村底上鄰接所述半導體激光器部而設(shè)，具有在所 述襯底上依次層積的所述下部包覆層、第2芯層及所述上部包覆層， 所述第2芯層與所述第1芯層相4矣，并形成所述下部包覆層、所述第2 芯層及所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶；以及光調(diào)制器部，在所述村底上鄰接所述中間部而設(shè)，具有在所述襯 底上依次層積的所述下部包覆層、所述第2芯層及所述上部包覆層， 所述第2芯層吸收所述第1芯層產(chǎn)生的所述激光，并形成所述下部包 覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶，所述半導體激光器部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外側(cè)的面離所述 襯底的上表面的高度，大于所迷光調(diào)制器部的延續(xù)到所述臺面條帶的 兩外側(cè)的面離所述村底上表面的高度；所述中間部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外側(cè)的面離所述襯底上的 表面的高度，從所述半導體激光器部側(cè)向所述光調(diào)制器部側(cè)降低。
2. —種光波導，其特征在于，包括半導體激光器部，具有在襯底上依次層積的下部包覆層、第1芯 層及上部包覆層，并形成所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條 帶，在所述第1芯層產(chǎn)生激光；中間部，在所述襯底上鄰接所述半導體激光器部而設(shè)，具有在所 述襯底上依次層積的所述下部包覆層、第2芯層及所述上部包覆層， 所述第2芯層與所述第1芯層相接，并形成所述下部包覆層、所述第2 芯層及所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶；以及光調(diào)制器部，在所述襯底上鄰接所述中間部而設(shè)，具有在所述襯底上依次層積的所述下部包覆層、所述第2芯層及所述上部包覆層，所述第2芯層吸收所述第1芯層產(chǎn)生的激光，并形成所述下部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶，所述半導體激光器部、所迷中間部及所述光調(diào)制器部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外側(cè)的面，離所述襯底上表面的高度是一定的；在所述中間部，從所述襯底的上表面到所述第2芯層的高度，從 所述半導體激光器部側(cè)向所述光調(diào)制器部側(cè)增加。
3. 如權(quán)利要求2所述的光波導，其特征在于，所述光調(diào)制器部的 從所述襯底的上表面到所述第2芯層的下端的高度，大于所述半導體 激光器部的從所述襯底的上表面到所述第1芯層的上端的高度。
4. 如權(quán)利要求1 ~3中任一項所述的光波導，其特征在于，所述 半導體激光器部的所述第1芯層的上部設(shè)有衍射光柵。
5. —種半導體光學集成元件，其特征在于，包括 半導體激光器部，具有在襯底上依次層積的下部包覆層、第1芯層及上部包覆層，并形成所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條 帶，在所述第1芯層產(chǎn)生激光；中間部，在所述襯底上鄰接所述半導體激光器部而設(shè)，具有在所 述襯底上依次層積的所述下部包覆層、第2芯層及所述上部包覆層， 所述第2芯層與所述第1芯層相4妄，并形成所述下部包覆層、所述第2 芯層及所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶；以及光調(diào)制器部，在所述襯底上鄰接所述中間部而設(shè)，具有在所述襯 底上依次層積的所述下部包覆層、所述第2芯層及所述上部包覆層， 所述第2芯層吸收所述第1芯層產(chǎn)生的激光，并形成所述下部包覆層 延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶，所述半導體激光器部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩外側(cè)的面離所述 襯底上表面的高度，大于所述光調(diào)制器部的延續(xù)到所述臺面條帶的兩 外側(cè)的面離所述襯底上表面的高度。
6. —種半導體光學集成元件，其特征在于，包括 半導體激光器部，具有在襯底上依次層積的下部包覆層、第1芯層及上部包覆層，并形成所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條 帶，在所述第1芯層產(chǎn)生激光；中間部，在所述襯底上鄰接所述半導體激光器部而設(shè)，具有在所 述村底上依次層積的所述下部包覆層、第2芯層及所述上部包覆層， 所述第2芯層與所述第1芯層相4矣，并形成所述下部包覆層、所述第2 芯層及所述上部包覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶；以及光調(diào)制器部，在所述襯底上鄰接所述中間部而設(shè)，具有在所述襯 底上依次層積的所述下部包覆層、所述第2芯層及所述上部包覆層， 所述第2芯層吸收所述第1芯層產(chǎn)生的所述激光，并形成所述下部包 覆層延續(xù)到其兩外側(cè)的臺面條帶，所述半導體激光器部、所述中間部及所述光調(diào)制器部的延續(xù)到臺 面條帶的兩外側(cè)的面，離所述襯底上表面的高度是一定的；在所述中間部，從所述襯底的上表面到所述第2芯層的高度，從 所述半導體激光器部側(cè)向所述光調(diào)制器部側(cè)的方向增加；所述光調(diào)制器部的從所述襯底的上表面到所述第2芯層的下端的 高度，大于所述半導體激光器部的從所述村底的上表面到所述第1芯 層的上端的高度。
