專利名稱：層疊型貫通電容器陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種層疊型貫通電容器陣列。
技術(shù)背景目前，作為層疊型貫通電容器陣列公知有，通過將多個信號用內(nèi) 部電極和多個接地用內(nèi)部電極隔著絕緣體層進行層疊，而沿著層疊方向形成有多個電容器而構(gòu)成(例如，參照日本國特幵平11 - 97291)。 發(fā)明內(nèi)容然而，在日本特開平11 - 97291號公報中記載的層疊型貫通電容 器陣列中，僅利用信號用內(nèi)部電極和接地用內(nèi)部電極組合而形成電容。 所以，在日本國特開平11 - 97291號公報所述的層疊型貫通電容器陣 列中，僅形成有貫通電容器。因此，日本國特開平11 - 97291號公報 所述的層疊型貫通電容器陣列，沒有對同時除去共模噪聲(Common Mode Noise)和差模噪聲(Differential Mode Noise)進行任何探討。本發(fā)明提供了一種層疊型貫通電容器陣列，能夠除去共模噪聲以 及差模噪聲這兩種噪聲。本發(fā)明的層疊型貫通電容器陣列，其特征在于，包括電容器素 體；配置在電容器素體的外表面上的至少2個第1信號用端子電極； 配置在電容器素體的外表面上的至少2個第2信號用端子電極；配置 在電容器素體的外表面上的至少1個第1接地用端子電極；配置在電 容器素體的外表面上的至少1個第2接地用端子電極，電容器素體具 有被層疊的多層絕緣體層；第1以及第2信號用內(nèi)部電極；和第1 以及第2接地用內(nèi)部電極，第1信號用內(nèi)部電極與至少2個第1信號 用端子電極連接，第2信號用內(nèi)部電極與至少2個第2信號用端子電 極連接，第1接地用內(nèi)部電極與至少1個第1接地用端子電極連接， 第2接地用內(nèi)部電極與至少1個第2接地用端子電極連接，第1信號 用內(nèi)部電極以及第2接地用內(nèi)部電極分別包括，在之間夾著多個絕緣 體層中的至少一層絕緣體層并相對的部分，第2信號用內(nèi)部電極以及 第1接地用內(nèi)部電極分別包括，在之間夾著多個絕緣體層中的至少一 層絕緣體層并相對的部分，第1信號用內(nèi)部電極以及第2信號用內(nèi)部 電極分別包括，在之間夾著多個絕緣體層中的至少一層絕緣體層并相 對的部分。上述的層疊型貫通電容器陣列，除了具有通過使信號用內(nèi)部電極 和接地用內(nèi)部電極相對而形成的電容器，還具有通過使信號用內(nèi)部電 極相對而形成電容器。由信號用內(nèi)部電極和接地用內(nèi)部電極形成的電 容器，作為除去共模噪聲的電容器而起作用。另一方面，由信號用內(nèi) 部電極形成加電容器，作為除去差模噪聲的電容器而起作用。所以， 利用該層疊型貫通電容器陣列可以除去共模噪聲和差模噪聲這兩種噪 聲。另外，由于信號用內(nèi)部電極全部貫通，所以能夠減小等效串聯(lián)電感(ESL)。并且，在該層疊電容器陣列中，第l以及第2信號用內(nèi)部電極具有夾著絕緣層并相對的部分。因此，與如同以往的電容器陣列，第1以及第2信號用內(nèi)部電極不是夾著絕緣體層且相對的情況相比，電流流過的路徑增加。由此，能夠減小等效串聯(lián)電感。第1信號用內(nèi)部電極以及第1接地用內(nèi)部電極，配置在多個絕緣層中的同一絕緣體層上，第2信號用內(nèi)部電極以及第2接地用內(nèi)部電 極，配置在多個絕緣層中的同一絕緣體層上，在其上配置有第1信號 用內(nèi)部電極以及第1接地用內(nèi)部電極的同一絕緣體層，和在其上配置 有第2信號用內(nèi)部電極和第2接地用內(nèi)部電極的同一絕緣體層是不同 的絕緣體層。這種情況下，能夠在l個陶瓷生片(ceramic green sheet) 上同時形成與信號用內(nèi)部電極以及接地用內(nèi)部電極兩者相當應(yīng)的導(dǎo)體 圖案，而制造層疊型貫通電容器陣列。因此，能夠高效地制造。第1信號用內(nèi)部電極以及第2接地用內(nèi)部電極在之間所夾的至少 一層絕緣體層，第2信號用內(nèi)部電極以及第1接地用內(nèi)部電極在之間 所夾的至少一層絕緣體層，和第1信號用內(nèi)部電極以及第2信號用內(nèi) 部電極在之間所夾的至少一層絕緣體層為同一絕緣體層。這種情況下， 由于第1以及第2信號用內(nèi)部電極和第1以及第2接地用內(nèi)部電極，在之間夾著相同的絕緣體層而配置，所以能夠容易地控制層疊型貫通 電容器陣列所包含的電容器特性。
至少2個第1信號用端子電極中的一者，和至少2個第2信號用 端子電極中的一者，配置在電容器素體的外表面中的同一側(cè)面上，至少2個第1信號用端子電極中的另一者，和至少2個第2信號用端子 電極中的另一者，配置在電容器素體的外表面中的同-一側(cè)面上。這種 情況下，由于第1信號用端子電極和第2信號用端子電極連接于不同 極性的焊盤圖案(landpattern)等，所以能夠使流經(jīng)第1信號用內(nèi)部電 極的電流的方向和流經(jīng)第2信號用內(nèi)部電極的電流的方向成為相反。 因此，能夠減小等效串聯(lián)電感。第1以及第2信號用端子電極分別為3個以上，第1信號用內(nèi)部 電極，與3個以上的第l信號用端子電極連接，第2信號用內(nèi)部電極， 與3個以上的第2信號用端子電極連接。由于流出、流入信號用內(nèi)部 電極的電流的路徑增加，所以等效串聯(lián)電感進一步降低。本發(fā)明能夠提供一種除去共模噪聲以及差模噪聲這兩種噪聲的層 疊型電容器陣列。本發(fā)明將能夠通過僅以例子給出的下文的詳細描述和相關(guān)圖片得 到充分的理解，但并不能局限本發(fā)明。本發(fā)明的K遠應(yīng)用將因為下面的詳細描述變得明顯。然而，必須 要明確的是，在描述本發(fā)明的具體實施方式
