專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體晶圓的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的制造技術(shù)，特別涉及一種工藝控制監(jiān)視墊
(process control monitor pad; PCM pad )的設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
集成電路業(yè)者已開(kāi)始普遍使用較小的尺寸以及相關(guān)的技術(shù)來(lái)制造更小而 高速的半導(dǎo)體元件，隨著這種發(fā)展，要維持生產(chǎn)率及處理量的挑戰(zhàn)會(huì)增加。
半導(dǎo)體晶圓通常包括許多晶粒(或芯片)，各晶粒之間具有切割道(scribe line)，將晶粒彼此分隔開(kāi)。在晶圓之中的各個(gè)芯片含有電路，且通過(guò)切割 (sawing)的方式將其彼此分隔開(kāi)來(lái)，然后個(gè)別進(jìn)行封裝?；蛘咭部蓪⒏餍?片封裝于多芯片模塊中。在半導(dǎo)體制造過(guò)程的每個(gè)形成步驟中，必須不斷地 對(duì)晶圓上的半導(dǎo)體元件(即集成電路)進(jìn)行測(cè)試，以維持或確保元件品質(zhì)。 通常，測(cè)試電路必須與實(shí)際的元件同時(shí)制作于晶圓上。而典型的測(cè)試方法為， 提供多個(gè)測(cè)試墊(通常又稱為工藝控制監(jiān)視墊，或者又稱為"PCM墊")， 其經(jīng)由探針(probe needle)電性連接于外部端子，且測(cè)試墊設(shè)于切割道上。 選擇測(cè)試墊來(lái)測(cè)試晶圓的不同性質(zhì)，例如臨界電壓、飽和電流、柵極氧化物 厚度以及漏電流等。
為了將探針設(shè)于測(cè)試墊上，通常必須使測(cè)試墊的尺寸大于探針的尺寸。 因此，測(cè)試墊的尺寸通常比用來(lái)切割晶圓的切口 (kerf)更寬。
圖1顯示測(cè)試墊12的俯視圖，測(cè)試墊形成于晶粒10之間的切割道14 上。虛線16代表切口線(kerfline)，用來(lái)定義切口的邊界，在個(gè)別的晶圓 經(jīng)切割后，測(cè)試墊區(qū)域12i會(huì)毀壞，而測(cè)試墊殘留物122則會(huì)留下而未被切 掉。
然而，切割過(guò)程會(huì)引起電路失效，如圖2所示，測(cè)試墊殘留物122可能 會(huì)剝離(peel off)而與接合導(dǎo)線20或凸塊墊18產(chǎn)生短路，這樣的失效會(huì)隨 機(jī)發(fā)生且難以預(yù)測(cè)。雖然變更設(shè)計(jì)可能可以解決或者減少這些問(wèn)題，但是這樣的變更設(shè)計(jì)會(huì)受限于許多參數(shù)。例如，縮小測(cè)試墊12的尺寸時(shí)，即使測(cè)試墊殘留物122產(chǎn)生剝離，也不會(huì)使測(cè)試墊殘留物122到達(dá)接合墊18。然而， 測(cè)試墊12的尺寸與探針的尺寸是成比例的，所以無(wú)法隨心所欲地縮小從而輕易地解決這個(gè)問(wèn)題。另一個(gè)解決這個(gè)問(wèn)題的方法為，增加測(cè)試墊與接合墊之 間的距離，直到大于測(cè)試墊的寬度的程度。然而，此解決方法會(huì)導(dǎo)致晶圓面 積的浪費(fèi)，另有一類似的方法為增加用來(lái)切割晶圓的刀具的寬度，以使得沒(méi) 有測(cè)試墊殘留物留下來(lái)。然而，較寬的刀具會(huì)導(dǎo)致刀具與半導(dǎo)體芯片的密封 環(huán)(圖中未示)之間的距離減少，因而密封環(huán)受損的可能性會(huì)增加，其中受 損的原因之一可能來(lái)自切割過(guò)程中的振動(dòng)。 因此，需要一種能夠解決上述問(wèn)題的方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體芯片；切割道，鄰接于該第一半導(dǎo)體芯片；導(dǎo)電圖案，位于該切割道上， 且露出于該切割道的表面，其中該導(dǎo)電圖案具有面對(duì)該第一半導(dǎo)體芯片的第 一邊緣；切口路徑，位于該切割道之中；以及第一切痕，位于該導(dǎo)電圖案之 中，其中該第一切痕由該第一邊緣延伸至該切口路徑。
