專利名稱：存儲(chǔ)單元及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可編程電阻存儲(chǔ)單元、其制造方法和一種結(jié)合這種存儲(chǔ) 單元的非易失性存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
雙穩(wěn)態(tài)器件或電路應(yīng)用于存儲(chǔ)器件和大量其它的應(yīng)用。例如，對(duì)于在存 儲(chǔ)中儲(chǔ)存一個(gè)比特信息，能夠使用雙穩(wěn)態(tài)器件，其在至少兩個(gè)不同且持久的 態(tài)之間可切換。當(dāng)寫入邏輯"1"到器件中時(shí)，其被驅(qū)動(dòng)為兩個(gè)持久態(tài)之一
而當(dāng)寫入邏輯"0"或擦除邏輯"1"時(shí)，器件被驅(qū)動(dòng)為兩個(gè)不同態(tài)中的另一
個(gè)。在器件運(yùn)行中每個(gè)態(tài)都持續(xù)到下一步的寫入信息到器件中或擦除信息。
快速可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(FEPROM，也稱為閃存)應(yīng)用在半導(dǎo)體 器件中且提供快速塊擦除操作。典型地，相對(duì)于所知的電可擦除可編程只讀 存儲(chǔ)器(EEPROM)的每個(gè)存儲(chǔ)單元有兩個(gè)晶體管，閃存在每個(gè)存儲(chǔ)單元中 只使用一個(gè)晶體管。因此，閃存比EEPROM在半導(dǎo)體器件上占有更少的空 間且生產(chǎn)更便宜。然而，半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步節(jié)省空間的組件和用于生產(chǎn)這 種器件的節(jié)省成本的制造技術(shù)的發(fā)展還在繼續(xù)。
達(dá)到那樣的目標(biāo)，用于半導(dǎo)體器件的具有雙穩(wěn)態(tài)電阻的材料的應(yīng)用已經(jīng) 得到研究。通過施加適當(dāng)?shù)碾娦盘?hào)到材料上能夠可逆地改變材料的電阻態(tài)。 這些電信號(hào)應(yīng)該比給定的臨界值VT大且比給定的時(shí)間t長。通過施加其它信 號(hào)能夠讀取或分析材料的電阻態(tài)，如果這些信號(hào)比VT小4艮多則不會(huì)^C壞導(dǎo) 電態(tài)。
過渡金屬氧化物是材料中的一類，其能夠被調(diào)節(jié)使得它們表現(xiàn)出理想的 雙穩(wěn)態(tài)電阻。以過渡金屬氧化物為基礎(chǔ)的非易失性兩終端存儲(chǔ)器件已經(jīng)被公 開。這種器件的例子在US6815744中給出。三終端存儲(chǔ)器件的例子已在 US7130212B2中給出。
為了可進(jìn)行在電阻態(tài)之間的切換，過渡金屬氧化物經(jīng)歷了調(diào)節(jié)工藝，其 包括使過渡金屬氧化物在充足的周期時(shí)間中經(jīng)歷適當(dāng)?shù)碾娦盘?hào)，這可通過將
電信號(hào)施加于接觸過渡金屬氧化物層的電極而進(jìn)行，如上文所討論。調(diào)節(jié)工 藝在過渡金屬氧化物中產(chǎn)生了被限制的導(dǎo)電區(qū)域，該過渡金屬氧化物在兩個(gè) 或更多電阻態(tài)之間能夠可逆地轉(zhuǎn)換。
上文所述的器件的一些缺陷與調(diào)節(jié)工藝有關(guān)。這是因?yàn)?，調(diào)節(jié)工藝不僅 費(fèi)時(shí)，它要求結(jié)合到這種器件中的每個(gè)單元。此外，由調(diào)節(jié)工藝產(chǎn)生的被限 制的導(dǎo)電區(qū)域出現(xiàn)在介電材料中的任意位置，也就是，通過精確定義的工藝 參數(shù)不可控制導(dǎo)電路線的位置。這可導(dǎo)致觀察到這種器件的電性能方面的大 改變，否則它們應(yīng)為標(biāo)稱上同樣的。
