專利名稱：：柔性顯示裝置面板的制造技術(shù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于柔性顯示裝置的顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：液晶顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器是廣泛使用的平板顯示器的代表。液晶顯示器通常包括上面板，其中形成有共用電極、濾色片等；以及下面板，其中形成有薄膜晶體管(TFT)和l象素電才及。液晶層i殳置在兩個(gè)顯示面4反之間。如果在^f象素電才及與共用電極之間施加電勢(shì)差，液晶層中的合成電場(chǎng)就決定液晶分子的定向，并且控制入射光穿過(guò)液晶層的透射率。因此，可以通過(guò)調(diào)節(jié)兩個(gè)電極之間的電勢(shì)差顯示期望的圖4象。OLED顯示器包4舌空穴注入電4及(陽(yáng)才及)和電子注入電才及(陰極)(有機(jī)發(fā)光層形成在兩電極之間)，并且通過(guò)空穴和電子的再結(jié)合而發(fā)出光。但是，因?yàn)檫@種顯示裝置使用較重并易碎的玻璃基板，所以其不適合便攜式顯示器以及大屏幕顯示器。因此，已開發(fā)出使用柔性基板(例如具有輕重量、沖擊抵抗力、以及柔性的塑料基板)的顯示裝置。但是，塑料基板容易因制造過(guò)程期間使用的高溫而翹曲，因此可在低溫下沉積的薄膜晶體管被用來(lái)防止塑料基板的變形。但是，通過(guò)低溫沉積形成的TFT的性能不會(huì)和期望的一樣高。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的顯示面板的制造方法包括在柔性絕緣基板上形成柵極線；在棚-極線上沉積柵一及絕緣層；在柵-極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；以及在半導(dǎo)體層和柵4及絕纟彖層上形成數(shù)據(jù)線和漏電才及。半導(dǎo)體層的形成可以在大約IO(TC至大約180°C通過(guò)PECVD來(lái)完成。半導(dǎo)體層可以以大約300W或更低的RF功率使用PECVD而形成，優(yōu)選是大約150W至大約300W的RF功率。柵極絕緣層可以薄于大約5500A,并且優(yōu)選具有大約2000A至大約5500A的厚度。該方法進(jìn)一步包括在沉積柵極絕緣層之后在柵極絕緣層上執(zhí)行氫等離子體處理。氪等離子體處理可通過(guò)在大約2000Torr的壓力下以及大約130。C的溫度下供應(yīng)H2大約30秒來(lái)完成。該方法可包括在形成數(shù)據(jù)線和漏電極之后對(duì)具有多個(gè)薄膜的基板進(jìn)行退火。退火可在15(TC扭J于大約一'J、時(shí)或更久。退火可在15(rc才丸4于大約三小時(shí)。絕緣基板可含有塑料。絕緣基板可含有PES。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于LCD的顯示面板包括柔性絕緣基板；柵極線，形成在基板上；柵極絕緣層，形成在纟冊(cè)極線上，具有大約2000A至大約5500A的厚度，并受到氬等離子體處理；半導(dǎo)體層，形成在4冊(cè)一及絕纟彖層上，并且在大約IO(TC至大約180。C通過(guò)PECVD來(lái)沉積；以及包括源電極的數(shù)據(jù)線和漏電極，形成在半導(dǎo)體層和柵4及絕緣層上。半導(dǎo)體層可以以大約300W或更^f氐的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)沉積，優(yōu)選是大約150W至大約300W的RF功率。氫等離子體處理可通過(guò)在大約2000Torr的壓力下以及大約l30。C的溫度下供應(yīng)H2大約30秒、來(lái)完成。顯示面板可在150。C受到退火大約一小時(shí)或更久，優(yōu)選是三小時(shí)。下文將參照附圖更加充分地描述本發(fā)明，附圖中圖1是才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面^反的布局圖；圖2和圖3是分別沿著線II-II和III-III截取圖1中示出的TFT陣列面一反的截面圖；圖4、圖7、圖11和圖14是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板在其制造方法的中間步驟的布局圖；圖5和圖6是分別沿著線V-V和VI-VI截取圖4中示出的TFT陣列面4反的截面圖；圖8和圖9是分別沿著線VIII-VIII和IX-IX截耳又圖7中示出的TFT陣列面^反的截面圖；圖10A至圖IOC是依次示出圖7至圖9中示出的TFT陣列面板的制造方法的截面圖；圖12和圖13是分別沿著線xn-xii和xm-xin截取圖ii中示出的TFT陣列面板的截面圖；以及圖15和圖16是分別沿著線XV-XV和XVI-XVI截取圖14中示出的TFT陣列面々反的截面圖。