專利名稱：疊層電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及疊層電容器。
背景技術(shù)：
作為這種疊層電容器，已知一種疊層電容器，其具有長(zhǎng)方體狀 的電容器素體，該電容器素體具有相互對(duì)置的長(zhǎng)方形狀的一對(duì)主面、 以連接一對(duì)主面間的方式在一對(duì)主面的長(zhǎng)邊方向上延伸且相互對(duì)置的 一對(duì)側(cè)面、和以連接一對(duì)主面間的方式在一對(duì)主面的短邊方向上延伸 且相互對(duì)置的一對(duì)側(cè)面；以及分別配置在在主面的長(zhǎng)邊方向上延伸的 一對(duì)側(cè)面上的多個(gè)端子電極；上述電容器素體具有在一對(duì)主面的相 對(duì)方向上層疊的多個(gè)絕緣體層；和夾住多個(gè)絕緣體層中的至少一層絕 緣體層而相對(duì)地交替配置、且與對(duì)應(yīng)的端子電極相連接的多個(gè)內(nèi)部電 極(參照例如專利文獻(xiàn)l)。在專利文獻(xiàn)1所記載的疊層電容器中，由 于分別配置在一對(duì)側(cè)面上的端子電極的間隔小，因此該疊層電容器中 電流的流經(jīng)路線非常短，因此可以使等效串聯(lián)電感(ESL)變小。 [專利文獻(xiàn)l]日本特開平9-148174號(hào)公報(bào)。發(fā)明內(nèi)容但是，對(duì)于疊層電容器而言，根據(jù)其用途提出了提高其等效串聯(lián) 電阻(ESR)的進(jìn)一步的要求。例如，將疊層電容器作為去耦電容器使 用的情況下，提出了如下要求。在向搭載于數(shù)字電子儀器的中央處理 裝置(CPU)供給用的電源中，低電壓化取得進(jìn)展的同時(shí)，卻使負(fù)載 電流增大。因此，由于相對(duì)于負(fù)載電流的急劇變化將電源電壓的變化 限制在允許值之內(nèi)變得非常困難，使得將稱作去耦電容器的疊層電容 器連接于電源。這樣，在負(fù)載電流急劇變化時(shí)由該疊層電容器向CPU 供給電流，用以抑制電源電壓的變動(dòng)。近年來，伴隨著CPU的工作頻 率進(jìn)一步高頻率化，負(fù)荷電流高速地變得更大，從而對(duì)用于去耦電容 器的疊層電容器提出了大容量化且大等效串聯(lián)電阻的要求。
但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的疊層電容器中，沒有進(jìn)行為了增大 等效串聯(lián)電阻的研究。本發(fā)明的目的在于提供一種在抑制等效串聯(lián)電感增加的同時(shí)，可 以提高等效串聯(lián)電阻的疊層電容器。本發(fā)明所涉及的疊層電容器，其特征在于，具有電容器素體， 該電容器素體為長(zhǎng)方體狀，該電容器素體具有相互對(duì)置的長(zhǎng)方形狀 的第1及第2主面、以連接第1及第2主面的方式在第1及第2主面 的長(zhǎng)邊方向上延伸并相互對(duì)置的第1及第2側(cè)面、以及以連接第1及第2主面的方式在第1及第2主面的短邊方向上延伸并相互對(duì)置的第3及第4側(cè)面，多個(gè)絕緣體層在第1及第2主面的相對(duì)方向上層疊；多 個(gè)第1內(nèi)部電極，配置在電容器素體內(nèi)；多個(gè)第2內(nèi)部電極，以在其 間夾住多層絕緣體層中的至少一層且相對(duì)的方式，與多個(gè)第1內(nèi)部電 極交替配置在電容器素體內(nèi)；第1端子電極，與多個(gè)第1內(nèi)部電極電 連接；第2端子電極，與多個(gè)第2內(nèi)部電極電連接；連接導(dǎo)體，與多 個(gè)第1內(nèi)部電極電連接；以及絕緣體，以覆蓋連接導(dǎo)體的全部區(qū)域的 方式配置在第1端子電極與連接導(dǎo)體之間。