專利名稱：傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)、供給方法及基板處理裝置、處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)及傳熱氣體供給方法、以及包括這 樣的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)及傳熱氣體供給方法的基板處理裝置及基板處理方法，這些機(jī)構(gòu)、裝置及方法按照能夠?qū)ζ桨屣@示器(FPD)用玻 璃基板等的被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的方式，向載置臺(tái)和被處理基 板之間的空間供給傳熱氣體，其中上述被處理基板在載置于處理容 器內(nèi)的上述載置臺(tái)上的狀態(tài)下被實(shí)施規(guī)定處理，背景技術(shù)在FPD的制造工藝過(guò)程中，為了對(duì)作為被處理基板的FPD用的玻 璃基板實(shí)施蝕刻處理或成膜處理等規(guī)定的處理，使用等離子體蝕刻裝 置或等離子體CVD成膜裝置等的等離子體處理裝置。在等離子體處理 裝置中， 一般情況下，是在玻璃基板被載置在處理容器內(nèi)的載置臺(tái)上 的狀態(tài)下，通過(guò)在向處理容器內(nèi)供給處理氣體的同時(shí)產(chǎn)生高頻電場(chǎng)而 生成的處理氣體的等離子體，對(duì)玻璃基板進(jìn)行處理。在現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行上述這種處理時(shí)，為了避免所生成的等離 子體等導(dǎo)致玻璃基板的溫度變化，例如為了避免溫度上升，利用被設(shè) 置在載置臺(tái)上的調(diào)溫機(jī)構(gòu)對(duì)玻璃基板進(jìn)行調(diào)溫，例如對(duì)其進(jìn)行冷卻， 為了確保進(jìn)行調(diào)溫機(jī)構(gòu)與玻璃基板之間的熱傳導(dǎo)、保持玻璃基板的面 內(nèi)溫度的均一，向載置臺(tái)與玻璃基板之間的空間供給He氣體等傳熱氣 體。 一般，傳熱氣體是按照下述方式供給的，經(jīng)由一端與傳熱氣體供 給源連接、另一端與載置臺(tái)和玻璃基板的空間連接著的配管等流路， 利用壓力控制閥(PCV)等壓力檢測(cè)部以及流量調(diào)整閥，將其保持在 規(guī)定的壓力例如200 1330Pa (1.5 10Torr)。但是，近來(lái)，F(xiàn)PD朝著大型化的方向發(fā)展，甚至也出現(xiàn)了一邊超 過(guò)2m的巨大玻璃基板，載置臺(tái)與玻璃基板之間的空間或流路等被傳熱 氣體充滿的空間容量(以下，記作傳熱氣體充滿空間)也隨之變大。
另外，為了進(jìn)一步提高由傳熱氣體而導(dǎo)致的玻璃基板面內(nèi)溫度的均一性，也使用有上面被錘壓凸出(emboss)加工過(guò)的載置臺(tái)，載置臺(tái)與玻璃基板之間的空間有進(jìn)一步擴(kuò)大的趨勢(shì)。因此，從開(kāi)始供給傳熱氣 體至達(dá)到設(shè)定壓力則需要很長(zhǎng)的時(shí)間，于是就會(huì)出現(xiàn)裝置的處理能力 下降這樣的問(wèn)題。因此，為了使從開(kāi)始供給傳熱氣體快速達(dá)到設(shè)定壓力，已經(jīng)提出 一種技術(shù)方案，該方案是構(gòu)成如下結(jié)構(gòu)，在流路的中間部設(shè)置可暫時(shí)填充傳熱氣體的罐(tank)，在該罐中按照與設(shè)定壓力對(duì)應(yīng)的壓力填充 來(lái)自供給源的傳熱氣體，通過(guò)打開(kāi)罐而使傳熱氣體充滿空間瞬間被壓 力為設(shè)定壓力或接近設(shè)定壓力的傳熱氣體充滿(例如參照專利文獻(xiàn)l)。 如果使用上述這種技術(shù)，那么，通常情況下，由于傳熱氣體從載 置臺(tái)與玻璃基板的縫隙漏出等而發(fā)生壓力損失，因此，如果僅打開(kāi)罐 來(lái)放出被填充的傳熱氣體，則難以將傳熱氣體充滿空間調(diào)整為設(shè)定壓 力，必須從供給源重新補(bǔ)充壓力不足部分的傳熱氣體。因此，為了能 夠在測(cè)定流路壓力的同時(shí)調(diào)整來(lái)自供給源的傳熱氣體的供給，多數(shù)情 況下是在流路的供給源與罐之間設(shè)置PCV。但是，在這種情況下，由 于在PCV的下游側(cè)存在成為較大空間的罐，因此，在傳熱氣體充滿空 間中充滿著傳熱氣體時(shí)，PCV無(wú)法檢測(cè)出在玻璃基板的載置狀態(tài)有異 常的情況等時(shí)所產(chǎn)生的微妙的壓力變化，PCV的壓力響應(yīng)性受損，于 是就有可能與實(shí)際的壓力出現(xiàn)偏差。如果包括載置臺(tái)與玻璃基板之間 的空間的傳熱氣體充滿空間的壓力出現(xiàn)偏差，那么，就會(huì)導(dǎo)致玻璃基 板的處理質(zhì)量下降。專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)平7-321184號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是鑒于上述這種情況產(chǎn)生的，其目的在于，提供一種能 夠在短時(shí)間內(nèi)供給使載置臺(tái)與被處理基板之間的空間變成設(shè)定壓力的 這樣的量的傳熱氣體，而且能夠正確地將該空間保持在設(shè)定壓力的傳 熱氣體供給機(jī)構(gòu)以及傳熱氣體供給方法、具備這樣的傳熱氣體供給機(jī) 構(gòu)的基板處理裝置、包括這樣的傳熱氣體供給方法的基板處理方法、 以及存儲(chǔ)著用于執(zhí)行這樣的基板處理方法的控制程序的計(jì)算機(jī)可讀取
的存儲(chǔ)介質(zhì)。為了解決上述課題，在本發(fā)明的第一觀點(diǎn)中提供一種傳熱氣體供 給機(jī)構(gòu)，其特征在于，上述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)，按照能夠?qū)Ρ惶幚砘?板進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的方式，向載置臺(tái)和被處理基板之間的空間供給傳 熱氣體，其中上述被處理基板在載置于處理容器內(nèi)的上述載置臺(tái)上 的狀態(tài)下被實(shí)施規(guī)定處理，該傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)包括用于向上述 空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源；用于暫時(shí)貯存來(lái)自上述傳熱 氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體罐；第一傳熱氣體流路，其一端 與上述傳熱氣體供給源連接，另一端與上述空間連接，并且將來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo)入上述空間；和第二傳熱氣體流路，其從上述第一傳熱氣體流路分支并與上述傳熱氣體罐連接，將 上述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入上述傳熱氣體罐，并將貯存 在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入上述第一傳熱氣體流路，其中， 傳熱氣體從上述傳熱氣體供給源被暫時(shí)貯存在上述傳熱氣體罐中， 貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體被供給上述空間。在本發(fā)明的第一觀點(diǎn)中，有一種優(yōu)選實(shí)施方式，包括設(shè)置在上述 第一傳熱氣體流路中，對(duì)上述空間以及上述傳熱氣體流路內(nèi)的壓力 進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，并按照使上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī) 定值的方式，將貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給上述空間， 根據(jù)需要從上述傳熱氣體供給源向上述空間供給傳熱氣體。在這種 情況下，還有一種優(yōu)選實(shí)施方式，上述壓力檢測(cè)部被設(shè)置在比上述第 一傳熱氣體流路的與上述第二傳熱氣體流路的分支部還靠向上游的、、、另外，在本發(fā)明的第二觀點(diǎn)中提供一種基板處理裝置，其特征在于，包括收容被處理基板的處理容器；設(shè)置在上述處理容器內(nèi)， 載置被處理基板的載置臺(tái)；對(duì)載置在上述載置臺(tái)上的被處理基板實(shí) 施規(guī)定處理的處理機(jī)構(gòu)；和至少在上述處理機(jī)構(gòu)的處理時(shí)，按照調(diào) 節(jié)被處理基板的溫度的方式，向在上述載置臺(tái)與被處理基板之間形 成的調(diào)溫空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)，其中，上述傳熱 氣體供給機(jī)構(gòu)包括用于向上述空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給 源；用于暫時(shí)貯存來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體