具體實(shí)施方式在附圖中，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度為了清晰而被放大。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的一個(gè)元件^皮稱為在另一個(gè)元件"上，，時(shí)，其可直4妄在另一元件上或者可以存在插入元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為"直接在"另一個(gè)元件上時(shí)，則不存在插入元件。首先，參照?qǐng)D1至圖3，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)陣列面板。圖1是才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面^反的布局圖，圖2和圖3是分別沿著線n-n和ni-ni截取圖i中示出的tft陣列面板的截面圖。多條柵極線121和多條存儲(chǔ)電極線131形成在柔性絕緣基板110上?；?10可含有透明塑料等。同樣，基板110可含有聚醚石風(fēng)(PES)。阻擋層110a分別設(shè)置在基板110的兩個(gè)表面上。阻擋層110a防止氧氣或濕氣進(jìn)入基板110。阻擋層110a可由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成?？梢允∪プ钃鯇?10a中的至少一個(gè)。柵極線121傳送選通信號(hào)，并且基本上沿著橫向延伸。每條柵極線121均包括向下突出的多個(gè)柵電極124以及具有用于與另一層或外部電路相接觸的較大面積的端部129。用于產(chǎn)生選通信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電i各(未示出)可安裝在柔性印刷電路(FPC)薄膜(未示出)上，其中柵極驅(qū)動(dòng)電路可附于基板110、直接安裝在基板110上，或者與基纟反110集成在一起。4冊(cè)才及線121可延伸成連4妄于與基板110結(jié)合在一起的驅(qū)動(dòng)電路。存儲(chǔ)電極線131被提供有預(yù)定電壓，并且每條存儲(chǔ)電極線131第一和第二存儲(chǔ)電極133a和133b。每條存儲(chǔ)電極線131均設(shè)置在兩個(gè)相鄰的柵^及線121之間，并且干線靠近兩個(gè)相鄰的棚4及線121中的一個(gè)。每個(gè)存4諸電4及133a和133b均具有連4姿于干線的固定端部以及與固定端部相對(duì)設(shè)置的自由端部。第一存儲(chǔ)電極133a的固定端部具有較大面積，并且其自由端部分成線性支線和彎曲支線。4旦是，存儲(chǔ)電才及線131可具有各種形狀和排列。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可由含鋁金屬(例如Al和Al合金)、含銀金屬(例如Ag和Ag合金)、含銅金屬(例如Cu和Cu合金)、含鉬金屬(例如Mo和Mo合金)、Cr、Ta、或者Ti制成。但是，它們可具有包括兩個(gè)導(dǎo)電薄膜(未示出)(具有不同的物理特性)的多層結(jié)構(gòu)。這兩個(gè)薄膜中的一個(gè)可由包括含鋁金屬、含銀金屬、以及含銅金屬的低電阻率金屬制成，用于減小信號(hào)延遲或電壓下降。另一個(gè)薄膜可由與其它材料(例如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO))具有良好的物理、化學(xué)、以及電接觸特性的材料制成，例如含鉬金屬、Cr、Ta、或者Ti。這兩個(gè)薄膜的較佳結(jié)合實(shí)例是下Cr薄膜和上Al(合金)薄膜，以及下Al(合金)薄膜和上Mo(合金)薄膜。但是，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可由各種金屬或?qū)w制成。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的橫向側(cè)相對(duì)于基板110的表面傾斜，并且其傾斜角度在大約30度至大約80度的范圍。由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131之間。柵極絕緣層140的厚度可薄于大約5500A,并且優(yōu)選為大約2000A至大約5500A?？捎蓺浠蔷Ч?縮寫為"a-Si")或多晶硅制成的多個(gè)半導(dǎo)體帶151形成在柵極絕緣層140上。每個(gè)半導(dǎo)體帶151基本沿著縱向延伸，并且包括朝向柵電極121分出的多個(gè)突起154。