因此，理想的是提供可編程的電阻存儲(chǔ)單元，其減輕和/或消除與所知的 可編程的電阻存儲(chǔ)單元有關(guān)的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明的第一方面的一實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)單元包括至少源 電極，形成在基板上；至少漏電極，形成在基板上；至少耦合層，在源電極 和漏電極之間，且至少柵電極，形成在基板上，其中耦合層包括過渡金屬 氧化物，表現(xiàn)出填充受控的金屬絕緣體轉(zhuǎn)換特性；柵電極包括氧離子導(dǎo)體層， 和相對(duì)于耦合層1布置柵電極使得對(duì)柵電極使用電信號(hào)引起耦合層中氧空位 濃度的改變。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，施加于柵電極的電信號(hào)引起氧空位從 氧離子導(dǎo)體層遷移到耦合層。這改變了過渡金屬氧化物中過渡金屬離子的正
常氧化態(tài)并且伴隨著填充過渡金屬能帶。因此，當(dāng)電信號(hào)施加于柵電極時(shí)， 耦合層由具有本質(zhì)的絕緣特性轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體且反之亦然。所以，在本發(fā)明一實(shí) 施例中，通過對(duì)柵電極使用電信號(hào)，耦合層的電阻在至少兩個(gè)不同且持久的 電阻態(tài)之間可逆地轉(zhuǎn)換。更特別地，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在不以用于前 面提到的器件的調(diào)節(jié)工藝為開始的情況下可以完成電阻轉(zhuǎn)換并且因此不具 備上文討論的與調(diào)節(jié)工藝相關(guān)的缺點(diǎn)。此外，通過對(duì)柵電極使用電信號(hào)設(shè)置 的耦合層的電阻態(tài)持續(xù)到對(duì)柵電極再次使用電信號(hào)，即電信號(hào)不需要不斷地 施加于柵電極用于設(shè)置且理想的電阻設(shè)置為持續(xù)，因此本發(fā)明的一實(shí)施例提 供了比前面提到的器件運(yùn)行能量低的優(yōu)點(diǎn)。與本發(fā)明的一實(shí)施例相關(guān)的另一 優(yōu)點(diǎn)為可實(shí)現(xiàn)每單元多層、多比特存儲(chǔ)。
優(yōu)選地，氧離子導(dǎo)體層包括表現(xiàn)出氧空位遷移率至少10^cn^/Vs的材 料。選擇氧離子導(dǎo)體層的材料以表現(xiàn)出高氧空位遷移率即至少l(T9cm2/Vs
反映為氧空位從氧離子導(dǎo)體層遷移到耦合層的減少的時(shí)間，且因此，反映為 當(dāng)電信號(hào)施加于柵電極時(shí)耦合層的電阻態(tài)從耦合層本質(zhì)上為絕緣時(shí)的關(guān)態(tài) 轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通電流的開態(tài)或反之亦然的減少的時(shí)間。
理想地，相對(duì)于耦合層的柵電極的排布為氧離子導(dǎo)體層形成在耦合層 上。在這種情況下，由于氧離子導(dǎo)體層直接形成在耦合層上，有利于氧空位 遷移到耦合層中。
理想地，柵電極還包括阻隔層，其形成在氧離子導(dǎo)體層上，阻隔層包括 不可滲透和/或?qū)ρ趸瘜W(xué)惰性的材料。由于阻隔層的材料選擇為不可滲透和/ 或?qū)ρ趸瘜W(xué)惰性，所以氧空位基本導(dǎo)向耦合層的方向，這樣有利于耦合層轉(zhuǎn) 換電阻。