上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可包括第二半導(dǎo)體芯片，位于靠該第一半導(dǎo)體芯片 的該切割道的相反側(cè)；該導(dǎo)電圖案的第二邊緣，面對(duì)該第二半導(dǎo)體芯片；以 及第二切痕，位于該導(dǎo)電圖案上，其中該第二切痕由該第二邊緣延伸至該切 口路徑。
上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該第一半導(dǎo)體芯片以及該第二半導(dǎo)體芯片可位于該 切割道的中央線的不同側(cè)，且其中相對(duì)于該切割道的該中央線、該第一切痕 以及該第二切痕彼此對(duì)稱。
上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可包括第三切痕，由該第一邊緣延伸于該切割道的 中央線；以及第四切痕，由該第二邊緣延伸于該切割道的中央線，其中相對(duì) 于該導(dǎo)電圖案的中央線，所有由該第一邊緣延伸的切痕與所有由該第二邊緣 延伸的切痕彼此對(duì)稱，且該導(dǎo)電圖案的該中央線垂直于該切割道的長(zhǎng)度方向。
上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可包括第一介層孔以及第二介層孔，分別位于該第一切痕的相反側(cè)，其中該第一介層孔以及該第二介層孔靠近該第一切痕，且該第一介層孔以及該第二介層孔分別連接于下方的金屬圖案。
上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可包括第一多個(gè)介層孔，連接于多個(gè)金屬化層；以 及第二多個(gè)介層孔，連接于該多個(gè)金屬化層，其中該第一多個(gè)介層孔垂直地 對(duì)準(zhǔn)該第一介層孔，該第二多個(gè)介層孔垂直地對(duì)準(zhǔn)該第二介層孔。 上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該導(dǎo)電圖案可為工藝控制監(jiān)視墊。
上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該第一切痕可由該第一邊緣延伸至該切口路徑之中。 上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該導(dǎo)電圖案的第一邊緣可與位于該第一半導(dǎo)體芯片 上且最靠近的接合墊具有距離，且其中該第一切痕使得該導(dǎo)電圖案的邊緣區(qū) 域分割成為多個(gè)次區(qū)域，且其中該多個(gè)次區(qū)域之中的最長(zhǎng)的長(zhǎng)度小于該距離。 上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該第一切痕的形狀可選自矩形以及V形構(gòu)成的群組。 上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，該導(dǎo)電圖案還可包括第二邊緣，垂直于該切割道 的長(zhǎng)度方向，并且其中該第二邊緣無(wú)切痕。
本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體晶圓，包括第一及第二半導(dǎo)體芯片； 切割道，鄰接于且介于該第一半導(dǎo)體芯片與該第二半導(dǎo)體芯片之間；以及工 藝控制監(jiān)視墊，位于該切割道之中，而該工藝控制監(jiān)視墊包括 第一邊緣，面對(duì)該第一半導(dǎo)體芯片；
第一切痕，由該第一邊緣往該切割道的中央線的方向延伸； 第二邊緣，面對(duì)該第二半導(dǎo)體芯片；以及
第二切痕，由該第二邊緣往該切割道的該中央線的方向延伸。 上述半導(dǎo)體晶圓還可包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片；多個(gè)切割道，隔開(kāi)該多個(gè) 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)工藝控制監(jiān)視墊，位于該多個(gè)切割道之中；其中所述多個(gè) 工藝控制監(jiān)視墊中的每一個(gè)包括切痕，所述切痕位于每一個(gè)面對(duì)最靠近的半 導(dǎo)體芯片的邊緣。