半導(dǎo)體帶151在棚-極線121和存4諸電纟及線131附近變寬，4吏得半導(dǎo)體帶151覆蓋柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的較大面積。多個(gè)歐姆4妾觸帶和歐姆4妾觸島161和165形成在半導(dǎo)體帶151上。歐姆接觸161和165優(yōu)選由高摻雜有n型雜質(zhì)(例如磷)的n+氫化a-Si制成，或者由義圭制成。每個(gè)歐姆4妾觸帶161包4舌多個(gè)突起163，并且突起163和歐姆接觸島165成對(duì)地位于半導(dǎo)體帶151的突起154上。半導(dǎo)體帶151以及歐姆4妄觸161和165可在大約IO(TC至大約180。C的溫度下以及以大約300W或更4氐的射頻(RF)功率(例如大約150W至大約300W)通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)來(lái)沉積。半導(dǎo)體帶151以及歐姆4妄觸161和165的一黃向側(cè)相對(duì)于基一反110的表面傾斜，并且其傾斜角度在大約30度至大約80度的范圍。多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在歐姆接觸161和165以及4冊(cè)才及絕^彖層140上。數(shù)據(jù)線171傳送數(shù)據(jù)信號(hào)并且基本上沿著縱向延伸以與斥冊(cè)極線121相交。每條數(shù)據(jù)線171也與存儲(chǔ)電極線131相交，并且在相鄰對(duì)的存儲(chǔ)電極133a和133b之間延伸。每條數(shù)據(jù)線171均包括朝向柵電極124突起并且彎曲成字母J形的多個(gè)源電極173以及用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電鴻4妾觸的端部179。用于產(chǎn)生凄t據(jù)信號(hào)的凄"居驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可安裝在FPC薄膜(未示出)上，其中數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路可附于基板IIO、直接安裝在基板110上，或者集成在基板110上。數(shù)據(jù)線171可延伸成連接于可集成在基纟反110上的驅(qū)動(dòng)電路。漏電極175與數(shù)據(jù)線171分開，并且關(guān)于柵電極124與源電極173相對(duì)設(shè)置。每個(gè)漏電極175均包括寬端部和窄端部。寬端部與存儲(chǔ)電極線131交迭，并且窄端部被源電極173部分地包圍。柵電極124、源電極173、以及漏電極175連同半導(dǎo)體帶151的突起154—起形成具有溝道的TFT，其中溝道形成于設(shè)置在源電才及173與漏電才及175之間的突起154中。數(shù)據(jù)線171和漏電極175可由難熔金屬(例如Mo、Cr、Ta、Ti或者其合金)制成。但是，它們可具有包括難熔金屬薄膜(未示出)和低電阻率薄膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)例是包括下Cr/Mo(合金)薄膜和上Al(合金)薄膜的雙層結(jié)構(gòu)，以及下Mo(合金)薄膜、中Al(合金)薄膜、和上Mo(合金)薄膜的三層結(jié)構(gòu)。但是，數(shù)據(jù)線171和漏電極175可由各種金屬或?qū)w制成。數(shù)據(jù)線171和漏電才及175具有傾斜的邊緣4侖廓，并且其傾斜角度在大約30度至大約80度的范圍。歐姆接觸161和165僅設(shè)置在下面的半導(dǎo)體151與上面的導(dǎo)體171和175之間，并且減小其間的4妾觸電阻。盡管半導(dǎo)體帶151在大部分位置比數(shù)據(jù)線171窄，但是如上所述半導(dǎo)體帶151的寬度在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131附近變大，以使表面的輪廓平滑，從而防止數(shù)據(jù)線171斷開。但是，半導(dǎo)體帶151包括一些沒(méi)有^皮凄t據(jù)線171和漏電極175覆蓋的露出部，例如位于源電極173與漏電極175之間的丟卩分。鈍化層180形成在婆t據(jù)線171、漏電才及175、以及半導(dǎo)體帶151的露出部上。#/[匕層180可由無(wú)4幾絕^彖體或有4幾絕鄉(xiāng)彖體制成，并且其可具有平坦的頂面。無(wú)機(jī)絕緣體的實(shí)例包括氮化硅和氧化硅。有機(jī)絕緣體可具有感光性以及小于大約4.0的介電常數(shù)。鈍化層180可包括無(wú)機(jī)絕緣體的下薄膜和有機(jī)絕緣體的上薄膜，使得其在防止半導(dǎo)體帶151的露出部受到有機(jī)絕緣體損害的同時(shí)仍能利用到有機(jī)絕緣體的極好的絕緣特性。