優(yōu)選地，氧離子導(dǎo)體層包括以下材料之一螢石型氧化物、具有本征和 /或非本征空位的釣4太礦、Aurivillius型氧化物和燒綠石。用于氧離子導(dǎo)體層 的材料的具體例子包括具有非本征氧化物離子空位的螢石型氧化物例如釔 和/或鈧穩(wěn)定的氧化鋯(Zr02)k((Y，Sc)203)x具有x = 0至0.9、釓摻雜的二氧化 鈰(Ce,Gd)0^具有x = 0至0.5、具有本征和/或非本征空位的鈣鈦礦例如鑭鍶 鎵鎂氧化物(La,Sr)(Ga,Mg)03-x具有x = 0至0.5、鋇銦氧化物Baln03-x具有x =0至0.5、鋰鑭鈦氧化物(Li,La)Ti03-x具有x = 0至0.5、 Aurivillius型氧化物 例如鉍釩鈥銅氧化物Bi4(V,Ti，Cu)20u.x具有x = 0至2、燒綠石例如釓鋯鈥氧 化物Gd2(Zr,Ti)207和氧化物例如鑭鉬氧化物L(fēng)a2Mo209。
理想地，過渡金屬氧化物包括釩和/或4各氧化物、l泉氧化物、鍶4太氧化 物、鑭鈦氧化物、釔和/或鈣鈦氧化物、鑭和/或鍶錳氧化物、或鐠和/或鈣錳 氧化物。在這一點(diǎn)上，材料的例子包括鈣鈦礦例如鍶鈥氧化物SrTi03-x具 有x = 0至0.5、鑭鈥氧化物L(fēng)aTiCb+x具有x = 0至0.2、釔鈣鈦氧化物 (Y,Ca)Ti03—x具有x = 0至0.5 、鑭鍶錳氧化物(La,Sr )Mn03-x具有x = 0至0.5 、 鐠4丐錳氧化物(Pr，Ca)Mn03、剛玉例如釩鉻氧化物0/,0*)203《或鎳氧化物NiOx 具有乂 = 0.8至1。
依照本發(fā)明的第二方面的一實(shí)施例，提供了一種非易失性存儲(chǔ)器件，其 包括至少一個(gè)依照本發(fā)明的第一方面的一實(shí)施例的存儲(chǔ)單元。如上文所述的 存儲(chǔ)單元的優(yōu)點(diǎn)特征和/或特性也由結(jié)合了這種存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)器 件表現(xiàn)出來。
還提供了相應(yīng)的方法方面，且由此依照本發(fā)明的第三方面的一實(shí)施例提
供了一種存儲(chǔ)單元的制造方法，包括如下步驟在基板上形成至少源電極； 在基板上形成至少漏電極；在源電極和漏電極之間形成至少耦合層，且在基 板上形成至少柵電極，其中在形成耦合層的步驟中，耦合層的材料選擇為 包括表現(xiàn)出填充受控的金屬絕緣體轉(zhuǎn)換特性的過渡金屬氧化物；在形成柵電 極的步驟中，形成柵電極使得包括氧離子導(dǎo)體層，和相對(duì)于耦合層布置柵電 極使得對(duì)柵電極使用電信號(hào)引起耦合層中氧空位濃度的改變。
任意器件特征可用于發(fā)明的方法方面且反之亦然。本發(fā)明的一個(gè)方面的 特征可用于發(fā)明的另 一方面。任何公開的實(shí)施例可以與所示和/或所述的一個(gè) 或幾個(gè)其它的實(shí)施例結(jié)合。這對(duì)實(shí)施例的一個(gè)或更多特征也是可行的。
以例子的方式參考附圖，其中
圖1示意性說明本發(fā)明的一實(shí)施例；
圖2A和2B示意性說明本發(fā)明的一實(shí)施例的原理，和
圖3示意性說明本發(fā)明的方法方面的一實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
在描述中，相同的參考數(shù)字或標(biāo)識(shí)用于指代相同或相似的部分。 現(xiàn)在參考圖1，示意性說明本發(fā)明的一實(shí)施例。如由圖1能看到，在本 發(fā)明的一實(shí)施例中，提供了具有三個(gè)終端的存儲(chǔ)單元10:源電極Ms、漏電 極MD和柵電極MG，所有這些都形成在基板6上?；?可以例如適合CMOS 技術(shù)且由二氧化硅(Si02)制成。以相對(duì)于彼此橫向地布置而示出的源電極 Ms和漏電極M。通過耦合層1連接，該耦合層1選才奪為包括表現(xiàn)出填充受控 的(filling-controlled)金屬絕緣體轉(zhuǎn)換特性的過渡金屬氧化物。形成柵電 極M(j使得包括氧離子導(dǎo)體層2。通過氧離子導(dǎo)體層，其意味著該層包括能 夠存儲(chǔ)和/或傳導(dǎo)氧離子的材料。相對(duì)于耦合層1布置柵電極MG使得對(duì)應(yīng)于 源電極Ms的施加電信號(hào)給柵電極MG引起了從氧離子導(dǎo)體層2到耦合層1 中的氧離子遷移且反之亦然。施加給柵電極MG的電信號(hào)引起氧空位3從氧 離子導(dǎo)體層2遷移到耦合層1中。這改變了過渡金屬氧化物中過渡金屬的正 常的氧化態(tài)且伴隨著過渡金屬能帶的填充。因此，當(dāng)電信號(hào)施加到柵電極上 時(shí)，耦合層l由具有本質(zhì)的絕緣特性轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體或反之亦然。通過例如在源