上述半導(dǎo)體晶圓還可包括額外的工藝控制監(jiān)視墊，位于該多個(gè)切割道 之中兩個(gè)相互交叉的切割道的交叉區(qū)域，其中該額外的工藝控制監(jiān)視墊的所 有四個(gè)邊緣均具有切痕。
上述半導(dǎo)體晶圓中，對(duì)于所述多個(gè)工藝控制監(jiān)視墊之中的每一個(gè)，該切 痕可只形成在平行于各個(gè)切割道的長(zhǎng)度方向的邊緣。
上述半導(dǎo)體晶圓中，所述工藝控制監(jiān)視墊的第一邊緣與位于該第一半導(dǎo) 體芯片上且最靠近的接合墊可具有距離，且其中該第一切痕將該工藝控制監(jiān)視墊的邊緣區(qū)域分割成為多個(gè)次區(qū)域，且其中該多個(gè)次區(qū)域之中的最長(zhǎng)的長(zhǎng) 度小于該距離。
上述半導(dǎo)體晶圓中，該第一以及第二邊緣的切痕定義的工藝控制監(jiān)視墊 的中央?yún)^(qū)域的尺寸可大于用于工藝控制監(jiān)視墊探測(cè)用的探針的探測(cè)標(biāo)記的尺 寸。
上述半導(dǎo)體晶圓還可包括多個(gè)介層孔，形成于該第一及第二切痕的兩 側(cè)且靠近該第一及第二切痕，其中該多個(gè)介層孔將工藝控制監(jiān)視墊連接于下 方的金屬墊。
本發(fā)明又一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片，包括第一邊緣；切割道的殘 留物，接近該第一邊緣；工藝控制監(jiān)視墊的殘留物，位于該切割道的殘留物 之中；以及至少一個(gè)切痕，用來(lái)分割該工藝控制監(jiān)視墊的殘留物成為多個(gè)部分。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)之一為，減少工藝控制監(jiān)視墊殘留物以及降低短路的可能性。


圖1顯示位于兩個(gè)晶粒之間的測(cè)試墊；
圖2顯示由于剝離的測(cè)試墊殘留物導(dǎo)致的短路現(xiàn)象
圖3為顯示晶圓的俯視圖，此晶圓中包括切割道以及位于此切割道之中 的測(cè)試墊；
圖4顯示本發(fā)明一實(shí)施例，其中工藝控制監(jiān)視(PCM)墊之中形成有切
痕；
圖5為圖4所示的實(shí)施例的剖面圖，其中該剖面圖取自A-A'線的剖面。
圖6A以及圖6B顯示具有不同切痕數(shù)目的測(cè)試墊；以及
圖7顯示在PCM墊中的不規(guī)則形狀的切痕。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下-
10~晶粒
12 測(cè)試墊
12廣測(cè)試墊區(qū)域
122 測(cè)試墊殘留物14~切割道
16~虛線
18~接合墊
24 半導(dǎo)體晶圓
26、 26i、 262~半導(dǎo)體芯片
28 第一切割道
30 第二切割道
32、 60 工藝控制監(jiān)視墊
32廣次區(qū)域、工藝控制監(jiān)視墊殘留物
322 次區(qū)域
34 次區(qū)域
36~邊緣
38~切痕
40~切口線
42~接合墊
46、 56 介層孔
50~金屬墊
52、 54 金屬導(dǎo)線
Dl 垂直距離
DV 介層孔46與最靠近的切痕38之間的距離 Wl、 W2 工藝控制監(jiān)視墊殘留物32i的寬度 W 工藝控制監(jiān)視墊32的寬度
具體實(shí)施例方式
以下詳述本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制造與使用的說(shuō)明，然而，可以理解的是， 本發(fā)明提供許多可應(yīng)用的發(fā)明概念并在特定的內(nèi)文中廣泛地具體說(shuō)明。這些 實(shí)施例僅以特定的附圖闡述本發(fā)明的制造與使用，但不用以限制本發(fā)明的范 圍。
本發(fā)明提供一種測(cè)試墊結(jié)構(gòu)及其形成方法。在本發(fā)明各種不同的實(shí)施例 中，相同的符號(hào)代表相同的元件。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其為顯示半導(dǎo)體晶圓24的俯視圖，半導(dǎo)體晶圓24包括多個(gè)芯片(通常又稱為晶粒)26，分別由第一切割 道28以及第二切割道30分隔各個(gè)半導(dǎo)體芯片26。第一切割道28沿著第一 方向延伸，而第二切割道30沿著第二方向延伸，第一方向與第二方向互為垂 直。測(cè)試墊32又稱為工藝控制監(jiān)視墊32，形成于第一切割道28以及第二切 割道30之中，上述工藝控制監(jiān)視墊32用于晶圓接受度測(cè)試(wafer acceptance test)。
