專利名稱：浮置柵極層與非易失性存儲器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的制造方法，且特別是有關(guān)于一種非易 失性存儲器的制造方法。
背景技術(shù)：
存儲器，顧名思義便是用以儲存資料或數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體元件。當(dāng)電腦微處 理器的功能越來越強，軟件所進行的程序與運算越來越龐大時，存儲器的需 求也就越來越高，為了制造容量大且便宜的存儲器以滿足這種需求的趨勢， 制作存儲器元件的技術(shù)與工藝，已成為半導(dǎo)體科技持續(xù)往高集成度挑戰(zhàn)的驅(qū) 動力。在各種存儲器產(chǎn)品中，具有可進行多次數(shù)據(jù)的存入、讀取或抹除等動作 且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點的非易失性存儲器，已成為個人電 腦和電子設(shè)備所廣泛采用之一種存儲器元件。圖1A為公知一種非易失性存儲器的剖面示意圖。請參照圖1A,浮置柵極106a配置于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)102之間的基底100 上。穿隧介電層104配置于浮置柵極106a與基底IOO之間。柵間介電層108 共形地配置于基底100上?？刂茤艠O110配置于柵間介電層108上。源極/ 漏極區(qū)(未繪示)則配置在由穿隧介電層104、浮置柵極106a、柵間介電層108 以及控制柵極110所組成的堆迭柵極結(jié)構(gòu)的二側(cè)的基底100中。一般來說，在圖1A所示的非易失性存儲器的制造過程中，先于基底100 上依序形成墊氧化層與硬掩模層。然后，進行光刻工藝與蝕刻工藝，以于硬 掩模層、墊氧化層以及基底100中形成溝槽。接著，于溝槽中填入介電材料 以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)102。之后，移除硬掩模層與墊氧化層，并于淺溝槽 隔離結(jié)構(gòu)102之間的基底100上依序形成穿隧介電層104以及浮置柵極106。 為了提高浮置柵極106a與控制柵極110之間的接觸面積以提高元件的耦合 比(coupling ratio),通常利用增加硬掩模層的高度的方式來增加浮置柵極 106a的高度，以增加浮置柵極106a與控制柵極110之間的接觸面積而達到
提高耦合比的目的。然而，增加硬掩模層的高度往往會同時增加溝槽的深寬比(aspect ratio), 而導(dǎo)致將介電材料填入溝槽間更加不易。圖1B為公知另一種非易失性存儲器的剖面示意圖。圖IB所示的非易失性存儲器與一般的非易失性存儲器的差異在于浮置 柵極106b除了配置在穿隧介電層104上之外，還有一部分配置于淺溝槽隔 離結(jié)構(gòu)102的上，因此增加了浮置柵極106b的尺寸，進而增加了浮置柵極 106b與控制柵極110之間的接觸面積而達到提高耦合比的目的。然而，在圖IB所示的非易失性存儲器的制造過程中，除了在形成淺溝 槽隔離結(jié)構(gòu)102時需要進行一次光刻工藝之外，在形成浮置柵極106b時還 需要進行另一次光刻工藝，亦即在制造過程中至少需要使用二道光掩模，導(dǎo) 致了工藝步驟增加以及提高了制造成本。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種非易失性存儲器的制造方法， 可以提高元件的耦合比，以及避免因溝槽的深寬比過高導(dǎo)致不易將介電材料 填入溝槽，并降低制造成本。本發(fā)明提出一種非易失性存儲器的制造方法，此方法是先于基底上依序 形成穿隧介電層、第一導(dǎo)體層與硬掩模層。然后，于硬掩模層、第一導(dǎo)體層、 穿隧介電層與基底中形成多個隔離結(jié)構(gòu)。接著，移除每一個隔離結(jié)構(gòu)之一部 分，以暴露出硬掩模層的部分側(cè)壁。而后，于暴露出的硬掩模層的側(cè)壁上形 成間隙壁。繼之，于隔離結(jié)構(gòu)上形成介電層，以填滿間隙壁之間的空隙。隨 后，移除間隙壁與硬掩模層，以暴露出第一導(dǎo)體層。接著，于第一導(dǎo)體層上 形成第二導(dǎo)體層，以填滿介電層之間的空隙。然后，移除介電層。接下來， 于基底上共形地形成柵間介電層。而后，于柵間介電層上形成第三導(dǎo)體層。 之后，圖案化第三導(dǎo)體層以形成控制柵極，并圖案化第二導(dǎo)體層、第一導(dǎo)體 層以形成浮置柵極。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的隔離結(jié)構(gòu) 的形成方法例如是先于硬掩模層、第一導(dǎo)體層、穿隧介電層與基底中形成多 個溝槽。然后，于基底上形成隔離材料層，以填滿溝槽。之后，進行平坦化 工藝，移除部分隔離材料層直到暴露出硬掩模層。