第2端子電極配置在電容 器素體的第2側(cè)面上；各第1內(nèi)部電極包含主電極部和以從該主電極 部在第1側(cè)面露出端部的方式延伸的第1引出部；多個(gè)第1內(nèi)部電極 中的至少一個(gè)第1內(nèi)部電極還包含有，以從主電極部在第1側(cè)面露出 端部的方式延伸的第2引出部；連接導(dǎo)體不覆蓋在電容器素體的第1 側(cè)面露出的至少一個(gè)第1內(nèi)部電極的第2引出部的端部，連續(xù)覆蓋在 第1側(cè)面露出的多個(gè)第1內(nèi)部電極的第1引出部的端部的全部，且以 與第1引出部的端部機(jī)械連接的方式配置在第1端子電極與第1側(cè)面 之間；絕緣體不覆蓋在電容器素體的第1側(cè)面露出的至少一個(gè)第1內(nèi) 部電極的第2引出部的端部；第1端子電極連續(xù)覆蓋絕緣體的全部區(qū) 域以及在第l側(cè)面露出的至少一個(gè)第l內(nèi)部電極的第2引出部的端部， 且以與第1內(nèi)部電極的第2引出部電連接的方式配置在第1側(cè)面上。 在上述疊層電容器中，第1內(nèi)部電極通過連接導(dǎo)體相互電連接。 連接導(dǎo)體被絕緣體覆蓋與第1端子電極電絕緣。因此，多個(gè)第1內(nèi)部 電極中的只有還包含第2引出部的至少一層第1內(nèi)部電極不通過其它 內(nèi)部電極而與第1端子電極直接電連接。其結(jié)果，在上述疊層電容器
中可以使等效串聯(lián)電阻變大。此外，第1及第2端子電極均在第1及 第2主面的長(zhǎng)邊方向上延伸且配置在相互對(duì)置的第1及第2側(cè)面上。 這樣，在上述的疊層電容器中，由于第l及第2端子電極的間隔變小， 該疊層電容器中電流的流經(jīng)路徑也變得很短，因此可以使等效串聯(lián)電 感變小。此外，在上述疊層電容器中，相對(duì)于連接第1內(nèi)部電極的連 接導(dǎo)體具有覆蓋該連接導(dǎo)體的絕緣體。因此，在上述疊層電容器中， 不用顧及連接導(dǎo)體與連接盤圖形的連接關(guān)系而可以安裝在基板上，并 能具有通用性。此外，優(yōu)選還具有與在第1側(cè)面露出的至少一個(gè)第1內(nèi)部電極的 第2引出部的端部機(jī)械連接的基底導(dǎo)體，基底導(dǎo)體在第1側(cè)面上不與 連接導(dǎo)體重合，而以覆蓋在第1側(cè)面露出的第1內(nèi)部電極的第2引出 部的端部的方式，配置在第1側(cè)面與第1端子電極之間。例如在通 過在第1側(cè)面上燒結(jié)金屬材料而形成連接導(dǎo)體的情況中，在燒結(jié)時(shí)， 可以有效抑制在第1側(cè)面露出的第1內(nèi)部電極的第2引出部的端部的 氧化。根據(jù)本發(fā)明可以提供能夠抑制等效串聯(lián)電感的增加，且使等效串 聯(lián)電阻提高的疊層電容器。從以下的詳細(xì)說明及附圖可以更全面地理解本發(fā)明，但這些描述和 附圖僅以示例方式給出，其不能被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。本發(fā)明進(jìn)一步的應(yīng)用范圍從以下的詳細(xì)說明將變得更清楚。但應(yīng) 理解的是，這些詳細(xì)的說明和具體的實(shí)施例雖然表示本發(fā)明的優(yōu)選方 式，但只是以示例方式給出的，根據(jù)這些詳細(xì)說明，在本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi)的各種變化和修改對(duì)本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員是顯而易見的。


圖1為實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的立體圖； 圖2為包含于實(shí)施方式所涉及的疊層電容器中的電容器素體的分 解立體圖；圖3為用于說明實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的第1側(cè)面上配置 的導(dǎo)體、絕緣體以及端子電極的結(jié)構(gòu)的圖4為用于說明實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的第1側(cè)面上配置的導(dǎo)體、絕緣體以及端子電極的結(jié)構(gòu)的圖；圖5為用于說明圖1所示疊層電容器的V-V箭頭截面的結(jié)構(gòu)的圖； 