專利名稱：基板載置臺及其制造方法、基板處理裝置、流體供給機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板載置臺、基板載置臺的制造方法、基板處理裝置、 流體供給機(jī)構(gòu)，尤其是涉及適合半導(dǎo)體基板等的等離子體處理的基板 載置臺、基板載置臺的制造方法、基板處理裝置、流體供給機(jī)構(gòu)。
背景技術(shù)：
迄今為止，在對半導(dǎo)體基板等實施等離子體蝕刻等的等離子體處 理的基板處理裝置等中，在載置基板的基板載置臺中具備用于向基板 背面一側(cè)供給氦氣等冷卻氣體的流體供給機(jī)構(gòu)已為大家所熟知。另外， 在上述基板載置臺上，作為構(gòu)成靜電卡盤的絕緣層等而在基板載置面 上設(shè)置Al203等陶瓷噴鍍層也為大家所熟知(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。
專利文獻(xiàn)1日本特開2004-47653號公報

發(fā)明內(nèi)容
作為制造上述基板載置臺的方法，例如，單獨構(gòu)成形成多個氣體 供給孔的第一板狀部件、在表面形成有作為用于向這些氣體供給孔供 給氣體的氣體供給通路的槽的第二板狀部件，通過釬焊等將它們焊接 成一個整體，之后，通過在載置面上噴鍍陶瓷形成陶瓷噴鍍層的方法。
在上述方法中，在陶瓷噴鍍時，噴鍍陶瓷將會侵入氣體供給孔內(nèi)。 因此， 一邊使空氣等從氣體供給孔中噴出， 一邊進(jìn)行陶瓷噴鍍，從而 使噴鍍陶瓷難以侵入氣體供給孔內(nèi)。但是，在上述這種空氣等的噴出 中，無法完全防止噴鍍陶瓷侵入氣體供給孔的內(nèi)部。因此，必須進(jìn)行 清潔侵入氣體供給孔的內(nèi)部并且附著在其底部的噴鍍陶瓷的沖洗工 序。
但是，本發(fā)明人等經(jīng)過詳查后發(fā)現(xiàn)，牢固地附著在氣體供給孔底 部等處的噴鍍陶瓷等有時用清潔也難以完全除去，有時存在噴鍍陶瓷 作為噴鍍殘渣而殘留的問題。正在作為產(chǎn)品而使用的情況下，該噴鍍 殘渣剝落從而污染半導(dǎo)體晶片或處理腔室內(nèi)，并且導(dǎo)致發(fā)生氣體供給 孔的孔堵塞從而發(fā)生因冷卻氣體壓力下降所引起的溫度控制方面的問題。
本發(fā)明就是針對上述現(xiàn)有情況而產(chǎn)生的，其目的在于提供一種不 僅能夠防止在流體通路內(nèi)殘留噴鍍殘渣，而且，能夠防止發(fā)生噴鍍殘 渣導(dǎo)致的污染、防止發(fā)生流體通路的孔堵塞的基板載置臺、基板載置 臺的制造方法、基板處理裝置、流體供給機(jī)構(gòu)。
本發(fā)明第一方面的基板載置臺，其特征在于，具備板狀部件，該 板狀部件具有載置有基板的載置面；在所述載置面上開口并且向該
載置面與所述基板之間供給氣體的多個氣體噴出孔；和用于向所述氣
體噴出孔供給氣體的氣體供給通路，并且所述基板載置臺設(shè)置有覆蓋 所述載置面的陶瓷噴鍍層，至少與所述氣體噴出孔相對的部位的所述 氣體供給通路的內(nèi)壁形成為曲面狀。
本發(fā)明第二方面的基板載置臺是本發(fā)明第一方面所述的基板載置 臺，其特征在于，所述氣體供給通路被多個所述氣體噴出孔共有。
本發(fā)明第三方面的基板載置臺是本發(fā)明第二方面所述的基板載置 臺，其特征在于，所述板狀部件通過焊接具有所述氣體噴出孔的第一 板狀部件、和具有底部為曲面狀的槽的第二板狀部件而構(gòu)成。
本發(fā)明第四方面基板載置臺是本發(fā)明第三方面所述的基板載置 臺，其特征在于，在所述第二板狀部件上設(shè)置有用于將氣體供給所述 氣體供給通路內(nèi)的氣體供給孔、和用于供給或排出用于清潔所述氣體 供給通路內(nèi)的流體的清潔用孔。
本發(fā)明第五方面的基板載置臺是本發(fā)明第一 第四方面中任意一 方面所述的基板載置臺，其特征在于，所述板狀部件由鋁構(gòu)成，在所 述氣體供給通路內(nèi)形成有陽極氧化膜。