罐；第一傳熱氣體流路，其一端與上述傳熱氣體供給源連接，另一 端與上述空間連接，并且將來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo) 入上述空間；和第二傳熱氣體流路，其從上述第一傳熱氣體流路分支并與上述傳熱氣體罐連接，將上述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體 導(dǎo)入上述傳熱氣體罐，并將貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo) 入上述第一傳熱氣體流路，其中，傳熱氣體從上述傳熱氣體供給源 被暫時(shí)貯存在上述傳熱氣體罐中，貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱 氣體被供給上述空間。在本發(fā)明的第二觀點(diǎn)中，有一種優(yōu)選實(shí)施方式，上述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)包括設(shè)置在上述第一傳熱氣體流路中，對(duì)上述空間以及上 述傳熱氣體流路內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，并，按照使上述 壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī)定值的方式，將貯存在上述傳熱氣體罐 中的傳熱氣體供給上述空間，根據(jù)需要從上述傳熱氣體供給源向上 述空間供給傳熱氣體。在這種情況下，還有另一種優(yōu)選實(shí)施方式，上 述壓力檢測(cè)部被設(shè)置在比上述第一傳熱氣體流路的與上述第二傳熱 氣體流路的分支部還靠向上游的上游側(cè)。另外，在這種情況下，還有另一種優(yōu)選實(shí)施方式，包括根據(jù)上述 壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值對(duì)上述處理機(jī)構(gòu)以及上述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)進(jìn) 行控制的控制部，上述控制部進(jìn)行如下控制在上述處理機(jī)構(gòu)的處 理前，通過(guò)上述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)供給傳熱氣體，并且該傳熱氣體 的量是按照使上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為比上述規(guī)定值還低的值 的方式設(shè)定的，根據(jù)上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板在上述載 置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，通 過(guò)上述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)供給傳熱氣體，并且該傳熱氣體的量是使 得上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為上述規(guī)定值的量，同時(shí)，通過(guò)上述 處理機(jī)構(gòu)對(duì)被處理基板進(jìn)行處理。再者，在這種情況下，還有另一種 優(yōu)選實(shí)施方式，上述傳熱氣體罐設(shè)置有2個(gè)，上述控制部進(jìn)行如下 控制在上述處理機(jī)構(gòu)的處理前，供給被貯存在上述一個(gè)傳熱氣體 罐中的傳熱氣體，根據(jù)上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板在上述 載置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下， 供給被貯存在上述另一個(gè)傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需要供給 來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體，同時(shí)，能夠通過(guò)上述處理機(jī) 構(gòu)對(duì)被處理基板進(jìn)行處理?；蛘?，上述第二傳熱氣體流路分別具有 用于將上述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入上述傳熱氣體罐中的 流路；以及將貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入上述第一傳 熱氣體流路中的流路，上述控制部進(jìn)行如下控制在上述處理機(jī)構(gòu) 的處理前，供給被貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)上述 壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值判斷基板在上述載置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否正 常，同時(shí)使來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體再次貯存在上述傳 熱氣體罐中，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，供給被再次貯存在 上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需要供給來(lái)自上述傳熱氣體供 給源的傳熱氣體，同時(shí)，能夠通過(guò)上述處理機(jī)構(gòu)對(duì)被處理基板進(jìn)行 處理。在以上的本發(fā)明的第二觀點(diǎn)中，優(yōu)選，上述處理機(jī)構(gòu)包括向上 述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給機(jī)構(gòu)；對(duì)上述處理容器 內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣機(jī)構(gòu)；和在上述處理容器內(nèi)生成上述處理氣體的 等離子體的等離子體生成機(jī)構(gòu)，該處理機(jī)構(gòu)對(duì)被處理基板實(shí)施等離 子體處理。另外，在本發(fā)明的第三觀點(diǎn)中提供一種傳熱氣體供給方法，其特 征在于，上述傳熱氣體供給方法，按照能夠?qū)Ρ惶幚砘暹M(jìn)行溫度 調(diào)節(jié)的方式，向載置臺(tái)和被處理基板之間的空間供給傳熱氣體，其 中上述被處理基板在載置于處理容器內(nèi)的上述載置臺(tái)上的狀態(tài)下被實(shí)施規(guī)定處理，該方法要準(zhǔn)備用于向上述空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源；用于暫時(shí)貯存來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體 的傳熱氣體罐；第一傳熱氣體流路，其一端與上述傳熱氣體供給源 連接，另一端與上述空間連接，并且將來(lái)自上述傳熱氣體供給源的 傳熱氣體導(dǎo)入上述空間；和第二傳熱氣體流路，其從上述第一傳熱 氣體流路分支并與上述傳熱氣體罐連接，將上述第一傳熱氣體流路 的傳熱氣體導(dǎo)入上述傳熱氣體罐，并將貯存在上述傳熱氣體罐中的 傳熱氣體導(dǎo)入上述第一傳熱氣體流路，并且，將傳熱氣體從上述傳 熱氣體供給源暫時(shí)貯存在上述傳熱氣體罐中，將貯存在上述傳熱氣
體罐中的傳熱氣體供給上述空間。在本發(fā)明的第三觀點(diǎn)中，有一種優(yōu)選實(shí)施方式，在上述第一傳熱 氣體流路中設(shè)置對(duì)上述空間以及上述傳熱氣體流路內(nèi)的壓力進(jìn)行檢 測(cè)的壓力檢測(cè)部，并按照使上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī)定值的 方式，將貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給上述空間，根據(jù) 需要將來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體供給上述空間。另外，在本發(fā)明的第四觀點(diǎn)中提供一種基板處理方法，其特征在 于，包括將被處理基板收容在處理容器內(nèi)，并載置在設(shè)置于該處 理容器內(nèi)的載置臺(tái)上的工序；對(duì)載置在上述載置臺(tái)上的被處理基板 實(shí)施規(guī)定處理的工序；和至少在上述規(guī)定的處理工序中，按照能夠 對(duì)被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的方式向上述載置臺(tái)與被處理基板之間 的空間供給傳熱氣體的工序，其中，在上述傳熱氣體供給工序中， 準(zhǔn)備用于向上述空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源；用于暫時(shí)貯存來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體罐；第一傳熱氣體流路，其一端與上述傳熱氣體供給源連接，另一端與上述空間連接，并且將來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo)入上述空間； 和第二傳熱氣體流路，其從上述第一傳熱氣體流路分支并與上述傳 熱氣體罐連接，將上述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入上述傳熱 氣體罐，并將貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入上述第一傳 熱氣體流路，并且，將傳熱氣體從上述傳熱氣體供給源暫時(shí)貯存在 上述傳熱氣體罐中，將貯存在上述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給上 述空間。在本發(fā)明的第四觀點(diǎn)中，有一種優(yōu)選實(shí)施方式，在上述傳熱氣體 供給工序中，在上述第一傳熱氣體流路中設(shè)置對(duì)上述空間以及上述 傳熱氣體流路內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，并按照使上述壓力 檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī)定值的方式，將貯存在上述傳熱氣體罐中的 傳熱氣體供給上述空間，根據(jù)需要將來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳 熱氣體供給上述空間。在這種情況下，還有另一種優(yōu)選實(shí)施方式，在上述傳熱氣體供 給工序中，在上述規(guī)定的處理工序前，供給按照使上述壓力檢測(cè)部 的檢測(cè)值成為比上述規(guī)定值還低的值的方式設(shè)定的量的傳熱氣體，