的時候，詳細的描述和特 例僅僅只是被作為例子給出，這是因為本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本說 明書得知可以在不偏離本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)對本發(fā)明進行多種變化和 修改。


圖1是第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列的立體圖。 圖2是第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列所包含的電容器的 分解立體圖。圖3是用于說明電容器素體具有的內(nèi)部電極分別具有相對部分的圖。圖4是第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列的等效電路圖。 圖5是將第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列與電路連接的示 例的示意圖。
圖6是如圖5所示的將層疊型貫通電容器陣列與電路連接時的等 效電路圖。圖7是表示將第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列與電路連接的示例的圖。圖8是如圖7所示的將層疊型貫通電容器陣列與電路連接時的等 效電路圖。圖9是第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列的變形例所包含的電容器的分解立體圖。圖10是第2實施方式的層疊型貫通電容器陣列的立體圖。圖11是第2實施方式的層疊型貫通電容器陣列所包含的電容器的分解立體圖。圖12是說明電容器素體具有的內(nèi)部電極分別具有相對部分的示意圖。
具體實施方式
下面，參照附圖，對優(yōu)選的實施方式進行詳細說明。在說明中， 對同-一要素或具有同一功能的要素賦予同一符號，重復(fù)的說明省略。 (第1實施方式)參照圖 1以及圖2，對第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列CA1 的構(gòu)成進行說明。圖1是第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列的立 體圖。圖2是第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列所包含的電容器 的分解立體圖。如圖1所示，層疊型貫通電容器陣列CA1包括大致呈立方體行 狀的電容器素體Ll，形成在電容器素體Ll的外表面上的第1以及第2 信號用端子電極1A、 1B、 2A、 2B，和第1以及第2接地用端子電極3、 4。電容器素體L1包括相對且對應(yīng)于大致長方體的主面的第1以及 第2的側(cè)面Lla、 Llb，相對且沿著第1以及第2的側(cè)面Lla、 Lib的 短邊方向延伸的第3以及第4側(cè)面Llc、 Lld，相對且沿著第1以及第 2的側(cè)面Lla、 Llb的長邊方向延伸的第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf。第 3以及第4側(cè)面Llc、 Lld和第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf,延伸且連接 第1側(cè)面Lla、第2側(cè)面Llb。
在電容器素體L1的第5側(cè)面Lle上，形成有第l信號用端子電極 1A以及第2信號用端子電極2A。第1信號用端子電極1A以及第2信 號用端子電極2A，在從第3側(cè)面Llc到第4側(cè)面Lld的方向上，按照 第1信號用端子電極1A、第2信號用端子電極2A的順序定位。在電 容器素體Ll的第6側(cè)面Llf，形成有第1信號用端子電極1B以及第2 信號用端子電極2B。第1信號用端子電極1B以及第2信號用端子電 極2B，在從第3側(cè)面Llc到第4側(cè)面Lld的方向上，按照第l信號用 端子電極1B、第2信號用端子電極2B的順序定位。第1信號用端子電極1A、 1B，在第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf的 相對方向上相對。第2信號用端子電極2A、 2B，在第5以及第6側(cè)面 Lle、 Llf的相對方向上相對。在電容器素體L1的第3側(cè)面Llc上，形成有第2接地用端子電極 4。在電容器素體Ll的第4側(cè)面Lld上，形成有第1接地用端于電極 3。第1以及第2接地用端子電極3、 4，在第3以及第4側(cè)面Llc、 Lld 的相對方向上相向。第1以及第2信號用端子電極1A、 1B、 2A、 2B和第1以及第2 接地用端子電極3、4，例如通過在電容器素體L1的外表面涂敷含有導(dǎo) 電性金屬粉末以及玻璃粉(glass frit)的導(dǎo)電性漿料，進行燒結(jié)而形成。 必要的時候，也可以在燒結(jié)后的電極上形成鍍層。電容器素體L1，包括被層疊的多層(本實施方式中為3層)絕 緣體層10 12、第1信號用內(nèi)部電極20以及第1接地用內(nèi)部電極40、 第2信號用內(nèi)部電極30以及第2接地用內(nèi)部電極50。各絕緣層10 12， 沿著與第1以及第2側(cè)面Lla、 Lib平行的方向延伸。