本發(fā)明第六方面的基板載置臺的制造方法的特征在于，所述基板
載置臺具備板狀部件，該板狀部件具有載置有基板的載置面；在所
述載置面上開口并且向該載置面與所述基板之間供給氣體的多個氣體
噴出孔；和用于向所述氣體噴出孔供給氣體的氣體供給通路，并且所 述基板載置臺設(shè)置有覆蓋所述載置面的陶瓷噴鍍層，該方法包括形
成至少與所述氣體噴出孔相對部位的所述氣體供給通路的內(nèi)壁為曲面
狀的所述板狀部件的工序； 一邊從所述氣體噴出孔噴出氣體一邊在所 述板狀部件的所述載置面上形成陶瓷噴鍍層的工序；和對所述氣體供
給通路內(nèi)部進(jìn)行清潔的工序。
本發(fā)明第七方面的基板載置臺的制造方法是本發(fā)明第六方面所述 的基板載置臺的制造方法，其特征在于，所述氣體供給通路被多個所 述氣體噴出孔共有。
本發(fā)明第八方面的基板載置臺的制造方法是本發(fā)明第七方面所述 的基板載置臺的制造方法，其特征在于，所述板狀部件通過焊接具有 所述氣體噴出孔的第一板狀部件、和具有底部為曲面狀的槽的第二板 狀部件而形成。
本發(fā)明第九方面的基板載置臺的制造方法是本發(fā)明第八方面所述 的基板載置臺的制造方法，其特征在于，使用設(shè)置于所述第二板狀部 件的氣體供給孔和設(shè)置于所述第二板狀部件的清潔用孔，向所述氣體 供給通路的內(nèi)部供給和排出清潔用流體而進(jìn)行清潔。
本發(fā)明第十方面的基板載置臺的制造方法是本發(fā)明第六方面 第 九方面中任意一方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，所述板 狀部件由鋁構(gòu)成，該方法包括在形成陶瓷噴鍍層的工序之前，在所述 氣體供給通路內(nèi)形成陽極氧化膜的工序。
本發(fā)明第十一方面的基板處理裝置的特征在于，具備容納基板并 對其進(jìn)行處理的處理腔室，在所述處理腔室內(nèi)配設(shè)有本發(fā)明第一方 面 第五方面中任一項所述的基板載置臺。
本發(fā)明第十二方面的流體供給機(jī)構(gòu)的特征在于，具有板狀部件， 該板狀部件通過焊接具備多個流體噴出孔的第一板狀部件、和具備形 成被多個所述流體噴出孔共有并向該流體噴出孔供給流體的流體供給 通路的槽的第二板狀部件而構(gòu)成，在所述第一板狀部件的表面形成有 陶瓷噴鍍膜層，所述槽的底部形成為曲面狀。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，則可以提供一種不僅能夠防止在流體通道內(nèi)殘留噴 鍍殘渣，而且，能夠防止發(fā)生噴鍍殘渣導(dǎo)致的污染、發(fā)生流體通道的 孔堵塞的基板載置臺、基板載置臺的制造方法、基板處理裝置、流體 供給機(jī)構(gòu)。


圖1是本發(fā)明的實施方式的等離子體蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明的實施方式的基板載置臺的主要部分剖面結(jié)構(gòu)的放 大示意圖。
圖3是圖2的基板載置臺的第一板狀部件的上面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)圖。 圖4是圖2的基板載置臺的第二板狀部件的上面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)圖。 圖5是比較例的基板載置臺的主要部分剖面結(jié)構(gòu)的放大示意圖。
符號說明
5基板載置臺；IO絕緣部件(陶瓷噴鍍層)；ll靜電卡盤；12電 極；510第一板狀部件；511噴出孔；520第二板狀部件；521槽；521a底部