電極Ms和漏電極MD之間施加電勢(shì)且測(cè)量其間的電流量可以探測(cè)這個(gè)轉(zhuǎn)變。 因此，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，通過施加電信號(hào)到柵電極M(j，耦合層1的 電阻在至少兩個(gè)不同且持久的電阻態(tài)之間可逆地轉(zhuǎn)換。更特別地，在本發(fā)明 的一實(shí)施例中，在不開始用于前面提到的器件的調(diào)節(jié)工藝的情況下可以完成 電阻轉(zhuǎn)換，因此不遭受與調(diào)節(jié)工藝有關(guān)的缺點(diǎn)。
現(xiàn)在參考圖2A和2B,示意性說明本發(fā)明的一實(shí)施例的原理。圖2A描 繪當(dāng)耦合層1在關(guān)態(tài)也就是其具有本質(zhì)的絕緣性能時(shí)的情景。圖2B描繪當(dāng) 電信號(hào)施加到柵電極Me時(shí)的情景。如由圖2B能夠清楚的看到，這引起了 氧空位3從氧離子導(dǎo)體層2到耦合層1中的遷移。這改變了過渡金屬氧化物 中過渡金屬離子的正常氧化態(tài)且伴隨著過渡金屬能帶的填充，其引起耦合層 1的性能從絕緣轉(zhuǎn)換為導(dǎo)電。當(dāng)然，相反的情況也能夠那樣進(jìn)行，當(dāng)電信號(hào) 施加到柵電極時(shí)，由于耦合層1的材料的適當(dāng)?shù)倪x擇，耦合層能夠從開態(tài)轉(zhuǎn) 換為關(guān)態(tài)。這樣，耦合層1的電阻態(tài)能夠得到轉(zhuǎn)換。對(duì)于耦合層l從關(guān)態(tài)到 開態(tài)的轉(zhuǎn)換或反之亦然，為了減小持續(xù)時(shí)間，選擇氧離子導(dǎo)體層2使得包括 一種材料，其表現(xiàn)出氧空位3的高遷移率，也就是至少10 —9cm2/Vs。
為了幫助氧空位3到耦合層1中的導(dǎo)入，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，柵電 極Mci設(shè)有額外的特征，其包括形成在氧離子導(dǎo)體層2上的阻隔層4，在遠(yuǎn) 離耦合層1的表面的垂直方向上。阻隔層4的材料選擇為不可滲透和/或?qū)ρ?化學(xué)惰性。因此，氧空位3基本上導(dǎo)向耦合層1的方向，而沒有遷移到柵電 極Mc的其它區(qū)域而丟失，這樣有利于耦合層1的電阻轉(zhuǎn)換。
在圖1中，顯示出柵電極Mcj相對(duì)于耦合層1得到布置使得氧離子導(dǎo)體 層2形成在耦合層1上，也就是柵電極Mc橫向安置在源電極Ms和漏電極 M。之間。當(dāng)然，本發(fā)明的一實(shí)施例沒有限制于柵電極M(j的這種排布，且事 實(shí)上，本發(fā)明包含了相對(duì)于耦合層1的柵電極M(j的所有那些排布，其允許 氧空位3從氧離子導(dǎo)體層2到耦合層1中的遷移，當(dāng)電信號(hào)施加到柵電極
M(3時(shí)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，氧離子導(dǎo)體層2選擇為包括具有非本征氧化物 離子空位的螢石型氧化物，例如釔和/或鈧穩(wěn)定的氧化鋯(Zr02)Lx((Y,Sc)203)x 具有x = 0至0.9，或釓摻雜的二氧化鈰(Ce，Gd)02.x具有x = 0至0.5?？蛇x地， 可以采用具有本征和/或非本征空位的鈣鈥礦例如鑭鍶鎵鎂氧化物 (La，Sr)(Ga，Mg)03.x具有x = 0至0.5、鋇銦氧化物Baln03-x具有x = 0至0.5、
