專(zhuān)利名稱(chēng)：橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬氧化物晶體管(Metal Oxide Semiconductor: MOS)，尤其涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管(Lateral Diffused MOS, LDMOS)。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品的種類(lèi)越來(lái)越多，電子產(chǎn)品中的集 成電路的集成程度也越來(lái)越高。而高壓電子元件，如橫向擴(kuò)散金屬 氧化物晶體管的應(yīng)用也越來(lái)越廣，其可應(yīng)用在電源，電源管理器， 通訊，汽車(chē)及工業(yè)控制等等。普通的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管可 參閱IEEE的"Proceedings of 2004 International Symposium on Power Semiconductor Devices&ICs, Kitakyushu，，上發(fā)表的論文"Field-plate Effects on the Breakdown Voltage of an Integrated High-voltage LDMOS Transistor"。
目前，靜電釋放(Electrostatic Discharge, ESD)現(xiàn)象對(duì)集成電路 的可靠性構(gòu)成了極大的威脅。 一般的消費(fèi)性電子產(chǎn)品要求在人體放 電模式(Human-Body Model, HBM)下能承受的靜電釋放電壓大于 2KV,在機(jī)械放電模式(Machine Mode1)下能承受的靜電釋放電壓大 于200V。而普通的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管無(wú)法承受如此大的靜 電釋放電壓，其很容易被人體或機(jī)械所帶有的靜電燒毀。

發(fā)明內(nèi)容
下面將以實(shí)施例說(shuō)明 一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，該橫向 擴(kuò)散金屬氧化物晶體管具有良好的抗靜電能力。
一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其包括一第一類(lèi)型襯底，一 設(shè)置在該第 一類(lèi)型村底上的柵氧化物， 一設(shè)置在該柵氧化物上的晶柵， 一 對(duì)該第 一 類(lèi)型襯底進(jìn)行部分摻雜從而形成的第二類(lèi)型輕摻雜 區(qū)域以作為阱區(qū)， 一對(duì)該第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形 成的第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域以作為基區(qū)， 一對(duì)該第 一類(lèi)型高摻雜區(qū)域 進(jìn)行部分摻雜從而形成的第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域， 一對(duì)該第二類(lèi) 型輕摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形成的第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域， 以及一對(duì)該第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形成的第 一類(lèi)型 高摻雜襯底電極區(qū)域，該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域與該第二類(lèi)型高 摻雜漏極區(qū)域分別形成在該晶柵的兩側(cè)，該第一類(lèi)型高摻雜襯底電 極區(qū)域靠近該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域形成，且該第一類(lèi)型高摻雜 區(qū)域及該第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域分別具有一部分直接位于該晶柵之下 以隔開(kāi)該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域與該第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域， 該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管進(jìn)一步包括設(shè)置在該第二類(lèi)型高摻雜 源極區(qū)域之下的 一 第 一 摻雜區(qū)域，該第 一 摻雜區(qū)域?yàn)榈?一 類(lèi)型摻雜 區(qū)域。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，所述橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管利用設(shè)置在 第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域與第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域間的第一摻雜區(qū)域 可以調(diào)整該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管在靜態(tài)放電模式下的電流電 壓特征，使其獲得良好的電流電壓特性，增強(qiáng)了該橫向擴(kuò)散金屬氧 化物晶體管的抗靜電能力。


圖l是本發(fā)明第 一 實(shí)施例所提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶 體管的剖示圖。
圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例所提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶 體管的剖示圖。
圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例所提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶 體管的剖示圖。
圖4是本發(fā)明第四實(shí)施例所提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶 體管的剖示圖。圖5是本發(fā)明第五實(shí)施例所提供的一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶 體管的剖示圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn) 一 步的詳細(xì)說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖l，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物