根據(jù)上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板在上述載置臺(tái)上的載置狀 態(tài)是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，在上述規(guī)定的處理 工序時(shí)，供給使上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為上述規(guī)定值的量的傳 熱氣體。此外，在這種情況下，還有另一種優(yōu)選實(shí)施方式，在上述 傳熱氣體供給工序中，設(shè)置有2個(gè)上述傳熱氣體罐，在上述規(guī)定的 處理工序前，供給被貯存在上述一個(gè)傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根 據(jù)上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板在上述載置臺(tái)上的載置狀態(tài) 是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，在上述規(guī)定的處理工 序時(shí)，供給被貯存在上述另一個(gè)傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需 要能夠供給來(lái)自上述傳熱氣體供給源的傳熱氣體?；蛘撸谏鲜鰝?熱氣體供給工序中，分別設(shè)置用于將上述第一傳熱氣體流路的傳熱 氣體導(dǎo)入上述傳熱氣體罐中的流路、以及用于將貯存在上述傳熱氣 體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入上述第一傳熱氣體流路中的流路，而構(gòu)成有 上述第二傳熱氣體流路，在上述規(guī)定的處理工序前，供給貯存在上 述傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)上述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值判斷基 板在上述載置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否正常，同時(shí)將上述傳熱氣體供給 源的傳熱氣體再次貯存在上述傳熱氣體罐中，在判斷出載置狀態(tài)正 常的情況下，在上述規(guī)定的處理工序時(shí)，供給再次貯存在上述傳熱 氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需要能夠供給來(lái)自上述傳熱氣體供給源 的傳熱氣體。再者，在本發(fā)明的第五觀點(diǎn)中提供一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)， 其特征在于，其存儲(chǔ)著在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的控制程序，上述控制程序 在執(zhí)行時(shí)按照實(shí)施上述基板處理方法的方式使計(jì)算機(jī)控制處理裝置。根據(jù)本發(fā)明，預(yù)先設(shè)置有第一傳熱氣體流路，其一端與上述傳熱 氣體供給源連接，另一端與載置臺(tái)和被處理基板之間的空間連接，并且將來(lái)自傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo)入該空間；以及第二傳熱氣體 流路，其從第一傳熱氣體流路分支并與上述傳熱氣體罐連接，將第一 傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入傳熱氣體罐中，將被貯存在傳熱氣體罐 中的傳熱氣體導(dǎo)入第一傳熱氣體流路中，并且，由于從傳熱氣體供給 源將傳熱氣體暫時(shí)貯存在傳熱氣體罐中，將被貯存在傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給載置臺(tái)和被處理基板之間的空間，因此，能夠在短時(shí)間 內(nèi)供給使得載置臺(tái)和被處理基板之間的空間變成設(shè)定壓力的量的傳熱 氣體，而且，在供給來(lái)自傳熱氣體罐的傳熱氣體之后，能夠?qū)⒆鳛檩^ 大空間的傳熱氣體罐從第一傳熱氣體流路分離，所以，通過(guò)在第一傳 熱氣體流路中設(shè)置PCV等壓力檢測(cè)部，就能夠迅速并且正確地將載置 臺(tái)和被處理基板之間的空間保持為設(shè)定壓力。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)被處理 基板的處理時(shí)間的縮短以及處理質(zhì)量的提高。


圖1是作為本發(fā)明所涉及的基板處理裝置的一實(shí)施方式的等離子 體蝕刻裝置的大致截面圖。圖2是構(gòu)成等離子體蝕刻裝置的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)的示意圖。圖3是現(xiàn)有技術(shù)的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)的示意圖。 圖4表示在利用本實(shí)施方式的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)以及現(xiàn)有技術(shù)的 傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)供給傳熱氣體時(shí)，到被保持為規(guī)定壓力為止的時(shí)間、圖5是傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)的第一變形例的示意圖。 圖6是傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)的第二變形例的示意圖。 符號(hào)說(shuō)明1:等離子體蝕刻裝置(基板處理裝置等離子體處理裝置)2:腔室(處理容器)3:傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)4:基座(載置臺(tái))15:處理氣體供給管18:處理氣體供給源19:排氣管20:排氣裝置25:高頻電源30:傳熱氣體供給源31、 32:傳熱氣體罐33:傳熱氣體管線(傳熱氣體流路)34:第一傳熱氣體管線(第一傳熱氣體流路) 35、 36:第二傳熱氣體管線(第二傳熱氣體流路)35b、 36b:上游側(cè)管線(上游側(cè)流路) 35c、 36c:下游側(cè)管線(下游側(cè)流路)38:壓力控制閥 50:工藝控制器 51:用戶接口 52:存儲(chǔ)部53:單元控制器(unit controller)G:玻璃基板(被處理基板)具體實(shí)施方式
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是作為本發(fā)明所涉及的基板處理裝置的一實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置的大致截面圖，圖2是構(gòu)成等離子體蝕刻裝置的傳熱氣體 供給機(jī)構(gòu)的示意圖。該等離子體蝕刻裝置1作為對(duì)FPD用的玻璃基板(以下簡(jiǎn)稱"基 板")G進(jìn)行蝕刻處理的電容耦合型平行平板等離子體蝕刻裝置而構(gòu)成。 作為FPD能夠列舉出，液晶顯示器(LCD)、電致發(fā)光(Electro Luminescence; EL)顯示器、和等離子體顯示面板(PDP)等。等離子 體蝕刻裝置1具有作為收容基板G的處理容器的腔室2。腔室2由例 如表面被防蝕鋁處理(陽(yáng)極氧化處理)過(guò)的鋁構(gòu)成，并與基板G的形 狀對(duì)應(yīng)而形成為四角筒形狀。在腔室2內(nèi)的底壁上設(shè)置有作為載置基板G的載置臺(tái)的基座4。 基座4與基板G的形狀相對(duì)應(yīng)而形成為四角板狀或柱狀，它具有由金 屬等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的基底4a;由覆蓋基底4a的周邊的絕緣材料構(gòu)成 的絕緣部件4b;和按照覆蓋基底4a及絕緣部件4b的底部的方式而設(shè) 置并且由對(duì)它們進(jìn)行支承的絕緣材料構(gòu)成的絕緣部件4c。在基底4a上 連接著用于供給高頻電力的供電線23，在該供電線23上連接有匹配器 24以及高頻電源25。從高頻電源25向基座4供給例如13.56MHz的高 頻電力，由此，基座4構(gòu)成為具有下部電極的功能。另外，在基底4a