在電容器素體 Ll中，第l側(cè)面Lla和第2側(cè)面Llb相對的方向是多層絕緣體層10 12 的層疊方向。各絕緣體層10 12，例如由含有陶瓷的陶瓷生片的燒結(jié)體構(gòu)成。在 實際的層疊型貫通電容器陣列CAi中，各絕緣層10~12，以各絕緣層 10 12之間的界線無法辨認的程度一體化形成。各內(nèi)部電極20、 30、 40、 50，由導(dǎo)電性漿料的燒結(jié)體構(gòu)成。第1信號用內(nèi)部電極20以及第2接地用內(nèi)部電極50配置為，分 別具有在其間挾著作為多層絕緣體層10 12中的一層的絕緣體層11而 相對的部分。第2信號用內(nèi)部電極30以及第1接地用內(nèi)部電極40配置為，分別具有在其間挾著作為多層絕緣體層10 12中的一層的絕緣 體層ll而相對的部分。第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30配置為， 分別具有在其間挾著作為多層絕緣體層10~12中的一層的絕緣體層11 而相對的部分。如圖2所示，第1信號用內(nèi)部電極20，與第1接地用內(nèi)部電極40 配置在同一面內(nèi)。gP，第1信號用內(nèi)部電極20和第1接地用內(nèi)部電極 40，被配置在多層絕緣體層10~12中的同一絕緣層U上。第1信號用 內(nèi)部電極20和第1接地用內(nèi)部電極40，具有規(guī)定的間隔，并排設(shè)置在 第3側(cè)面Llc和第4側(cè)面Lld相對的方向上。第1信號用內(nèi)部電極20 和第1接地用內(nèi)部電極40電絕緣。如圖2所示，第2信號用內(nèi)部電極30，與第2接地用內(nèi)部電極50 配置在同一面內(nèi)。即，第2信號用內(nèi)部電極20和第2接地用內(nèi)部電極 50，被配置在多層絕緣體層10 12中的同一絕緣層12上。第2信號用 內(nèi)部電極20和第2接地用內(nèi)部電極50，被配置在不同于在其上配置有 第1信號用內(nèi)部電極20和第1接地用內(nèi)部電極40的絕緣體層11的絕 緣體層12上。第2信號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部電極50，具 有規(guī)定的間隔，并排設(shè)置在第3側(cè)面Llc和第4側(cè)面Lld相對的方向 上。第2信號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部電極50電絕緣。第1信號用內(nèi)部電極20以及第2接地用內(nèi)部電極50在之間所夾 的絕緣體層，第2信號用內(nèi)部電極30以及第1接地用內(nèi)部電極40在 之間所夾的絕緣體層，第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30在之間所 夾的絕緣體層均是絕緣體層11，是同一絕緣體層。第l信號用內(nèi)部電極20，包括四邊分別與第3以及第4側(cè)面Llc、 Lld和第5以及第6的側(cè)面Lle、 Llf平行的四邊形的主電極部21;從 主電極部21延伸到第5側(cè)面Lle的引出部22;從主電極部21延伸到 第6側(cè)面Llf的引出部23。第1信號用內(nèi)部電極20，跨越第5側(cè)面Lie 至第6側(cè)面Llf而貫通電容器素體Ll。如上所述，主電極部21距離第1接地用內(nèi)部電極40有規(guī)定的間 隔，而且距離第3以及第4側(cè)面Llc、 Lld和第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf中的任何一個有規(guī)定的間隔。引出部22，被引出到第5側(cè)面Lle， 與第1信號用端子電極1A電連接且物理連接。引出部23，被引出到第6側(cè)面Llf，與第1信號用端子電極1B電連接且物理連接。因此， 第1信號用內(nèi)部電極20，與第1信號用端子電極1A、 1B電連接。第1接地用內(nèi)部電極40，包括四邊分別與第3以及第4的側(cè)面 Llc、 Lld和第5以及第6的側(cè)面Lle、 Llf平行的四邊形的主電極部 41;從主電極部41延伸到第4側(cè)面Lld的引出部42。如上所述，主電極部41距離與第1信號用內(nèi)部電極20有規(guī)定的 間隔，而且距離第3以及第4側(cè)面Llc、 Lld和第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf中的任何一個有規(guī)定的間隔。引出部42，被引出到第4側(cè)面Lld， 與第1接地用端子電極3電連接且物理連接。因此，第1接地用內(nèi)部 電極40，與第1接地用端子電極3電連接。第2信號用內(nèi)部電極30，包括四邊分別與第3以及第4的側(cè)面 Llc、 Lld和第5以及第6的側(cè)面Lle、 Llf平行的四邊形的主電極部 31;從主電極部31延伸到第5側(cè)面Lle的引出部32;從主電極部31 延伸到第6側(cè)面Llf的引出部33。第2信號用內(nèi)部電極30，跨越第5 側(cè)面Lie到第6側(cè)面Llf而貫通電容器素體LI 。如上所述，主電極部31距離第2接地用內(nèi)部電極50有規(guī)定的間 隔，而且距離第3以及第4側(cè)面Llc、 Lld和第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf中的任何一個有規(guī)定的間隔。引出部32，被引出到第5側(cè)面Lle， 與第2信號用端子電極2A電連接且物理連接。