晶體管100,其包括一p型襯底110， 一設(shè)置在該p型襯底110上的柵氧 化物121, —設(shè)置在該柵氧化物121上的晶柵120, —對(duì)該p型襯底110 進(jìn)行部分摻雜從而形成的n-型輕摻雜區(qū)域130， 一對(duì)該n-型輕摻雜區(qū) 域130進(jìn)行部分摻雜從而形成的p+型高摻雜區(qū)域140, —對(duì)該p+型高 摻雜區(qū)域140進(jìn)行部分摻雜從而形成的n+型高摻雜源極區(qū)域150, — 對(duì)該n-型輕摻雜區(qū)域130進(jìn)行部分摻雜從而形成的n+型高摻雜漏極 區(qū)域160，以及一對(duì)該p+型高4參雜區(qū)域140進(jìn)行部分摻雜從而形成的 p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170。該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170的摻 雜濃度高于該p+型高摻雜區(qū)域140,且該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域 170鄰近該n+型高摻雜源極區(qū)域150形成。該n+型高摻雜源極區(qū)域150 與該n+型高摻雜漏極區(qū)域160分別形成在該晶柵120的兩側(cè)，且該11+ 型高摻雜源極區(qū)域150正對(duì)于該n+型高摻雜漏極區(qū)域160,兩者位于 同 一層。該p+型高摻雜區(qū)域140及該n—型輕摻雜區(qū)域130分別具有一 部分直接位于該晶柵120之下以隔開(kāi)該n+型高摻雜源極區(qū)域150與該 n+型高摻雜漏極區(qū)域160。
該n-型輕摻雜區(qū)域130作為n型阱(n-well),該p+型高摻雜區(qū)域140 作為p型基區(qū)(p-Body)。
該晶柵120與 一 柵電極(圖未示)歐姆接觸，通過(guò)該柵電極為該晶 柵120提供一柵極電壓；該n+型高摻雜源極區(qū)域150與一源電極(圖未 示)歐姆接觸，通過(guò)該源電極為該n+型高摻雜源極區(qū)域150提供一源 極電壓；該n+型高摻雜漏極區(qū)域160與 一漏電極(圖未示)歐姆接觸， 通過(guò)該漏電沖及為該n+型高雜漏極區(qū)i成160^是供 一 漏極電壓；該p+ 型高摻雜襯底電極區(qū)域170與 一村底電極(bulk electrode)(圖未示)歐姆接觸，通過(guò)該襯底電極為該p +型高摻雜襯底電極區(qū)域170提供一襯 底電壓。
該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170可緊靠該n+型高摻雜源極區(qū)域 150,即該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170與n+型高摻雜源極區(qū)域150之 間無(wú)任何空隙，兩者相連接，此時(shí)，施加在該p+型高摻雜襯底電極 區(qū)域170上的襯底電壓與施加在該n+型高摻雜源極區(qū)域150上的源極 電壓一致。該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170與n+型高摻雜源極區(qū)域 150之間也可以存在 一 定的間隔，此時(shí)，施加在該p+型高摻雜襯底電 極區(qū)域170上的襯底電壓可以與施加在該n+型高摻雜源極區(qū)域150上 的源極電壓不一致，優(yōu)選的，該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170與該11+ 型高摻雜源極區(qū)域150之間具有 一 場(chǎng)氧化絕緣區(qū)域(圖未示)以隔離 該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170與該n+型高摻雜源極區(qū)域150。
該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管10 0進(jìn) 一 步包括 一 對(duì)該n —型輕摻 雜區(qū)域130進(jìn)行部分摻雜從而形成的n型摻雜區(qū)域180,該n型摻雜區(qū) 域180圍繞該n+型高摻雜漏極區(qū)域160。優(yōu)選的，該n型摻雜區(qū)域180 的摻雜濃度大于該n-型輕摻雜區(qū)域130的摻雜濃度且小于該n+型高 摻雜漏極區(qū)域160的摻雜濃度。
該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管IOO還進(jìn)一步包括一第一p型摻雜 區(qū)域191，該第一p型摻雜區(qū)域191形成在該n+型高摻雜源極區(qū)域150 之下。該第一p型摻雜區(qū)域191的摻雜濃度高于該p+型高摻雜區(qū)域 140。
該n+型高摻雜源極區(qū)域150與該n+型高摻雜漏極區(qū)域160位于同 一層，其可僅利用 一參考圖層(layout layer)同時(shí)制成，因此極大的 節(jié)約了制造成本及制造步驟。
當(dāng)該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管IOO正常工作時(shí)，在該晶柵120 上施加的電壓會(huì)促使位于該晶柵120下的該p+型高摻雜區(qū)域140的部 分進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，從而形成一個(gè)從該n+型高摻雜源極區(qū)域150至該n-型輕 摻雜區(qū)域130間的溝道，通過(guò)施加在該n+型高摻雜源極區(qū)域150及該 n+型高摻雜漏極區(qū)域160之間的電壓的作用下，該n+型高摻雜源極區(qū)域150中的電子通過(guò)形成的溝道到達(dá)該iT型輕摻雜區(qū)域130 ，再通過(guò) 漂移，依次通過(guò)該n-型輕摻雜區(qū)域130及該n型摻雜區(qū)域180而到達(dá)該 n+型高摻雜漏極區(qū)域160。