圖4顯示圖3所示的次區(qū)域34的細(xì)部，其中次區(qū)域34包括介于第一半 導(dǎo)體芯片26!與第二半導(dǎo)體芯片262之間的工藝控制監(jiān)視墊32，優(yōu)選的是， 工藝控制監(jiān)視墊32為矩形，工藝控制監(jiān)視墊32包括兩個(gè)彼此相對(duì)的邊緣36， 而每個(gè)邊緣36分別面對(duì)最靠近的半導(dǎo)體芯片26i以及262。在一具體實(shí)施例 中，工藝控制監(jiān)視墊32為鋁墊，露出于半導(dǎo)體晶圓24的頂部表面上。優(yōu)選 的是，有更多例如銅或銅合金的金屬墊，形成于工藝控制監(jiān)視墊32的下方， 并且經(jīng)由介層孔(via)連接工藝控制監(jiān)視墊32，其中更詳細(xì)的部分在后續(xù)的 段落敘述。
由于在每個(gè)邊緣36形成有切痕(cut) 38，因此使得工藝控制監(jiān)視墊32 的邊緣區(qū)域變成次區(qū)域32i，在后續(xù)用來(lái)將半導(dǎo)體晶圓24切割成半導(dǎo)體芯片 26的切割過(guò)程中，刀具會(huì)通過(guò)第二切割道30的切口路徑(kerfpath)，此切 口路徑介于切口線40之間。在一實(shí)施例中，切痕38延伸至最靠近的切口線 40，因此，經(jīng)過(guò)切割后，成為測(cè)試墊的殘留物的次區(qū)域32i會(huì)彼此分開(kāi)。在 另一實(shí)施例中，切痕38進(jìn)一步延伸而超越各切口線40，使得即使切口路徑 偏離想要的位置，次區(qū)域32i仍然會(huì)分開(kāi)。在一具體實(shí)施例中，切痕38延伸 超越切口線40大約等于或小于3,的距離。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)之一為，通過(guò)形成切痕38使得工藝控制監(jiān)視墊殘留物32, 的寬度Wl與W2小于工藝控制監(jiān)視墊32的寬度W。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所 知，半導(dǎo)體芯片26i與262分別包括接合墊42，用來(lái)接合半導(dǎo)體芯片26i及 262，其中邊緣36與最靠近的接合墊42之間具有垂直距離D1。在一優(yōu)選實(shí) 施例中，寬度W1與W2之中較大的寬度小于上述垂直距離D1，使得半導(dǎo)體 晶圓24經(jīng)過(guò)切割并且工藝控制監(jiān)視墊殘留物32i剝離之后，沒(méi)有一個(gè)工藝控 制監(jiān)視墊殘留物32i足夠長(zhǎng)，而可達(dá)到接合墊42。在一更優(yōu)選的實(shí)施例中， 工藝控制監(jiān)視墊殘留物32,的寬度Wl及W2甚至小于邊緣36到最靠近的密封環(huán)(圖中未示)的距離。在一具體實(shí)施例中，Wl與W2之中較大的寬度
小于大約5pm。為了達(dá)到理想的效果，相對(duì)于將工藝控制監(jiān)視墊32分為左 半邊及右半邊的中央線(圖中未示)，位于工藝控制監(jiān)視墊32的左半邊及右 半邊的切痕38彼此對(duì)稱。另外，相對(duì)于邊緣36之間的中央線(圖中未示)， 面對(duì)半導(dǎo)體芯片26i的切痕38以及面對(duì)半導(dǎo)體芯片262的切痕38優(yōu)選為彼此 對(duì)稱。
可以理解的是，切痕38的形成不應(yīng)減少用于在晶圓接受測(cè)試過(guò)程中接觸 探針的工藝控制監(jiān)視墊32的能力。因此，由切痕38的尖端部定義的次區(qū)域 322優(yōu)選為，大于用來(lái)探測(cè)所需的最小尺寸。在一具體實(shí)施例中，工藝控制監(jiān) 視墊32的寬度W大約為70pm，并且長(zhǎng)度D (介于兩邊緣36之間的距離) 大約為50pm。在一具體實(shí)施例中，使用懸臂式探測(cè)卡(cantilever probe card) 來(lái)探測(cè)，此懸臂式探測(cè)卡比其他常用的探測(cè)卡的尺寸還大。由于懸臂式探測(cè) 卡留下的典型的探測(cè)標(biāo)記的直徑大約共有18jim，在大約30pmx3(^m的探測(cè) 區(qū)域上包括50%以上的裕度(margin)，因此可適用于懸臂式探測(cè)卡。切痕 38的長(zhǎng)度DL可以是大約10pm，使得相對(duì)的切痕38之間的距離D2大約為 30pm，因此，次區(qū)域322的面積大約為70pmx3(^m，其適用于探測(cè)。