引出部33，被引出到 第6側(cè)面Llf，與第2信號用端子電極2B電連接且物理連接。因此， 第2信號用內(nèi)部電極30，與第2信號用端子電極2A、 2B電連接。第2接地用內(nèi)部電極50，包括四邊分別與第3以及第4的側(cè)面 Llc、 Lld和第5以及第6的側(cè)面Lle、 Llf平行的四邊形的主電極部 51;從主電極部51延伸到第3側(cè)面Llc的引出部52。如上所述，主電極部51距離第2信號用內(nèi)部電極30有規(guī)定的間 隔，而且距離第3以及第4側(cè)面Llc、 Lld和第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf中的任何一個有規(guī)定的間隔。引出部52,被引出到第3側(cè)面Llc， 與第2接地用端子電極4電連接且物理連接。因此，第2接地用內(nèi)部 電極50，與第2接地用端子電極4電連接。參照圖3，對電容器素體L1擁有的內(nèi)部電極20、 30、 40、 50分別
具有相向的部分的情況進行說明。圖3是電容器素體L1擁有的內(nèi)部電極20、 30、 40、 50分別具有相向的部分的情形的示意圖。如圖3所示，第1信號用內(nèi)部電極20的主電極部21和第2接地用內(nèi)部電極50的主電極部51包括在之間夾著絕緣體層11而相對的部分。利用第l信號用內(nèi)部電極20和第2接地用內(nèi)部電極50的相向部分，形成第1電容器C1。如圖3所示，第2信號用內(nèi)部電極30的主電極部31和第1接地用內(nèi)部電極40的主電極部41包括在之間夾著絕緣體層11而相對的部分。利用第2信號用內(nèi)部電極30和第1接地用內(nèi)部電極40的相向部分，形成第2電容器C2。如圖3所示，第1信號用內(nèi)部電極20的主電極部21和第2信號用內(nèi)部電極30的主電極部31包括在之間夾著絕緣體層11而相對的部分。利用第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30的相向部分，形成第3電容器C3。如上，如圖4所示，在層疊型貫通電容器陣列CA1中形成3個電 容器C1、 C2、 C3。圖4是第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列的等 效電路圖。在圖5中表示將層疊型貫通電容器陣列CA1與電路連接的示例。 在圖5所示的示例中，將層疊型貫通電容器陣列CA1與從主配線71、 72分支的配線73、 74連接。具體的說，第1信號用端子電極1A、 1B 與配線73連接，第2信號用端子電極2A、 2B與配線74連接。第1 以及第2接地用端子電極3、 4分別接地。電流I,、 12分別流過主配線71、 72。電流112、 122分別流過分支的 配線73、 74。電流In、 121分別流過分支后的主配線71、 72。這種情況 下，在配線71和配線73的合流點上，也存在著從主配線71向配線73 逆流流動的電流113。另一方面，在配線72和配線74的合流點，也存 在著從主配線72向配線74逆流流動的電流123。圖6表示如圖5所示 將層疊型貫通電容器陣列CA1與電路連接時的等效電路圖。該連接方 式適用于有大電流流過的情況。圖7表示將層疊型貫通電容器陣列CA1與電路連接的另一實施方 式。在圖7所示的示例中，將層疊型貫通電容器陣列CA1與沒有分支
的主配線71、 72連接。具體地說，第1信號用端子電極1A、 1B與配 線71連接，第2信號用端子電極2A、 2B與配線72連接。第1以及 第2接地用端子電極3、 4分別接地。電流I,、 12分別流過主配線71、 72。圖8表示如圖7所示將層疊型貫通電容器陣列CA1與電路連接時 的等效電路圖。在層疊型貫通電容器陣列CA1中，除了具有通過使第l信號用內(nèi) 部電極20和第2接地用內(nèi)部電極50相對而形成的第1電容器C1，以 及通過使第2信號用內(nèi)部電極30和第1接地用內(nèi)部電極40相對而形 成的第2電容器C2，還具有通過使第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30相對而形成的第3電容器。由信號用內(nèi)部電極20、 30和接地用內(nèi)部 電極40、 50形成的第1以及第2電容器C1、 C2，作為除去共模噪聲 的電容器而起作用。另一方面，由第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30形成的第3電容器C3，作為除去差模噪聲的電容器而起作用。所以， 利用層疊型貫通電容器陣列CA1可以除去共模噪聲以及差模噪聲這兩 種噪聲。并且，由于第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30任何-一個貫通， 所以能夠減少等效串聯(lián)電感(ESL)。并且，在層疊型貫通電容器陣列CA1中，第1以及第2內(nèi)部電極 具有夾著絕緣體層11而相對的部分。因此，與以往的電容器陣列的第 1以及第2信號用內(nèi)部電極不是夾著絕緣體層且相對的情況相比，電流 流過的路徑增加。由此，在層疊型貫通電容器陣列CA1中，能夠減小 等效串聯(lián)電感。特別是層疊型貫通電容器陣列CA1具有兩種接地用內(nèi)部電極40、 50，各接地用內(nèi)部電極40、 50與相應(yīng)的信號用內(nèi)部電極20、 30分別 相對。因此，在層疊型貫通電容器陣列CA1中，電流流過的路徑進一 步增加，能夠進一步減小等效串聯(lián)電感。第1信號用內(nèi)部電極20和第1接地用內(nèi)部電極40，位于同一絕緣 體層11上。第2信號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部電極50，位于 同一絕緣體層12上。因此，在例如各絕緣體層10~12由陶瓷生片的燒 結(jié)體構(gòu)成的情況下，能夠在同一陶瓷生片上以導(dǎo)電性漿料形成第1信 號用內(nèi)部電極20以及第1接地用內(nèi)部電極40，并且能夠在同一陶瓷生