圖6為用于說明圖1所示的疊層電容器的VI-VI箭頭截面的結(jié)構(gòu)的圖；圖7為用于說明相對(duì)于電容器素體，制造實(shí)施方式所涉及的疊層 電容器的第1端子電極部件的方法的圖；圖8為用于說明相對(duì)于電容器素體，制造實(shí)施方式所涉及的疊層 電容器的第1端子電極部件的方法的圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對(duì)最佳實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。其中，在說明中， 對(duì)同一要素或具有同一功能的要素使用同一符號(hào)，并省略重復(fù)的說明。參照?qǐng)D1 圖6說明實(shí)施方式所涉及的疊層電容器C1的結(jié)構(gòu)。圖 1為實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的立體圖。圖2為包含于實(shí)施方式所 涉及的疊層電容器中的電容器素體的分解立體圖；圖3為用于說明實(shí) 施方式所涉及的疊層電容器的第1側(cè)面上配置的連接導(dǎo)體、絕緣體、 基底導(dǎo)體以及第1端子電極的結(jié)構(gòu)的圖。圖4為用于說明實(shí)施方式所 涉及的疊層電容器的連接導(dǎo)體、絕緣體、基底導(dǎo)體以及第2端子電極 的結(jié)構(gòu)的圖。圖5為用于說明圖1所示的疊層電容器的V-V箭頭截面 的結(jié)構(gòu)的圖。圖6為用于說明圖1所示的疊層電容器的VI-VI箭頭截 面的結(jié)構(gòu)的圖。其中，為了易于觀看，在圖3、圖4中省略了陰影線。如圖1所示，實(shí)施方式所涉及的疊層電容器Cl具有電容器素體 Ll以及配置在電容器素體L1的外表面的第1及第2連接導(dǎo)體11、21、 第1及第2基底導(dǎo)體12A、 12B、 22A、 22B、第1及第2絕緣體13、 23以及第1及第2端子電極10、 20。如圖1所示，電容器素體L1為長(zhǎng)方體狀，具有相互對(duì)置的長(zhǎng)方 形狀的第1及第2主面Lla、 Lib;以連接第1及第2主面Lla、 Lib 的方式在第1及第2主面Lla、 Lib的長(zhǎng)邊方向上延伸且相互對(duì)置的第 1及第2側(cè)面Llc、 Lld;以及以連接第1及第2主面Lla、 Lib的方式 在第1及第2主面Lla、 Lib的短邊方向上延伸且相互對(duì)置的第3及第 4側(cè)面Lle、 Llf。如圖2所示，電容器素體L1為多個(gè)(本實(shí)施方式中為7層)絕緣 體層30 36在第1及第2主面Lla、 Lib的相對(duì)的方向上層疊而成的 層疊體。各絕緣體層30 36是由例如包含絕緣體陶瓷的陶瓷坯片的燒 結(jié)體構(gòu)成的。此外，在實(shí)際的疊層電容器C1中，絕緣體層30 36間 的邊界被一體化為不能目視分辨的程度。在電容器素體L1內(nèi)，配置有多個(gè)(本實(shí)施方式中為各3層)第l 及第2內(nèi)部電極40 42、 50 52。第1及第2內(nèi)部電極40 42、 50 52以在其間夾住多個(gè)絕緣體層30 36之中的至少一層且相對(duì)的方式 交替配置在電容器素體L1內(nèi)。各內(nèi)部電極40 42、 50 52由例如導(dǎo) 電膏(例如以Ni、 Ag/Pd為主成分的導(dǎo)體膏)的燒結(jié)體構(gòu)成。各第1內(nèi)部電極40 42包含，以電容器素體Ll的第1及第2主 面Lla、 Llb的長(zhǎng)邊方向作為長(zhǎng)邊方向的矩形狀的主電極部40a 42a， 和以從主電極部40a 42a在第1側(cè)面Llc露出端部的方式延伸的第1 引出部40b 42b。第1引出部40b 42b從對(duì)應(yīng)的主電極部40a 42a 的第1側(cè)面Llc側(cè)的長(zhǎng)邊的中心附近向第1側(cè)面Llc延伸。各第1內(nèi)部電極40 42中， 一個(gè)第1內(nèi)部電極40還包含以從主 電極部40a在第l側(cè)面Llc露出端部的方式延伸的第2引出部40c、40d。 