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。圖1是作為本實 施方式的基板處理裝置的等離子體蝕刻裝置的截面結(jié)構(gòu)圖。首先，參 照圖1對等離子體蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
等離子體蝕刻裝置1的電極板上下平行相對，并構(gòu)成連接等離子 體形成電源的電容耦合型平行平板蝕刻裝置。
等離子體蝕刻裝置1具有例如表面被陽極氧化處理過的鋁等制成并形成為圓筒形狀的處理腔室(處理容器)2，該處理腔室2被接地。 在處理腔室2內(nèi)的底部通過陶瓷等絕緣板3設(shè)置有用來載置被處理物 例如半導(dǎo)體晶片W的大約為圓柱形的基座支承臺4。在該基座支承臺 4的上面設(shè)置有構(gòu)成下部電極的基板載置臺(基座)5，基板載置臺5 與高通濾波器(HPF) 6連接。對于該基板載置臺5的詳細(xì)結(jié)構(gòu)將在后 面進(jìn)行說明。
在基座支承臺4的內(nèi)部設(shè)置有制冷劑室7，制冷劑通過制冷劑導(dǎo)入 管8被導(dǎo)入該制冷劑室7中并在其中循環(huán)，其冷熱通過基板載置臺5 被向半導(dǎo)體晶片W傳熱，于是，半導(dǎo)體晶片W就被控制在預(yù)期的溫度。
基板載置臺5的上側(cè)中央部形成凸?fàn)畹膱A板狀，在其上面設(shè)置與 半導(dǎo)體晶片W大體相同形狀的靜電卡盤11。靜電卡盤11在絕緣部件
(由陶瓷噴鍍膜構(gòu)成)10之間配置電極12而構(gòu)成。從與電極12連接 的直流電源13施加例如1.5kV的直流電壓，這樣，例如利用庫侖力靜 電吸附半導(dǎo)體晶片W。
在絕緣板3、基座支承臺4、基板載置臺5、靜電卡盤11中形成用 來向半導(dǎo)體晶片W的背面供給傳熱介質(zhì)(例如He氣等)的氣體通路 14，通過該傳熱介質(zhì)基板載置臺5的冷熱被傳達(dá)到半導(dǎo)體晶片W，于 是半導(dǎo)體晶片W就被保持在規(guī)定的溫度。
在基板載置臺5的上端周邊部，以圍繞被載置在靜電卡盤11上的 半導(dǎo)體晶片W的方式設(shè)置環(huán)狀的聚焦環(huán)15。該聚焦環(huán)15例如采用硅 等導(dǎo)電性材料構(gòu)成，并且具有提高蝕刻的均勻性的作用。
在基板載置臺5的上方與該基板載置臺5平行相對而設(shè)置上部電 極21。該上部電極21通過絕緣部件22被處理腔室2的上部支承。上 部電極21由電極板24、支承該電極板24的由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的電極 支承體25構(gòu)成。電極板24構(gòu)成與基板載置臺5的相對面，并且具有 多個噴出孔23。該電極板24例如由硅構(gòu)成，或者在由表面被陽極氧化 處理(氧化鋁膜處理)的鋁上設(shè)置石英蓋而構(gòu)成?？梢愿幕遢d置 臺5與上部電極21的間隔。
在上部電極21中的電極支承體25的中央設(shè)置氣體導(dǎo)入口 26，該 氣體導(dǎo)入口 26與氣體供給管27連接。而且，該氣體供給管27通過閥 28以及質(zhì)量流量控制器29與用來供給作為處理氣體的蝕刻氣體的處 理氣體供給源30連接。
在處理腔室2的底部連接有排氣管31，該排氣管31與排氣裝置 35連接。排氣裝置35具備渦輪分子泵等真空泵，能夠?qū)⑻幚砬皇? 內(nèi)抽真空至規(guī)定的減壓氣氛，例如抽真空至1Pa以下的規(guī)定壓力。此 外，在處理腔室2的側(cè)壁上設(shè)有閘閥32，在打開該閘閥32的狀態(tài)下， 半導(dǎo)體晶片W在鄰接的負(fù)載鎖定室(未圖示)之間被搬送。
上部電極21與第一高頻電源40連接，在該供電線中插設(shè)有匹配 器41。此外，上部電極21與低通濾波器(LPF) 42連接。該第一高頻 電源40具有50 150MHz范圍的頻率。于是，通過外加高頻電源，則能夠在處理腔室2內(nèi)形成離解狀態(tài)佳且高密度的等離子體。