片上以導(dǎo)電性漿料形成第2信號用內(nèi)部電極30以及第2接地用內(nèi)部電 極50。 g卩，即使是制造具有4種內(nèi)部電極20、 30、 40、 50的電容器素 體L1，具有己準備好的導(dǎo)體圖案的陶瓷生片也只需兩種。結(jié)果，能夠 高效率地制造。第1信號用內(nèi)部電極20以及第2接地用內(nèi)部電極50在之間所夾 著的絕緣體層、第2信號用內(nèi)部電極30以及第1接地用內(nèi)部電極40 在之間所夾著的絕緣體層、和第1信號用內(nèi)部電極20以及第2信號用 內(nèi)部電極30在之間所夾著的絕緣體層，是同一絕緣體層11。這種情況 下，由于構(gòu)成層疊型貫通電容器陣列CA1所包括的各電容器C1、 C2、 C3的絕緣體層11是同一層，所以能夠容易地控制電容器C1、 C2、 C3 的特性。第1信號用端子電極1A和第2信號用端子電極2A，配置在作為 電容器素體Ll的同一側(cè)面的第5側(cè)面Lie上。第1信號用端子電極 1B和第2信號用端子電極2B，配置在作為電容器素體L1的同一側(cè)面 的第6側(cè)面Llf上。因此，在將第1信號用端子電極1A、 1B和第2 信號用端子電極2A、 2B與不同極性的焊盤圖案(land pattern)等連接 的情況下，流經(jīng)第1信號用內(nèi)部電極20的電流方向和流經(jīng)第2信號用 內(nèi)部電極30的電流方向互相相反。并且，第1信號用內(nèi)部電極20和 第2信號用內(nèi)部電極30，夾著絕緣體層ll相對。因此，由流經(jīng)第l信 號用內(nèi)部電極20的電流所得到的磁場和由流經(jīng)第2信號用內(nèi)部電極30 的電流所得到的磁場互相抵消，從而能夠減小等效串聯(lián)電感。接著，參照圖9，對第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列CA1 的變形例的構(gòu)成進行說明。圖9是第1實施方式的層疊型貫通電容器 陣列的變形例所包括的電容器素體L1的分解立體圖。圖9所示的層疊 型貫通電容器陣列與上述的第1實施方式的層疊型貫通電容器陣列 CA1的不同點在于，第l以及第2接地用內(nèi)部電極一體地形成。變形例的層疊型貫通電容器陣列中所包括的電容器素體Ll ，具有 層疊的多層(本實施方式中為4層)絕緣體層10 13，第1信號用內(nèi)部 電極20，第2信號用內(nèi)部電極30， 一體地形成的第1以及第2接地用 內(nèi)部電極40、 50。第1信號用內(nèi)部電極20以及第2接地用內(nèi)部電極50，分別包括在之間夾著絕緣體層ll、 12并相對的部分。第2信號用內(nèi)部電極30以 及第1接地用內(nèi)部電極40，分別包括在之間夾著絕緣體層12并相對的 部分。第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30，分別包括在之間夾著絕 緣體層11并相對的部分。在一體地形成的第1以及第2接地用內(nèi)部電極40、 50中，各接地 用內(nèi)部電極40、 50的主電極部41、 51成為一體，呈四邊分別與第3 以及第4側(cè)面Llc、 Lld和第5以及第6側(cè)面Lle、 Llf平行的四邊形 形狀。 一體形成的第1以及第2接地用內(nèi)部電極40、 50，跨越第3側(cè) 面Llc至第4側(cè)面Lld而貫通電容器素體Ll 。 (第2實施方式)參照圖10以及圖11，說明第2實施方式的層疊型貫通電容器陣列 CA2的構(gòu)成。第2實施方式的層疊型貫通電容器陣列CA2與第1實施 方式的層疊型貫通電容器陣列CA1的不同點在于，各信號用端子電極 數(shù)目。圖10是第2實施方式的層疊型貫通電容器陣列的立體圖。圖ll 是在第2實施方式的層疊型貫通電容器陣列中所包括的電容器素體的 分解立體圖。如圖IO所示，層疊型貫通電容器陣列CA2包括電容器素體L2， 形成在電容器素體L2的外表面上的第1以及第2信號用端子電極 1A 1D、 2A 2D，和第1以及第2接地用端子電極3、 4。電容器素體L2包括相對且與大致長方體的主面相對應(yīng)的第1以 及第2的側(cè)面L2a、 L2b，相對且沿著第1以及第2的側(cè)面L2a、 L2b 的短邊方向延伸的第3以及第4側(cè)面L2c、 L2d，相對且沿著第1以及 第2的側(cè)面L2a、 L2b的長邊方向延伸的第5以及第6側(cè)面L2e、 L2f。在電容器素體L2的第5側(cè)面L2e上，形成有第1信號用端子電極 1A、 1B以及第2信號用端子電極2A、 2B。第1信號用端子電極1A、 1B以及第2信號用端子電極2A、 2B，在從第3側(cè)面L2c到第4側(cè)面 L2d的方向上，按照第2信號用端子電極2A、第1信號用端子電極IA、 第2信號用端子電極2B、第1信號用端子電極1B的順序定位。在電容器素體L2的第6側(cè)面L2f上，形成有第1信號用端子電極 1C、 1D以及第2信號用端子電極2C、 2D。第1信號用端子電極1C、