當(dāng)該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管IOO處于靜態(tài)放電時(shí)，如人的手 指觸碰至該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管IOO的漏電極時(shí)，此時(shí)人體上 的高靜態(tài)電壓施加于漏電極上，而源電極，襯底電極及斥冊(cè)電極均相 當(dāng)于接地，即該n+型高摻雜漏極區(qū)域160上施加了高靜態(tài)電壓，而晶 柵120， n+型高摻雜源極區(qū)域150及p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170接 地。此時(shí)，該n-型輕摻雜區(qū)域130與該p+型高摻雜區(qū)域140間的PN結(jié) 擊穿，對(duì)該高靜態(tài)電壓進(jìn)行放電。其中，在垂直方向上，該n—型輕 摻雜區(qū)域130，該p+型高摻雜區(qū)域140,該p型區(qū)域191及該n+型高摻 雜源4及區(qū)域150所組成的 一 個(gè)垂直方向上的NPN三極管導(dǎo)通對(duì)該高 靜態(tài)電壓進(jìn)行快速放電；同時(shí)，在水平方向上，該n—型輕摻雜區(qū)域 130，該p+型高摻雜區(qū)域140及該n+型高摻雜源極區(qū)域150所組成的一 個(gè)水平方向上的NPN三極管導(dǎo)通對(duì)該高靜態(tài)電壓進(jìn)行快速放電。由 于該p型摻雜區(qū)域191設(shè)置于該n+型高摻雜源極區(qū)域150之下，且該p 型摻雜區(qū)域191的摻雜濃度高于該p+型高摻雜區(qū)域140的摻雜濃度， 因此，該p型摻雜區(qū)域191可以極大地影響該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶 體管100的在靜態(tài)放電時(shí)的電流電壓(I—V)特性，即該橫向擴(kuò)散金屬 氧化物晶體管100的擊穿電壓(breakdown voltage), 驟回電流 (snapback voltage)， 保持電流(holding current)及第二擊穿電流 (second breakdown current)之間的特性。通過(guò)調(diào)節(jié)該p型摻雜區(qū)域191 的摻雜濃度及其位置可以調(diào)整該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管IOO在 靜態(tài)放電時(shí)的電流電壓特性，使其獲得滿(mǎn)意的電流電壓特性，從而 提高該橫向擴(kuò)散金屬氧化'物晶體管IOO的抗靜電能力。
該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管IOO進(jìn)一步包括一靠近該n+型高 摻雜漏極區(qū)域160設(shè)置的第 一 場(chǎng)氧化層111 ，該第 一 場(chǎng)氧化層111將該 114型高摻雜漏極區(qū)域160與另 一橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管的p+型 高摻雜襯底電極區(qū)域及n+型高摻雜源極區(qū)域相隔開(kāi)。該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管100還進(jìn)一步包括一靠近該p+型 高摻雜襯底電極區(qū)域170及該n+型高摻雜源極區(qū)域150設(shè)置的第二場(chǎng) 氧化層112，該第二場(chǎng)氧化層112將該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域170 及該n+型高摻雜源極區(qū)域15與另 一橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管的n+ 型高摻雜漏極區(qū)域相隔開(kāi)。
請(qǐng)參閱圖2，是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化 物晶體管200。該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管200與第 一 實(shí)施例所提 供的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管100相似，其不同在于，該橫向擴(kuò)散 金屬氧化物晶體管200還進(jìn)一步包括一與該第一p型摻雜區(qū)域291相 鄰的第二p型摻雜區(qū)域292。該第二p型摻雜區(qū)域292形成于該p+型高 摻雜襯底電極區(qū)域270之下。該第一p型摻雜區(qū)域291與該第二p型摻 雜區(qū)域292之間具有 一 定的間隙。且該第二 p型摻雜區(qū)域292的橫向長(zhǎng) 度小于該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域270的橫向長(zhǎng)度從而使該p+型高 摻雜襯底電極區(qū)域270可以與該p+型高摻雜區(qū)域240相互連接。
該第二p型摻雜區(qū)域292的摻雜濃度高于該p工型高摻雜區(qū)域240。 優(yōu)選的，該第二p型摻雜區(qū)域292的摻雜濃度在該p+型高摻雜區(qū)域240 與該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域270的摻雜濃度之間。
該第一p型摻雜區(qū)域291與該第二p型摻雜區(qū)域292位于同 一層， 其可僅利用 一 參考圖層(layout layer)同時(shí)制成，因此極大的節(jié)約了 制造成本及制造步驟。
請(qǐng)參閱圖3 ，是本發(fā)明第三實(shí)施例提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化 物晶體管3 0 0 。該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管3 0 0與第二實(shí)施例所提 供的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管200相似，其不同在于，該第二p型 摻雜區(qū)域392的橫向長(zhǎng)度大于該p+型高摻雜村底電極區(qū)域370的橫向 長(zhǎng)度，從而使該p+型高摻雜襯底電極區(qū)域370與該p+型高摻雜區(qū)域 340相互隔離。
請(qǐng)參閱圖4 ，是本發(fā)明第四實(shí)施例提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化 物晶體管400。該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管400與第二實(shí)施例所提 供的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管200相似，其不同在于，該第一p型摻雜區(qū)域491向該n+型高摻雜漏極區(qū)域460延伸以覆蓋該n+型高摻雜 源極區(qū)域450的靠近該n+型高摻雜漏極區(qū)域460的邊緣部分。
請(qǐng)參閱圖5 ,是本發(fā)明第五實(shí)施例提供的 一 種橫向擴(kuò)散金屬氧化 物晶體管500。該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管500與第二實(shí)施例所提 供的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管200相似，其不同在于，該橫向擴(kuò)散 金屬氧化物晶體管500進(jìn)一步包括一設(shè)置在該晶柵520與該n+型高摻 雜漏極區(qū)域560之間的第三場(chǎng)氧化層513 ,該第三場(chǎng)氧化層513可以減 少穿過(guò)該柵氧化層5 21間的垂直電場(chǎng)強(qiáng)度。當(dāng)然，該第三場(chǎng)氧化層513 也可以設(shè)置在圖1 、圖3及圖4所示的第 一 實(shí)施例、第三實(shí)施例及第四 實(shí)施例所提供的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管100、300及400的相同位 置處。