作為下部電極的基板載置臺5與第二高頻電源50連接，在該供電
線中插設(shè)有匹配器51。該第二高頻電源50具有比第一高頻電源40低 的頻率范圍，通過外加該范圍的頻率，則不會對作為被處理體的半導(dǎo) 體晶片W造成損傷，而能夠產(chǎn)生適當(dāng)?shù)碾x子作用。第二高頻電源50 的頻率數(shù)優(yōu)選在1 20MHz的范圍。
上述結(jié)構(gòu)的等離子體蝕刻裝置1的操作統(tǒng)一由控制部60進(jìn)行控 制。在該控制部60中設(shè)置具備CPU并且控制等離子體蝕刻裝置1的 各個部分的過程控制器61、用戶接口部62、存儲部63。
用戶接口部62由工程管理者為管理等離子體蝕刻裝置1而進(jìn)行命 令輸入操作等的鍵盤、將等離子體蝕刻裝置1的運轉(zhuǎn)情況可視化顯示 的顯示器等構(gòu)成。
在存儲部63中，容納有存儲了用來在過程控制器61的控制下實 現(xiàn)等離子體蝕刻裝置1執(zhí)行的各種處理的控制程序(軟件)和處理條 件數(shù)據(jù)等的方案。根據(jù)需要，按照來自用戶接口部62的指示等，從存 儲部63中讀取任意的方案并使其在過程控制器61中運行，這樣，就 能在過程控制器61的控制下，在等離子體蝕刻裝置1中實施預(yù)期的處 理。此外，控制程序、處理條件數(shù)據(jù)等的方案可以被存儲在計算機(jī)能 夠讀取的計算機(jī)存儲介質(zhì)(例如硬盤、CD、軟盤、半導(dǎo)體存儲器等) 中，或者從其它的裝置例如通過專線隨時進(jìn)行傳送而在線使用。
在使用上述結(jié)構(gòu)的等離子體蝕刻裝置1對半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行等離 子體蝕刻的情況下，首先，半導(dǎo)體晶片W在閘閥32被打開之后，從 未圖示的負(fù)載鎖定室被搬入處理腔室2內(nèi)，并被載置在靜電卡盤11上。 接著，通過從直流電源13施加直流電壓，半導(dǎo)體晶片W就被靜電吸 附在靜電卡盤ll上。然后，閘閥32被關(guān)閉，利用排氣裝置35，處理 腔2室內(nèi)被抽真空至規(guī)定的真空度。
之后，閥28被打開，規(guī)定的處理氣體(蝕刻氣體) 一邊被質(zhì)量流 量控制器29調(diào)整其流量， 一邊從處理氣體供給源30通過氣體供給管 27、氣體導(dǎo)入口 26被導(dǎo)入上部電極21的中空部，并且，通過電極板 24的噴出孔23，如圖l的箭頭所示，被均勻地向半導(dǎo)體晶片W噴出。
處理腔室2內(nèi)的壓力被保持為規(guī)定的壓力。之后，規(guī)定頻率的高頻電力從第一高頻電源40施加在上部電極21上。由此，在上部電極
21和作為下部電極的基板載置臺5之間產(chǎn)生高頻電場，處理氣體離解
并等離子體化。
另一方面，頻率比上述第一高頻電源40低的高頻電力從第二高頻 電源50施加在作為下部電極的基板載置臺5上。這樣，等離子體中的 離子被引向基板載置臺5 —側(cè)，通過離子輔助，能夠提高蝕刻的各向 異性。
等離子體蝕刻一結(jié)束，就停止高頻電力的供給以及處理氣體的供 給，按照與上述順序相反的順序，半導(dǎo)體晶片W從處理腔室2內(nèi)被搬 出。
下面，參照圖2 4，對本實施方式的基板載置臺(基座)5進(jìn)行 說明。如圖2 4所示，基板載置臺5通過粘合形成為圓板狀的第一板 狀部件510與形成為圓板狀的第二板狀部件520而構(gòu)成，并且整體形 成為圓板形狀。在本實施方式中，這些第一板狀部件510和第二板狀 部件520由鋁構(gòu)成。