鈍化層180具有分別露出數(shù)據(jù)線171的端部179和漏電極175的多個(gè)接觸孔182和185。鈍化層180和柵極絕緣層140具有露出柵極線121的端部129的多個(gè)接觸孔181、露出存儲(chǔ)電極線131的靠近第一存儲(chǔ)電極133a固定端部的部分的多個(gè)接觸孔183a、以及露出第一存^f諸電4及133a的自由端部的線性支線的多個(gè)沖妾觸孔183b。多個(gè)像素電極191、多條跨接線(overpass)83、以及多個(gè)接觸助件81和82形成在4屯化層180上。它們可以由例如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或者例如Ag、Al、Cr或其合金的反射導(dǎo)體制成。使得像素電極191從漏電極175接收數(shù)據(jù)電壓。被提供有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與被提供有共用電壓的相對(duì)顯示面板(未示出)的共用電極(未示出)一起產(chǎn)生電場(chǎng)，該電場(chǎng)決定設(shè)置在兩個(gè)電才及之間的液晶層(未示出)的液晶分子(未示出)的定向，以確定穿過(guò)'液曰曰曰層的光的<扁(polarization)。像素電極191和共用電極形成被稱為"液晶電容器"的電容器，電容器在TFT斷開之后儲(chǔ)存外加電壓。像素電極191和與像素電極連接的漏電極175與包括存儲(chǔ)電極133a和133b的存儲(chǔ)電極線131交迭。像素電極191、與像素電極連接的漏電極175、以及存儲(chǔ)電極線131形成^C稱為"存儲(chǔ)電容器"的附加電容器，這增強(qiáng)了液晶電容器的電壓存儲(chǔ)容量。4妾觸助件81和82通過(guò)4妄觸孔181和182分別連4妾于柵-4及線121的端部129和凄t據(jù)線171的端部179。4妄觸助件81和82^f呆護(hù)端部129和179，并且增強(qiáng)端部129和179與外部裝置之間的粘附力?？缃泳€83橫跨柵極線121，并且通過(guò)接觸孔183a和183b分別連4妄于存4諸電4及線131的露出部和存4諸電才及133b的自由端部的露出線性支線，這兩個(gè)露出部分關(guān)于柵極線121彼此相對(duì)設(shè)置。包括存儲(chǔ)電極133a和133b的存儲(chǔ)電極線131連同跨接線83—起能夠被用來(lái)彌補(bǔ)柵極線121、數(shù)據(jù)線171或者tft中的缺陷?，F(xiàn)在連同圖1至圖3—起參照?qǐng)D4至圖16，將對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1至圖3中示出的tft陣列面板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。圖4、圖7、圖11和圖14是4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的tft陣列面板在其制造方法的中間步驟的布局圖。圖5和圖6是分別沿著線v-v和vi-vi截取圖4中示出的tft陣列面板的截面圖。圖8和圖9是分別沿著線vni-vm和ix-ix截取圖7中示出的tft陣列面板的截面圖，圖10a至圖10c是依次示出圖7至圖9中示出的tft陣列面一反的制造方法的截面圖，圖12和圖13是分別沿著線xii-xii和xiii-xiii截取圖11中示出的tft陣列面板的截面圖，以及圖15和圖16是分別沿著線xv-xv和xvi-xvi截取圖14中示出的tft陣列面^^的截面圖。參照?qǐng)D4至圖6，金屬層設(shè)置在覆蓋有阻擋層110a的絕緣基板110上，并且通過(guò)光刻法和蝕刻法而^皮圖樣化，以形成包括多個(gè)棚-電極124和端部129的多條柵極線121以及包括多個(gè)存儲(chǔ)電極133a和133b的多條存儲(chǔ)電極線131。這里，基板110可含有塑料。同樣，基板110可含有不具有雙折射并且具有高透射率、高耐熱性、以及高耐化學(xué)性的pes。接著，柵極絕緣層140設(shè)置在基板110上，然后多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶164以及包括多個(gè)突起154的多個(gè)本征半導(dǎo)體帶151形成在柵電極124上，如圖7至圖9所示?，F(xiàn)在參照?qǐng)DIOA至圖10C,將對(duì)柵極絕緣層140、本征半導(dǎo)體帶151和非本征半導(dǎo)體帶164進(jìn)行詳細(xì)描述。參照?qǐng)DIOA，由SiNx制成的柵極絕緣層140通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等來(lái)沉積。