ID以及第2信號用端子電極2C、 2D，在從第3側(cè)面L2c到第4側(cè)面 L2d的方向上，按照第2信號用端子電極2C、第1信號用端子電極1C、 第2信號用端子電極2D、第1信號用端子電極1D的順序定位。
第1信號用端子電極1A、 1C，在第5以及第6側(cè)面L2e、 L2f的 相對方向上相向。第1信號用端子電極1B、 1D，在第5以及第6側(cè)面 L2e、 L2f的相對方向上相向。第2信號用端子電極2A、 2C，在第5 以及第6側(cè)面L2e、 L2f的相對方向上相向。第2信號用端子電極2B、 2D，在第5以及第6側(cè)面L2e、 L2f的相對方向上相向。
第1以及第2信號用端子電極1C、 1D、 2C、 2D，與第1以及第2 信號用端子電極1A、 1B、 2A、 2B和第1以及第2接地用端子電極3、 4相同，例如通過在電容器素體L2的外表面上涂敷含有導(dǎo)電性金屬粉 末以及玻璃粉(glass frit)的導(dǎo)電性漿料，并燒結(jié)而形成。必要的時候， 也可以在燒結(jié)后的電極上形成鍍層。
如圖2所示，電容器素體L2包括層疊的多層(本實施方式中為 3層)絕緣體層10 12，第1信號用內(nèi)部電極20以及第1接地用內(nèi)部 電極40，第2信號用內(nèi)部電極30以及第2接地用內(nèi)部電極50。
第1信號用內(nèi)部電極20包括四邊分別與第3以及第4側(cè)面L2c、 L2d和第5以及第6的側(cè)面L2e、 L2f平行的大致四邊形形狀的主電極 部21，從主電極部21延伸到第5側(cè)面L2e的引出部22、 23，從主電 極部21延伸到第6側(cè)面L2f的引出部24、 25。第1信號用內(nèi)部電極 20，跨越第5側(cè)面L2e至第6側(cè)面L2f而貫通電容器素體L2。
在與主電極部21的第4側(cè)面L2d平行的邊的一部分上形成有向著 第3側(cè)面L2c側(cè)凹進的凹部26。引出部22，引出到第5側(cè)面L2e，與 第1信號用端子電極1A電連接且物理連接。引出部23，引出到第5 側(cè)面L2e，與第1信號用端子電極1B電連接且物理連接。引出部24， 引出到第6側(cè)面L2f，與第1信號用端子電極1C電連接且物理連接。 引出部25，引出到第6側(cè)面L2f，與第1信號用端子電極1D電連接且 物理連接。由此，第1信號用內(nèi)部電極20與第1信號用端子電極1A 1D 電連接。
第1接地用內(nèi)部電極40包括四邊分別與第3以及第4側(cè)面L2c、 L2d和第5以及第6的側(cè)面L2e、L2f平行的四邊形形狀的主電極部41，
和從主電極部41延伸到第4側(cè)面L2d的引出部42。主電極部41，距離第3以及第4側(cè)面L2c、 L2d和第5以及第6 側(cè)面L2e、 L2f的任何一個有規(guī)定的間隔。引出部42與主電極部41在 第5以及第6側(cè)面L2e、 L2f的相對方向上的寬度相同。所以，主電極 部41和引出部42成為一體，呈四邊形形狀。引出部42，引出到第4 側(cè)面L2d，與第1接地用端子電極3電連接且物理連接。因此，第1 接地用內(nèi)部電極40，與第1接地用端子電極3電連接且物理連接。第2信號用內(nèi)部電極30包括四邊分別與第3以及第4側(cè)面L2c、 L2d和第5以及第6的側(cè)面L2e、 L2f平行的大致四邊形形狀的主電極 部31，從主電極部31延伸到第5側(cè)面L2e的引出部32、 33，從主電 極部31延伸到第6側(cè)面L2f的引出部34、 35。第2信號用內(nèi)部電極 30，跨越第5側(cè)面L2e至第6側(cè)面L2f而貫通電容器素體L2。在與主電極部31的第3側(cè)面L2c平行的邊的一部分上形成有向著 第4側(cè)面L2d側(cè)凹進的凹部36。引出部32，引出到第5側(cè)面L2e，與 第2信號用端子電極2A電連接且物理連接。引出部33，引出到第5 側(cè)面L2e，與第2信號用端子電極2B電連接且物理連接。引出部34， 引出到第6側(cè)面L2f，與第2信號用端子電極2C電連接且物理連接。 引出部35，引出到第6側(cè)面L2f，與第2信號用端子電極2D電連接且 物理連接。由此，第2信號用內(nèi)部電極30與第2信號用端子電極2A 2D 電連接。第2接地用內(nèi)部電極50包括四邊分別與第3以及第4側(cè)面L2c、 L2d和第5以及第6的側(cè)面L2e、L2f平行的四邊形形狀的主電極部51， 和從主電極部51延伸到第4側(cè)面L2d的引出部52。主電極部51，距離第3以及第4側(cè)面L2c、 L2d和第5以及第6 側(cè)面L2e、 L2f的任何一個有規(guī)定的間隔。引出部52與主電極部51在 第5以及第6側(cè)面L2e、 L2f的相對方向上的寬度相同。所以，主電極 部51和引出部52成為一體，呈四邊形形狀。引出部52，引出到第3 側(cè)面L2c，與第2接地用端子電極4電連接且物理連接。因此，第2 接地用內(nèi)部電極50，與第2接地用端子電極4電連接且物理連接。第1接地用內(nèi)部電極40配置為，主電極部41位于形成在第1信 號用內(nèi)部電極20的第4側(cè)面L2d側(cè)的邊上的凹部26內(nèi)側(cè)。第2接地