中內(nèi)置有用于吸附所載置著的基板G的靜電吸附機(jī)構(gòu)、以及由用于對(duì) 所載置著的基板G進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的制冷劑流路等冷卻單元等組成的溫 度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(圖中均未表示)。在基底4a的表面以突起狀形成有由電介質(zhì)材料構(gòu)成的多個(gè)凸部 4d，這些凸部4d處于被絕緣部件4b包圍其周圍的狀態(tài)。絕緣部件4b 的上面和凸部4d的上端部具有相同的高度，當(dāng)玻璃基板G被載置在基 座4上時(shí)，變成與絕緣部件4b的上面以及凸部4d的上端部接觸的狀 態(tài)。這樣，當(dāng)基板G被載置在基座4上時(shí)，在基板G與基座4之間形 成空間D。在腔室2的上部或上壁，與基座4相對(duì)而設(shè)置有向腔室2內(nèi)供給 處理氣體同時(shí)具有作為上部電極功能的噴頭11。噴頭11形成有使處理 氣體在內(nèi)部擴(kuò)散的氣體擴(kuò)散空間12，同時(shí)，在下表面或者與基座4的 相對(duì)面形成有吐出處理氣體的多個(gè)吐出孔13。該噴頭11被接地，并與 基座4共同構(gòu)成了一對(duì)平行平板電極。在噴頭11的上表面設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 14，該氣體導(dǎo)入口 14與處 理氣體供給管15連接，該處理氣體供給管15經(jīng)由閥16以及質(zhì)量流量 控制器17與處理氣體供給源18連接。從處理氣體供給源18供給用于 蝕刻的處理氣體。作為處理氣體能夠使用鹵素類氣體、02氣、Ar氣等 通常在該領(lǐng)域中使用的氣體。在腔室2的底壁上連接著排氣管19，該排氣管19與排氣裝置20 連接，并設(shè)置有圖中未示的壓力調(diào)整閥。排氣裝置20具有渦輪分子泵 等真空泵，這樣，就能排出腔室2內(nèi)的氣體而將其抽真空至規(guī)定的減 壓氣氛。其結(jié)構(gòu)為，在腔室2的側(cè)壁上形成有用于搬入搬出基板G的 搬入搬出口21，同時(shí)，設(shè)置有開(kāi)合該搬入搬出口 21的閘閥22，當(dāng)搬 入搬出口 21開(kāi)放時(shí)，利用圖中未示的搬送單元向搬入搬出腔室2的內(nèi) 外搬送基板G。在腔室2的底壁以及基座4上，例如在基座4的周邊部位置隔開(kāi) 間隔地形成有多個(gè)貫通它們的通插孔7。在各通插孔7中，以能夠相對(duì) 于基座4的基板載置面突出沒(méi)入的方式插入有從下方支承基板G并使 其升降的升降銷8。在各個(gè)升降銷8的下部形成有法蘭部26，在各個(gè) 法蘭部26上連接有以圍繞升降銷8的方式而設(shè)置的能夠伸縮的波形管 27的一個(gè)端部(下端部)，該波形管27的另一個(gè)端部(上端部)與腔 室2的底壁連接著。這樣，波形管27隨著升降銷8的升降而伸縮，并 且對(duì)通插孔7與升降銷8的間隙進(jìn)行密封。為了確保在被載置的基板G和調(diào)溫機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行傳熱以使基板G 被調(diào)節(jié)為預(yù)期的溫度，在基座4上連接著向基板G和基座4的空間D 供給傳熱氣體的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3。傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3具有用于 向空間D供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源30;用于暫時(shí)貯存或填充來(lái) 自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體的兩個(gè)傳熱氣體罐(tank) 31、 32; 和用于將傳熱氣體供給源30的傳熱氣體導(dǎo)入傳熱氣體罐31、 32中， 并且將傳熱氣體供給源30的傳熱氣體以及傳熱氣體罐31、 32的傳熱 氣體導(dǎo)入空間D的傳熱氣體管線33 (傳熱氣體流路)。傳熱氣體供給 源30以及傳熱氣體罐3K 32被配置在腔室2外，傳熱氣體管線33按 照與空間D連通的方式貫通腔室2的底壁以及基座4并與它們相連。傳熱氣體管線33具有 一個(gè)端部與傳熱氣體供給源30連接，另 一端部與空間D連通的第一傳熱氣體管線34 (第一傳熱氣體流路)； 從第一傳熱氣體管線34分支并分別與傳熱氣體罐31、 32連接著的第 二傳熱氣體管線35、 36 (第二傳熱氣體流路)；和從第一傳熱氣體管線 34分支的并且用于排出第一傳熱氣體管線34內(nèi)的傳熱氣體的傳熱氣 體排出管線37。傳熱氣體排出管線37例如構(gòu)成為與排氣管19連接， 將第一傳熱氣體管線34內(nèi)的傳熱氣體向排氣管19內(nèi)傳送。在第一傳熱氣體管線34中，在比其與第二傳熱氣體管線35、 36 的連接部(分支部)還靠向上游的上游側(cè)設(shè)置有壓力控制閥(PCV) 38，在比其與第二傳熱氣體管線35、 36的連接部還靠向下游的下游側(cè) 設(shè)置有閥34a。另外，第二傳熱氣體管線35、 36以及傳熱氣體排出管 線37中也分別設(shè)置有閥35a、 36a、 37a。壓力控制閥38構(gòu)成為具有對(duì) 空間D以及傳熱氣體管線33內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，根據(jù)該 壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)調(diào)整傳熱氣體的流量。等離子體蝕刻裝置1的各個(gè)構(gòu)成部分被具有微處理器(計(jì)算機(jī)) 的工藝控制器50所控制。在該工藝控制器50上，連接著用戶接口 51， 該用戶接口由工序過(guò)程管理者為管理等離子體蝕刻裝置1而進(jìn)行命令 輸入操作等的鍵盤以及可視化地顯示等離子體蝕刻裝置1的運(yùn)轉(zhuǎn)情況
的顯示器等構(gòu)成；以及存儲(chǔ)部52，其存儲(chǔ)著對(duì)用于在工藝控制器50 的控制下而實(shí)現(xiàn)在等離子體蝕刻裝置1中所實(shí)施的處理的控制程序和處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等進(jìn)行記錄的方案。根據(jù)需要，按照來(lái)自用戶接口51的 指示等從存儲(chǔ)部52中調(diào)取任意的方案并使其在工藝控制器50中運(yùn)行， 這樣，就能在工藝控制器50的控制下實(shí)施在等離子體蝕刻裝置1中的 處理。上述方案可以被存儲(chǔ)在例如CD-ROM、硬盤、閃存等計(jì)算機(jī)能 夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中，或者也可以從其它的裝置例如通過(guò)專線隨時(shí)進(jìn) 行傳送，以加以利用。更具體地來(lái)講，如圖2所示，傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3的壓力控制閥 38以及各閥34a、 35a、 36a、 37a被與工藝控制器50連接著的單元控 制器53所控制。根據(jù)需要，按照從用戶接口 51發(fā)出的指示等，工藝 控制器50從存儲(chǔ)部52中調(diào)出任意的方案并使其由單元控制器53所控 制。在采用上述方式構(gòu)成的等離子體蝕刻裝置1中，首先，在利用排 氣裝置20排出腔室2內(nèi)的氣體并減壓的狀態(tài)下，從被開(kāi)放著的搬入搬 出口 21中由圖中未示的搬送單元搬入基板G，之后使各升降銷8上升， 利用各升降銷8從搬送單元接收基板G并支承基板。搬送單元從搬入 搬出口 21退出至腔室2外之后，利用閘閥22關(guān)閉搬入搬出口 21，并 且，使各升降銷8下降并使其沒(méi)入基座4的基板載置面，使基板G載 置在基座4上。在關(guān)閉搬入搬出口 21并將基板G載置到基座4上之后，在利用質(zhì) 量流量控制器17調(diào)整來(lái)自處理氣體供給源18的處理氣體的流量的同 時(shí)經(jīng)由處理氣體供給管15、氣體導(dǎo)入口 14以及噴頭11向腔室2內(nèi)供 給該處理氣體，并且通過(guò)設(shè)置在排氣管19中的壓力調(diào)整閥將腔室2內(nèi) 調(diào)整至規(guī)定的壓力，在此狀態(tài)下，向靜電吸附機(jī)構(gòu)施加直流電壓從而 使基板G吸附在基座4上。此時(shí)，為了利用預(yù)先就在動(dòng)作著并且被內(nèi)置在基座4中的調(diào)溫機(jī) 構(gòu)有效地對(duì)基板G進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，利用傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3向基板G 和基座4的空間D供給傳熱氣體。此處的傳熱氣體的供給是通過(guò)打開(kāi) 閥34a以及閥35a，在基板G搬入搬出時(shí)放出從傳熱氣體供給源30被 預(yù)先填充在傳熱氣體罐31中的傳熱氣體而進(jìn)行的。