如圖2、 3所示，在第一板狀部件510上設(shè)有多個氣體噴出孔511。 如圖2、 4所示，在第二板狀部件520上以同心圓形狀形成用來形成向 上述各個氣體噴出孔511供給氣體的氣體供給通路的槽521。在該槽 521中，設(shè)在最外周部的槽521被設(shè)在第一板狀部件510最外周部的多 個氣體噴出孔511所共有。此外，設(shè)在最外周部以外的多個同心圓狀 以及連接它們的直徑方向的槽521被設(shè)在第一板狀部件510最外周部 以外的多個氣體噴出孔511所共有。這樣，就能夠在最外周部(邊緣 部)與其它的部位更改冷卻氣體的氣體壓力。
此外，如圖3所示，在第一板狀部件510上設(shè)有3個銷孔512，該 銷孔512分別配置有載置半導(dǎo)體晶片W時用于升降半導(dǎo)體晶片W的 銷，如圖4所示，在與這些銷孔512對應(yīng)的位置，在第二板狀部件520 上也設(shè)有銷孔522。此外，如圖4所示，在第二板狀部件520上設(shè)有 用來分別向最外周以及其它的槽521供給冷卻氣體的2個氣體供給孔 523、以及用來在清潔最外周以及其它的槽521時使用的多個(在圖4 所示的例子中共計8個)的清潔用孔524。再者，這些清潔用孔524 在后述的清潔工序等的制造工序中所使用，并且在使用基板載置臺5
時被封閉部件所封閉。
圖2所示的氣體噴出孔511的直徑例如為lmm左右。而圖2所示 的槽521的寬度例如為3mm左右、深度例如為2mm左右。另外，槽 521的底部521a形成為曲面狀，在本實施方式中，其截面形狀為朝著 下部的凸?fàn)畹陌霃綖?.5mm的R面。于是，將槽521的底部521a的 形狀設(shè)計成曲面狀的原因在于，噴鍍陶瓷難以牢固地附著于此。因此， 在槽521中，只要至少僅與氣體噴出孔511相對的部位(氣體噴出孔 511的底部)形成曲面狀即可，但是，為了能夠在同一工序中進(jìn)行整個 槽521的切削工序，在本實施方式中，整個槽521的底部521a形成為 曲面形狀。構(gòu)成從這些槽521等向氣體噴出孔511供給冷卻氣體的氣 體供給通路，槽521內(nèi)等的氣體供給通路的內(nèi)壁被陽極氧化膜(氧化 鋁膜)(未圖示)所覆蓋。
此外，在第一板狀部件510的上側(cè)的載置面上設(shè)有靜電卡盤11。 該靜電卡盤11是通過在由八1203等陶瓷噴鍍膜構(gòu)成的絕緣部件10之間 配置由金屬(在本實施方式中為鎢的金屬噴鍍膜)構(gòu)成的電極12而構(gòu) 成。
下面，對上述基板載置臺5的制造方法進(jìn)行說明。首先，在鋁制 的圓板上形成多個氣體噴出孔511而形成第一板狀部件510，同時，形 成在鋁制的圓板上形成有作為朝向氣體噴出孔511的氣體供給通路的 槽521的第二板狀部件520。此外，在第一板狀部件510上形成上述銷 孔512，在第二板狀部件520上也形成上述銷孔522、氣體供給孔523 和清潔用孔524等。
下面，通過釬焊等焊接上述第一板狀部件510、第二板狀部件520。 在該釬焊工序中，焊接面附近的部件表面有變粗糙的傾向，但是，如 果部件表面變粗糙，在后述的陶瓷噴鍍工序中，噴鍍陶瓷有時就會牢 固地附著在表面粗糙的部分。因此，例如，如圖5所示，如果在槽621 的底部621a焊接第一板狀部件610和第二板狀部件620，則槽621的 底部621a就會變成粗糙的狀態(tài)，塊狀的噴鍍陶瓷630牢固附著的可能 性增大。因此，在本實施方式中，如圖2所示，形成不在槽521的底 部而是在槽521的上部焊接第一板狀部件510和第二板狀部件520的 結(jié)構(gòu)。通過采用這種結(jié)構(gòu)，則能夠抑制塊狀的噴鍍陶瓷530易附著的槽521的底部521a變?yōu)榇植诘臓顟B(tài)。
接著，在成為氣體噴出孔511的內(nèi)側(cè)面和槽521的內(nèi)側(cè)面等氣體 供給通路的部分，通過陽極氧化處理(氧化鋁處理)形成陽極氧化膜 (氧化鋁膜)。該陽極氧化膜具有使噴鍍陶瓷難以牢固附著的效果。即 使在形成這種陽極氧化膜中，如上所述，由于槽521的底部521a變成 粗糙的狀態(tài)，因此，也無法形成表面光滑的優(yōu)質(zhì)陽極氧化膜。這種表 面光滑的優(yōu)質(zhì)陽極氧化膜將增大使噴鍍陶瓷難以牢固附著的效果。