這里，4冊(cè)4及絕纟彖層140可具有大約5500A或更薄的厚度，特別地是大約2000A至大約5500A。此后，通過(guò)在大約2000Torr的壓力下以及大約13(TC的溫度下供應(yīng)氫氣(H2)大約30秒，柵極絕緣層140受到氫等離子體處理，如圖10B所示。氫等離子體處理可增強(qiáng)棚4及絕^彖層140與上面的薄膜之間的4姿觸4爭(zhēng)性。此后，本征a-Si層150和非本;f正a-Si層160一皮依次沉積在氫等離子體處理過(guò)的柵極絕緣層140上，如圖10C所示。這里，本征a-Si層150和非本征a-Si層160可在大約100。C至大約180。C的溫度下以及以大約300W或更低的射頻(RF)功率(例如大約150W至大約300W)通過(guò)PECVD等來(lái)沉積。然后，本;f正a-Si層150和非本;f正a-Si層160通過(guò)光刻法和蝕刻法而被圖樣化，以形成多個(gè)本征半導(dǎo)體帶151和多個(gè)非本征半導(dǎo)體帶164。參照?qǐng)D11至圖13，金屬層^皮:沉積，并且通過(guò)光刻法和蝕刻法而被圖樣化，以形成包括多個(gè)源電極173和端部179的多條數(shù)據(jù)線171以及多個(gè)漏電才及175。此后，非本4正半導(dǎo)體帶164的沒(méi)有祐Jt據(jù)線171和漏電極175覆蓋的露出部^皮去除，以完成包括突起163和多個(gè)歐姆4妄觸島165的多個(gè)歐姆4妄觸帶161,并露出本4正半導(dǎo)體帶151的部分。接著，鈍化層180被沉積，并且連同4冊(cè)極絕緣層140—起通過(guò)光刻法(和蝕刻法)而凈皮圖樣化，以形成多個(gè)接觸孔181、182、183a、183b和185，io圖14至16所示。例如ITO或IZO的透明導(dǎo)電層通過(guò)賊射等來(lái)沉積，并JU妄著通過(guò)光刻法和蝕刻法而凈皮圖才羊4匕，以在4屯4匕層180上形成多個(gè)l象素電極191、多個(gè)接觸助件81和82、以及多個(gè)跨接線83。最后，具有上述薄膜的基板110在大約15(TC下受到退火大約一小時(shí)或更久，特別地是大約三小時(shí)或更久。退火可以使半導(dǎo)體151穩(wěn)定?，F(xiàn)在，將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的TFT的根據(jù)實(shí)驗(yàn)性實(shí)例的性能特性變化進(jìn)行描述。在實(shí)驗(yàn)性實(shí)例中，為了測(cè)量柵極絕緣層的厚度對(duì)TFT的性能特性的影響，具有大約4000A，大約4500A，大約5000A，以及大約5500A厚度的4冊(cè)4及絕纟彖層分別形成在TFT中，然后測(cè)量TFT的性能。這里，除了柵極絕緣層的厚度不同，條件是相同的。根據(jù)試驗(yàn)的結(jié)果在表1中示出。閾電壓(Vs)I。n/I。ff(V)x10611.10.510.61.810.42.010.23.0參照表1,包括大約5500A或更薄厚度的柵極絕緣層的TFT的電流特性滿足用于LCD的TFT的所期望的電流特性。同樣，柵極絕緣層越薄，接通電流與斷開電流的比率(I。n/I。ff)就變得越大。但16才冊(cè)才及絕纟彖層的厚度(A)5500500045004000移動(dòng)性(cm2/Vs)0.060.0750.070.09接通電流(I,(iaA)0.100.180.200.30表1TFT的性能特性n)斷開電流(I。ff)(PA)0.20.10.10.1是，如果柵極絕緣層薄于大約2000A,柵極絕緣層可能就不會(huì)使柵電極與上面的薄膜絕緣。因此，才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面才反可具有包括大約2000A至大約5500A厚度的柵極絕緣層的TFT,這樣就保持了TFT的性能特性，并且柵極絕緣層的絕緣特性不會(huì)被損壞。在另一實(shí)驗(yàn)性實(shí)例中，為了測(cè)量半導(dǎo)體層的沉積溫度對(duì)TFT的性能特性的影響，用于TFT的a-Si層分別在大約IO(TC、大約130°C、大約150。C和大約180。C的溫度下，在大約1500Torr的壓力下并且以大約200W的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)沉積，并且a-Si層在大約15(TC下受到退火大約一小時(shí)。然后測(cè)量TFT的性能。這里，除了沉積溫度不同，條件是相同的。根據(jù)試驗(yàn)的結(jié)果在表2中示出。闊電壓(Vs)I。n/I。ff(V)x1069.71.07.824.65.813905.1604參照表2，包括在大約IO(TC至大約180。C沉積的半導(dǎo)體薄膜的TFT具有的接通電流與斷開電流的比率(I。n/I。ff)大于用于LCD的TFT的期望的電流特性。特別地，包括在低于已知沉積溫度的大約IO(TC至大約130。