對(duì)于被預(yù)先填充在 傳熱氣體罐31中的傳熱氣體的壓力P,來(lái)說(shuō)，如果設(shè)定傳熱氣體罐31的容量為a，由空間D以及傳熱氣體供給時(shí)在傳熱氣體管線33中變成 與空間D相同壓力的部分(主要是第一傳熱氣體供給管34)所構(gòu)成的 傳熱氣體充滿空間的容量為x，被供給的傳熱氣體的設(shè)定壓力為P0， 那么，優(yōu)選該傳熱氣體的壓力P,是滿足關(guān)系式PiX『P。X (x+a)的 值。這樣就能夠在開(kāi)放閥34a以及閥35a時(shí)，使包括空間D的傳熱氣 體充滿空間的傳熱氣體的壓力瞬間達(dá)到設(shè)定壓力Pq或接近設(shè)定壓力 Po。此處的傳熱氣體的設(shè)定壓力Po可以設(shè)定為比后述的等離子體蝕刻 處理時(shí)被供給的傳熱氣體的設(shè)定壓力P3、例如400Pa (3Torr)還低的 壓力，例如200Pa (1.5Torr)。作為此時(shí)的具體例子，如果傳熱氣體充 滿空間的容量x為不足0.91，傳熱氣體罐31的容量a為0.11，那么， 被填充在傳熱氣體罐31中的傳熱氣體的壓力Pj能夠設(shè)定為1870Pa (14Torr)左右。再者，在只有被填充在傳熱氣體罐31中的傳熱氣體 未達(dá)到設(shè)定壓力P。的情況下，也可以從傳熱氣體供給源30供給傳熱氣 體來(lái)進(jìn)行補(bǔ)充。包括空間D的傳熱氣體充滿空間的傳熱氣體的壓力以 及被填充在傳熱氣體罐31中的傳熱氣體的壓力能夠通過(guò)壓力控制閥 38檢測(cè)出來(lái)。在放出已被填充在傳熱氣體罐31中的傳熱氣體之后關(guān)閉 閥35a，這樣，由于在設(shè)置有壓力控制閥38的第一傳熱氣體管線34上 不存在傳熱氣體罐31、 32這樣大的空間，因此，壓力控制閥38能夠 正確地檢測(cè)出傳熱氣體壓力的微妙的變化，而且，根據(jù)該檢測(cè)值則能 夠立即調(diào)整來(lái)自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體的供給量。在將傳熱氣體罐31的傳熱氣體供給空間D之后，在基板G發(fā)生 缺損或位置偏離等而未被正常地載置在基座4上的情況下，傳熱氣體 從基板G與基座4的縫隙漏出，因此，壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值變得比設(shè) 定壓力、例如200Pa (1.5Torr)低，或者，來(lái)自傳熱氣體供給源30的 傳熱氣體的補(bǔ)充供給量比正常時(shí)增多。因此，從傳熱氣體罐31供給傳 熱氣體后，能夠根據(jù)壓力控制閥38的壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板 G在基座4上的載置狀態(tài)是否正常。例如，在壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值穩(wěn)定在設(shè)定壓力或接近設(shè)定壓力， 判斷出基板G在基座4上的載置狀態(tài)正常的情況下，從高頻電源25經(jīng) 由匹配器24在基座4上施加高頻電力，在作為下部電極的 基座4與作
為上部電極的噴頭11之間產(chǎn)生高頻電場(chǎng)，從而使腔室2內(nèi)的處理氣體等離子體化。另外，此時(shí)，打開(kāi)閥36a，繼續(xù)放出從傳熱氣體供給源 30被預(yù)先填充在傳熱氣體罐32中的傳熱氣體。對(duì)于被預(yù)先填充在傳熱 氣體罐32中的傳熱氣體的壓力P2來(lái)說(shuō)，如果設(shè)定傳熱氣體罐32的容 量為b，傳熱氣體的設(shè)定壓力為P3，那么，優(yōu)選其是滿足關(guān)系式P2X b= (P3—PQ) X (x+b)的值。這樣就能夠在打開(kāi)閥36a時(shí)，使包括空 間D的傳熱氣體充滿空間的傳熱氣體的壓力瞬間達(dá)到設(shè)定壓力P3、例 如400Pa (3Torr)或者接近設(shè)定壓力P3。作為具體的例子，如果包括 空間D的傳熱氣體充滿空間的容量x為不足0.91，傳熱氣體罐32的容 量b為O.ll，那么，被填充在傳熱氣體罐32中的傳熱氣體的壓力P2能 夠設(shè)定為1870Pa (14Torr)左右。再者，放出已被填充在傳熱氣體罐 32中的傳熱氣體，關(guān)閉閥36a之后，在包括空間D的傳熱氣體充滿空 間的傳熱氣體的壓力未達(dá)到設(shè)定壓力P3的情況下，按照使其成為設(shè)定 壓力P3的方式從傳熱氣體供給源30供給傳熱氣體。在此狀態(tài)下，通過(guò) 處理氣體的等離子體對(duì)基板G實(shí)施蝕刻處理。另一方面，例如，在壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值緩慢下降而變得比設(shè)定 壓力低，或者來(lái)自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體的補(bǔ)充供給量比正常 時(shí)增多，判斷出基板G在基座4上的載置狀態(tài)為異常的情況下，通過(guò) 用戶接口 51發(fā)出警告等信息，然后，在將基板G在基板4上的載置狀 態(tài)改成正常之后，向基座4施加高頻電力以及從傳熱氣體罐32供給傳 熱氣體。對(duì)基板G實(shí)施蝕刻處理后，停止從高頻電源25施加高頻電力，并 且停止處理氣體以及傳熱氣體的供給，打開(kāi)閥37a并通過(guò)傳熱氣體排 出管線37排出傳熱氣體。解除靜電吸附機(jī)構(gòu)對(duì)基板G的吸附，并對(duì)基 板G實(shí)施除電處理。接著，通過(guò)閘閥22打開(kāi)搬入搬出口 21，并且使 升降銷8上升，使基板G從基座4向上方離開(kāi)。之后，在圖中未示的 搬送機(jī)構(gòu)從搬入搬出口21進(jìn)入腔室2內(nèi)之后，使升降銷8下降，并將 基板G移送給搬送機(jī)構(gòu)。之后，基板G被搬送機(jī)構(gòu)從搬入搬出口 21 搬出至腔室2外。在基板G的搬入搬出時(shí)，按照規(guī)定的壓力將來(lái)自傳 熱氣體供給源30的傳熱氣體預(yù)先填充在傳熱氣體罐31、 32中。再者，在本實(shí)施方式中，對(duì)于在等離子體蝕刻處理前向空間D供給比預(yù)期的設(shè)定壓力還低的壓力的傳熱氣體所使用著的傳熱氣體罐記 作符號(hào)31，其次，對(duì)于在等離子體蝕刻處理時(shí)向空間D供給所預(yù)期的 設(shè)定壓力的傳熱氣體所使用著的傳熱氣體罐記作符號(hào)32，但是它們也 可以更換使用。在本實(shí)施方式中，傳熱氣體管線33包括第一傳熱氣體管線34和 第二傳熱氣體管線35、 36，其中，該傳熱氣體管線33將來(lái)自傳熱氣體 供給源30的傳熱氣體導(dǎo)入用于預(yù)先貯存該傳熱氣體的傳熱氣體罐31、 32中，并且將來(lái)自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體以及被貯存在傳熱氣 體罐31、 32中的傳熱氣體導(dǎo)入基座4與基板G之間的空間D;該第一 傳熱氣體管線34的一端與傳熱氣體供給源30連接著，另一端與空間D 連接著；該第二傳熱氣體管線35、 36從第一傳熱氣體管線34分支并 分別與傳熱氣體罐31、 32連接著。經(jīng)由第一傳熱氣體管線34以及第 二傳熱氣體管線35、 36，從傳熱氣體供給源30將被填充在傳熱氣體罐 31、 32中的傳熱氣體供給空間D，根據(jù)需要，通過(guò)第一傳熱氣體管線 34將來(lái)自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體供給空間D，因此，即使在因 設(shè)置在基座4上表面的凸部4d而在基座4與基板G之間形成有大的空 間D的情況下，也能夠在短時(shí)間內(nèi)供給使該空間D變成設(shè)定壓力的量 的傳熱氣體。而且，關(guān)閉設(shè)在第二傳熱氣體管線35、 36中的閥35a、 36a，能使作為較大空間的傳熱氣體罐31、 32與第一傳熱氣體管線34 隔離，因此，能夠通過(guò)設(shè)在第一傳熱氣體管線中的壓力控制閥38來(lái)正 確地保持傳熱氣體的壓力。因此，不僅能夠縮短基板G的處理時(shí)間， 同時(shí)也能夠提高基板G的處理質(zhì)量。在本實(shí)施方式中，由于在第一傳熱氣體管線34與第二傳熱氣體管 線35、 36的連接部的上游側(cè)設(shè)置壓力控制閥38，因此，通過(guò)該壓力控 制閥38則能夠檢測(cè)出包括空間D及第一傳熱氣體管線34的傳熱氣體 充滿空間的壓力，同時(shí)也能夠檢測(cè)出被預(yù)先填充在傳熱氣體罐31、 32 中的傳熱氣體的壓力。在本實(shí)施方式中，由于在等離子體蝕刻處理前，供給使得壓力控 制閥38的壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值變?yōu)楸鹊入x子體蝕刻處理時(shí)的設(shè)定壓力 值、例如400Pa (3Torr)還低的值、例如200Pa (1.5Torr)的、這樣的 量的傳熱氣體，然后根據(jù)壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值判斷基板G在基座4上