鋰鑭鈦氧化物(Li，La)Ti03.x具有x = 0至0.5、 Aurivillius型氧化物例如鉍釩鈦 銅氧化物Bi4(V,Ti,Cu)20 -x具有x = 0至2、燒綠石例如釓鋯鈦氧化物 Gd2(Zr,Ti)207和氧化物例如鑭鉬氧化物L(fēng)a2Mo209。
對(duì)于耦合層1中的過渡金屬氧化物，選擇鈣鈥礦例如(La,Sr) M03.x其 中M為3d過渡金屬元素和x-0至0.5，因?yàn)樗鼈兊氖覝仉娮枰蕾囇醯幕瘜W(xué) 計(jì)量。母系鈣鈦礦化合物L(fēng)aMCb和SrM03為莫特或電荷轉(zhuǎn)移絕緣體，并且 在例如與氧空位3有關(guān)的改變能帶填充的情況下，得到金屬態(tài)。
能夠用于耦合層1的過渡金屬氧化物的其它例子包括鈣鈦礦例如鍶鈦氧 化物SrTiO3.x具有x-0至0.5、鑭鈦氧化物L(fēng)aTiCb+x具有x = 0至0.2、釔鈣 鈦氧化物(Y,Ca)TK)3.x具有x = 0至0.5、鐠釣錳氧化物(Pr,Ca)Mn03,剛玉例 如釩鉻氧化物(V，Cr)203.x或鎳氧化物NiOx具有x = 0.8至1 。
本發(fā)明還延伸到包括至少一個(gè)依照本發(fā)明一實(shí)施例和如上文所述的存 儲(chǔ)單元10的非易失性存儲(chǔ)器件。
現(xiàn)在參考圖3，示意性說明依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種方法。在步驟S1 中，至少源電極Ms形成在基板6上。在步驟S2中，漏電極MD形成在基板 6上。在步驟S3中，耦合層1形成在源電極Ms和漏電極M。之間。在步驟 S4中，柵電極Mcj形成在基板6上。在形成耦合層l的步驟中，即步驟S3 中，耦合層1的材料選擇為包括過渡金屬氧化物，其表現(xiàn)出填充受控的金屬 絕緣體轉(zhuǎn)換特性。在形成柵電極M(3的步驟中，即步驟S4中，形成柵電極 Mc使得包括氧離子導(dǎo)體層2,和相對(duì)于耦合層1布置柵電極M(3使得對(duì)柵電 極Mc使用電信號(hào)引起耦合層1中氧空位3濃度的改變。
依照本發(fā)明一實(shí)施例的方法不限于實(shí)施一次，即在完成步驟S4之后， 工藝可循環(huán)回該方法的開始且步驟Sl至S4可以反復(fù)進(jìn)行，由此依照本發(fā)明 一實(shí)施例生產(chǎn)多層存儲(chǔ)單元。任意步驟Sl或S4都能夠并行或不保持嚴(yán)格的 順序進(jìn)行。任何普通技術(shù)人員所知的適當(dāng)?shù)募夹g(shù)都能用于這些步驟。如上文 所述依照本發(fā)明一實(shí)施例，對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元中的特征，參考圖3所述的方法 能夠用附加的步驟補(bǔ)充。
如上文所述由本發(fā)明一實(shí)施例提供的優(yōu)于FEPROM器件的一些優(yōu)點(diǎn)包 括可測(cè)量性、每個(gè)單元多級(jí)存儲(chǔ)、RAM能力和CMOS兼容性。在本發(fā)明 一實(shí)施例中，不使用雙極電壓一這與所知的兩終端器件相反，在該器件中由 于這種特征，以串聯(lián)引入二極管會(huì)引發(fā)問題。在本發(fā)明一實(shí)施例中，耦合層1的電阻態(tài)持續(xù)即保持穩(wěn)定直到通過對(duì)柵
電極Mci使用電信號(hào)將其轉(zhuǎn)換。
已經(jīng)純以實(shí)例的方式描述了本發(fā)明且在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以作出細(xì)節(jié)
的修改。