第2引出部40c從主電極部40a的第1側(cè)面Llc側(cè)的長(zhǎng)邊的第3側(cè)面 Lle偵iJ，向第l側(cè)面Llc延伸。第2引出部40d從主電極部40a的第1 側(cè)面Llc側(cè)的長(zhǎng)邊的第4側(cè)面Llf側(cè)，向第1側(cè)面Llc延伸。在第1內(nèi)部電極40中，在從電容器素體L1的第3側(cè)面Lle側(cè)至 第4側(cè)面Llf側(cè)的方向上，依次配置有第2引出部40c、第1引出部 40b、第2引出部40d。各第2內(nèi)部電極50 52包含，以電容器素體Ll的第1以及第2 主面Lla、 Lib的長(zhǎng)邊方向作為長(zhǎng)邊方向的矩形狀的主電極部50a 52a，和以從主電極部50a 52a在第2側(cè)面Lld露出端部的方式延伸 的第3引出部50b 52b。第3引出部50b 52b從對(duì)應(yīng)的主電極部50a 52a的第2側(cè)面Lld側(cè)的長(zhǎng)邊的中心附近，向第2側(cè)面Lld延伸。
各第2內(nèi)部電極50 52中， 一個(gè)第2內(nèi)部電極52還包含以從主 電極部52a在第2側(cè)面Lld露出端部的方式延伸的第4引出部52c、52d。 第2引出部52c從主電極部52a的第2側(cè)面Lld側(cè)的長(zhǎng)邊的第3側(cè)面 Lle偵i」，向第2側(cè)面Lld延伸。第4引出部52d從主電極部52a的第2 側(cè)面Lld側(cè)的長(zhǎng)邊的第4側(cè)面Llf側(cè)，向第2側(cè)面Lld延伸。在第2內(nèi)部電極52中，在從電容器素體L1的第3側(cè)面Lle側(cè)至 第4側(cè)面Llf側(cè)的方向上，依次配置有第2引出部52c、第1引出部 52b、第2引出部52d。第1內(nèi)部電極40的主電極部40a與第2內(nèi)部電極50的主電極部 50a夾住絕緣體層31相對(duì)。第1內(nèi)部電極41的主電極部41a與第2內(nèi) 部電極50的主電極部50a夾住絕緣體層32相對(duì)。第1內(nèi)部電極41的 主電極部41a與第2內(nèi)部電極51的主電極部51a夾住絕緣體層33相 對(duì)。第1內(nèi)部電極42的主電極部42a與第2內(nèi)部電極51的主電極部 51a夾住絕緣體層34相對(duì)。第1內(nèi)部電極42的主電極部42a與第2內(nèi) 部電極52的主電極部52a夾住絕緣體層35相對(duì)。如圖3所示，第1側(cè)面Llc上配置有第1連接導(dǎo)體II、第l基底 導(dǎo)體12A、 12B、第1絕緣體13以及第1端子電極10。第1連接導(dǎo)體 11以連續(xù)覆蓋全部在第l側(cè)面Llc露出的第1內(nèi)部電極40 42的第1 引出部40b 42b的端部的方式，配置在第l側(cè)面Llc上。第l連接導(dǎo) 體11配置在第1側(cè)面Llc與第1端子電極10之間。第1連接導(dǎo)體11 不覆蓋在第l側(cè)面Llc露出的第1內(nèi)部電極40的第2引出部40c、40d 的端部的任一個(gè)。第1基底導(dǎo)體12A以覆蓋在第1側(cè)面Llc露出的第2引出部40c 的端部的方式，配置在第l側(cè)面Llc之上且第l端子電極10之下。第 1基底導(dǎo)體12B以覆蓋在第1側(cè)面Llc露出的第2引出部40d的端部 的方式，配置在第l側(cè)面Llc之上且第l端子電極10之下。即、第l 基底導(dǎo)體12A、 12B配置在第l側(cè)面Llc與第l端子電極10之間。第 1基底導(dǎo)體12A、 12B的任一個(gè)都被配置在第1側(cè)面Llc之上，相互不 重合且與第1連接導(dǎo)體11不重合。第1絕緣體13以不覆蓋在第1側(cè)面Llc露出的第1內(nèi)部電極40 的第2引出部40c、 40d的端部、而覆蓋第1連接導(dǎo)體11的全部區(qū)域