可以理解的是，理想的Wl、 W2、 DL的尺寸與后續(xù)的探測(cè)工藝以及切 割工藝有關(guān)。例如不同形式的探測(cè)卡需要不同的最小PCM次區(qū)域322面積， 以進(jìn)行探測(cè)。如果使用不同的刀具，則切口的寬度可能不同。因此，Wl、 W2、 DL的尺寸需要調(diào)整，以確保不僅是剝離的工藝控制監(jiān)視墊殘留物32, 不會(huì)與接合墊或接合導(dǎo)線發(fā)生短路，而且留下足夠的PCM面積以進(jìn)行探測(cè)。
如圖5所示，為了減少工藝控制監(jiān)視墊殘留物32,的剝離，可以在切痕 38的兩側(cè)形成介層孔46，而介層孔46連接于工藝控制監(jiān)視墊32與下方的金 屬墊50或者金屬導(dǎo)線。在一實(shí)施例中，下方的金屬墊(或金屬導(dǎo)線)50為 形成于金屬化層的頂部的銅墊(或銅導(dǎo)線)。金屬墊50也可以經(jīng)由另一個(gè)介 層孔56連接于下方的金屬墊或金屬導(dǎo)線，例如金屬墊或金屬導(dǎo)線52與54。 在一具體實(shí)施例中，金屬墊32、 50、 52、 54垂直地對(duì)準(zhǔn)，并且互相連接的介 層孔與金屬墊由工藝控制監(jiān)視墊32延伸至金屬化層的底部(Ml)，此處設(shè) 有金屬墊54。工藝控制監(jiān)視墊32與下方的金屬墊以及金屬導(dǎo)線的連接可提 供錨定力(anchoring force)，因此在后續(xù)的切割工藝中，可能可以減少工藝控制監(jiān)視墊殘留物32,的剝離。介層孔46與最靠近的切痕38之間的距離DV 優(yōu)選為小距離，例如小于0.5pm?？稍谇泻?8的每一側(cè)形成單一一個(gè)介層孔 或者包括多個(gè)介層孔的的介層孔群組，另外，介層孔或介層孔群組形成的位 置最好鄰接垂直于切口線的切痕38的邊緣。
圖6A與圖6B示出優(yōu)選實(shí)施例的變化例，在圖6A中，每一個(gè)邊緣36 只形成一個(gè)切痕38，而切痕38優(yōu)選為形成在各自的邊緣36的中央，這會(huì)使 可能產(chǎn)生的工藝控制監(jiān)視墊殘留物32,的長(zhǎng)度減半。介層孔46優(yōu)選為形成于 每個(gè)切痕38的兩側(cè)，并且靠近切痕38。在一優(yōu)選實(shí)施例中，如果工藝控制 監(jiān)視墊32的寬度W的一半小于邊緣36與最靠近的接合墊42 (參照?qǐng)D4)的 垂直距離D1，則這樣的實(shí)施例也會(huì)有理想的效果。
在圖6B中，在每一個(gè)邊緣36處形成兩個(gè)以上切痕38，以進(jìn)一步減少可 能的工藝控制監(jiān)視墊殘留物的長(zhǎng)度。介層孔46優(yōu)選為形成于每個(gè)切痕38的 兩側(cè)，并且靠近切痕38。在圖6A以及圖6B所示的實(shí)施例中，切痕38優(yōu)選 為延伸至或延伸超越切口線40。
除了矩形以外，切痕38還可以是不規(guī)則的形狀，例如為可提供切痕從而 將工藝控制監(jiān)視墊的殘留物分開(kāi)成為較短部分的形狀。圖7顯示V形的切痕 38， V形的切痕38的優(yōu)點(diǎn)之一為，由于V形的切痕38的尖端(tip)遠(yuǎn)小于 各個(gè)基底部分(base portion)，所以可將切痕38延伸進(jìn)一步超越切口線40， 而不會(huì)明顯地影響工藝控制監(jiān)視墊32的探測(cè)。因此，即使切口路徑偏離想要 的位置，工藝控制監(jiān)視墊殘留物32,仍可分開(kāi)成為較短部分。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3，在第一切割道28以及第二切割道30上的所有工藝控制 監(jiān)視墊32最好包括類似于切痕38的切痕，而且每一個(gè)工藝控制監(jiān)視墊32 的切痕38最好面對(duì)最靠近的半導(dǎo)體芯片26。因此，位于第一切割道28上的 工藝控制監(jiān)視墊32的切痕38最好面對(duì)左方或右方，而位于第二切割道30 上的工藝控制監(jiān)視墊32的切痕38則是面對(duì)上方或下方。如果工藝控制監(jiān)視 墊，例如工藝控制監(jiān)視墊60形成于第一切割道28與第二切割道30的交叉區(qū) 域，則可能需要在工藝控制監(jiān)視墊60的四個(gè)邊緣形成切痕38，這是因?yàn)闊o(wú) 法決定是先切割第一切割道28還是是先切割第二切割道30，而第一個(gè)切割 步驟有可能導(dǎo)致工藝控制監(jiān)視墊殘留物32i剝離，進(jìn)而導(dǎo)致短路。