C的溫度下沉積并且受到退火的半導(dǎo)體薄膜的TFT也滿足用于LCD的TFT的期望的電流特性。在另一實(shí)-驗(yàn)性實(shí)例中，為了測(cè)量半導(dǎo)體層的沉積RF功率刈-TFT的性能特性的影響，用于TFT的a-Si層在大約1500Torr的壓力和大約IO(TC的溫度下，分別以大約150W、大約200W、大約300W、大約400W和大約500W的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)沉積，17沉積溫度rc)100130150180移動(dòng)性(cm2/Vs)0.20.810.460.54接通電流(Ic0.331.672.343.02表2TFT的性能特性n)斷開電流(I。ff)(PA)0.30.0680.0060.005并且a-Si層在大約150。C下受到退火大約三小時(shí)。然后測(cè)量TFT的性能。這里，除了RF功率不同，條件是相同的。根據(jù)試驗(yàn)的結(jié)果在表3中示出。闊電壓(Vs)I。n/I。ff(V)x1066.8108.3710.5111.10.611.90.7參照表3,包括以大約150W至大約300W的RF功率沉積的半導(dǎo)體層的TFT的電流特性具有的4妄通電流與斷開電流的比率(I。n/I。ff)大于用于LCD的TFT的期望的電流特性。但是，包括以大約400W至大約500W的RF功率沉積的半導(dǎo)體層的TFT的電流特性具有的接通電流與斷開電流的比率(I。n/I。ff)小于用于LCD的TFT的期望的電流特性。因此，如果TFT的半導(dǎo)體層才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例以大約150W至大約300W的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)沉積，即使TFT的半導(dǎo)體層在低于已知沉積溫度的大約IO(TC的溫度下被沉積，TFT也會(huì)具有良好的性能特性。在另一實(shí)驗(yàn)性實(shí)例中，為了測(cè)量半導(dǎo)體層的退火對(duì)TFT的性能特性的影響，TFT形成在極板上，然后基板在大約150。C分別受到退火大約一'卜時(shí)和三小時(shí)，并且一個(gè)基纟反不受到退火。然后測(cè)量TFT的性能。這里，除了退火，條件是相同的。根據(jù)試驗(yàn)的結(jié)果在表4中示出。RF功率(W)150200300400500表3TFT的性能特性<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>退火時(shí)間(小時(shí))表4TFT的性能特性<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>參照表4，受到退火的TFT具有優(yōu)于未退火的TFT的性能。同樣，受到退火的TFT的電流特性具有的4妾通電流與斷開電流的比率(I。n/I。ff)幾乎等于或大于用于LCD的TFT的期望的電流特性。特別地，與受到三小時(shí)退火的TFT中的4妄通電流與斷開電流的比率一才羊，4姿通電;;危也增力口。因此，即使在低于已知的沉積溫度的溫度下形成TFT陣列面板以防止塑料基板由于高溫而變形，也可以保持并增強(qiáng)才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的TFT性能。雖然已經(jīng)結(jié)合目前認(rèn)為是可實(shí)施的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不局限于所公開的實(shí)施例，而是相反地，旨在覆蓋包含在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種更改和等同設(shè)置。權(quán)利要求1.一種用于LCD的顯示面板的制造方法，包括在柔性絕緣基板上形成柵極線；在所述柵極線上沉積柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；以及在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏電極，其中，所述半導(dǎo)體層的形成在大約100℃至大約180℃通過(guò)PECVD來(lái)完成。2.才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層的形成以大約300W或更^f氐的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)完成。