說明書、以及(在適當(dāng)?shù)牡胤?權(quán)利要求書和附圖中公開的每一特征可 獨(dú)立地或以任意適當(dāng)?shù)慕Y(jié)合的方式提供。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)單元(10)，包括至少源電極(MS)，形成在基板上(6)；至少漏電極(MD)，形成在該基板上(6)；至少耦合層(1)，在該源電極(MS)和該漏電極(MD)之間，和至少柵電極(MG)，形成在該基板(6)上，其中該耦合層(1)包括表現(xiàn)出填充受控的金屬絕緣體轉(zhuǎn)換特性的過渡金屬氧化物；該柵電極(MG)包括氧離子導(dǎo)體層(2)，和相對(duì)于該耦合層(1)布置該柵電極(MG)使得對(duì)該柵電極(MG)使用電信號(hào)引起該耦合層(1)中氧空位(3)濃度的改變。
2. 如權(quán)利要求1中所要求的一種存儲(chǔ)單元(10),其中該氧離子導(dǎo)體層 (2)包括表現(xiàn)出至少10—^m"Vs的氧空位(3)遷移率的材料。
3. 如權(quán)利要求1或2所要求的一種存儲(chǔ)單元(10)，其中相對(duì)于該耦合 層(1 )的該柵電極(MG)的排布為在該耦合層(1 )上形成該氧離子導(dǎo)體 層(2)。
4. 如權(quán)利要求1 、2或3所要求的一種存儲(chǔ)單元(10 ),其中該柵電極(MG) 還包括形成在該氧離子導(dǎo)體層(2)上的阻隔層(4)，該阻隔層(4)包括不 可滲透和/或?qū)ρ趸瘜W(xué)惰性的材料。
5. 如任一前面的權(quán)利要求所要求的一種存儲(chǔ)單元(10)，其中該氧離子 導(dǎo)體層(2)包括下述之一荄石型氧化物、具有本征和/或非本征空位的4丐 鈦礦、Aurivillius型氧化物和燒綠石。
6. 如任一前面的權(quán)利要求所要求的一種存儲(chǔ)單元(10)，其中過渡金屬 氧化物包括釩和/或鉻氧化物、鎳氧化物、鍶鈦氧化物、鑭鈦氧化物、釔和 /或鈣鈦氧化物、鑭和/或鍶錳氧化物、或鐠和/或鈣錳氧化物。
7. 非易失性存儲(chǔ)器件，包括至少一個(gè)如任一前面的權(quán)利要求所要求的存 儲(chǔ)單元(10)。
8. —種存儲(chǔ)單元(10)的制造方法，包括如下步驟 在基板(6)上形成至少源電極(Ms);在該基板(6)上形成至少漏電極(MD);在該源電極(Ms)和該漏電極(MD)之間形成至少耦合層(1),和在該基板(6)上形成至少4冊(cè)電極(MG),其中在形成該耦合層(1 )的步驟中，該耦合層(1 )的材料選擇為包括表現(xiàn) 出填充受控的金屬絕緣體轉(zhuǎn)換特性的過渡金屬氧化物；和在形成該柵電極(MG)的步驟中，形成該柵電極(MG)使得包括氧離 子導(dǎo)體層(2),且相對(duì)于該耦合層(1)布置該柵電極(MG)使得對(duì)該柵電 極(MG)使用電信號(hào)引起該耦合層(1)中氧空位(3)濃度的改變。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)單元(10)，包括至少源電極(M<sub>S</sub>)，形成在基板上(6)；至少漏電極(M<sub>D</sub>)，形成在該基板上(6)；至少耦合層(1)，形成在該源電極(M<sub>S</sub>)和該漏電極(M<sub>D</sub>)之間，和至少柵電極(M<sub>G</sub>)，形成在基板上，其中該耦合層(1)包括過渡金屬氧化物，表現(xiàn)出填充受控的金屬絕緣體轉(zhuǎn)換特性；該柵電極(M<sub>G</sub>)包括氧離子導(dǎo)體層(2)，和相對(duì)于該耦合層(1)布置該柵電極(M<sub>G</sub>)使得對(duì)該柵電極(M<sub>G</sub>)使用電信號(hào)引起該耦合層(1)中氧空位(3)濃度的改變。本發(fā)明還涉及一種存儲(chǔ)單元(10)的制造方法。
文檔編號(hào)H01L29/78GK101207152SQ200710152889
公開日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2007年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者格哈德·I·梅杰, 西格弗里德·F·卡格 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司