可以理解的是，除了工藝控制監(jiān)視墊以外，其他圖案，例如框架單元(frame cell)也可能在切割工藝后具有殘留物，而這樣的殘留物也會(huì)產(chǎn)生短 路的問(wèn)題，因此，本發(fā)明的概念可應(yīng)用于這些圖案，用于縮短可能剝離的殘 留物的長(zhǎng)度。
雖然本發(fā)明己通過(guò)優(yōu)選實(shí)施例公開(kāi)如上，然而以上公開(kāi)內(nèi)容并非用以限 定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)可做 一定的改動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一半導(dǎo)體芯片；切割道，鄰接于該第一半導(dǎo)體芯片；導(dǎo)電圖案，位于該切割道上，且露出于該切割道的表面，其中該導(dǎo)電圖案具有面對(duì)該第一半導(dǎo)體芯片的第一邊緣；切口路徑，位于該切割道之中；以及第一切痕，位于該導(dǎo)電圖案之中，其中該第一切痕由該第一邊緣延伸至該切口路徑。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括第二半導(dǎo)體芯片，位于靠該第一半導(dǎo)體芯片的該切割道的相反側(cè)； 該導(dǎo)電圖案的第二邊緣，面對(duì)該第二半導(dǎo)體芯片；以及 第二切痕，位于該導(dǎo)電圖案上，其中該第二切痕由該第二邊緣延伸至該 切口路徑。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一半導(dǎo)體芯片以及該第二 半導(dǎo)體芯片位于該切割道的中央線的不同側(cè)，且其中相對(duì)于該切割道的該中 央線、該第一切痕以及該第二切痕彼此對(duì)稱。
4. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括 第三切痕，由該第一邊緣延伸于該切割道的中央線；以及 第四切痕，由該第二邊緣延伸于該切割道的中央線，其中相對(duì)于該導(dǎo)電圖案的中央線，所有由該第一邊緣延伸的切痕與所有由該第二邊緣延伸的切 痕彼此對(duì)稱，且該導(dǎo)電圖案的該中央線垂直于該切割道的長(zhǎng)度方向。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括第一介層孔以及第二介層 孔，分別位于該第一切痕的相反側(cè)，其中該第一介層孔以及該第二介層孔靠 近該第一切痕，且該第一介層孔以及該第二介層孔分別連接于下方的金屬圖 案。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括 第一多個(gè)介層孔，連接于多個(gè)金屬化層；以及第二多個(gè)介層孔，連接于該多個(gè)金屬化層，其中該第一多個(gè)介層孔垂直地對(duì)準(zhǔn)該第一介層孔，該第二多個(gè)介層孔垂直地對(duì)準(zhǔn)該第二介層孔。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電圖案為工藝控制監(jiān)視墊。
8. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一切痕由該第一邊緣延伸 至該切口路徑之中。
9. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電圖案的第一邊緣與位于該第一半導(dǎo)體芯片上且最靠近的接合墊具有距離，且其中該第一切痕使得該 導(dǎo)電圖案的邊緣區(qū)域分割成為多個(gè)次區(qū)域，且其中該多個(gè)次區(qū)域之中的最長(zhǎng) 的長(zhǎng)度小于該距離。
10. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一切痕的形狀選自矩形 以及V形構(gòu)成的群組。
11. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電圖案還包括第二邊 緣，垂直于該切割道的長(zhǎng)度方向，并且其中該第二邊緣無(wú)切痕。
12. —種半導(dǎo)體晶圓，包括 第一及第二半導(dǎo)體芯片；切割道，鄰接且介于該第一半導(dǎo)體芯片與該第二半導(dǎo)體芯片之間；以及 工藝控制監(jiān)視墊，位于該切割道之中，其中該工藝控制監(jiān)視墊包括 第一邊緣，面對(duì)該第一半導(dǎo)體芯片；第一切痕，由該第一邊緣往該切割道的中央線的方向延伸；第二邊緣，面對(duì)該第二半導(dǎo)體芯片；以及第二切痕，由該第二邊緣往該切割道的該中央線的方向延伸。
13. 如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體晶圓，還包括 多個(gè)半導(dǎo)體芯片；多個(gè)切割道，隔開(kāi)該多個(gè)半導(dǎo)體芯片；多個(gè)工藝控制監(jiān)視墊，位于該多個(gè)切割道之中；其中所述多個(gè)工藝控制 監(jiān)視墊中的每一個(gè)包括切痕，所述切痕位于面對(duì)最靠近的半導(dǎo)體芯片的每一 個(gè)邊緣。
14. 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶圓，還包括額外的工藝控制監(jiān)視墊， 位于該多個(gè)切割道之中兩個(gè)相互交叉的切割道的交叉區(qū)域，其中該額外的工 藝控制監(jiān)視墊的所有四個(gè)邊緣均具有切痕。
15. 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體晶圓，其中對(duì)于所述多個(gè)工藝控制監(jiān)視墊之中的每一個(gè)，該切痕只形成在平行于各個(gè)切割道的長(zhǎng)度方向的邊緣。
16. 如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體晶圓，其中所述工藝控制監(jiān)視墊的第一邊緣與位于該第一半導(dǎo)體芯片上且最靠近的接合墊具有距離，且其中該第一 切痕將該工藝控制監(jiān)視墊的邊緣區(qū)域分割成為多個(gè)次區(qū)域，且其中該多個(gè)次 區(qū)域之中的最長(zhǎng)的長(zhǎng)度小于該距離。
17. 如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體晶圓，其中該第一以及第二邊緣的切痕 定義的工藝控制監(jiān)視墊的中央?yún)^(qū)域的尺寸大于用于工藝控制監(jiān)視墊探測(cè)用的 探針的探測(cè)標(biāo)記的尺寸。
18. 如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體晶圓，還包括多個(gè)介層孔，形成于該 第一及第二切痕的兩側(cè)且靠近該第一及第二切痕，其中該多個(gè)介層孔將工藝 控制監(jiān)視墊連接于下方的金屬墊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體晶圓，上述半導(dǎo)體芯片包括第一半導(dǎo)體芯片；切割道，鄰接于該第一半導(dǎo)體芯片；導(dǎo)電圖案，位于該切割道上，且露出于該切割道的表面，其中該導(dǎo)電圖案具有面對(duì)該第一半導(dǎo)體芯片的第一邊緣；切口路徑，位于該切割道之中；以及第一切痕，位于該導(dǎo)電圖案之中，其中該第一切痕由該第一邊緣延伸至該切口路徑。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)之一為能夠減少工藝控制監(jiān)視墊殘留物并降低短路的可能性。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101286498SQ20071014278
公開(kāi)日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2007年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月9日
發(fā)明者劉豫文, 吳念芳, 蔡佳倫, 蔡豪益, 許仕勛, 陳憲偉 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司