的載置狀態(tài)是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，供給使得壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值變成設(shè)定壓力值、例如400Pa (3Torr)這樣的量的 傳熱氣體，并且進(jìn)行等離子體蝕刻處理，因此，能夠防止基板G在基 座4上的載置狀態(tài)處于異常而對(duì)基板G進(jìn)行等離子體蝕刻處理這樣的 狀況，防止裝置內(nèi)部件例如基座4的破損，同時(shí)能夠提高基板G的處 理效率。在本實(shí)施方式中，設(shè)置兩個(gè)傳熱氣體罐31、 32，使用傳熱氣 體罐31來(lái)進(jìn)行用于對(duì)等離子體蝕刻處理前的基板G的載置狀態(tài)進(jìn)行判 斷的傳熱氣體的供給，使用傳熱氣體罐32來(lái)進(jìn)行等離子體蝕刻處理時(shí) 的傳熱氣體的供給，因此，能夠迅速地進(jìn)行等離子體蝕刻處理前的傳 熱氣體的供給以及等離子體蝕刻處理時(shí)的傳熱氣體的供給。下面，使用本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置1，在基板G被載置 在基座4上的狀態(tài)下，測(cè)定從直流電壓被施加在內(nèi)置于基座4中的靜 電吸附機(jī)構(gòu)上的時(shí)刻開(kāi)始至向基板G與基座4之間的空間D供給填充 在傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3的傳熱氣體罐31中的傳熱氣體、并且被供給的 傳熱氣體的壓力穩(wěn)定在設(shè)定壓力左右的時(shí)刻為止的時(shí)間(以下記作穩(wěn) 定時(shí)間)。傳熱氣體供給時(shí)被傳熱氣體充滿的空間D以及傳熱氣體管線 33內(nèi)的總?cè)萘縳設(shè)為不足0.91，傳熱氣體的設(shè)定壓力P,設(shè)為200Pa (1.5Torr)。于是，根據(jù)關(guān)系式PiX『P。X (x+a)，對(duì)將傳熱氣體罐 31的容量a設(shè)為0.251，并且傳熱氣體罐31的傳熱氣體的填充壓力P, 設(shè)為930Pa (7Torr)的情況，以及傳熱氣體罐31的容量a設(shè)為0.11， 并且傳熱氣體罐31的傳熱氣體的填充壓力P!設(shè)為1870Pa (14Torr)的 情況分別進(jìn)行了測(cè)定。另外，作為比較例，如圖3所示，使用將來(lái)自 傳熱氣體供給源30的傳熱氣體經(jīng)由供給管線A供給空間D的傳熱氣 體供給機(jī)構(gòu)B進(jìn)行測(cè)定。另外，供給管線A作為與第一供給管線34 大致相等的容量。測(cè)定結(jié)果分別如圖4 (a) (c)所示。在設(shè)置于本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置1中的傳熱氣體供給機(jī) 構(gòu)3中，在將傳熱氣體罐31的容量a設(shè)為0.251，并且傳熱氣體罐31 的傳熱氣體的填充壓力P,設(shè)為930Pa (7Torr)的情況下，如圖4 (a) 所示，穩(wěn)定時(shí)間大約為10.5秒；在傳熱氣體罐31的容量a設(shè)為O.ll， 并且傳熱氣體罐31的傳熱氣體的填充壓力P!設(shè)為1870Pa (14Torr)的 情況下，如圖4 (b)所示，穩(wěn)定時(shí)間大約為8.5秒。與此相對(duì)，在比
較例的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)B中，如圖4 (C)所示，穩(wěn)定時(shí)間為16秒。 即可以確認(rèn)，通過(guò)使用傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3，與使用現(xiàn)有技術(shù)的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)B的情況相比，能夠大幅縮短到傳熱氣體的供給壓力被保 持在設(shè)定壓力為止的時(shí)間，即基板G的處理時(shí)間。還可以確認(rèn)，通過(guò) 進(jìn)一步縮小傳熱氣體罐31的容量并提高傳熱氣體的填充壓力，就能夠進(jìn)一步縮短傳熱氣體的供給壓力被保持到設(shè)定壓力為止的時(shí)間。下面，對(duì)傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3的變形例進(jìn)行說(shuō)明。 圖5是傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3的第一變形例的示意圖。 在傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3中，如前所述，能夠按照使其一端與傳熱 氣體罐31、 32連接的方式設(shè)置從第一傳熱氣體管線34分支的第二傳 熱氣體管線35、 36，但是并不局限于此，如圖5所示，也可以按照使 其兩個(gè)端部從第一傳熱氣體管線34分支，在中間部與傳熱氣體罐31、 32連接的方式設(shè)置第二傳熱氣體管線35、 36。在這種情況下，在第二 傳熱氣體管線35 (36)的比傳熱氣體罐31靠向上游的上游側(cè)以及靠向 下游的下游側(cè)分別設(shè)置閥35d G6d)、 35e G6e)，在傳熱氣體罐31、 32上分別設(shè)置測(cè)量被填充在該傳熱氣體罐31 、 32中的傳熱氣體的壓力 的壓力計(jì)等壓力檢測(cè)單元31a、 32a。另外，壓力控制閥38能夠按照位 于第二傳熱氣體管線35、 36的上游側(cè)端部和下游側(cè)端部之間的方式而 設(shè)在第一傳熱氣體管線34中。在這種情況下，第二傳熱氣體管線35、 36分別具有將第一傳熱氣體管線34的傳熱氣體導(dǎo)入傳熱氣體罐31、 32中的上游側(cè)管線35b、 36b (上游側(cè)流路)；以及將被填充在傳熱氣 體罐31、 32中的傳熱氣體導(dǎo)入第一傳熱氣體管線34中的下游側(cè)管線 35c、 36c (下游側(cè)流路)，因此，在將被填充在傳熱氣體罐31、 32中 的傳熱氣體通過(guò)下游側(cè)管線35c、 36c而供給空間D之后，關(guān)閉閥35e、 36e，并利用壓力控制閥38來(lái)保持空間D的壓力的期間，能夠使來(lái)自 傳熱氣體供給源30的傳熱氣體通過(guò)上游側(cè)管線35b、 36b而填充至傳 熱氣體罐31、 32中。即，即使在處理基板G時(shí)，也能夠在傳熱氣體罐 31、 32中再次填充傳熱氣體。因此，在基板G的搬入搬出時(shí)不必向傳 熱氣體罐31、 32中填充傳熱氣體，能夠縮短對(duì)基板進(jìn)行處理的之間的 間隔并進(jìn)一步提高總處理能力。再者，此處，雖然使上游側(cè)管線35b、 36b匯合并與第一傳熱氣體管線34連接，但是，也可以分別與第一傳
熱氣體管線34連接。另外，也可以使下游側(cè)管線35c、 36c匯合并與 第一傳熱氣體管線34連接。圖6是傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3的第二變形例的示意圖。 在傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)3中，如圖6所示，也可以僅設(shè)置一個(gè)傳熱 氣體罐31以及一條第二傳熱氣體管線35，按照其兩個(gè)端部從第一傳熱 氣體管線34分支，并且在中間部與傳熱氣體罐31連接的方式設(shè)置第 二傳熱氣體管線35。在此情況下，也分別具有將第一傳熱氣體管線34 的傳熱氣體導(dǎo)入傳熱氣體罐31中的上游側(cè)管線35b、以及將被填充在 傳熱氣體罐31中的傳熱氣體導(dǎo)入第一傳熱氣體管線34中的下游側(cè)管 線35c。因此，利用一個(gè)傳熱氣體罐31則能夠進(jìn)行等離子體蝕刻處理 前的傳熱氣體的供給以及等離子體蝕刻處理時(shí)的傳熱氣體的供給，這 樣則能夠到達(dá)簡(jiǎn)化裝置的目的，同時(shí)可進(jìn)一步提高總處理能力。以上說(shuō)明了本發(fā)明的最佳實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不局限于上 述實(shí)施方式，可以有各種各樣的改變。在上述實(shí)施方式中，將對(duì)基板 與基座中間的空間以及傳熱氣體管線內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部 設(shè)置在第一傳熱氣體管線與第二傳熱氣體管線或者與下游側(cè)管線的分 支部的上游側(cè)，但是，并不局限于此，也可以將壓力檢測(cè)部設(shè)置在第 一傳熱氣體管線與第二傳熱氣體管線或者與下游側(cè)管線的分歧部的下 游側(cè)。另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)用在向下部電極施加高頻電力 的RIE式的電容耦合型平行平板等離子體蝕刻裝置中的例子進(jìn)行了說(shuō) 明，但是，并不局限于此，也能夠應(yīng)用在灰化、CVD成膜等其它的等 離子體處理裝置中，而且，也能應(yīng)用在將基板載置在載置臺(tái)上進(jìn)行處 理的、等離子體處理裝置以外的所有普遍的基板處理裝置中。另外， 在上述實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)用在FPD用的玻璃基板中的例子進(jìn)行了說(shuō)明， 但并不局限于此，也能夠應(yīng)用在半導(dǎo)體基板等的所有普遍的基板中。
權(quán)利要求