7. —種半導體光學集成元件的制造方法，其特征在于，包括如下 工序在襯底上全面形成下部包覆層；在所述襯底上的第1區(qū)域、第2區(qū)域和連接該兩區(qū)域的第3區(qū)域 中所述第1區(qū)域的所述下部包覆層上，形成產(chǎn)生激光的第1芯層；在所述第3區(qū)域和所述第2區(qū)域的所述下部包覆層上，形成與所 述第1芯層連接的、吸收所述激光的笫2芯層；在所述第1芯層和所述第2芯層上，形成上部包覆層； 在所述上部包覆層上形成具有第1圖案和一對第2圖案并在所述 第1圖案和所述第2圖案之間具有開口部的掩模圖案，其中，所述第1 圖案以預(yù)定間隔橫切所述第1區(qū)域、所述第3區(qū)域及所述第2區(qū)域； 所述一對第2圖案具有在所述第1區(qū)域中與所述第1圖案間的距離是 第1間隔，在所述第2區(qū)域中與所述第1圖案間的距離是小于所述第1 間隔的第2間隔，以及在所述第3區(qū)域中與所述第1圖案間的距離， 是在所述第1區(qū)域側(cè)至所述第2區(qū)域側(cè)的方向，從所述第1間隔漸減 到所述第2間隔的間隔；以所述掩模圖案為掩模，有選擇地蝕刻所述襯底的上表面。
8. —種半導體光學集成元件的制造方法，其特征在于，包括如 下工序在具有第1區(qū)域、第2區(qū)域及連接這些區(qū)域的第3區(qū)域的襯底上 形成2個條帶狀的第1掩模圖案，其中，以預(yù)定間隔橫切所述第1區(qū) 域、所述第3區(qū)域和所述第2區(qū)域，所述預(yù)定間隔在所述第1區(qū)域設(shè) 為第1寬度，在所述第2區(qū)域設(shè)為大于所述第1寬度的第2寬度，在 所述第3區(qū)域以從所述第1區(qū)域側(cè)向所述第2區(qū)域側(cè)漸增的寬度設(shè) 置；在所述襯底上，以所述第1掩模圖案為掩模，在所述第1區(qū)域、 所述第2區(qū)域和所述第3區(qū)域的設(shè)于所述第1掩模圖案的所述2個條 帶間的開口部，有選擇地形成下部包覆層；除去所述第l掩模周案；在所述第1區(qū)域的所述下部包覆層上，形成產(chǎn)生激光的第1芯層； 在所述第3區(qū)域和所述第2區(qū)域的所述下部包覆層上，形成與所 述第1芯層連接的、吸收激光的第2芯層；在所述村底上，在設(shè)于所述2個條帶之間的開口部與所述第l掩 模圖案的所述開口部的位置相重合區(qū)域的位置上形成2個條帶狀的第 2掩模圖案，其中，以預(yù)定間隔^f黃切所述第1區(qū)域、所述第3區(qū)域和 所述第2區(qū)域，所述間隔在所述第1區(qū)域以第3寬度、在所述第2區(qū) 域以小于所述第3寬度的第4寬度、在所述第3區(qū)域以從所述第1區(qū) 域側(cè)向所述第2區(qū)域側(cè)漸減的寬度設(shè)置；在所述襯底上，在所述第1揭r模圖案的所述開口部和所述第2掩 模圖案的所述開口部相重合的所述區(qū)域，以所述第2掩模圖案為掩模 有選擇地形成上部包覆層；有選擇地蝕刻所述上部包覆層，在所述襯底上形成臺面條帶。
9. 一種半導體光學集成元^f牛，其特征在于，包括 下部包覆層；在所述下部包覆層的一部分的上層形成的產(chǎn)生光的第1芯層； 在所述下部包覆層的上層且不形成所述第1芯層的區(qū)域形成的吸 收光的第2芯層；以及在所述第1芯層和所述第2芯層的上層相重疊而形成的上部包覆層，所述第2芯層包括具有與所述第1芯層的接觸面的、在與所述 接觸面相平行方向上的、所述第2芯層的寬度在離開所述接觸面的方 向上漸減的漸減部；以及與所述漸減部的寬度為所述預(yù)定寬度的部分相接觸的、以所述預(yù)定寬度直線狀形成的條帶部。
10. 如權(quán)利要求9所述的半導體光學集成元件，其特征在于，所 述上部包覆層具有所述預(yù)定寬度，并具有比在所述條帶部和其延長線 上的上層延續(xù)的其他部分膜厚更厚的部分。
11. 如權(quán)利要求9所述的半導體光學集成元件，其特征在于， 所述上部包覆層具有比在所述條帶部和其延長線上的上層延續(xù)的其他部分膜厚更厚的部分，形成于所述第1芯層的上層的所述膜厚更厚的部分的寬度大于形 成于所述第2芯層的條帶結(jié)構(gòu)的上層的所迷膜厚更厚的部分的寬度。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，在同一襯底上設(shè)置脊型波導和高臺面型波導的半導體光學集成元件中波導界面處的光反射。在p型InP襯底(2)上設(shè)置半導體激光器部(I)、光調(diào)制器部(II)及作為將該二部隔離的隔離部(III)。在該結(jié)構(gòu)中，將延續(xù)到臺面條帶(12)的兩外側(cè)的面的高度，在半導體激光器部I設(shè)置得比在光調(diào)制器部(II)高。而且，在隔離部(III)，上述延續(xù)面的高度從半導體激光器部(I)側(cè)向光調(diào)制器部(II)側(cè)逐漸降低。從而，能夠減少半導體激光器部(I)與光調(diào)制器部(II)的界面處的光反射，并抑制激光器的單波長性的惡化。
文檔編號H01S5/20GK101123342SQ20071014230
公開日2008年2月13日 申請日期2007年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日
發(fā)明者大和屋武, 宮崎泰典, 青柳利隆 申請人:三菱電機株式會社