3.4艮據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層的形成以大約150W至大約300W的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)完成4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柵極絕緣層薄于大約5500A。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述柵極絕緣層具有大約2000A至大約5500A的厚度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在沉積所述柵極絕緣層之后在所述柵極絕緣層上執(zhí)行氫等離子體處理。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述氫等離子體處理通過(guò)在大約2000Torr的壓力下以及大約130。C的溫度下供應(yīng)H2大約30秒來(lái)完成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述數(shù)據(jù)線和所述漏電極之后對(duì)具有多個(gè)薄膜的所述基板進(jìn)行退火。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述退火在15(TC執(zhí)行大約一'j、時(shí)或更久。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述退火在15(TC執(zhí)行大約三小時(shí)。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣基板含有塑料。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣基板含有PES。13.—種用于LCD的顯示面4反，包4舌柔性絕緣基板；才冊(cè)才及線，形成在所述基一反上；柵極絕緣層，形成在所述柵極線上，具有大約2000A至大約5500A的厚度，并受到氫等離子體處理；半導(dǎo)體層，形成在所述棚4及絕纟彖層上，并且在大約100°C至180。C通過(guò)PECVD來(lái)沉積；以及包括源電才及的^t據(jù)線和漏電才及，形成在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，所述半導(dǎo)體層以大約300W或更4氐的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)沉積。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中，所述半導(dǎo)體層以大約150W至大約300W的RF功率通過(guò)PECVD來(lái)沉積。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，所述氫等離子體處理通過(guò)在大約2000Torr的壓力下以及大約130。C的溫度下供應(yīng)H2大約30禾少來(lái)完成。17.才艮據(jù);f又利要求13所述的顯示面^1，其中，所述顯示面^反在150。C受到退火大約一小時(shí)或更久。18.才艮據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面外反，其中，所述顯示面板在150。C受到退火大約三小時(shí)。19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，所述絕緣基板含有塑料。20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，所述絕緣基板含有PES。全文摘要一種用于LCD的顯示面板的制造方法，包括在柔性絕緣基板上形成柵極線；在柵極線上沉積柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；以及在半導(dǎo)體層和柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和漏電極。半導(dǎo)體層的形成可以在大約100℃至大約180℃通過(guò)PECVD來(lái)完成，柵極絕緣層可具有大約2000至5500的厚度。該方法進(jìn)一步包括在沉積柵極絕緣層之后在柵極絕緣層上執(zhí)行氫等離子體處理；以及在形成數(shù)據(jù)線和漏電極之后對(duì)具有多個(gè)薄膜的基板進(jìn)行退火。絕緣基板可含有PES。文檔編號(hào)H01L21/336GK101131495SQ20071014306公開日2008年2月27日申請(qǐng)日期2007年8月22日優(yōu)先權(quán)日2006年8月23日發(fā)明者伊萬(wàn)·尼庫(kù)林,全亨一,盧南錫,金相日,黃泰亨申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社