1.一種傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)，按照能夠?qū)Ρ惶幚砘暹M(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的方式，向載置臺(tái)和被處理基板之間的空間供給傳熱氣體，其中所述被處理基板在載置于處理容器內(nèi)的所述載置臺(tái)上的狀態(tài)下被實(shí)施規(guī)定處理，該傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)包括用于向所述空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源；用于暫時(shí)貯存來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體罐；第一傳熱氣體流路，其一端與所述傳熱氣體供給源連接，另一端與所述空間連接，并且將來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo)入所述空間；和第二傳熱氣體流路，其從所述第一傳熱氣體流路分支并與所述傳熱氣體罐連接，將所述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入所述傳熱氣體罐，并將貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入所述第一傳熱氣體流路，其中，傳熱氣體從所述傳熱氣體供給源被暫時(shí)貯存在所述傳熱氣體罐中，貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體被供給所述空間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)，其特征在于， 包括設(shè)置在所述第一傳熱氣體流路中，對(duì)所述空間以及所述傳熱氣體流路內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，按照使所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī)定值的方式，將貯存在 所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給所述空間，根據(jù)需要從所述傳熱 氣體供給源向所述空間供給傳熱氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)，其特征在于， 所述壓力檢測(cè)部被設(shè)置在比所述第一傳熱氣體流路的與所述第二傳熱氣體流路的分支部還靠向上游的上游側(cè)。
4. 一種基板處理裝置，其特征在于，包括 收容被處理基板的處理容器；設(shè)置在所述處理容器內(nèi)，載置被處理基板的載置臺(tái)；對(duì)載置在所述載置臺(tái)上的被處理基板實(shí)施規(guī)定處理的處理機(jī)構(gòu)；禾口至少在所述處理機(jī)構(gòu)的處理時(shí)，按照調(diào)節(jié)被處理基板的溫度的 方式向在所述載置臺(tái)與被處理基板之間形成的調(diào)溫空間供給傳熱氣 體的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)，其中，所述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)包括用于向所述空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源；用于暫時(shí)貯存來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體*第一傳熱氣體流路，其一端與所述傳熱氣體供給源連接，另一 端與所述空間連接，并且將來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo)入所述空間；和第二傳熱氣體流路，其從所述第一傳熱氣體流路分支并與所述 傳熱氣體罐連接，將所述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入所述傳 熱氣體罐，并將貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入所述第一 傳熱氣體流路，其中，傳熱氣體從所述傳熱氣體供給源被暫時(shí)貯存在所述傳熱氣體罐 中，貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體被供給所述空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，所述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)包括設(shè)置在所述第一傳熱氣體流路中，對(duì)所述空間以及所述傳熱氣 體流路內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，按照使所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī)定值的方式，將貯存在 所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給所述空間，根據(jù)需要從所述傳熱 氣體供給源向所述空間供給傳熱氣體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，所述壓力檢測(cè)部被設(shè)置在比所述第一傳熱氣體流路的與所述第 二傳熱氣體流路的分支部還靠向上游的上游側(cè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基板處理裝置，其特征在于， 包括根據(jù)所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值對(duì)所述處理機(jī)構(gòu)以及所述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制的控制部，所述控制部進(jìn)行如下控制在所述處理機(jī)構(gòu)的處理前，通過(guò)所述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)供給傳 熱氣體，并且該傳熱氣體的量是按照使所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成 為比所述規(guī)定值還低的值的方式設(shè)定的，根據(jù)所述壓力檢測(cè)部的檢 測(cè)值來(lái)判斷基板在所述載置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，通過(guò)所述傳熱氣體供給機(jī)構(gòu) 供給傳熱氣體，并且該傳熱氣體的量是使得所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè) 值成為所述規(guī)定值的量，同時(shí)，通過(guò)所述處理機(jī)構(gòu)對(duì)被處理基板進(jìn) 行處理。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述傳熱氣體罐設(shè)置有2個(gè)，所述控制部進(jìn)行如下控制在所述處理機(jī)構(gòu)的處理前，供給被貯存在所述一個(gè)傳熱氣體罐 中的傳熱氣體，根據(jù)所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板在所述載 置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，供給被貯存在所述另一個(gè)傳 熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需要供給來(lái)自所述傳熱氣體供給源的 傳熱氣體，同時(shí)，通過(guò)所述處理機(jī)構(gòu)對(duì)被處理基板進(jìn)行處理。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述第二傳熱氣體流路分別具有用于將所述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入所述傳熱氣體罐中的流路；以及將貯存在所述傳熱 氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入所述第一傳熱氣體流路中的流路， 所述控制部進(jìn)行如下控制在所述處理機(jī)構(gòu)的處理前，供給被貯存在所述傳熱氣體罐中的 傳熱氣體，根據(jù)所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值判斷基板在所述載置臺(tái)上 的載置狀態(tài)是否正常，同時(shí)使來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體 再次貯存在所述傳熱氣體罐中，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，供給被再次貯存在所述傳熱 氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需要供給來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳 熱氣體，同時(shí)，通過(guò)所述處理機(jī)構(gòu)對(duì)被處理基板進(jìn)行處理。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4 9中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征 在于，所述處理機(jī)構(gòu)包括向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣 體供給機(jī)構(gòu)；對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣機(jī)構(gòu)；和在所述處 理容器內(nèi)生成所述處理氣體的等離子體的等離子體生成機(jī)構(gòu)，該處 理機(jī)構(gòu)對(duì)被處理基板實(shí)施等離子體處理。