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的隔離結(jié)構(gòu) 的材料例如為氧化硅。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述移除每一個 隔離結(jié)構(gòu)之一部分的方法例如為回蝕刻工藝。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述之間隙壁的 形成方法例如是先于基底上共形地形成間隙壁材料層。之后，進行各向異性 蝕刻工藝。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述之間隙壁的 材料例如為氮化硅。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的介電層的 形成方法例如是先于基底上形成介電材料層，以填滿間隙壁之間的空隙。之 后，進行平坦化工藝，移除部分介電材料層直到暴露出硬掩模層。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的介電層的 材料例如為氧化硅。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的第二導(dǎo)體 層的形成方法例如是先于基底上形成導(dǎo)體材料層，以填滿介電層之間的空 隙。之后，進行平坦化工藝，移除部分導(dǎo)體材料層直到暴露出介電層。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述移除介電層 的方法例如為回蝕刻工藝。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的柵間介電 層的材料例如為氧化硅/氮化硅/氧化硅。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的第一導(dǎo)體 層的材料例如為摻雜多晶硅。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的第二導(dǎo)體 層的材料例如為摻雜多晶硅。依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的第三導(dǎo)體 層的材料例如為摻雜多晶硅。本發(fā)明另提出 一種浮置柵極層的制造方法，此方法是先于基底上依序形 成第一介電層、第一導(dǎo)體層與硬掩模層。然后，于硬掩模層、第一導(dǎo)體層、 第一介電層與基底中形成多個隔離結(jié)構(gòu)。接著，移除每一個隔離結(jié)構(gòu)之一部 分，以暴露出硬掩模層的部分側(cè)壁。而后，于暴露出的硬掩模層的側(cè)壁上形 成間隙壁。繼之，于隔離結(jié)構(gòu)上形成第二介電層，以填滿間隙壁之間的空隙。 隨后，移除間隙壁與硬掩模層，以暴露出第一導(dǎo)體層。接著，于第一導(dǎo)體層 上形成第二導(dǎo)體層，以填滿第二介電層之間的空隙。然后，移除第二介電層。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的隔離結(jié)構(gòu)的形 成方法例如是先于硬掩模層、第一導(dǎo)體層、第一介電層與基底中形成多個溝 槽。然后，于基底上形成隔離材料層，以填滿溝槽。之后，進行平坦化工藝， 移除部分隔離材料層直到暴露出硬掩模層。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的隔離結(jié)構(gòu)的材 料例如為氧化硅。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述移除每一個隔離 結(jié)構(gòu)之一 部分的方法例如為回蝕刻工藝。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的間隙壁的形成 方法例如是先于基底上共形地形成間隙壁材料層。之后，進行各向異性蝕刻工藝。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的間隙壁的材料 例如為氮化石圭。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的第二介電層的 形成方法例如是先于基底上形成介電材料層，以填滿間隙壁之間的空隙。之 后，進行平坦化工藝，移除部分介電材料層直到暴露出硬掩模層。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的第二介電層的 材料例如為氧化硅。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的第二導(dǎo)體層的 形成方法例如是先于基底上形成導(dǎo)體材料層，以填滿第二介電層之間的空 隙。