的方式，配置在第1連接導(dǎo)體11之上，即配置在第1連接導(dǎo)體11與第1端子電極IO之間。第1端子電極10以連續(xù)覆蓋第1絕緣體13的 全部區(qū)域以及第1基底導(dǎo)體12A、 12B的全部區(qū)域的方式配置。因此， 第1端子電極10覆蓋在第1側(cè)面Llc露出的第1內(nèi)部電極40的第2 引出部40c、 40d的端部。如圖4所示，第2側(cè)面Lld上配置有第2連接導(dǎo)體21、第2基底 導(dǎo)體22A、 22B、第2絕緣體23以及第2端子電極20。第2連接導(dǎo)體 21以連續(xù)覆蓋全部在第2側(cè)面Lld露出的第2內(nèi)部電極50 52的第3 引出部50b 52b的端部的方式，配置在第2側(cè)面Lld上。第2連接導(dǎo) 體21配置在第2側(cè)面Lld與第2端子電極20之間。第2連接導(dǎo)體21 不覆蓋在第2側(cè)面Lld露出的第2內(nèi)部電極52的第4引出部52c、 52d 的端部的任一個(gè)。第2基底導(dǎo)體22A以覆蓋在第2側(cè)面Lld露出的第2引出部52c 的端部的方式，配置在第2側(cè)面Lld之上且第2端子電極20之下。第 2基底導(dǎo)體22B以覆蓋在第2側(cè)面Lld露出的第2引出部52d的端部 的方式，配置在第2側(cè)面Lld之上且第2端子電極20之下。即、第2 基底導(dǎo)體22A、 22B配置在第2側(cè)面Lld與第2端子電極20之間。第 2基底導(dǎo)體22A、 22B的任一個(gè)均配置在第2側(cè)面Lld之上，相互不重 合且與第2連接導(dǎo)體21不重合。第2絕緣體23以不覆蓋在第2側(cè)面Lld露出的第2內(nèi)部電極52 的第2引出部52c、 52d的端部而覆蓋第2連接導(dǎo)體21的全部區(qū)域的 方式，配置在第2連接導(dǎo)體21之上，即配置在第2連接導(dǎo)體21與第2 端子電極20之間。第2端子電極20以連續(xù)覆蓋第2絕緣體23的全部 區(qū)域以及第2基底導(dǎo)體22A、 22B的全部區(qū)域的方式配置。因此，第2 端子電極20覆蓋在第2側(cè)面Lld露出的第2內(nèi)部電極52的第2引出 部52c、 52d的端部。圖5是用于說明圖1所示的疊層電容器的V-V箭頭截面的結(jié)構(gòu)的 圖。由圖5可知，第1內(nèi)部電極40 42的第1引出部40b 42b的端 部與第1連接導(dǎo)體11機(jī)械連接。第2內(nèi)部電極50 52的第3引出部 50b 52b的端部與第2連接導(dǎo)體21機(jī)械連接。此外，由圖5可以看出， 第1連接導(dǎo)體11配置在第1側(cè)面Llc與第1絕緣體13之間，第1絕 緣體13配置在第1連接導(dǎo)體11與第1端子電極IO之間。此外還可以 看出，第2連接導(dǎo)體21配置在第2側(cè)面Lld與第2絕緣體23之間， 第2絕緣體23配置在第2連接導(dǎo)體21與第2端子電極20之間。圖6是用于說明圖1所示的疊層電容器的VI-VI箭頭截面的結(jié)構(gòu) 的圖。由圖6可知，第1內(nèi)部電極40的第2引出部40c的端部與第1 基底導(dǎo)體12A機(jī)械連接。第2內(nèi)部電極52的第4引出部52c的端部與 第2基底導(dǎo)體22A機(jī)械連接。雖然省略其圖示，但第l內(nèi)部電極40的 第2引出部40d的端部與第1基底導(dǎo)體12B機(jī)械連接。第2內(nèi)部電極 52的第4引出部52d的端部與第2基底導(dǎo)體22B機(jī)械連接。此外，由圖6可以看出，第1基底導(dǎo)體12A配置在第1側(cè)面Llc 與第1端子電極10之間。此外，第2基底導(dǎo)體22A配置在第2側(cè)面 Lld與第2端子電極20之間。此外，雖然省略了其圖示，但第l基底 導(dǎo)體12B配置在第1側(cè)面Llc與第1端子電極10之間，第2基底導(dǎo)體 22B配置在第2側(cè)面Lld與第1端子電極10之間。因此，第1端子電極10與第1內(nèi)部電極40的第2引出部40c、40d 電連接，但不經(jīng)由其它的內(nèi)部電極以及第1連接導(dǎo)體11。