用內(nèi)部電極50配置為，主電極部51位于形成在第2信號用內(nèi)部電極30的第3側(cè)面L2c側(cè)的邊上的凹部36內(nèi)側(cè)。參照圖12，對電容器素體L2所具有的內(nèi)部電極20、 30、 40、 50 具有分別相向的部分的情況進行說明。圖12是用于說明電容器素體L2 所具有的內(nèi)部電極20、 30、 40、 50具有分別相向的部分的情況的圖。如圖12所示，利用第1信號用內(nèi)部電極20和第2接地用內(nèi)部電 極50相向的部分，形成第1電容器C1。利用第2信號用內(nèi)部電極30 和第1接地用內(nèi)部電極40相向的部分，形成第2電容器C2。利用第l 以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30相向的部分，形成第3電容器C3。 因此，如圖12所示，在層疊型貫通電容器陣列CA2中形成了 3個電 容器C1、 C2、 C3。如上所述，根據(jù)該第2實施方式，與上述的第1實施方式相同， 在層疊型貫通電容器陣列CA2中，除了通過使各信號用內(nèi)部電極20、 30和對應(yīng)的接地用內(nèi)部電極40、50相對而形成的第1以及第2電容器 Cl、 C2，還具有通過使信號用內(nèi)部電極20、 30相對而形成的第3電容 器C3。第1以及第2電容器C1、 C2，作為除去共模噪聲的電容器而 起作用，第3電容器C3，作為具有除去差模噪聲的電容器而起作用。 所以，利用層疊型貫通電容器陣列CA2可以除去共模噪聲以及差模噪 聲這兩種噪聲。并且，由于第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30均貫通，所以能 夠減小等效串聯(lián)電感(ESL)。并且，在層疊型貫通電容器陣列CA2中，第1以及第2信號用內(nèi) 部電極20、 30具有夾著絕緣層11并相對的部分。因此，與以往技術(shù) 相比，電流流過的路徑增加。因此，層疊型貫通電容器陣列CA2能夠 減小等效串聯(lián)電感。特別是層疊型貫通電容器陣列CA2具有兩種接地用內(nèi)部電極40、 50，各接地用內(nèi)部電極40、 50與相應(yīng)的信號用內(nèi)部電極20、 30分別 相對。因此，在層疊型貫通電容器陣列CA2中，電流流過的路徑進一 步增加，能夠進一步減小等效串聯(lián)電感。第1信號用內(nèi)部電極20和第1接地用內(nèi)部電極40位于相同的2 個絕緣體層10、 ll之間。第2信號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部
電極50位于相同的2個絕緣體層11、 12之間。因此可以高效地進行 制造。第1信號用內(nèi)部電極20和第1接地用內(nèi)部電極40，位于同一絕緣 體層11上。第2信號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部電極50，位于 同一絕緣體層12上。因此，與上述的第1實施方式的層疊型貫通電容 器陣列CA1相同，可以高效地進行制造。第1信號用內(nèi)部電極20以及第2接地用內(nèi)部電極50在之間所夾 著的絕緣體層、第2信號用內(nèi)部電極30以及第1接地用內(nèi)部電極40 在之間所夾著的絕緣體層、和第1信號用內(nèi)部電極20以及第2信號用 內(nèi)部電極30在之間所夾著的絕緣體層，是同一絕緣體層11。這種情況 下，能夠容易地控制在層疊型貫通電容器陣列CA2中包括的電容器 Cl、 C2、 C3的特性。第1信號用端子電極1A、 1B和第2信號用端子電極2A、 2B，配 置在作為電容器素體L2的同一側(cè)面的第5側(cè)面L2e上。第1信號用端 子電極1C、 1D和第2信號用端子電極2C、 2D，配置在作為電容器素 體L2的同一側(cè)面的第6側(cè)面L2f上。因此，在將第1信號用端子電極 1A、 1B和第2信號用端子電極2A、 2B與不同極性的焊盤圖案等連接 的情況下，流經(jīng)第l信號用內(nèi)部電極20的電流方向和流經(jīng)第2信號用 內(nèi)部電極30的電流方向相反。并且，第1信號用內(nèi)部電極20和第2 信號用內(nèi)部電極30夾著絕緣體層11并相對。因此，能夠減小等效串、S 1以及第2信號用端子電極1A 1D、 2A 2D分別為4個。并且， 在各信號用內(nèi)部電極20、 30中所包括的引出部22 25、 32~35分別為4 個。因此，由于流出、流入信號用內(nèi)部電極20、 30的電流的路徑增加， 所以，在層疊型貫通電容器陣列CA2中，進一步降低等效串聯(lián)電感。以上，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但是本發(fā)明并不限 于上述的實施方式以及變形例，能夠在不偏離要旨的范圍內(nèi)進行各種 變化。雖然在上述實施方式中，第1信號用內(nèi)部電極20和第l接地用內(nèi) 部電極40配置在同一絕緣體層上，但是并不限定于此。例如，第l信 號用內(nèi)部電極20和第1接地用內(nèi)部電極40可以配置在不同的絕緣體
層上，即配置在絕緣體層10 12的層疊方向上的不同位置上。并且，雖然在上述實施方式中，第2信號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部電 極50配置在同一絕緣體層12上，但是并不限定于此。例如，第2信 號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部電極50可以配置在不同的絕緣體 層上，即配置在絕緣體層10 12的層疊方向上的不同位置上。絕緣體層10 12的層疊數(shù)，以及配置有內(nèi)部電極20、 30、 40、 50 的層的層數(shù)，并不限定于上述實施方式所記載的數(shù)目。并且，內(nèi)部電 極20、 30、 40、 50的形狀，并不限定于上述實施方式以及變形例所述 的形狀。