當(dāng)然，本發(fā)明所介紹的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管也可以采用n 型半導(dǎo)體材料作為襯底，其它的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)將其類(lèi)型轉(zhuǎn)換一下即可， 即p型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)改為n型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，而n型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)改為 p型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要 其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化， 都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其包括一第一類(lèi)型襯底，一設(shè)置在該第一類(lèi)型襯底上的柵氧化物，一設(shè)置在該柵氧化物上的晶柵，一對(duì)該第一類(lèi)型襯底進(jìn)行部分摻雜從而形成的第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域以作為阱區(qū)，一對(duì)該第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形成的第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域以作為基區(qū)，一對(duì)該第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形成的第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域，一對(duì)該第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形成的第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域，以及一對(duì)該第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形成的第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域，該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域與該第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域分別形成在該晶柵的兩側(cè)，該第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域靠近該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域形成，且該第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域及該第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域分別具有一部分直接位于該晶柵之下以隔開(kāi)該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域與該第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域，其特征在于，該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管進(jìn)一步包括設(shè)置在該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域之下的一第一摻雜區(qū)域，該第一摻雜區(qū)域?yàn)榈谝活?lèi)型摻雜區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于，該 橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管還進(jìn)一步包括設(shè)置在該第一類(lèi)型高摻 雜襯底電極區(qū)域之下的 一 第二摻雜區(qū)域，該第二摻雜區(qū)域?yàn)榈谝?類(lèi)型摻雜區(qū)域，且該第 一摻雜區(qū)域與該第二摻雜區(qū)域間具有一定 的間隙。
3. 如權(quán)利要求2所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于，該第二摻雜區(qū)域的橫向長(zhǎng)度小于該第 一 類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域的 橫向長(zhǎng)度以使該第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域與該第一類(lèi)型高摻 雜區(qū)域相互連接。
4. 如權(quán)利要求2所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于，該第二摻雜區(qū)域的橫向長(zhǎng)度大于該第 一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域的 橫向長(zhǎng)度以將該第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域與該第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域相互隔離。
5. 如權(quán)利要求2所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于，該第 一 摻雜區(qū)域向第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域延伸以覆蓋該第二類(lèi)型 高摻雜源極區(qū)域的靠近該第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域的邊緣部分。
6. 如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管， 其特征在于，該第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度高于該第一類(lèi)型高摻雜 區(qū)域。
7. 如權(quán)利要求2至5中任意一項(xiàng)所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管， 其特征在于，該第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度高于該第 一 類(lèi)型高摻雜 區(qū)域。