接著，從氣體供給孔523以及清潔用孔524等供給壓縮空氣等氣 體，然后從各個氣體噴出孔511噴出壓縮空氣等氣體，同時，在載置 面上依次疊層八1203等陶瓷噴鍍膜10、金屬噴鍍膜(電極)12、陶瓷 噴鍍膜10從而形成3層的靜電卡盤11。此時，通過氣體的噴出，噴鍍 陶瓷等變得難以進(jìn)入氣體噴出孔511內(nèi)，但是其一部分進(jìn)入氣體噴出 孔511內(nèi)，如圖2中虛線所示，變成塊狀的噴鍍陶瓷530并附著在其 底部521a。但是，在本實施方式中，如圖2所示，由于槽521的底部 521a為曲面狀，因此，如圖5所示，與槽621的底部621a為平面時相 比，能夠防止進(jìn)入氣體噴出孔511內(nèi)的噴鍍陶瓷等牢固地附著。
最后，在槽521內(nèi)導(dǎo)入流體例如壓縮空氣或水進(jìn)行清潔，在陶瓷 噴鍍工序中，除去附著在槽521內(nèi)的塊狀噴鍍陶瓷530。該清潔工序使 用圖4所示的清潔用孔524和氣體供給孔523來進(jìn)行，可以適當(dāng)組合 通過壓縮空氣進(jìn)行的空氣吹掃工序、同時進(jìn)行壓縮空氣的空氣吹掃與 通水的工序、浸漬在丙酮等溶劑中的工序等來進(jìn)行。此時，如上所述， 由于進(jìn)入氣體噴出孔511的噴鍍陶瓷等不能牢固地附著，因此，不僅 容易剝離附著在槽521內(nèi)的塊狀的噴鍍陶瓷530，而且與過去相比，能 夠大幅降低噴鍍殘渣殘留的概率。
實際上，對于上述圖2所示的結(jié)構(gòu)的實施例，在陶瓷噴鍍后實施 清潔工序后，僅通過空氣吹掃工序就能全部除去塊狀的噴鍍陶瓷530， 而且，能使槽521內(nèi)的塊狀噴鍍陶瓷530的殘渣的個數(shù)為零。另一方 面，作為比較例，如圖5所示，對槽621的底部621a為平面狀的基板 載置臺進(jìn)行調(diào)査后發(fā)現(xiàn)，盡管依次實施空氣吹掃工序、同時進(jìn)行空氣 吹掃與通水的工序、浸漬在丙酮中的工序、空氣吹掃工序、同時進(jìn)行 空氣吹掃與通水的工序來進(jìn)行清潔，但是，槽621內(nèi)的塊狀噴鍍陶瓷
630的殘渣個數(shù)為6個，無法變成O個。
如上說明，根據(jù)本實施方式，不僅能防止噴鍍殘渣殘留在冷卻氣 體供給通路內(nèi)，而且能夠防止發(fā)生噴鍍殘渣的污染或流體通路的孔阻 塞。另外，本發(fā)明并不局限于上述實施方式，能夠進(jìn)行各種各樣的變 形。例如，在上述實施方式中，對在等離子體蝕刻裝置中應(yīng)用本發(fā)明 的情況進(jìn)行了說明，但是，并不局限于等離子體蝕刻裝置，例如，對
于CVD等所有的基板處理裝置也同樣能夠適用。另外，在上述實施方 式中，對于在供給冷卻氣體的基板載置臺中應(yīng)用本發(fā)明的實施方式進(jìn) 行了說明，但是，本發(fā)明并不局限于基板載置臺，對于用來供給處理 氣體等其它流體的流體供給機(jī)構(gòu)也同樣能夠適用。
權(quán)利要求
1.一種基板載置臺，其特征在于，具備板狀部件，該板狀部件具有載置有基板的載置面；在所述載置面上開口并且向該載置面與所述基板之間供給氣體的多個氣體噴出孔；和用于向所述氣體噴出孔供給氣體的氣體供給通路，并且所述基板載置臺設(shè)置有覆蓋所述載置面的陶瓷噴鍍層，至少與所述氣體噴出孔相對的部位的所述氣體供給通路的內(nèi)壁形成為曲面狀。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板載置臺，其特征在于，所述氣體供給通 路被多個所述氣體噴出孔共有。
3. 如權(quán)利要求所述2的基板載置臺，其特征在于，所述板狀部件通 過焊接具有所述氣體噴出孔的第一板狀部件、和具有底部為曲面狀的 槽的第二板狀部件而構(gòu)成。