并且，夾在第1信號用內(nèi)部電極20和第2接地用內(nèi)部電極50之 間的絕緣體層的數(shù)目，并不限定于上述實施方式所述的數(shù)目，例如可 以為2個以上。并且，夾在第2信號用內(nèi)部電極30和第2接地用內(nèi)部 電極50之間的絕緣體層的數(shù)目，并不限定于上述實施方式所述的數(shù)目， 例如可以為2個以上。并且，夾在第1以及第2信號用內(nèi)部電極20、 30之間的絕緣體層的數(shù)目，并不限定于上述實施方式所述的數(shù)目，例 如可以為2個以上。信號用端子電極1A 1D、 2A 2D，以及接地用端子電極3、 4，并 不限定于上述的實施方式所述的數(shù)目。例如，第1以及第2信號用端 子電極，可以分別為2個以上。在上述實施方式中，雖然第1以及第2信號用端子電極配置在電 容器素體的同一側(cè)面上，但是端子電極1A 1D、 2A 2D、 3、 4的配置， 并不限定于上述的實施方式所述的配置，只要配置在電容器素體的外 表面即可。所以，例如第1以及第2信號用端子電極也不一定配置在 同一側(cè)面上。從本發(fā)明的詳細說明可知，可以對本發(fā)明進行多種更改。這些改 動并沒有偏離本發(fā)明的精神和范圍，而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 偏離本發(fā)明實質(zhì)精神和范圍的情況下對本發(fā)明進行多種變化和改進。
權(quán)利要求
1.一種層疊型貫通電容器陣列，其特征在于，包括電容器素體；配置在所述電容器素體的外表面上的至少2個第1信號用端子電極；配置在所述電容器素體的所述外表面上的至少2個第2信號用端子電極；配置在所述電容器素體的所述外表面上的至少1個第1接地用端子電極；配置在所述電容器素體的所述外表面上的至少1個第2接地用端子電極，所述電容器素體具有被層疊的多層絕緣體層；第1以及第2信號用內(nèi)部電極；和第1以及第2接地用內(nèi)部電極，所述第1信號用內(nèi)部電極與所述至少2個第1信號用端子電極連接，所述第2信號用內(nèi)部電極與所述至少2個第2信號用端子電極連接，所述第1接地用內(nèi)部電極與所述至少1個第1接地用端子電極連接，所述第2接地用內(nèi)部電極與所述至少1個第2接地用端子電極連接，所述第1信號用內(nèi)部電極以及所述第2接地用內(nèi)部電極分別包括，在之間夾著所述多個絕緣體層中的至少一層絕緣體層并相對的部分，所述第2信號用內(nèi)部電極以及所述第1接地用內(nèi)部電極分別包括，在之間夾著所述多個絕緣體層中的至少一層絕緣體層并相對的部分，所述第1信號用內(nèi)部電極以及所述第2信號用內(nèi)部電極分別包括，在之間夾著所述多個絕緣體層中的至少一層絕緣體層并相對的部分。
2. 如權(quán)利要求1所述的層疊型貫通電容器陣列，其特征在于所述第1信號用內(nèi)部電極以及所述第1接地用內(nèi)部電極，配置在 所述多個絕緣層中的同一絕緣體層上，所述第2信號用內(nèi)部電極以及所述第2接地用內(nèi)部電極，配置在 所述多個絕緣層中的同一絕緣體層上，在其上配置有所述第1信號用內(nèi)部電極以及所述第1接地用內(nèi)部電極的所述同一絕緣體層，和在其上配置有所述第2信號用內(nèi)部電極 和所述第2接地用內(nèi)部電極的所述同一絕緣體層是不同的絕緣體層。
3. 如權(quán)利要求l所述的層疊型貫通電容器陣列，其特征在于所述第1信號用內(nèi)部電極以及所述第2接地用內(nèi)部電極在之間所 夾的所述至少一層絕緣體層，所述第2信號用內(nèi)部電極以及所述第1接地用內(nèi)部電極在之間所夾的所述至少一層絕緣體層，和所述第1信號用內(nèi)部電極以及所述第2信號用內(nèi)部電極在之間所夾的所述至少一 層絕緣體層為同一絕緣體層。
4. 如權(quán)利要求1所述的層疊型貫通電容器陣列，其特征在于所述至少2個第1信號用端子電極中的一者，和所述至少2個第2 信號用端子電極中的一者，配置在所述電容器素體的所述外表面中的 同一側(cè)面上，所述至少2個第1信號用端子電極中的另一者，和所述至少2個 第2信號用端子電極中的另一者，配置在所述電容器素體的所述外表 面中的同一側(cè)面上。
5. 如權(quán)利要求1所述的層疊型貫通電容器陣列，其特征在于 所述第1以及第2信號用端子電極分別為3個以上，所述第1信號用內(nèi)部電極，與所述3個以上的第1信號用端子電 極連接，所述第2信號用內(nèi)部電極，與所述3個以上的第2信號用端子電 極連接。
全文摘要
一種層疊型貫通電容器陣列，包括電容器素體，分別為至少2個第1以及第2信號用端子電極，分別為至少1個第1以及第2接地用端子電極。電容器素體具有層疊的多層絕緣體層，分別與2個的第1和第2信號用端子電極連接的第1和第2信號用內(nèi)部電極，分別與1個的第1和第2接地用端子電極連接的第1和第2接地用內(nèi)部電極。第1信號用內(nèi)部電極以及第2接地用內(nèi)部電極，分別包括在之間夾著至少一層絕緣體層并相對的部分。第2信號用內(nèi)部電極以及第1接地用內(nèi)部電極，分別包括在之間夾著至少一層絕緣體層并相對的部分。第1信號用內(nèi)部電極以及第2信號用內(nèi)部電極，分別包括在之間夾著至少一層絕緣體層并相對的部分。
文檔編號H01G4/005GK101131895SQ20071014656
公開日2008年2月27日 申請日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日
發(fā)明者吉田武尊 申請人:Tdk株式會社