11. 一種傳熱氣體供給方法，其特征在于，所述傳熱氣體供給方法，按照能夠?qū)Ρ惶幚砘暹M(jìn)行溫度調(diào)節(jié) 的方式，向載置臺(tái)和被處理基板之間的空間供給傳熱氣體，其中所 述被處理基板在載置于處理容器內(nèi)的所述載置臺(tái)上的狀態(tài)下被實(shí)施 規(guī)定處理，該方法要準(zhǔn)備用于向所述空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源； 用于暫時(shí)貯存來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體罐；第一傳熱氣體流路，其一端與所述傳熱氣體供給源連接，另一 端與所述空間連接，并且將來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo) 入所述空間；禾口第二傳熱氣體流路，其從所述第一傳熱氣體流路分支并與所述 傳熱氣體罐連接，將所述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入所述傳 熱氣體罐，并將貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入所述第一 傳熱氣體流路，將傳熱氣體從所述傳熱氣體供給源暫時(shí)貯存在所述傳熱氣體罐 中，將貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給所述空間。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的傳熱氣體供給方法，其特征在于， 在所述第一傳熱氣體流路中設(shè)置對(duì)所述空間以及所述傳熱氣體流路內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，按照使所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī)定值的方式，將貯存在 所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給所述空間，根據(jù)需要將來(lái)自所述 傳熱氣體供給源的傳熱氣體供給所述空間。
13. —種基板處理方法，其特征在于，包括將被處理基板收容在處理容器內(nèi)，并載置在設(shè)置于該處理容器內(nèi)的載置臺(tái)上的工序；對(duì)載置在所述載置臺(tái)上的被處理基板實(shí)施規(guī)定處理的工序；和 至少在所述規(guī)定的處理工序中，按照能夠?qū)Ρ惶幚砘暹M(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的方式向所述載置臺(tái)與被處理基板之間的空間供給傳熱氣體的工序，在所述傳熱氣體供給工序中，準(zhǔn)備用于向所述空間供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源； 用于暫時(shí)貯存來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體罐；第一傳熱氣體流路，其一端與所述傳熱氣體供給源連接，另一 端與所述空間連接，并且將來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導(dǎo) 入所述空間；和第二傳熱氣體流路，其從所述第一傳熱氣體流路分支并與所述 傳熱氣體罐連接，將所述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入所述傳 熱氣體罐，并將貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體導(dǎo)入所述第一 傳熱氣體流路，將傳熱氣體從所述傳熱氣體供給源暫時(shí)貯存在所述傳熱氣體罐 中，將貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給所述空間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述傳熱氣體供給工序中，在所述第一傳熱氣體流路中設(shè)置對(duì)所述空間以及所述傳熱氣體 流路內(nèi)的壓力進(jìn)行檢測(cè)的壓力檢測(cè)部，按照使所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為規(guī)定值的方式，將貯存在 所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體供給所述空間，根據(jù)需要將來(lái)自所述 傳熱氣體供給源的傳熱氣體供給所述空間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述傳熱氣體供給工序中，在所述規(guī)定的處理工序前，供給按照使所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè) 值成為比所述規(guī)定值還低的值的方式設(shè)定的量的傳熱氣體，根據(jù)所 述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板在所述載置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否 正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，在所述規(guī)定的處理工序時(shí)， 供給使所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值成為所述規(guī)定值的量的傳熱氣體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述傳熱氣體供給工序中， 設(shè)置有2個(gè)所述傳熱氣體罐，在所述規(guī)定的處理工序前，供給被貯存在所述一個(gè)傳熱氣體罐 中的傳熱氣體，根據(jù)所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值來(lái)判斷基板在所述載 置臺(tái)上的載置狀態(tài)是否正常，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，在所述規(guī)定的處理工序時(shí)， 供給被貯存在所述另一個(gè)傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需要供給 來(lái)自所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述傳熱氣體供給工序中，分別設(shè)置用于將所述第一傳熱氣體流路的傳熱氣體導(dǎo)入所述傳 熱氣體罐中的流路、以及用于將貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣 體導(dǎo)入所述第一傳熱氣體流路中的流路，而構(gòu)成有所述第二傳熱氣 體流路，在所述規(guī)定的處理工序前，供給貯存在所述傳熱氣體罐中的傳 熱氣體，根據(jù)所述壓力檢測(cè)部的檢測(cè)值判斷基板在所述載置臺(tái)上的 載置狀態(tài)是否正常，同時(shí)將所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體再次貯 存在所述傳熱氣體罐中，在判斷出載置狀態(tài)正常的情況下，在所述規(guī)定的處理工序時(shí)， 供給再次貯存在所述傳熱氣體罐中的傳熱氣體，根據(jù)需要供給來(lái)自 所述傳熱氣體供給源的傳熱氣體。
18. —種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，其存儲(chǔ)著在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的控制程序，所述控制程序在執(zhí)行時(shí)按照實(shí)施權(quán)利要求13 17中任一項(xiàng)所 述的基板處理方法的方式使計(jì)算機(jī)控制處理裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)、供給方法及基板處理裝置、處理方法。其能在短時(shí)間內(nèi)供給使載置臺(tái)與玻璃基板間的空間變成設(shè)定壓力的量的傳熱氣體，并能將該空間正確保持在設(shè)定壓力。傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)(3)包括用于向基座與基板間的空間(D)供給傳熱氣體的傳熱氣體供給源(30)；用于暫時(shí)貯存來(lái)自該傳熱氣體供給源的傳熱氣體的傳熱氣體罐(31)；一端與該傳熱氣體供給源連接，另一端與該空間連接著的第一傳熱氣體流路(34)；及從該第一傳熱氣體流路分支并與該傳熱氣體罐連接著的第二傳熱氣體流路(35)，經(jīng)由該第一及第二傳熱氣體流路，傳熱氣體從傳熱氣體供給源暫時(shí)貯存在該傳熱氣體罐，貯存在該傳熱氣體罐的傳熱氣體被供給該空間。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101154565SQ20071015440
公開(kāi)日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月26日
發(fā)明者佐藤亮, 齊藤均 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社