第2端子電 極20與第2內(nèi)部電極52的第4引出部52c、 52d電連接，但不經(jīng)由其 它的內(nèi)部電極以及第2連接導(dǎo)體21 。此外，第1端子電極10通過第1連接導(dǎo)體11與多個(gè)第1內(nèi)部電 極40 42電連接。第2端子電極20通過第2連接導(dǎo)體21與多個(gè)第2 內(nèi)部電極50 52電連接。接著，參照?qǐng)D7及圖8說明相對(duì)于疊層電容器Cl的電容器素體 Ll形成第1連接導(dǎo)體、第1絕緣體、第1基底導(dǎo)體以及第1端子電極， 制造疊層電容器C1的方法的一個(gè)例子。其中，在圖7、 8中，為了易 于觀看，省略陰影線。如圖7所示，首先，在電容器素體Ll的第l側(cè)面Llc上形成第l 連接導(dǎo)體11及第1基底導(dǎo)體12A、 12B。通過在第1側(cè)面Llc上涂敷 導(dǎo)電膏，以使其連續(xù)覆蓋第1內(nèi)部電極40 42的第1引出部40b 42b 露出的端部的全部，其后對(duì)該膏體進(jìn)行加熱(燒結(jié))處理，從而形成 第l連接導(dǎo)體ll。通過在第l側(cè)面Llc上涂敷導(dǎo)電膏，以使其覆蓋第 1內(nèi)部電極40的第2引出部40c露出的端部，其后對(duì)該膏體進(jìn)行燒結(jié) 處理，從而形成第1基底導(dǎo)體12A。通過在第1側(cè)面Llc上涂敷導(dǎo)電 膏，以使其覆蓋第l內(nèi)部電極40的第2引出部40d露出的端部，其后 對(duì)該膏體進(jìn)行燒結(jié)處理，從而形成第1基底導(dǎo)體12B。作為導(dǎo)體膏， 使用例如以Cu，或Ni，或Ag為主成分的導(dǎo)體膏。這樣，由于通過進(jìn) 行燒結(jié)處理，第1內(nèi)部電極40 42的第1引出部40b 42b與第1連 接導(dǎo)體ll進(jìn)行合金化，并且，第1內(nèi)部電極40的第2引出部40c、40d 與第1基底導(dǎo)體12A、 12B進(jìn)行合金化，因此，這些引出部與連接導(dǎo) 體之間的電連接變得更為可靠。接著，在第1連接導(dǎo)體11上形成第1絕緣體13。通過在第1連接 導(dǎo)體ll上涂敷絕緣體膏(以例如玻璃、或陶瓷、或樹脂為主成分)， 使其覆蓋第1連接導(dǎo)體11的全部區(qū)域，之后對(duì)涂敷的膏體進(jìn)行燒結(jié)(絕 緣體膏是以例如玻璃或陶瓷為主成分的情況)或干燥(絕緣膏是以例 如樹脂為主成分的情況)，從而形成第1絕緣體13?；蛘?，也可以通 過使用于形成第1連接導(dǎo)體11而涂敷的導(dǎo)體膏的表面氧化而形成第1 絕緣體13。接著，在第1絕緣體13以及第1基底導(dǎo)體12A、 12B上形成第1 端子電極IO。通過在第1側(cè)面Llc上涂敷導(dǎo)體膏(以例如Cu、或Ni、 或Ag、或?qū)щ娦詷渲瑸橹鞒煞?，使其連續(xù)覆蓋第1絕緣體13以及 第1基底導(dǎo)體12A、 12B的兩者，之后進(jìn)行燒結(jié)(導(dǎo)體膏是以例Cu、 或Ni、或Ag為主成分的情況)或干燥(絕緣膏是以例如樹脂為主成 分的情況)，從而形成第1端子電極10。必要時(shí)，也可以在燒結(jié)或干 燥了的第1端子電極10上形成電鍍層。通過上述過程，在電容器素體 上形成了第1端子電極10。在疊層電容器C1中，第1內(nèi)部電極40 42的第1引出部40b 42b與第l連接導(dǎo)體ll機(jī)械連接。因此，第l內(nèi)部電極40 42通過第 l連接導(dǎo)體ll而相互電連接。第1連接導(dǎo)體11被第1絕緣體13覆蓋。因此，第1連接導(dǎo)體11 和連接于形成在基板等上的連接盤圖案的第1端子電極10電絕緣。此 外，只有第l內(nèi)部電極40具有第2引出部40c、 40d，電連接于第l端 子電極IO，但并不經(jīng)由其它的內(nèi)部電極以及第l連接導(dǎo)體ll。即，第