4. 如權(quán)利要求所述3的基板載置臺，其特征在于，在所述第二板狀 部件上設(shè)置有用于將氣體供給所述氣體供給通路內(nèi)的氣體供給孔、和 用于供給或排出用于清潔所述氣體供給通路內(nèi)的流體的清潔用孔。
5. 如權(quán)利要求1 4中任一項所述的基板載置臺，其特征在于，所 述板狀部件由鋁構(gòu)成，在所述氣體供給通路內(nèi)形成有陽極氧化膜。
6. —種基板載置臺的制造方法，其特征在于，所述基板載置臺具備 板狀部件，該板狀部件具有載置有基板的載置面；在所述載置面上 開口并且向該載置面與所述基板之間供給氣體的多個氣體噴出孔；和 用于向所述氣體噴出孔供給氣體的氣體供給通路，并且所述基板載置 臺設(shè)置有覆蓋所述載置面的陶瓷噴鍍層，該方法包括形成至少與所述氣體噴出孔相對部位的所述氣體供 給通路的內(nèi)壁為曲面狀的所述板狀部件的工序；一邊從所述氣體噴出孔噴出氣體一邊在所述板狀部件的所述載置面上形成陶瓷噴鍍層的工序；和對所述氣體供給通路內(nèi)部進(jìn)行清潔的工序。
7. 如權(quán)利要求6所述的基板載置臺的制造方法，其特征在于，所述氣體供給通路被多個所述氣體噴出孔共有。
8. 如權(quán)利要求7所述的基板載置臺的制造方法，其特征在于，所述 板狀部件通過焊接具有所述氣體噴出孔的第一板狀部件、和具有底部 為曲面狀的槽的第二板狀部件而形成。
9. 如權(quán)利要求8所述的基板載置臺的制造方法，其特征在于，使用 設(shè)置于所述第二板狀部件的氣體供給孔和設(shè)置于所述第二板狀部件的 清潔用孔，向所述氣體供給通路的內(nèi)部供給和排出清潔用流體而進(jìn)行清潔。
10. 如權(quán)利要求6 9中任一項所述的基板載置臺的制造方法，其特 征在于，所述板狀部件由鋁構(gòu)成，該方法包括在形成陶瓷噴鍍層的工 序之前，在所述氣體供給通路內(nèi)形成陽極氧化膜的工序。
11. 一種基板處理裝置，其特征在于，具備容納基板并對其進(jìn)行處 理的處理腔室，在所述處理腔室內(nèi)配設(shè)有權(quán)利要求1 5中任一項所述 的基板載置臺。
12. —種流體供給機(jī)構(gòu)，其特征在于，具有板狀部件，該板狀部件 通過焊接具備多個流體噴出孔的第一板狀部件、和具備形成被多個所 述流體噴出孔共有并向該流體噴出孔供給流體的流體供給通路的槽的 第二板狀部件而構(gòu)成，在所述第一板狀部件的表面形成有陶瓷噴鍍膜 層，所述槽的底部形成為曲面狀。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不僅能夠防止在流體通路內(nèi)殘留的噴鍍殘渣，而且能夠防止發(fā)生噴鍍殘渣導(dǎo)致的污染、防止發(fā)生流體通路的孔堵塞的基板載置臺、基板載置臺的制造方法、基板處理裝置、流體供給機(jī)構(gòu)?；遢d置臺(5)通過粘合形成為圓板狀的第一板狀部件(510)和第二板狀部件(520)而構(gòu)成，其整體形成為板狀。在第一板狀部件(510)中設(shè)置有多個氣體噴出孔(511)。在第二板狀部件(520)中形成用于形成向氣體噴出孔(511)供給氣體的供給通路的槽(521)，并且槽(521)的底部(521a)形成為曲面狀。在第一板狀部件(510)的上側(cè)的載置面上設(shè)置有靜電卡盤(11)。靜電卡盤(11)通過在由陶瓷噴鍍膜制成的絕緣部件(10)之間配置電極(12)而構(gòu)成。
文檔編號H01L21/683GK101207061SQ20071015440
公開日2008年6月25日 申請日期2007年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者上田雄大, 大橋薰, 小林義之 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社