之后，進行平坦化工藝，移除部分導(dǎo)體材料層直到暴露出第二介電層。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述移除第二介電層 的方法例io為回々蟲刻工藝。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的第一導(dǎo)體層的 材料例如為摻雜多晶硅。依照本發(fā)明實施例所述的浮置柵極層的制造方法，上述的第二導(dǎo)體層的 材料例如為摻雜多晶硅。本發(fā)明在形成浮置柵極時，將 一 部分的浮置柵極形成于隔離結(jié)構(gòu)上(亦 即原本間隙壁的位置)，因此可以增加浮置柵極的尺寸而使元件的耦合比提 高。此外，在本發(fā)明的非易失性存儲器的制造過程中，僅進行一次光刻工藝， 亦即僅使用了一道光掩模，因此可以達到降低制造成本的目的。再者，本發(fā)明利用自行對準(zhǔn)(self-aligned)的方法將作為浮置柵極的導(dǎo)體材料層填入介電 層之間的空隙，因此可以更容易地控制所形成的浮置柵極的輪廓。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合 所附圖式，作詳細說明如下。


圖1A為公知一種非易失性存儲器的剖面示意圖。 圖1B為公知另一種非易失性存儲器的剖面示意圖。 圖2A至圖2E為依照本發(fā)明實施例所繪示的非易失性存儲器的制造流 程剖面圖。主要元件符號說明100、200:基底102:淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)104:穿隧介電層106a、106b:浮置柵極108:柵間介電層110:控制柵極202、214、 218:介電層204、216、 220:導(dǎo)體層206:硬掩模層208:溝槽210:隔離結(jié)構(gòu)212:間隙壁具體實施方式
圖2A至圖2E為依照本發(fā)明實施例所繪示的非易失性存儲器的制造流 程剖面圖。首先，請參照圖2A，于基底200上依序形成介電層202、導(dǎo)體層204 與硬掩模層206。介電層202的材料例如為氧化硅，其形成方法例如為熱氧 化法。介電層202是用來作為非易失性存儲器中的穿隧介電層。導(dǎo)體層204 的材料例如為摻雜多晶硅，其形成方法例如為化學(xué)氣相沉積法。硬掩模層206 的材料例如為氮化硅，其形成方法例如為化學(xué)氣相沉積法。請繼續(xù)參照圖2A,進行光刻工藝與蝕刻工藝，以于硬掩模層206、導(dǎo)體層204、介電層202與基底200中形成溝槽208。然后，于基底200上形成 隔離材料層(未繪示)，并填滿溝槽208。隔離材料層的材料例如為氧化硅， 其形成方法例如為化學(xué)氣相沉積法。之后，例如使用化學(xué)機械研磨法來進行 平坦化工藝，移除部分隔離材料層直到暴露出硬掩模層206,以于溝槽208 中形成隔離結(jié)構(gòu)210。特別一提的是，在本發(fā)明中，由于不需要通過增加硬掩模層高度使得后 續(xù)形成的浮置柵極的高度增加以提高耦合比，因此填充介電層時不會受限于 過高的溝槽深寬比。然后，請參照圖2B,例如進行回蝕刻工藝，移除每一個隔離結(jié)構(gòu)210 之一部分，以暴露出硬掩模層206的部分側(cè)壁。之后，于基底200上共形地 形成間隙壁材料層(未繪示)。間隙壁材料層的材料例如為氮化硅，其形成方 法例如為化學(xué)氣相沉積法。之后，進行各向異性蝕刻工藝，移除部分間隙壁 材料層，以于暴露出的硬掩模層206的側(cè)壁上形成間隙壁212。特別一提的是，在本實施例中，同樣使用氮化硅來作為硬掩模層206與 間隙壁212的材料，因此可以在后續(xù)移除硬掩模層206與間隙壁212的步驟 中，同時將硬掩模層206與間隙壁212移除。接著，請參照圖2C,于基底200上形成介電材料層(未繪示)，以填滿間 隙壁212之間的空隙。介電材料層的材料例如為氧化硅，其形成方法例如為 化學(xué)氣相沉積法。之后，例如使用化學(xué)機械研磨法來進行平坦化工藝，移除 部分介電材料層直到暴露出硬掩模層206,以于隔離結(jié)構(gòu)210上形成介電層 214。隨后，請參照圖2D,進行蝕刻工藝，移除間隙壁212與硬掩模層206, 以暴露出導(dǎo)體層204 。由于間隙壁212與硬掩模層206的材料皆為氮化硅， 因此在上述蝕刻工藝中可以同時被移除。接著，于基底200上形成導(dǎo)體材料 層(未繪示)，以填滿介電層214之間的空隙。導(dǎo)體材料層的材料例如為摻雜 多晶硅，其形成方法例如為化學(xué)氣相沉積法。在本實施例中，于基底100上 沉積導(dǎo)體材料層時，導(dǎo)體材料層自行對準(zhǔn)形成于介電層214之間的空隙，因 此更加容易控制由導(dǎo)體材料層形成的浮置柵極的輪廓。此外，導(dǎo)體材料層除 了位于導(dǎo)體層204上之外，還有一部分的導(dǎo)體材料層位于隔離結(jié)構(gòu)210之上， 因此增加了后續(xù)所形成的浮置柵極的尺寸。請繼續(xù)參照圖2D,例如使用化學(xué)機械研磨法來進行平坦化工藝，移除