8. 如權(quán)利要求7所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于，該 第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度大于該第 一類(lèi)型高摻雜區(qū)域的摻雜濃度 且小于該第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域的摻雜濃度。
9. 如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于，該 橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管進(jìn)一步包括一對(duì)該第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域進(jìn)行部分摻雜從而形成的第二類(lèi)型摻雜區(qū)域，該第二類(lèi)型摻雜 區(qū)域圍繞該第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域。
10. 如權(quán)利要求9所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該第二類(lèi)型摻雜區(qū)域的摻雜濃度大于該第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域的摻 雜濃度且小于該第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域的摻雜濃度。
11. 如權(quán)利要求l所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管進(jìn)一步包括一靠近該第二類(lèi)型高摻 雜漏極區(qū)域設(shè)置的第 一 場(chǎng)氧化層，該第 一 場(chǎng)氧化層將該第二類(lèi)型 高摻雜漏極區(qū)域與另 一橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管的第一類(lèi)型高 摻雜襯底電極區(qū)域及第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域相隔開(kāi)。
12. 如權(quán)利要求l所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管進(jìn)一步包括一靠近該第 一類(lèi)型高摻 雜襯底電極區(qū)域及該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域設(shè)置的第二場(chǎng)氧化 層，該第二場(chǎng)氧化層將該第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域及該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域與另 一橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管的第二類(lèi) 型高摻雜漏極區(qū)域相隔開(kāi)。
13. 如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管進(jìn) 一 步包括 一 設(shè)置于該晶柵與該第 二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域之間的第三場(chǎng)氧化層以減少通過(guò)該柵氧化 物的垂直電場(chǎng)強(qiáng)度。
14. 如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域與該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域相 互連接。
15. 如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該第 一 類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域與該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域之 間具有一定的間隔。
16. 如權(quán)利要求15所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該第 一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域與該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域之 間具有一場(chǎng)氧化絕緣區(qū)域以隔離該第 一類(lèi)型高摻雜村底電極區(qū)域 與該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域。
17. 如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該第一類(lèi)型為p型，該第二類(lèi)型為n型。
18. 如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其特征在于， 該第一類(lèi)型為n型，該第二類(lèi)型為p型。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其包括一第一類(lèi)型襯底，一柵氧化物，一晶柵，一第二類(lèi)型輕摻雜區(qū)域以作為阱區(qū)，一第一類(lèi)型高摻雜區(qū)域以作為基區(qū)，一第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域，一第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域，以及一第一類(lèi)型高摻雜襯底電極區(qū)域，該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域與該第二類(lèi)型高摻雜漏極區(qū)域分別形成在該晶柵的兩側(cè)，該橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管進(jìn)一步包括設(shè)置在該第二類(lèi)型高摻雜源極區(qū)域之下的一第一摻雜區(qū)域，該第一摻雜區(qū)域?yàn)榈谝活?lèi)型摻雜區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L29/78GK101414630SQ20071016400
公開(kāi)日2009年4月22日 申請(qǐng)日期2007年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月15日
發(fā)明者孫興華, 張智毅, 邱振銘, 龍贊倫 申請(qǐng)人:天鈺科技股份有限公司