1內(nèi)部電極41、 42通過第1內(nèi)部電極40以及第1連接導(dǎo)體11而與第 1端子電極10電連接。其結(jié)果是在疊層電容器C1中可以使等效串聯(lián)電阻變大。此外，第1及第2端子電極10、 20都在第1及第2主面Lla、 Lib 的長(zhǎng)邊方向上延伸，并配置在相互對(duì)置的第1及第2側(cè)面Llc、 Lld上。 這樣，在疊層電容器C1中，第1及第2端子電極10、 20的間隔變短、 電流在該疊層電容器C1中的流經(jīng)路徑變得非常短。為此，可以使疊層 電容器C1的等效串聯(lián)電感變小。因此，在疊層電容器C1中，可以抑制等效串聯(lián)電感的增加并使等 效串聯(lián)電阻增大。此外，在疊層電容器Cl中，在第1連接導(dǎo)體11與第1端子電極 IO之間配置有第1絕緣體13。因此，即使與一般的兩端子電容器同樣， 在安裝時(shí)將第1及第2端子電極10、 20直接與形成在基板等上的連接 盤圖案連接，也可以得到上述效果(抑制等效串聯(lián)電感的增加并使等 效串聯(lián)電阻增大)。因此，疊層電容器Cl可以連接于一般的基板電路 (用于安裝一般的兩端子電容器)等，在與基板等的關(guān)系上具有通用 性。此外，在疊層電容器C1中，第2側(cè)面Lld與第2端子電極20之 間，配置有第2連接導(dǎo)體21、第2基底導(dǎo)體22A、 22B以及第2絕緣 體23。由這樣的配置，疊層電容器Cl也可以抑制等效串聯(lián)電感的增 加并使等效串聯(lián)電阻變大。其結(jié)果是，在疊層電容器C1中，可以進(jìn)一 步抑制等效串聯(lián)電感的增加并使等效串聯(lián)電阻變大。以上，就本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不一定限 于上述的實(shí)施方式，在不超出其要旨的范圍內(nèi)可以有各種變更的可能。例如，絕緣體層30 36以及各內(nèi)部電極40 42、 50 52的疊層 數(shù)，不限于上述實(shí)施方式中所述的數(shù)目。此外，具有第2引出部、不 通過其它內(nèi)部電極以及連接導(dǎo)體而與第1端子電極10電連接的第1內(nèi) 部電極的數(shù)目以及在疊層方向上的位置，不限于上述實(shí)施方式中所述 的數(shù)目及位置。此外，具有第4引出部、不通過其它內(nèi)部電極以及連 接導(dǎo)體而與第2端子電極20電連接的第2內(nèi)部電極的數(shù)目以及在疊層 方向上的位置，不限于上述實(shí)施方式中所述的數(shù)目及位置。
此外，第1內(nèi)部電極40所具有的第1及第2引出部的數(shù)目及位置， 不限于上述實(shí)施方式中所述的數(shù)目及位置。第2內(nèi)部電極52所具有的 第1及第2引出部的數(shù)目及位置，不限于上述實(shí)施方式中所述的數(shù)目 及位置。第1及第2連接導(dǎo)體11、 21的任一個(gè)都不限于上述實(shí)施方式中所 述的數(shù)目，例如可以分別為一個(gè)，也可以分別為兩個(gè)以上。第1及第2 連接導(dǎo)體11、 21的數(shù)目也可以不相同。第1及第2絕緣體13、 23的 任一個(gè)都不限于上述實(shí)施方式中所述的數(shù)目。第1及第2基底導(dǎo)體12A、 12B、 22A、 22B的任一個(gè)都可以不是 兩個(gè)，例如可以是一個(gè)，也可以是三個(gè)以上。第1及第2基底導(dǎo)體12A、 12B、 22A、 22B的數(shù)目也可以不相同。此外，也可以不具有第1及第 2基底導(dǎo)體12A、 12B、 22A、 22B的雙方或一方。此外，也可以不具 有第2連接導(dǎo)體21、第2絕緣體23以及第2基底導(dǎo)體22A、 22B。從上面已經(jīng)描述的發(fā)明可知，很顯然本發(fā)明可以進(jìn)行各種方式的 改變。這些改變并不能被看作脫離了本發(fā)明的精神和范圍，并且所有 這種對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的修改都應(yīng)認(rèn)為包括在本發(fā)明的 權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.