部分導(dǎo)體材料層直到暴露出介電層214,以于導(dǎo)體層204上形成導(dǎo)體層216。 在本發(fā)明中，導(dǎo)體層204與導(dǎo)體層216同時作為非易失性存儲器的浮置柵極 之用。之后，請參照圖2E,例如進行回蝕刻工藝，移除介電層214,暴露出隔 離結(jié)構(gòu)210。接下來，于基底200上共形地形成介電層218。介電層218是 用來作為非易失性存儲器中的柵間介電層。在本實施例中，介電層218的材料例如為氧化硅/氮化硅/氧化硅，其形成方法例如是先以熱氧化法形成第一 層氧化硅，然后以化學(xué)氣相沉積法于第一層氧化硅上形成氮化硅，之后再以 熱氧化法于氮化硅上形成第二層氧化硅。當(dāng)然，在其他實施例中，介電層218 的材料也可以僅是氧化硅。而后，請繼續(xù)參照圖2E,于介電層218上形成導(dǎo)體層220。導(dǎo)體層220 的材料例如為摻雜多晶硅，形成方法例如為化學(xué)氣相沉積法。導(dǎo)體層220用 以作為非易失性存儲器的控制柵極。接著，進行圖案化工藝，同時蝕刻導(dǎo)體 層220、介電層218、導(dǎo)體層216、導(dǎo)體層204以及介電層202,以形成控制 柵極、柵間介電層、浮置柵極以及穿隧介電層。之后，進行一般熟知之后續(xù) 工藝，例如形成源極/漏極區(qū)(未繪示)，以完成本發(fā)明的非易失性存儲器的制 造。綜上所述，本發(fā)明利用自行對準(zhǔn)的方法將作為浮置柵極的導(dǎo)體材料層填 入介電層之間的空隙，因此可以更加容易地控制浮置柵極的輪廓。此外，本發(fā)明在形成浮置柵極的步驟中，除了將作為浮置柵極的導(dǎo)體材 料層形成在隔離結(jié)構(gòu)間之外，還將一部分的導(dǎo)體材料層形成于隔離結(jié)構(gòu)上 (亦即原本間隙壁的位置)，因此增加了浮置柵極的尺寸，進而提高了元件的 耦合比。另外，在本發(fā)明的非易失性存儲器的制造過程中，僅進行了一次的光刻 工藝，避免了工藝步驟的增加以及制造成本的提高。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種非易失性存儲器的制造方法，包括在一基底上依序形成一穿隧介電層、一第一導(dǎo)體層與一硬掩模層；在該硬掩模層、該第一導(dǎo)體層、該穿隧介電層與該基底中形成多個隔離結(jié)構(gòu)；移除各所述隔離結(jié)構(gòu)的一部分，以暴露出該硬掩模層的部分側(cè)壁；在暴露出的該硬掩模層的側(cè)壁上形成多個間隙壁；在所述隔離結(jié)構(gòu)上分別形成一介電層，以填滿所述間隙壁之間的空隙；移除所述間隙壁與該硬掩模層，以暴露出該第一導(dǎo)體層；在該第一導(dǎo)體層上形成一第二導(dǎo)體層，以填滿該介電層之間的空隙；移除該介電層；在該基底上共形地形成一柵間介電層；在該柵間介電層上形成一第三導(dǎo)體層；以及圖案化該第三導(dǎo)體層以形成一控制柵極，并圖案化該第二導(dǎo)體層、該第一導(dǎo)體層以形成一浮置柵極。
2. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的形 成方法包4舌在該硬掩模層、該第 一導(dǎo)體層、該穿隧介電層與該基底中形成多個溝槽；在該基底上形成一隔離材料層，以填滿所述溝槽；以及進行一平坦化工藝，移除部分該隔離材料層直到暴露出該硬掩模層。
3. 如權(quán)利要求2的非易失性存儲器的制造方法，其中該隔離結(jié)構(gòu)材料層 包括氧化硅層。
4. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中移除各所述隔離結(jié) 構(gòu)的 一部分的方法包括回蝕刻工藝。
5. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中所述間隙壁的形成 方法包4舌在該基底上共形地形成一間隙壁材料層；以及 進行一各向異性蝕刻工藝。
6. 如權(quán)利要求5的非易失性存儲器的制造方法，其中該間隙壁材料層包 括氮化硅層。
7. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該介電層的形成方法包4舌在該基底上形成一介電材料層，以填滿所述間隙壁之間的空隙；以及 進行一平坦化工藝，移除部分該介電材料層直到暴露出該硬掩模層。
8. 如權(quán)利要求7的非易失性存儲器的制造方法，其中該介電材料層包括 氧化硅層。
9. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該第二導(dǎo)體層的形 成方法包括在該基底上形成一導(dǎo)體材料層，以填滿該介電層之間的空隙；以及 進行一平坦化工藝，移除部分該導(dǎo)體材料層直到暴露出該介電層。
10. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中移除該介電層的方 法包括回蝕刻工藝。
11. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該柵間介電層的材 料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。
12. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該第一導(dǎo)體層的材 料包括摻雜多晶硅。
13. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該第二導(dǎo)體層的材 料包括摻雜多晶硅。
14. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該第三導(dǎo)體層的材 料包括摻雜 多晶 硅。
15. —種浮置柵極層的制造方法，包括在一基底上依序形成一第一介電層、 一第一導(dǎo)體層與一硬掩模層； 在該硬掩模層、該第一導(dǎo)體層、該第一介電層與該基底中形成多個隔離 結(jié)構(gòu)；移除各所述隔離結(jié)構(gòu)之一部分，以暴露出該硬掩模層的部分側(cè)壁； 在暴露出的該硬掩模層的側(cè)壁上形成多個間隙壁； 在所述隔離結(jié)構(gòu)上分別形成第二介電層以填滿所述間隙壁之間的空隙； 移除所述間隙壁與該硬掩模層，以暴露出該第 一導(dǎo)體層； 在該第一導(dǎo)體層上形成一第二導(dǎo)體層，以填滿該第二介電層之間的空 隙；以及移除該第二介電層。
16. 如權(quán)利要求15的浮置柵極層的制造方法，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的形成 方法包括在該硬掩模層、該第一導(dǎo)體層、該第一介電層與該基底中形成多個溝槽；在該基底上形成一隔離材料層，以填滿所述溝槽；以及進行一平坦化工藝，移除部分該隔離材料層直到暴露出該硬掩模層。
17. 如權(quán)利要求16的浮置柵極層的制造方法，其中該隔離結(jié)構(gòu)材料層包 括氧化硅層。
18. 如權(quán)利要求15的浮置柵極層的制造方法，其中移除各所述隔離結(jié)構(gòu) 的 一 部分的方法包括回蝕刻工藝。
19. 如權(quán)利要求15的浮置柵極層的制造方法，其中所述間隙壁的形成方 法包括在該基底上共形地形成一間隙壁材料層；以及 進行一各向異性蝕刻工藝。
20. 如權(quán)利要求19的浮置柵極層的制造方法，其中該間隙壁材料層包括 氮化硅層。
21. 如權(quán)利要求15的浮置柵極層的制造方法，其中該第二介電層的形成 方法包括在該基底上形成一介電材料層，以填滿所述間隙壁之間的空隙；以及 進行一平坦化工藝，移除部分該介電材料層直到暴露出該硬掩模層。
22. 如權(quán)利要求21的浮置柵極層的制造方法，其中該介電材料層包括氧 化硅層。
23. 如權(quán)利要求1的浮置柵極層的制造方法，其中該第二導(dǎo)體層的形成方 法包括在該基底上形成一導(dǎo)體材料層，以填滿該第二介電層之間的空隙；以及 進行一平坦化工藝，移除部分該導(dǎo)體材料層直到暴露出該第二介電層。
24. 如權(quán)利要求15的浮置柵極層的制造方法，其中移除該第二介電層的 方法包括回蝕刻工藝。
25. 如權(quán)利要求15的浮置柵極層的制造方法，其中該第一導(dǎo)體層的材料 包括摻雜 多晶 硅。
26. 如權(quán)利要求15的浮置柵極層的制造方法，其中該第二導(dǎo)體層的材料 包括摻雜 多晶 硅。
全文摘要
本發(fā)明提供一種非易失性存儲器的制造方法，包括于基底上依序形成穿隧介電層、第一導(dǎo)體層與硬掩模層；于硬掩模層、第一導(dǎo)體層、穿隧介電層與基底中形成隔離結(jié)構(gòu)；移除每一個隔離結(jié)構(gòu)之一部分，以暴露出硬掩模層的部分側(cè)壁；于暴露出的硬掩模層的側(cè)壁上形成間隙壁。繼之，于隔離結(jié)構(gòu)上形成介電層，以填滿間隙壁之間的空隙；移除間隙壁與硬掩模層；于第一導(dǎo)體層上形成第二導(dǎo)體層，以填滿介電層之間的空隙；移除介電層；于基底上共形地形成柵間介電層；于柵間介電層上形成第三導(dǎo)體層；圖案化第三導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層、第一導(dǎo)體層以形成控制柵極與浮置柵極。
文檔編號H01L21/02GK101399230SQ200710153160
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者王炳堯, 賴亮全, 顏琬儀 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司