疊層電容器，其特征在于具有電容器素體，所述電容器素體為長(zhǎng)方體狀，具有相互對(duì)置的長(zhǎng)方形狀的第1及第2主面、以連接所述第1及第2主面的方式在第1及第2主面的長(zhǎng)邊方向上延伸并相互對(duì)置的第1及第2側(cè)面、以及以連接所述第1及第2主面的方式在所述第1及第2主面的短邊方向上延伸并相互對(duì)置的第3及第4側(cè)面，多個(gè)絕緣體層在所述第1及第2主面的相對(duì)的方向上層疊；多個(gè)第1內(nèi)部電極，配置在所述電容器素體內(nèi)；多個(gè)第2內(nèi)部電極，以在其間夾住所述多層絕緣體層中的至少一層且相對(duì)的方式，與所述多個(gè)第1內(nèi)部電極交替配置在所述電容器素體內(nèi)；第1端子電極，與所述多個(gè)第1內(nèi)部電極電連接；第2端子電極，與所述多個(gè)第2內(nèi)部電極電連接；連接導(dǎo)體，與所述多個(gè)第1內(nèi)部電極電連接；以及絕緣體，以覆蓋所述連接導(dǎo)體的全部區(qū)域的方式配置在所述第1端子電極與所述連接導(dǎo)體之間，所述第2端子電極配置在所述電容器素體的所述第2側(cè)面上；所述各第1內(nèi)部電極包含主電極部和以從該主電極部在所述第1側(cè)面露出端部的方式延伸的第1引出部；所述多個(gè)第1內(nèi)部電極中的至少一個(gè)第1內(nèi)部電極還包括，以從所述主電極部在所述第1側(cè)面露出端部的方式延伸的第2引出部；所述連接導(dǎo)體，不覆蓋在所述電容器素體的所述第1側(cè)面露出的所述至少一個(gè)第1內(nèi)部電極的所述第2引出部的所述端部，連續(xù)覆蓋在所述第1側(cè)面露出的多個(gè)所述第1內(nèi)部電極的所述第1引出部的所述端部的全部，且以與所述第1引出部的所述端部機(jī)械連接的方式配置在所述第1端子電極與所述第1側(cè)面之間；所述絕緣體不覆蓋在所述電容器素體的所述第1側(cè)面露出的所述至少一個(gè)第1內(nèi)部電極的所述第2引出部的所述端部；所述第1端子電極連續(xù)覆蓋所述絕緣體的全部區(qū)域以及在所述第1側(cè)面露出的所述至少一個(gè)第1內(nèi)部電極的所述第2引出部的所述端部，且以與所述第1內(nèi)部電極的所述第2引出部電連接的方式配置在所述第1側(cè)面上。
2. 如權(quán)利要求l所述的疊層電容器，其特征在于 還具有基底導(dǎo)體，機(jī)械連接于在所述第1側(cè)面露出的所述至少 一個(gè)第l內(nèi)部電極的所述第2引出部的所述端部；所述基底導(dǎo)體在所述第1側(cè)面上不與所述連接導(dǎo)體重合，且以覆 蓋在所述第1側(cè)面露出的所述第1內(nèi)部電極的所述第2引出部的所述 端部的方式，配置在所述第1側(cè)面和所述第1端子電極之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種疊層電容器，其具有電容器素體、配置在電容器素體的第1側(cè)面的第1連接導(dǎo)體、第1及第2端子電極、以及配置在第1連接導(dǎo)體與第1端子電極之間的第1絕緣體。電容器素體配置有層疊的多層絕緣體層和多個(gè)第1及第2內(nèi)部電極。第2端子電極與第2內(nèi)部電極連接。各第1內(nèi)部電極具有在第1側(cè)面露出端部的第1引出部。一部分第1內(nèi)部電極還具有在第1側(cè)面露出端部的第2引出部。第1連接導(dǎo)體連續(xù)覆蓋所有在第1側(cè)面露出的第1內(nèi)部電極的第1引出部的端部，且與第1引出部的端部機(jī)械連接。第1端子電極被配置為連續(xù)覆蓋第1絕緣體的全部區(qū)域以及在第1側(cè)面露出的第1內(nèi)部電極的第2引出部的端部，且與第1內(nèi)部電極的第2引出部電連接。
文檔編號(hào)H01G4/30GK101154502SQ20071016165
公開日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
發(fā)明者富樫正明, 松下慶友 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社